JPH07334817A - 薄膜磁気ヘッドのリード部構造 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドのリード部構造Info
- Publication number
- JPH07334817A JPH07334817A JP12150794A JP12150794A JPH07334817A JP H07334817 A JPH07334817 A JP H07334817A JP 12150794 A JP12150794 A JP 12150794A JP 12150794 A JP12150794 A JP 12150794A JP H07334817 A JPH07334817 A JP H07334817A
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- JP
- Japan
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- layer
- conductor layer
- film
- magnetic head
- thin film
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は薄膜磁気ヘッドのコイル導体層を取
出電極に接続導通するリ−ド導体層の膜剥がれや膜厚減
少による抵抗値増大をなくし信頼性の高い薄膜磁気ヘッ
ドを提供することを目的とする。 【構成】 基板１上に絶縁膜２、下部磁性層３、無機ギ
ャップ層４、コイル導体層６、有機樹脂絶縁層７１、７
２、上部磁性層５を備え、コイル導体層から取出電極へ
接続するリ−ド導体層８が、２層構造８１、８３であ
り、さらにその中間に酸化防止膜８２を備えた構成から
なる。
出電極に接続導通するリ−ド導体層の膜剥がれや膜厚減
少による抵抗値増大をなくし信頼性の高い薄膜磁気ヘッ
ドを提供することを目的とする。 【構成】 基板１上に絶縁膜２、下部磁性層３、無機ギ
ャップ層４、コイル導体層６、有機樹脂絶縁層７１、７
２、上部磁性層５を備え、コイル導体層から取出電極へ
接続するリ−ド導体層８が、２層構造８１、８３であ
り、さらにその中間に酸化防止膜８２を備えた構成から
なる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば磁気テープや磁
気ディスクあるいはハードディスク等の磁気記録媒体に
対し情報の書き込みあるいは読み出しをするのに好適な
薄膜磁気ヘッドに関し、特にコイル導体層を取出電極に
接続導通するリード部構造の改良に関するものである。
気ディスクあるいはハードディスク等の磁気記録媒体に
対し情報の書き込みあるいは読み出しをするのに好適な
薄膜磁気ヘッドに関し、特にコイル導体層を取出電極に
接続導通するリード部構造の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は特開平2-143906に示された従来よ
り良く知られている薄膜磁気ヘッドの要部の斜視図、図
６は図５の矢印Ａ−Ａ’間の断面図、図７は特開平4-21
919に示された従来の薄膜磁気ヘッドを層ごとに分離し
て描いた模式図である。これらの図において、セラミッ
クで構成された基板１、アルミナ等でなる絶縁膜２、下
部磁性層３、アルミナ等でなる無機ギャップ層４、上部
磁性層５、コイル導体層６、フォトレジストを熱硬化し
たノボラック樹脂等の有機樹脂絶縁層７、リード導体層
８、取出電極９、各部を覆うアルミナ等の保護膜１１で
ある。コイル導体膜６及びリード導体層８１は、通常、
Ｃｕめっき膜で形成されるがそれらの下地となる層（例
えば 絶縁膜２）との密着性向上及び電解めっき時の付
着性を高めるために、図示はされていないがＴｉ／Ｃｕ
あるいはＣｒ／Ｃｕ等の下地膜を有する。有機樹脂絶縁
層７は、コイル導体層６と下部磁性層３または上部磁性
層５の間の電気的絶縁をする目的で配置されるため下部
有機樹脂絶縁層７１と上部有機樹脂絶縁層７２で構成さ
れている。通常材質はフォトレジストであり、コイル導
体層６を覆う形に形成した後、２２０〜３２０℃で熱硬
