JPS589209A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は薄膜−気ヘッドに係シ、特に上部磁気コア側に
保護箱の無□機絶縁膜を具備する薄膜磁気へ痣゛の改良
に関する。

薄膜磁気ヘッドは、例えば電子計算機の記憶装置として
使用される磁気ディスク装置或いは磁気ドラム装置の如
く高記録密度が要求される磁気記録装置用の磁気ヘッド
として薄膜技術によシ製造されるもので、その電磁変換
動作に必要な最小構成要素懐、磁気ギャップを有し上部
磁気コア及び下部磁気コアから成る磁気コアと、上部磁
気コアと下部磁気コアとの間を通シ磁気コアと交差する
コイル導体と、磁気コアとコイル導体間及びコイル導体
が複数個存在する場合にはコイル導体相互間を電気的に
絶縁する絶縁材である。これらの要素から構成される薄
膜磁気ヘッドは、基板上に形成する必要があることかち
基板も薄膜磁気ヘッドの構成要素となる。この基板とし
ては、ガラス。

セラミランス等の非磁性材料が使用される場合と、例え
ばＮｉ−２ｎフエライト、Ｍｎ−Ｚｎ７エライト等の軟
質磁性材料が使用される場合とがあり、後者の場合には
下部磁気コアと兼用することも行なわれている。

一方、薄膜磁気ヘッドはその製作過程で、例えばセラミ
ックの基板上へ下部磁気コア、絶縁層。

コイル導体、絶縁層及び上部磁気コアを順次積層した後
、上部磁気；ア、下部磁気コア及びそれら間に介在した
絶縁層から成る磁気ギャップの深さを所定値にするため
に磁気ギャップ端は基板を含め機械的切削加工が施され
る。また、使用時には記録媒体と摺動し合う。このため
、薄膜磁気ヘッドを電磁変換動作に必要な最小構成要素
のみから構成したのでは、機械的切削加工時に磁気コア
の剥離を招いたシ１．記録媒体との摺動によって磁気ギ
ャップ端の摩耗を招く等実用上解決しなければならない
問題を有する。

これらの問題を解決した実用的な薄膜磁気ヘッドの一例
として、第１図に示すように上部磁気コア側を保護用の
無機絶縁膜で被膜し次構造が知られている。図において
、ＩＦｉ基板、２は基板１上に形成され次下部磁気コア
、３は下部磁気コア２上のコイル４体を形成すべき個所
及び磁気ギャップＧとなる個所に形成された第１の絶縁
層、４Ｆｉ第１の絶縁層３上に形成したコイル導体’、
ｓｈコイル導体４相互間及びコイル導体４と下部磁気コ
ア間を電気的に絶縁する第２の絶縁層、６は大部分が第
２の絶縁層５上に位置し一端が第１の絶縁層３を介して
下部磁気コア２の一端に対向して磁気ギャップＧを形成
し、他端が下部磁気コア２の他端に接触する上部磁気コ
ア、７社上部磁気コア６上に形成された保護用の無機絶
縁膜である。この保護用の無機絶縁膜７としてはＡ　４
０　ｓ　、　８　ｆａｔ　＊ＺｒＯ，等の酸化物が用い
られている。その形成法として紘スパッタリング法が用
いられているが、反応性蒸着２反応性スパッタリング、
気相反応法あるいは溶射等を用いることも出来る。この
無機絶縁膜７の膜厚は５〜５０μｍとするのが一般的で
ある。この様な厚い無機絶縁膜は前記のいずれの形成法
を採用して形成する場合にも、無機絶縁膜に大゛きな内
部応力を発生する。例えば、発明者らの実験に依れば、
スパッタリングで形成した膜厚３０μｍのＡｌｔｏｓは
約３０Ｋｐ／ｓｓ＋”　（Ｄ内部応力を有していた。こ
の様に大きな内部応力は、薄膜磁抵ヘッドの電磁変換特
性を左右する磁気・コア（多くの場合にはｇｏＮｉ−２
ｏｐｅの組成を臂するパーマロイ膜が用いられる）の磁
気特性を大幅に低下させる原因となる。すなわち内部応
力の大きい無機絶縁膜を上部磁気コア６上に直接形成し
たものは電磁変換特性が大幅に低下する。薄膜磁気ヘッ
ドの電磁変換特性を劣化させない程度に内部応力を減少
させた５〜５０μｍの保護用の無機絶縁膜７を形成する
°゛ことは困難である。

本発明の目的は、電磁変換特性の優れた実用的な薄膜磁
気ヘッドを提供することにある。

本発明の他の目的は、上部磁気コア上に内部応力の大き
な保護用の無機絶縁膜を形成しても、電磁変換特性が低
下しない薄膜磁気ヘッドを提供することにある。

か＼る目的を奏する本発明薄膜磁気ヘッドの特徴とする
七ころは、上部磁気コアと保護用の無機絶縁膜との間に
有機絶縁１ｋを介在させた点はある。

この有機絶縁膜は、その上の無機絶縁膜の内部応力を吸
収して、無機絶歎膜の内部応力が磁気コアに加わらない
ように或いは加わってもその大きさを軽減する機能を有
する。従って、薄膜磁気ヘッドの無機絶縁膜に原因する
電磁変換特許の低下を防止することかできる。無機絶縁
膜の内部応力が磁気コアに加わらない様にするに必要な
有機絶縁膜の厚さは、無機絶縁膜の内部応力の大きさに
よって異なる。無機絶縁膜の内部応力が５〜５０に４／
ｌｌｌＩ２の場合、有機絶縁膜の必要な厚さは０．５〜
５μｍである。無機絶縁膜の形成時には基板の温度上昇
は避けられないことから、有機絶縁膜としては耐熱温度
の高いポリイミド系樹脂が適している。また、有機絶縁
膜は上部磁気コアの全面を被う必要はなく、上部磁気コ
アの磁気ギャップ近傍を除く個所上に形成すれば充分で
ある。

