JPH0664710B2 - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPH0664710B2 JPH0664710B2 JP60153986A JP15398685A JPH0664710B2 JP H0664710 B2 JPH0664710 B2 JP H0664710B2 JP 60153986 A JP60153986 A JP 60153986A JP 15398685 A JP15398685 A JP 15398685A JP H0664710 B2 JPH0664710 B2 JP H0664710B2
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- Japan
- Prior art keywords
- film
- protective film
- magnetic head
- sio
- thin film
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、コア材にコバルト−ニオブ（Co−Nb）系磁性
薄膜を用いた薄膜磁気ヘッドに係り、特に偏摩耗防止に
好適な保護膜を形成した薄膜磁気ヘッドに関する。
薄膜を用いた薄膜磁気ヘッドに係り、特に偏摩耗防止に
好適な保護膜を形成した薄膜磁気ヘッドに関する。
薄膜磁気ヘッドは、耐衝撃、耐湿、耐環境、耐摩耗、等
のための保護膜が成される。このような保護膜の材料と
して非磁性セラミックスSiO２あるいはAl２Ｏ３を用い
るのが特開昭58−179923号公報、特開昭58−26308号公
報、特開昭58−161122号公報などに示されている。しか
し、Co系アモルファス又はセンダストコア材を用いた薄
膜磁気ヘッドに対し、電子ビーム蒸着等で形成するMgO
とSiO２の混合物が適度な硬さと熱膨張係数を有し、か
つ厚い膜形成ができることは知られていなかった。
のための保護膜が成される。このような保護膜の材料と
して非磁性セラミックスSiO２あるいはAl２Ｏ３を用い
るのが特開昭58−179923号公報、特開昭58−26308号公
報、特開昭58−161122号公報などに示されている。しか
し、Co系アモルファス又はセンダストコア材を用いた薄
膜磁気ヘッドに対し、電子ビーム蒸着等で形成するMgO
とSiO２の混合物が適度な硬さと熱膨張係数を有し、か
つ厚い膜形成ができることは知られていなかった。
本発明の目的は、コア材にCo−Nb系磁性薄膜を用いた薄
膜磁気ヘッドの偏摩耗の発生を効果的に抑制できる保護
膜を形成した薄膜磁気ヘッドを提供するにある。
膜磁気ヘッドの偏摩耗の発生を効果的に抑制できる保護
膜を形成した薄膜磁気ヘッドを提供するにある。
この発明を達成するために、本発明は、コア材にCo−Nb
系磁性薄膜を用いた薄膜磁気ヘッドの保護膜をMgOとSiO
２を適当な割合いで混ぜた混合物（化合部）で形成した
点に特徴がある。
系磁性薄膜を用いた薄膜磁気ヘッドの保護膜をMgOとSiO
２を適当な割合いで混ぜた混合物（化合部）で形成した
点に特徴がある。
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図（ａ），（ｂ）は薄膜磁気ヘッドの構造説明図
で、（ａ）は断面図で示す１例、（ｂ）は斜視図で示す
他例である。
で、（ａ）は断面図で示す１例、（ｂ）は斜視図で示す
他例である。
図面（ａ）において、１は基板、４はギャップ材、５は
保護膜、21,22は磁気コア、31は信号コイルであり、同
図（ｂ）において、１は基板、２は磁気コア、３は信号
コイル、４はギャップ材、５は保護膜、32は巻線穴であ
る。
保護膜、21,22は磁気コア、31は信号コイルであり、同
図（ｂ）において、１は基板、２は磁気コア、３は信号
コイル、４はギャップ材、５は保護膜、32は巻線穴であ
る。
これらの薄膜磁気ヘッドは、いずれも鏡面研摩された基
板１に磁気コア2,21,22のコア材や、非磁性絶縁材、信
号コイル31となる導体（同図（ａ）の場合）等を順次成
膜およびエッチングを繰返して所定の形状にパタニング
する。そして最後に保護膜５を形成して薄膜磁気ヘッド
は完成する。なお、同図（ｂ）の場合は信号コイル３の