化させたノボラック樹脂等である。リード導体層８は、
コイル導体層６と取出電極９を接続する目的で配置され
たものでコイル導体層６と同一工程で形成されたリード
導体層８１と上部磁性層５と同一工程で形成されたリー
ド導体層８３を重ねて構成されている。下部磁性層３及
び上部磁性層５は通常は飽和磁束密度の高い磁性材料例
えばパーマロイ等をめっきで形成して用いている。
り良く知られている薄膜磁気ヘッドの要部の斜視図、図
６は図５の矢印Ａ−Ａ’間の断面図、図７は特開平4-21
919に示された従来の薄膜磁気ヘッドを層ごとに分離し
て描いた模式図である。これらの図において、セラミッ
クで構成された基板１、アルミナ等でなる絶縁膜２、下
部磁性層３、アルミナ等でなる無機ギャップ層４、上部
磁性層５、コイル導体層６、フォトレジストを熱硬化し
たノボラック樹脂等の有機樹脂絶縁層７、リード導体層
８、取出電極９、各部を覆うアルミナ等の保護膜１１で
ある。コイル導体膜６及びリード導体層８１は、通常、
Ｃｕめっき膜で形成されるがそれらの下地となる層（例
えば 絶縁膜２）との密着性向上及び電解めっき時の付
着性を高めるために、図示はされていないがＴｉ／Ｃｕ
あるいはＣｒ／Ｃｕ等の下地膜を有する。有機樹脂絶縁
層７は、コイル導体層６と下部磁性層３または上部磁性
層５の間の電気的絶縁をする目的で配置されるため下部
有機樹脂絶縁層７１と上部有機樹脂絶縁層７２で構成さ
れている。通常材質はフォトレジストであり、コイル導
体層６を覆う形に形成した後、２２０〜３２０℃で熱硬
化させたノボラック樹脂等である。リード導体層８は、
コイル導体層６と取出電極９を接続する目的で配置され
たものでコイル導体層６と同一工程で形成されたリード
導体層８１と上部磁性層５と同一工程で形成されたリー
ド導体層８３を重ねて構成されている。下部磁性層３及
び上部磁性層５は通常は飽和磁束密度の高い磁性材料例
えばパーマロイ等をめっきで形成して用いている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のリード導体層８
の構成では、コイル導体層６と同一工程で形成されるリ
ード導体層８１が次工程で形成する上部有機樹脂絶縁層
７２の熱硬化時に露出された構造になる。このため、リ
ード導体層８１の表面酸化を防ぐためには熱硬化時の加
熱雰囲気を出来るだけ低酸素濃度に制御する必要があっ
た。即ち、リード導体層８１が表面酸化してしまうと、
後工程で重ねて形成するリード導体層８３が膜剥がれを
生じ問題となっていた。この低酸素濃度の制御は通常は
ベーク炉内に連続してＮ2ガス流入しながら行われる。
このため、毎回、一定酸素濃度に管理するのは難しく、
しばしば表面酸化が生じていた。また、これらの表面酸
化バラツキを考慮して安定に生産するために、上部有機
樹脂絶縁層７２の熱硬化直後に１％ＨＣｌ浸漬して、表
面酸化膜を除去していた。このため、リード導体層８１
の表面酸化層が溶けるため実質的には膜厚減少して、抵
抗値の増大を招いていた。 そこで、本発明の課題は、
上述する従来の問題点を解決し、熱硬化時に生じる表面
酸化をなくし膜剥がれのない信頼性の高い薄膜磁気ヘッ
ドを提供することにある。
の構成では、コイル導体層６と同一工程で形成されるリ
ード導体層８１が次工程で形成する上部有機樹脂絶縁層
７２の熱硬化時に露出された構造になる。このため、リ
ード導体層８１の表面酸化を防ぐためには熱硬化時の加
熱雰囲気を出来るだけ低酸素濃度に制御する必要があっ
た。即ち、リード導体層８１が表面酸化してしまうと、
後工程で重ねて形成するリード導体層８３が膜剥がれを
生じ問題となっていた。この低酸素濃度の制御は通常は
ベーク炉内に連続してＮ2ガス流入しながら行われる。
このため、毎回、一定酸素濃度に管理するのは難しく、
しばしば表面酸化が生じていた。また、これらの表面酸
化バラツキを考慮して安定に生産するために、上部有機
樹脂絶縁層７２の熱硬化直後に１％ＨＣｌ浸漬して、表
面酸化膜を除去していた。このため、リード導体層８１
の表面酸化層が溶けるため実質的には膜厚減少して、抵
抗値の増大を招いていた。 そこで、本発明の課題は、
上述する従来の問題点を解決し、熱硬化時に生じる表面