以下本発明薄膜磁気ヘッドを実施例として示した図面に
より詳細に説明する。

第２図において、２１は基板、２２は基板２１上に形成
された下部磁気コア、２３は下部磁気コア２２上のコイ
ル導体を形成すべき個所及び磁気ギャップＧとなる個所
に形成された第１の絶縁層、２４は第１の絶縁層２３上
に形成したコイル導体、２５はコイル導体２４相互間及
びコイル導体２４と下部磁気コア２２間を電気的に絶縁
する第２の絶縁層、２６は大部分が第２の絶縁層２５上
に位置し一端が第１の絶縁層２３を介して下部磁気コア
２２の一端に対向して磁気ギャップＧを形成し、他端が
下部磁気コア２２の他端に接触する上部磁気コア、２７
は上部磁気コア２６上の磁気ギャップＧに対向する個所
を除く全面に形成した有機絶縁膜、２８は有機絶縁ｊｌ
［２６上は勿論基板上に形成された磁気コイル及びコイ
ル導体をすべて被覆するように形成された無機絶縁膜で
ある。

か＼る構成の薄膜磁気ヘッドの製法を第３図に説明する
。

まず第３図（ａ）に示す如く、公知の技術例えばめっき
、蒸着、スパッタリングおよびホトエツチング等の技術
を用いて基板２１上に下部磁気コア２２、第１絶縁層２
３．コイル導体２４．第２絶縁層２５．上部磁気コア２
６を形成する。次に第２図（ｂ）に示す如く、ポリイミ
ド系樹脂（例えば日立化成製ＰＩＱ樹脂）を３μｍ回転
塗布する。次に所定の温度でベーキングを行ない、第２
図（Ｃ）に示す如くホトエツチングして、磁気ヘッド先
端部分を除去し、有機絶縁膜２７を形成する。次に第２
図（ｄ）＋７）如く、Ａ　ｔ、　Ｏ，を２５／ＪｍＸバ
ッタして無機絶縁膜２８を形成する。次に図示されてい
ないが、コイル導体２４と外部回路のリード線との接続
部である接続端子を公知の技術で形成し、一点鎖線に沿
って機械加工して、第２図に示す薄膜磁気ヘッドとする
。

上蔀磁気コア２６と無機絶縁膜２８との界面に有機絶縁
膜２７を具備した本発明に係る第２図の薄膜磁気ヘッド
は、従来の上部磁気コア２６上に直接無機絶縁膜２８を
形成した薄膜磁気ヘッドに比べて、続出電圧は１．５倍
、書込電流は０．７倍と良好な電磁変換特性を有してい
た。

第４図に本発明の他の実施例を示す。図示される薄膜磁
気ヘッドの特徴は、基板４１が下部磁気コアを兼用した
ものであり、基板材質としては軟質磁性体であるＮｉ−
７，ｎフェライトあるいはＭ　ｎ　＝　７．　ｎフェラ
イトを用いるのが良い。本笑施例の場合にも無機絶縁Ｍ
２８と上部磁気コア２６との界面に有機絶縁膜２７を具
備せしめることによシ、上部磁気コア２６の磁気特性の
低下を防止することができる。

以上の説明から明らかな如く、本発明によれば保護無機
絶縁膜の形成条件の範囲が広く、かつ良好な電磁変換特
性を有する薄膜磁気ヘッドを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の薄膜磁気ヘッドの概略断面図、第２図は
本発明薄膜磁気ヘッドの一実施例を示す概略断面図、第
３図は第２図に示す薄膜磁気ヘッドの製造工程図、第４
図は本発明の他の実施例を示す概略断面図である。 ２２・・・下部磁気コア、２４・・・コイル導体、２６
・・・上部磁気コア、２７・・・有機絶縁膜、・２８・
・・無機絶縁膜。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上に、下部磁気コア、絶縁層、コイル導体、絶
   縁層、上部磁気コアを！次積層し、その上を無機絶縁膜
   で被覆してなるものにおいて、上部磁気コアと無機絶縁
   膜との間に有機絶縁膜を介在したことを特徴とする薄膜
   磁気ヘッド。 ２、特許請求の範囲第１項において、有機絶縁膜は無機
   絶縁膜の内部応力が上部磁気コアに及はす影響を実質的
   に除去するに充分な厚さを有することを特徴とする薄膜
   磁気ヘッド。 ３、特許請求の範囲第１項或いは第２項において、基板
   と下部磁気コアが一体に形成されていることを特徴とす
   る薄膜磁気ヘッド。