布設が行なわれる。
板１に磁気コア2,21,22のコア材や、非磁性絶縁材、信
号コイル31となる導体（同図（ａ）の場合）等を順次成
膜およびエッチングを繰返して所定の形状にパタニング
する。そして最後に保護膜５を形成して薄膜磁気ヘッド
は完成する。なお、同図（ｂ）の場合は信号コイル３の
布設が行なわれる。
これらの処理は、IC等の製造において用いられているフ
ォトエッチングプロセスにより行なわれるので、高精度
に、かつ一枚の基板から多数のヘッドチップを得ること
ができ、性能のバラツキが少なく、量産化に優れてい
る。
ォトエッチングプロセスにより行なわれるので、高精度
に、かつ一枚の基板から多数のヘッドチップを得ること
ができ、性能のバラツキが少なく、量産化に優れてい
る。
ところで、保護膜５は、外部衝撃からの保護、耐
湿，耐環境、耐摩耗性、等の目的で設けられるもので
あるが、この保護膜５はギャップ材４の近傍（すなわち
ギャップ近傍）に位置するので、テープタッチの良否を
左右する重要なヘッド構成材となる。保護膜５の厚み
は、テープ摺動性、耐偏摩耗の点から20〜40μｍ程度を
必要とする。この位の厚みになると、一般的には累積さ
れた膜応力により膜が剥離するか、膜に亀裂が生じる等
の問題が起き、薄膜磁気ヘッドに適用できる成膜が困難
であった。この問題を解決するには膜の内部応力を極力
小さくする必要があり、ヘッド構成材料の熱膨張係数を
合せる事が有効な手段である。しかしながら、金属のコ
ア材（Co−Nb系アモルファス）の熱膨張係数は100×10
− ７１／℃以上であるのに対し、一般のセラミックスは
熱膨張係数が小さく、100×10− ７１／℃以下である。
従って、コア材と保護膜との熱膨張係数を一致させるの
は困難である。また、ZrO２,Al２Ｏ３はセラミックスの
中で比較的熱膨張係数の大きい材料であるが、コア材に
対して硬度が高いため偏摩耗を起す。ZrO２について
は、更に融点が高く成膜しにくいという欠点もある。
湿，耐環境、耐摩耗性、等の目的で設けられるもので
あるが、この保護膜５はギャップ材４の近傍（すなわち
ギャップ近傍）に位置するので、テープタッチの良否を
左右する重要なヘッド構成材となる。保護膜５の厚み
は、テープ摺動性、耐偏摩耗の点から20〜40μｍ程度を
必要とする。この位の厚みになると、一般的には累積さ
れた膜応力により膜が剥離するか、膜に亀裂が生じる等
の問題が起き、薄膜磁気ヘッドに適用できる成膜が困難
であった。この問題を解決するには膜の内部応力を極力
小さくする必要があり、ヘッド構成材料の熱膨張係数を
合せる事が有効な手段である。しかしながら、金属のコ
ア材（Co−Nb系アモルファス）の熱膨張係数は100×10
− ７１／℃以上であるのに対し、一般のセラミックスは
熱膨張係数が小さく、100×10− ７１／℃以下である。
従って、コア材と保護膜との熱膨張係数を一致させるの
は困難である。また、ZrO２,Al２Ｏ３はセラミックスの
中で比較的熱膨張係数の大きい材料であるが、コア材に
対して硬度が高いため偏摩耗を起す。ZrO２について
は、更に融点が高く成膜しにくいという欠点もある。
これに対し、MgOはZrO２と同様に融点が約2800℃と高い
が、SiO２との混合物（化合物）では融点がさがると共
に適度な硬さ（ＨＶ＝450〜850）と熱膨張係数を持つこ
とがわかった。
が、SiO２との混合物（化合物）では融点がさがると共
に適度な硬さ（ＨＶ＝450〜850）と熱膨張係数を持つこ
とがわかった。
第２図は保護膜材であるMgOとSiO２の組成比による熱膨
張係数の変化をCo−Nb系アモルファス及びセンダスト膜
をそれぞれコア材とした場合について示した図である。
同図に示したように、同一の組成比であっても、成膜条
件等により熱膨張係数はやや変化することがわかる。ま
た、Co−Nb系アモルファス及びセンダスト膜上に電子ビ
ーム蒸着装置で約30μｍの保護膜を形成した場合の亀裂
と剥離の発生をみて、その良否を〇△×の順で同図に示
した。同図において、〇を良、×を否とし、△までを有
効と考えると、Co−Nb系アモルファではSiO２の混合比
が10〜70％、センダストでは10〜60％で成膜できること
がわかる。
張係数の変化をCo−Nb系アモルファス及びセンダスト膜