酸化をなくし膜剥がれのない信頼性の高い薄膜磁気ヘッ
ドを提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明は、レジストハードキュア温度(２２０〜３
２０℃)以下で酸化しにくい材質が最適であり、例えば
Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ等の金属ま
たはそれらの合金（例えばＮｉＦｅ等）から構成された
材質からなる酸化防止膜をコイル導体層及びそれと同一
組成を有するリード導体層上に重ねて形成したことを特
徴とする。
め、本発明は、レジストハードキュア温度(２２０〜３
２０℃)以下で酸化しにくい材質が最適であり、例えば
Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ等の金属ま
たはそれらの合金（例えばＮｉＦｅ等）から構成された
材質からなる酸化防止膜をコイル導体層及びそれと同一
組成を有するリード導体層上に重ねて形成したことを特
徴とする。
【０００５】
【作用】本発明を実施すると、従来問題となっていた上
部有機樹脂絶縁層６２の高温硬化時に露出したリ−ド導
体層表面の表面酸化は、３２０℃以下で酸化しにくい酸
化防止膜を表面に配置するため、皆無となり、その後に
リ−ド導体層を重ねて形成しても膜はがれ等の問題も発
生しない。また図４に従来法と本発明で実施した酸化防
止膜を付加した場合のリ−ド導体層の１％ＨＣｌ浸漬処
理後の膜厚減少量を示した。前述したように従来は安定
生産のためにこの１％ＨＣｌ浸漬処理を実施していた。
図より明らかなように本発明を実施すると加熱中の酸素
濃度いかんに関わらずリ−ド導体層膜厚はほとんど減ら
ないことがわかった。つまりリ−ド導体部のＣｕ膜が酸
化防止膜を重ねて形成するため酸化せず膜厚減少も生じ
ない。したがって本発明を実施すればこれらの工程を減
らすことも可能となることが明かである。
部有機樹脂絶縁層６２の高温硬化時に露出したリ−ド導
体層表面の表面酸化は、３２０℃以下で酸化しにくい酸
化防止膜を表面に配置するため、皆無となり、その後に
リ−ド導体層を重ねて形成しても膜はがれ等の問題も発
生しない。また図４に従来法と本発明で実施した酸化防
止膜を付加した場合のリ−ド導体層の１％ＨＣｌ浸漬処
理後の膜厚減少量を示した。前述したように従来は安定
生産のためにこの１％ＨＣｌ浸漬処理を実施していた。
図より明らかなように本発明を実施すると加熱中の酸素
濃度いかんに関わらずリ−ド導体層膜厚はほとんど減ら
ないことがわかった。つまりリ−ド導体部のＣｕ膜が酸
化防止膜を重ねて形成するため酸化せず膜厚減少も生じ
ない。したがって本発明を実施すればこれらの工程を減
らすことも可能となることが明かである。
【０００６】
【実施例】図１は本発明に係わる薄膜磁気ヘッドの斜視
図、図２は図１中の矢印Ａ−Ａ’間の断面図である。ま
た図３は本発明の薄膜磁気ヘッドの断面図である。なお
ここで示した断面図は図１中の矢印Ｂ−Ｂ'間を模式的
に示した。以下 工程順に説明する。まずセラミックス
からなる基板１上にAl2O3等の絶縁膜２を形成し、その
上にパーマロイなどの磁性体をめっきして膜を積層し、
適当な形状に形成することで、下部磁性層３が形成され
る。次に、この下部磁性層３の上に、Al2O3などの無機
材質の膜をスパッタ等の手法で成膜し適当な形状に形成
することで、無機ギャップ層４を形成する。次に、全面
にフォトレジスト等の液状樹脂をスピンコートし、不要
部分を除去し、２５０〜３００℃に加熱し熱硬化させる
ことにより、下部有機樹脂絶縁層７１を積層する。次
に、Ｃｕめっき下地膜を成膜した後、不要部分を後で除
去可能なフォトレジスト等によって覆いＣｕめっきを行
い、コイル導体層６及びリード導体層８１を形成する。
次に、前工程で不要部分を覆ったフォトレジスト等を除
去せず残した状態でコイル導体層６及びリード導体層８
１の上に酸化防止膜６２、８２をめっき法または真空蒸
着法あるいはスパッタ法で重ねて成膜する。その後、前
述のフォトレジストを除去しＣｕめっき下地膜もイオン
ミリング等の方法で取り去る。次に、全面にフォトレジ
スト等の液状樹脂をスピンコートし、不要部分を除去
し、２５０〜３００℃に加熱し熱硬化させることによ
り、上部有機樹脂絶縁層７２を積層する。次に、パーマ
ロイ等の磁性体をめっきすることで、上部磁成層５及び
リード導体層８３を積層形成する。次に、取出電極９を
リード導体層８３上にめっき等の方法で形成する。最後
に、全面にAl2O3等をスパッタして保護膜１１を形成す
ることで、積層工程が終了する。その後、素子表面から
平坦に研磨し取出電極９を出現させる。そして、鎖線１
２の位置まで研磨し、無機ギャップ層４及び下部磁性層
３ならびに上部磁性層５の先端を露出させる。
図、図２は図１中の矢印Ａ−Ａ’間の断面図である。ま
た図３は本発明の薄膜磁気ヘッドの断面図である。なお
ここで示した断面図は図１中の矢印Ｂ−Ｂ'間を模式的
に示した。以下 工程順に説明する。まずセラミックス
からなる基板１上にAl2O3等の絶縁膜２を形成し、その
上にパーマロイなどの磁性体をめっきして膜を積層し、
適当な形状に形成することで、下部磁性層３が形成され
る。次に、この下部磁性層３の上に、Al2O3などの無機
材質の膜をスパッタ等の手法で成膜し適当な形状に形成
することで、無機ギャップ層４を形成する。次に、全面
にフォトレジスト等の液状樹脂をスピンコートし、不要
部分を除去し、２５０〜３００℃に加熱し熱硬化させる
ことにより、下部有機樹脂絶縁層７１を積層する。次
に、Ｃｕめっき下地膜を成膜した後、不要部分を後で除
去可能なフォトレジスト等によって覆いＣｕめっきを行
い、コイル導体層６及びリード導体層８１を形成する。
次に、前工程で不要部分を覆ったフォトレジスト等を除
去せず残した状態でコイル導体層６及びリード導体層８
１の上に酸化防止膜６２、８２をめっき法または真空蒸
着法あるいはスパッタ法で重ねて成膜する。その後、前
述のフォトレジストを除去しＣｕめっき下地膜もイオン
ミリング等の方法で取り去る。次に、全面にフォトレジ
スト等の液状樹脂をスピンコートし、不要部分を除去
し、２５０〜３００℃に加熱し熱硬化させることによ
り、上部有機樹脂絶縁層７２を積層する。次に、パーマ
ロイ等の磁性体をめっきすることで、上部磁成層５及び
リード導体層８３を積層形成する。次に、取出電極９を
リード導体層８３上にめっき等の方法で形成する。最後
に、全面にAl2O3等をスパッタして保護膜１１を形成す
ることで、積層工程が終了する。その後、素子表面から
平坦に研磨し取出電極９を出現させる。そして、鎖線１
２の位置まで研磨し、無機ギャップ層４及び下部磁性層
３ならびに上部磁性層５の先端を露出させる。
【０００７】
【発明の効果】本発明によれば、従来有機樹脂絶縁層７
２の熱硬化時の加熱雰囲気バラツキで生じるリード導体
層８２が表面酸化を起こさず、かつ 表面酸化に起因し
ていたパタ−ン剥がれも解決することができる。また、
前述したような熱硬化直後の１％ＨＣｌ浸漬処理を行う
必要もなく、それにともなって発生していた抵抗値増大
もなくなる。また前述したように大気中でも十分な効果
があることから加熱硬化時のＮ2流入雰囲気制御も不要
となる。またベーク後の冷却時間の短縮にも効果があ
る。
２の熱硬化時の加熱雰囲気バラツキで生じるリード導体
層８２が表面酸化を起こさず、かつ 表面酸化に起因し
ていたパタ−ン剥がれも解決することができる。また、
前述したような熱硬化直後の１％ＨＣｌ浸漬処理を行う
必要もなく、それにともなって発生していた抵抗値増大
もなくなる。また前述したように大気中でも十分な効果
があることから加熱硬化時のＮ2流入雰囲気制御も不要
となる。またベーク後の冷却時間の短縮にも効果があ
る。
【図１】本発明を実施した１実施例を示す薄膜磁気ヘッ
ド斜視図。
ド斜視図。
【図２】本発明を実施したリ−ド部断面図。
【図３】本発明を実施した薄膜磁気ヘッド素子中央断面
図。
図。
【図４】従来法及び本発明でのリード導体膜の１％ＨＣ
ｌ浸漬処理後の膜厚減小量。
ｌ浸漬処理後の膜厚減小量。
【図５】従来の薄膜磁気ヘッド構造
【図６】従来の薄膜磁気ヘッドリ−ド部断面図。
【図７】従来の薄膜磁気ヘッドを層ごとに分離して描い
た模式図である。
た模式図である。
１ 基板、２ 絶縁膜、３ 下部磁性層、４ 無機ギャ
ップ層、５ 上部磁性層、６ コイル導体層、７１ 下
部有機樹脂絶縁層、７２ 上部有機樹脂絶縁層、８ リ
ード導体層、５２ 高温酸化防止膜、８２ 高温酸化防
止膜、９ 取出電極、１１ 保護膜
ップ層、５ 上部磁性層、６ コイル導体層、７１ 下
部有機樹脂絶縁層、７２ 上部有機樹脂絶縁層、８ リ
ード導体層、５２ 高温酸化防止膜、８２ 高温酸化防
止膜、９ 取出電極、１１ 保護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 風間 和夫 埼玉県熊谷市三ケ尻5200番地日立金属株式 会社磁性材料研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に絶縁膜、下部磁性層、無機ギャ
ップ層、コイル導体層、有機樹脂絶縁層、上部磁性層、
を有する構造であって、前記コイル導体層にはリード導
体層と取り出し電極をもうけ、さらに前記リード導体層
は２層構造である薄膜磁気ヘッドのリ−ド構造において
前記リ−ド導体層は中間に酸化防止膜をそなえているこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッドのリード部構造。 - 【請求項２】 請求項１において 前記酸化防止膜は、
Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏの金属また
はこれから選ばれた合金であり、さらに前記有機樹脂絶
縁層のキュア温度以下で酸化しない特性を持っているこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッドのリード部構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12150794A JPH07334817A (ja) | 1994-06-02 | 1994-06-02 | 薄膜磁気ヘッドのリード部構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12150794A JPH07334817A (ja) | 1994-06-02 | 1994-06-02 | 薄膜磁気ヘッドのリード部構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07334817A true JPH07334817A (ja) | 1995-12-22 |
Family
ID=14812913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12150794A Pending JPH07334817A (ja) | 1994-06-02 | 1994-06-02 | 薄膜磁気ヘッドのリード部構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07334817A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6842307B2 (en) * | 2002-05-02 | 2005-01-11 | Headway Technologies, Inc. | Thin-film magnetic head including thin-film coil and lead layer connected via connecting layer |
-
1994
- 1994-06-02 JP JP12150794A patent/JPH07334817A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6842307B2 (en) * | 2002-05-02 | 2005-01-11 | Headway Technologies, Inc. | Thin-film magnetic head including thin-film coil and lead layer connected via connecting layer |
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