をそれぞれコア材とした場合について示した図である。
同図に示したように、同一の組成比であっても、成膜条
件等により熱膨張係数はやや変化することがわかる。ま
た、Co−Nb系アモルファス及びセンダスト膜上に電子ビ
ーム蒸着装置で約30μｍの保護膜を形成した場合の亀裂
と剥離の発生をみて、その良否を〇△×の順で同図に示
した。同図において、〇を良、×を否とし、△までを有
効と考えると、Co−Nb系アモルファではSiO２の混合比
が10〜70％、センダストでは10〜60％で成膜できること
がわかる。
この結果から、コア材と保護膜の材料（保護膜材）の熱
膨張係数の差が凡そ40〜50×10− ７１／℃以上あると保
護膜は亀裂又は剥離を生じるとみることができる。
膨張係数の差が凡そ40〜50×10− ７１／℃以上あると保
護膜は亀裂又は剥離を生じるとみることができる。
ここで、コア材となるCo−Nb系アモルファスの熱膨張係
数は100×10− ７１／℃であるので、SiO２の濃度が40〜
50％の範囲では熱膨張係数の差がおよそ５×10− ７１／
℃程度と極めて近いので望ましい。
数は100×10− ７１／℃であるので、SiO２の濃度が40〜
50％の範囲では熱膨張係数の差がおよそ５×10− ７１／
℃程度と極めて近いので望ましい。
第２図に示された〇の組成で成膜した保護膜の内部応力
は凡そ１×10８dyn／cm２前後で、SiO２単体に比べて略
々１桁以上小さい事がわかった。上記MgOとSiO２の混合
物（化合物）の保護膜形成により、従来みられた偏摩耗
がなくなり、ヘッドの信頼性が大幅に向上した。
は凡そ１×10８dyn／cm２前後で、SiO２単体に比べて略
々１桁以上小さい事がわかった。上記MgOとSiO２の混合
物（化合物）の保護膜形成により、従来みられた偏摩耗
がなくなり、ヘッドの信頼性が大幅に向上した。
上記本発明による保護膜の特性は、電子ビーム蒸着装置
で形成した膜の検討結果であるが、スパッタ装置で形成
したMgOとSiO２の混合物（化合物）の保護膜でも同様の
結果が得られた。
で形成した膜の検討結果であるが、スパッタ装置で形成
したMgOとSiO２の混合物（化合物）の保護膜でも同様の
結果が得られた。
第３図は磁気コアのコア材としてCo−Nb系アモルファス
を用い、保護膜として本発明によるMgOとSiO２の混合物
（化合物）を用いて成膜した薄膜磁気ヘッドの摩耗特性
の一例を示した図であって、磁気コアと保護膜の両者は
略々同程度の摩耗特性を示しており、偏摩耗の発生はみ
られない。
を用い、保護膜として本発明によるMgOとSiO２の混合物
（化合物）を用いて成膜した薄膜磁気ヘッドの摩耗特性
の一例を示した図であって、磁気コアと保護膜の両者は
略々同程度の摩耗特性を示しており、偏摩耗の発生はみ
られない。
また、MgOとSiO２以外の第３物質を小量添加することに
よって、本発明の効果が損なわれることはない。更に、
MgOとSiO２の混合物（化合物）を形成する前に、Cr,Ti
等の密着層を形成してもよい。
よって、本発明の効果が損なわれることはない。更に、
MgOとSiO２の混合物（化合物）を形成する前に、Cr,Ti
等の密着層を形成してもよい。
なお、MgOとSiO２の組成比については、一部酸素が欠乏
状態であってもさしつかえない。
状態であってもさしつかえない。
更に、本発明によるMgOとSiO２の混合物（化合物）の膜
はテープ摺動性がよく、コア材との相性がよいので、保
護膜材に限らず、コア材近傍の構成材として充分有効に
使えるものである。
はテープ摺動性がよく、コア材との相性がよいので、保
護膜材に限らず、コア材近傍の構成材として充分有効に
使えるものである。
以上説明したように、本発明によれば、熱膨張係数がコ
ア材となるCo−Nb系アモルファスに近く、硬度も適当
で、20μｍ以上の保護膜が得られ、偏摩耗もなく、かつ
テープ摺動性の良好な薄膜磁気ヘッドを得ることがで
き、上記従来技術の欠点を除いて優れた機能の薄膜磁気
ヘッドを提供することができる。
ア材となるCo−Nb系アモルファスに近く、硬度も適当
で、20μｍ以上の保護膜が得られ、偏摩耗もなく、かつ
テープ摺動性の良好な薄膜磁気ヘッドを得ることがで
き、上記従来技術の欠点を除いて優れた機能の薄膜磁気
ヘッドを提供することができる。
【図面の簡単な説明】 第１図（ａ），（ｂ）は薄膜磁気ヘッドの構造を説明す
る構造説明図、第２図は保護膜材の組成比による熱膨張
係数の変化を示す図、第３図は本発明により保護膜を用
いた薄膜磁気ヘッドの摩耗特性の一例を示す図である。 １……基板、2,21,22……磁気コア、3,31……信号コイ
ル、４……ギャップ材、５……保護膜。
る構造説明図、第２図は保護膜材の組成比による熱膨張
係数の変化を示す図、第３図は本発明により保護膜を用
いた薄膜磁気ヘッドの摩耗特性の一例を示す図である。 １……基板、2,21,22……磁気コア、3,31……信号コイ
ル、４……ギャップ材、５……保護膜。
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に少なくとも磁気コア、ギャップ
材、保護膜を成膜およびエッチングにより所定形状に形
成してなる薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記保護膜の組成がMgOとSiO２から成り前記MgOとSiO２
の組成比をSiO２を濃度にして40〜50％とし、 コア材としてコバルト−ニオブ（Co−Nb）系磁性薄膜を
用いることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60153986A JPH0664710B2 (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60153986A JPH0664710B2 (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6216218A JPS6216218A (ja) | 1987-01-24 |
| JPH0664710B2 true JPH0664710B2 (ja) | 1994-08-22 |
Family
ID=15574409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60153986A Expired - Fee Related JPH0664710B2 (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0664710B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0782621B2 (ja) * | 1988-12-27 | 1995-09-06 | 富士写真フイルム株式会社 | 薄膜磁気ヘッド |
| JPH0922512A (ja) * | 1995-07-05 | 1997-01-21 | Sony Corp | 複合型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
| US6356419B1 (en) | 1999-07-23 | 2002-03-12 | International Business Machines Corporation | Antiparallel pinned read sensor with improved magnetresistance |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6124007A (ja) * | 1984-07-11 | 1986-02-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
-
1985
- 1985-07-15 JP JP60153986A patent/JPH0664710B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6124007A (ja) * | 1984-07-11 | 1986-02-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6216218A (ja) | 1987-01-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |