JPH09212820A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH09212820A JPH09212820A JP8038805A JP3880596A JPH09212820A JP H09212820 A JPH09212820 A JP H09212820A JP 8038805 A JP8038805 A JP 8038805A JP 3880596 A JP3880596 A JP 3880596A JP H09212820 A JPH09212820 A JP H09212820A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、容易に必要な軟磁性特性が得られる
ようにした、薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とす
る。 【構成】基板１１の上面に形成された下部磁性層１２
と、下部磁性層の上面にて互いに層間絶縁膜を挟んで積
層されたコイル層１３，１４と、コイル層を覆うよう
に、一側で下部磁性層に接すると共に、他側で下部磁性
層に対してギャップ１７を画成するように形成された上
部磁性層１５と、上部磁性層の上から全体を覆うように
形成された保護膜１６と、から構成されている薄膜磁気
ヘッド１０において、上記下部磁性層１２及び上部磁性
層１５が、鉄タンタル窒素酸素（Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｏ）
膜により形成されるように、薄膜磁気ヘッド１０を構成
する。
ようにした、薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とす
る。 【構成】基板１１の上面に形成された下部磁性層１２
と、下部磁性層の上面にて互いに層間絶縁膜を挟んで積
層されたコイル層１３，１４と、コイル層を覆うよう
に、一側で下部磁性層に接すると共に、他側で下部磁性
層に対してギャップ１７を画成するように形成された上
部磁性層１５と、上部磁性層の上から全体を覆うように
形成された保護膜１６と、から構成されている薄膜磁気
ヘッド１０において、上記下部磁性層１２及び上部磁性
層１５が、鉄タンタル窒素酸素（Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｏ）
膜により形成されるように、薄膜磁気ヘッド１０を構成
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に順次に形
成された下部磁性層，互いに層間絶縁膜を挟んで積層さ
れた少なくとも一つのコイル層及び上部磁性層を含む薄
膜磁気ヘッドに関し、特にギャップを平坦化するように
した、薄膜磁気ヘッドに関するものである。
成された下部磁性層，互いに層間絶縁膜を挟んで積層さ
れた少なくとも一つのコイル層及び上部磁性層を含む薄
膜磁気ヘッドに関し、特にギャップを平坦化するように
した、薄膜磁気ヘッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、薄膜磁気ヘッドは、例えば図５に
示すように構成されている。即ち、図５において、薄膜
磁気ヘッド１は、基板２の上面に、下部磁性層３を形成
し、この下部磁性層３の上面に、順次に層間絶縁膜３
ａ，４ａ，５ａを挟んで順次に積層された少なくとも一
つ（図示の場合、二層）のコイル層４，５を形成した
後、さらにその上から基板２表面全体に亘って、上部磁
性層６を形成し、最後に全体を覆うように保護膜７を形
成することにより、構成されている。
示すように構成されている。即ち、図５において、薄膜
磁気ヘッド１は、基板２の上面に、下部磁性層３を形成
し、この下部磁性層３の上面に、順次に層間絶縁膜３
ａ，４ａ，５ａを挟んで順次に積層された少なくとも一
つ（図示の場合、二層）のコイル層４，５を形成した
後、さらにその上から基板２表面全体に亘って、上部磁
性層６を形成し、最後に全体を覆うように保護膜７を形
成することにより、構成されている。
【０００３】ここで、上記上部磁性層６は、一側（図示
の場合、右側）が、下部磁性層３に接触すると共に、他
側（図示の場合、左側）が、ギャップ８を画成するよう
に、下部磁性層３に対して所定間隔を有するように、形
成されている。
の場合、右側）が、下部磁性層３に接触すると共に、他
側（図示の場合、左側）が、ギャップ８を画成するよう
に、下部磁性層３に対して所定間隔を有するように、形
成されている。
【０００４】このように構成された薄膜磁気ヘッド１に
よれば、ギャップ８を挟んだ下部磁性層３及び上部磁性
層６から成る磁気ヘッドが構成されることになる。
よれば、ギャップ８を挟んだ下部磁性層３及び上部磁性
層６から成る磁気ヘッドが構成されることになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このように
構成された薄膜磁気ヘッド１においては、層間絶縁膜３
ａ，４ａ，５ａとして、レジスト等の有機材料が使用さ
れている。これに対して、下部磁性層３及び上部磁性層
６は、層間絶縁膜３ａ，４ａ，５ａの耐熱温度を考慮し
て、２８０℃程度の熱処理によっても、所定の軟磁気特
性が得られるように、例えば電解めっき等により形成さ
れたパーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ）膜が使用される。
構成された薄膜磁気ヘッド１においては、層間絶縁膜３
ａ，４ａ，５ａとして、レジスト等の有機材料が使用さ
れている。これに対して、下部磁性層３及び上部磁性層
６は、層間絶縁膜３ａ，４ａ，５ａの耐熱温度を考慮し
て、２８０℃程度の熱処理によっても、所定の軟磁気特
性が得られるように、例えば電解めっき等により形成さ
れたパーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ）膜が使用される。
【０００６】しかしながら、近年の高保持力媒体に対す
る記録能力向上を図るためには、下部磁性層３及び上部
磁性層６を構成する磁性材料が、高飽和磁束密度を有す
ることが必要とされるようになってきたが、上述のよう
な層間絶縁膜３ａ，４ａ，５ａの耐熱温度を考慮した熱
処理によっては、このような要求に応えることが不可能
であった。
る記録能力向上を図るためには、下部磁性層３及び上部
磁性層６を構成する磁性材料が、高飽和磁束密度を有す
ることが必要とされるようになってきたが、上述のよう
な層間絶縁膜３ａ，４ａ，５ａの耐熱温度を考慮した熱
処理によっては、このような要求に応えることが不可能
であった。
【０００７】本発明は、以上の点に鑑み、容易に必要な
軟磁性特性が得られるようにした、薄膜磁気ヘッドを提
供することを目的としている。
軟磁性特性が得られるようにした、薄膜磁気ヘッドを提
供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明によ
れば、基板と、基板の上面に形成された下部磁性層と、
下部磁性層の上面にて互いに層間絶縁膜を挟んで積層さ
れた少なくとも一つのコイル層と、コイル層を覆うよう
に、一側で下部磁性層に接すると共に、他側で下部磁性
層に対してギャップを画成するように形成された上部磁
性層と、上部磁性層の上から全体を覆うように形成され
た保護膜と、から構成されている薄膜磁気ヘッドにおい
て、上記下部磁性層及び上部磁性層が、鉄タンタル窒素
酸素（Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｏ）膜により構成されているこ
とを特徴とする、薄膜磁気ヘッドにより、達成される。
れば、基板と、基板の上面に形成された下部磁性層と、
下部磁性層の上面にて互いに層間絶縁膜を挟んで積層さ
れた少なくとも一つのコイル層と、コイル層を覆うよう
に、一側で下部磁性層に接すると共に、他側で下部磁性
層に対してギャップを画成するように形成された上部磁
性層と、上部磁性層の上から全体を覆うように形成され
た保護膜と、から構成されている薄膜磁気ヘッドにおい
て、上記下部磁性層及び上部磁性層が、鉄タンタル窒素
酸素（Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｏ）膜により構成されているこ
とを特徴とする、薄膜磁気ヘッドにより、達成される。
【０００９】また、上記目的は、本発明によれば、読取
専用のＭＲ磁気ヘッドと、書込専用の薄膜磁気ヘッドと
を含んでいて、この薄膜磁気ヘッドが、基板と、基板の
上面に形成された下部磁性層と、下部磁性層の上面にて
互いに層間絶縁膜を挟んで積層された少なくとも一つの
コイル層と、コイル層を覆うように、一側で下部磁性層
に接すると共に、他側で下部磁性層に対してギャップを
画成するように形成された上部磁性層と、上部磁性層の
上から全体を覆うように形成された保護膜と、から構成
されている、ＭＲ複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、上記
薄膜磁気ヘッドを構成する下部磁性層及び上部磁性層
が、鉄タンタル窒素酸素（Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｏ）膜によ
り構成されていることを特徴とする、ＭＲ複合型薄膜磁
気ヘッドにより、達成される。
専用のＭＲ磁気ヘッドと、書込専用の薄膜磁気ヘッドと
を含んでいて、この薄膜磁気ヘッドが、基板と、基板の
上面に形成された下部磁性層と、下部磁性層の上面にて
互いに層間絶縁膜を挟んで積層された少なくとも一つの
コイル層と、コイル層を覆うように、一側で下部磁性層
に接すると共に、他側で下部磁性層に対してギャップを
画成するように形成された上部磁性層と、上部磁性層の
上から全体を覆うように形成された保護膜と、から構成
されている、ＭＲ複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、上記
薄膜磁気ヘッドを構成する下部磁性層及び上部磁性層
が、鉄タンタル窒素酸素（Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｏ）膜によ
り構成されていることを特徴とする、ＭＲ複合型薄膜磁
気ヘッドにより、達成される。
【００１０】上記構成によれば、下部磁性層及び上部磁
性層が、鉄タンタル窒素酸素（Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｏ）膜
により構成されていることから、下部磁性層及び上部磁
性層は、成膜直後においても約１．９Ｔｅｓｒａと、熱
処理後同様の飽和磁束密度を有する。
性層が、鉄タンタル窒素酸素（Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｏ）膜
により構成されていることから、下部磁性層及び上部磁
性層は、成膜直後においても約１．９Ｔｅｓｒａと、熱
処理後同様の飽和磁束密度を有する。
【００１１】これは、従来の薄膜磁気ヘッドの下部磁性
層及び上部磁性層に使用されていた約１．０Ｔｅｓｒａ
の飽和磁束密度であるパーマロイに比較して、高い飽和
磁束密度を有することになり、薄膜磁気ヘッドの書込能
力が向上することになる。
層及び上部磁性層に使用されていた約１．０Ｔｅｓｒａ
の飽和磁束密度であるパーマロイに比較して、高い飽和
磁束密度を有することになり、薄膜磁気ヘッドの書込能
力が向上することになる。
【００１２】また、鉄タンタル窒素酸素（Ｆｅ−Ｔａ−
Ｎ−Ｏ）膜が成膜直後においても軟磁気特性を有するた
め、従来は下部磁性層及び上部磁性層の軟磁気特性を得
るために必要であった熱処理が不要になる。従って、薄
膜磁気ヘッドの製造工程が簡略化され得ると共に、層間
絶縁膜の材料が耐熱温度に制約されずに選択され得る。
Ｎ−Ｏ）膜が成膜直後においても軟磁気特性を有するた
め、従来は下部磁性層及び上部磁性層の軟磁気特性を得
るために必要であった熱処理が不要になる。従って、薄
膜磁気ヘッドの製造工程が簡略化され得ると共に、層間
絶縁膜の材料が耐熱温度に制約されずに選択され得る。
【００１３】さらに、ＭＲ複合型薄膜磁気ヘッドの場合
には、パーマロイ等から成るＭＲ膜の耐熱温度だけで工
程を構築することができる。
には、パーマロイ等から成るＭＲ膜の耐熱温度だけで工
程を構築することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面に示した実施形態に基
づいて、本発明を詳細に説明する。図１は、本発明によ
る薄膜磁気ヘッドの一実施形態を示している。図１にお
いて、薄膜磁気ヘッド１０は、基板１１の上面に、下部
磁性層１２を形成し、この下部磁性層１２の上面に、順
次に層間絶縁膜１２ａ，１３ａ，１４ａを挟んで順次に
積層された少なくとも一つ（図示の場合、二つ）のコイ
ル層１３，１４を形成した後、さらにその上から基板１
１表面全体に亘って、上部磁性層１５を形成し、最後に
全体を覆うように保護膜１６を形成することにより、構
成されている。
づいて、本発明を詳細に説明する。図１は、本発明によ
る薄膜磁気ヘッドの一実施形態を示している。図１にお
いて、薄膜磁気ヘッド１０は、基板１１の上面に、下部
磁性層１２を形成し、この下部磁性層１２の上面に、順
次に層間絶縁膜１２ａ，１３ａ，１４ａを挟んで順次に
積層された少なくとも一つ（図示の場合、二つ）のコイ
ル層１３，１４を形成した後、さらにその上から基板１
１表面全体に亘って、上部磁性層１５を形成し、最後に
全体を覆うように保護膜１６を形成することにより、構
成されている。
【００１５】ここで、上記上部磁性層１５は、一側（図
示の場合、右側）が、下部磁性層１２に接触すると共
に、他側（図示の場合、左側）が、ギャップ１７を画成
するように、下部磁性層１２に対して所定間隔を有する
ように、形成されている。
示の場合、右側）が、下部磁性層１２に接触すると共
に、他側（図示の場合、左側）が、ギャップ１７を画成
するように、下部磁性層１２に対して所定間隔を有する
ように、形成されている。
【００１６】以上の構成は、図５に示した従来の薄膜磁
気ヘッド１と同様の構成であるが、本発明による薄膜磁
気ヘッド１０においては、上記下部磁性層１２、及び上
部磁性層１５は、鉄タンタル窒素酸素（Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ
−Ｏ）膜から構成されている。
気ヘッド１と同様の構成であるが、本発明による薄膜磁
気ヘッド１０においては、上記下部磁性層１２、及び上
部磁性層１５は、鉄タンタル窒素酸素（Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ
−Ｏ）膜から構成されている。
【００１７】この鉄タンタル窒素酸素（Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ
−Ｏ）膜は、図２に示すように、成膜直後においても、
熱処理後（図３参照）と、ほぼ同じ保磁力を有し、その
飽和磁束密度が、約１．９Ｔｅｓｒａと高い。
−Ｏ）膜は、図２に示すように、成膜直後においても、
熱処理後（図３参照）と、ほぼ同じ保磁力を有し、その
飽和磁束密度が、約１．９Ｔｅｓｒａと高い。
【００１８】従って、鉄タンタル窒素酸素（Ｆｅ−Ｔａ
−Ｎ−Ｏ）膜から成る下部磁性層１２及び上部磁性層１
５は、成膜直後であっても必要な軟磁気特性を示すこと
から、従来のパーマロイを使用した場合に必要であった
熱処理工程が不要になり、工程数が少なくて済むことに
なる。
−Ｎ−Ｏ）膜から成る下部磁性層１２及び上部磁性層１
５は、成膜直後であっても必要な軟磁気特性を示すこと
から、従来のパーマロイを使用した場合に必要であった
熱処理工程が不要になり、工程数が少なくて済むことに
なる。
【００１９】さらに、熱処理工程が不要であることか
ら、層間絶縁膜１２ａ，１３ａ，１４ａを構成するレジ
スト等は、耐熱温度を考慮することなく選択され得るの
で、耐熱温度の比較的低い材料が使用され得ることにな
り、コストが低減され得ることになる。
ら、層間絶縁膜１２ａ，１３ａ，１４ａを構成するレジ
スト等は、耐熱温度を考慮することなく選択され得るの
で、耐熱温度の比較的低い材料が使用され得ることにな
り、コストが低減され得ることになる。
【００２０】本発明による薄膜磁気ヘッド１０は、以上
のように構成されており、ギャップ１７を挟んだ下部磁
性層１２及び上部磁性層１５から成る磁気ヘッドが構成
されることになる。
のように構成されており、ギャップ１７を挟んだ下部磁
性層１２及び上部磁性層１５から成る磁気ヘッドが構成
されることになる。
【００２１】この場合、下部磁性層１２及び上部磁性層
１５が、高い飽和磁束密度を有していることから、薄膜
磁気ヘッド１０は、高保持力媒体に対する記録能力が向
上することになる。
１５が、高い飽和磁束密度を有していることから、薄膜
磁気ヘッド１０は、高保持力媒体に対する記録能力が向
上することになる。
【００２２】図４は、本発明による薄膜磁気ヘッドの他
の実施形態を示している。図４において、磁気ヘッド２
０は、ＭＲ複合型薄膜磁気ヘッドとして、基板２１上に
順次に構成された再生用ＭＲヘッド２２と、記録用薄膜
磁気ヘッド３０とから構成されている。
の実施形態を示している。図４において、磁気ヘッド２
０は、ＭＲ複合型薄膜磁気ヘッドとして、基板２１上に
順次に構成された再生用ＭＲヘッド２２と、記録用薄膜
磁気ヘッド３０とから構成されている。
【００２３】再生用ＭＲヘッド２２は、基板２１上に形
成された下部シールド２３と、下部シールド２３上にリ
ードギャップ２４を挟んで載置されたリード２５と、リ
ード２５の一側に形成されたパーマロイから成るＭＲ素
子２６と、その上に絶縁層を挟んで形成された上部シー
ルド２７とから構成されている。
成された下部シールド２３と、下部シールド２３上にリ
ードギャップ２４を挟んで載置されたリード２５と、リ
ード２５の一側に形成されたパーマロイから成るＭＲ素
子２６と、その上に絶縁層を挟んで形成された上部シー
ルド２７とから構成されている。
【００２４】また、薄膜磁気ヘッド３０は、ＭＲヘッド
２２の上部シールド２７を下部磁性層として、その上に
層間絶縁膜３１を挟んで形成された、少なくとも一つの
コイル層３２と、さらにその上から形成された上部磁性
層３３とから構成されている。
２２の上部シールド２７を下部磁性層として、その上に
層間絶縁膜３１を挟んで形成された、少なくとも一つの
コイル層３２と、さらにその上から形成された上部磁性
層３３とから構成されている。
【００２５】ここで、上記上部磁性層３３は、一側（図
示の場合、右奥）が、下部磁性層としての上部シールド
２７に接触すると共に、他側（図示の場合、左手前）
が、ギャップ３４を画成するように、上部シールド２７
に対して所定間隔を有するように、形成されている。
示の場合、右奥）が、下部磁性層としての上部シールド
２７に接触すると共に、他側（図示の場合、左手前）
が、ギャップ３４を画成するように、上部シールド２７
に対して所定間隔を有するように、形成されている。
【００２６】ここで、上記下部磁性層である上部シール
ド２７及び上部磁性層３３は、鉄タンタル窒素酸素（Ｆ
ｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｏ）膜から構成されている。
ド２７及び上部磁性層３３は、鉄タンタル窒素酸素（Ｆ
ｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｏ）膜から構成されている。
【００２７】従って、鉄タンタル窒素酸素（Ｆｅ−Ｔａ
−Ｎ−Ｏ）膜から成る上部シールド２７及び上部磁性層
３３は、成膜直後であっても必要な軟磁気特性を示すこ
とから、従来のパーマロイを使用した場合に必要であっ
た熱処理工程が不要になり、工程数が少なくて済むこと
になる。
−Ｎ−Ｏ）膜から成る上部シールド２７及び上部磁性層
３３は、成膜直後であっても必要な軟磁気特性を示すこ
とから、従来のパーマロイを使用した場合に必要であっ
た熱処理工程が不要になり、工程数が少なくて済むこと
になる。
【００２８】さらに、熱処理工程が不要であることか
ら、層間絶縁膜であるリードギャップ２４，３１を構成
するレジスト等は、耐熱温度を考慮することなく選択さ
れ得るので、耐熱温度の比較的低い材料でも使用され得
ることになり、コストが低減され得ることになる。
ら、層間絶縁膜であるリードギャップ２４，３１を構成
するレジスト等は、耐熱温度を考慮することなく選択さ
れ得るので、耐熱温度の比較的低い材料でも使用され得
ることになり、コストが低減され得ることになる。
【００２９】このような構成のＭＲ複合型薄膜磁気ヘッ
ド２０によれば、下部シールド２３及び上部シールド２
７の間に配設されたＭＲ素子２６により、再生ヘッドが
構成されると共に、上部シールド２７及び上部磁性層３
３の間に画成されたギャップ３４により、記録ヘッドが
構成されることになる。
ド２０によれば、下部シールド２３及び上部シールド２
７の間に配設されたＭＲ素子２６により、再生ヘッドが
構成されると共に、上部シールド２７及び上部磁性層３
３の間に画成されたギャップ３４により、記録ヘッドが
構成されることになる。
【００３０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、下
部磁性層及び上部磁性層が、鉄タンタル窒素酸素（Ｆｅ
−Ｔａ−Ｎ−Ｏ）膜により構成されていることから、下
部磁性層及び上部磁性層は、成膜直後においても約１．
９Ｔｅｓｒａの熱処理後と同様の高い飽和磁束密度を有
するので、薄膜磁気ヘッドの書込能力が向上することに
なる。
部磁性層及び上部磁性層が、鉄タンタル窒素酸素（Ｆｅ
−Ｔａ−Ｎ−Ｏ）膜により構成されていることから、下
部磁性層及び上部磁性層は、成膜直後においても約１．
９Ｔｅｓｒａの熱処理後と同様の高い飽和磁束密度を有
するので、薄膜磁気ヘッドの書込能力が向上することに
なる。
【００３１】また、鉄タンタル窒素酸素（Ｆｅ−Ｔａ−
Ｎ−Ｏ）膜が成膜直後においても軟磁気特性を有するこ
とになるため、従来は下部磁性層及び上部磁性層の軟磁
気特性を得るために必要であった熱処理が不要になる。
従って、薄膜磁気ヘッドの製造工程が簡略化され得ると
共に、層間絶縁膜の材料が耐熱温度に制約されずに選択
され得る。
Ｎ−Ｏ）膜が成膜直後においても軟磁気特性を有するこ
とになるため、従来は下部磁性層及び上部磁性層の軟磁
気特性を得るために必要であった熱処理が不要になる。
従って、薄膜磁気ヘッドの製造工程が簡略化され得ると
共に、層間絶縁膜の材料が耐熱温度に制約されずに選択
され得る。
【００３２】さらに、ＭＲ複合型薄膜磁気ヘッドの場合
には、パーマロイ等から成るＭＲ膜の耐熱温度だけで工
程を構築することができる。
には、パーマロイ等から成るＭＲ膜の耐熱温度だけで工
程を構築することができる。
【００３３】かくして、本発明によれば、容易に必要な
軟磁性特性が得られるようにした、薄膜磁気ヘッドが提
供され得ることになる。
軟磁性特性が得られるようにした、薄膜磁気ヘッドが提
供され得ることになる。
【図１】本発明による薄膜磁気ヘッドの一実施形態の構
成を示す拡大断面図である。
成を示す拡大断面図である。
【図２】図１の薄膜磁気ヘッドの下部磁性層及び上部磁
性層の構成材料として使用される鉄タンタル窒素酸素
（Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｏ）膜の成膜直後における磁気特性
を示すグラフである。
性層の構成材料として使用される鉄タンタル窒素酸素
（Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｏ）膜の成膜直後における磁気特性
を示すグラフである。
【図３】図１の薄膜磁気ヘッドの下部磁性層及び上部磁
性層の構成材料として使用される鉄タンタル窒素酸素
（Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｏ）膜の熱処理後の磁気特性を示す
グラフである。
性層の構成材料として使用される鉄タンタル窒素酸素
（Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｏ）膜の熱処理後の磁気特性を示す
グラフである。
【図４】本発明による薄膜磁気ヘッドの他の実施形態の
構成を示す概略斜視図である。
構成を示す概略斜視図である。
【図５】従来の薄膜磁気ヘッドの一例の構成を示す拡大
断面図である。
断面図である。
１０ 薄膜磁気ヘッド １１，２１ 基板 １２ 下部磁性層 １２ａ，１３ａ，１３ａ，３１ 層間絶縁膜 １３，１４，３２ コイル層 １５，３３ 上部磁性層 １６ 保護膜 １７，３４ ギャップ ２０ ＭＲ複合型薄膜磁気ヘッド ２２ 再生用ＭＲヘッド ２３ 下部シールド ２４ リードギャップ ２５ リード ２６ ＭＲ素子 ２７ 上部シールド（下部磁性層） ３０ 記録用薄膜磁気ヘッド
Claims (2)
- 【請求項１】 基板と、基板の上面に形成された下部磁
性層と、下部磁性層の上面にて互いに層間絶縁膜を挟ん
で積層された少なくとも一つのコイル層と、コイル層を
覆うように、一側で下部磁性層に接すると共に、他側で
下部磁性層に対してギャップを画成するように形成され
た上部磁性層と、上部磁性層の上から全体を覆うように
形成された保護膜と、から構成されている薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、 上記下部磁性層及び上部磁性層が、鉄タンタル窒素酸素
（Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｏ）膜により構成されていることを
特徴とする、薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 読取専用のＭＲ磁気ヘッドと、書込専用
の薄膜磁気ヘッドとを含んでいて、この薄膜磁気ヘッド
が、基板と、基板の上面に形成された下部磁性層と、下
部磁性層の上面にて互いに層間絶縁膜を挟んで積層され
た少なくとも一つのコイル層と、コイル層を覆うよう
に、一側で下部磁性層に接すると共に、他側で下部磁性
層に対してギャップを画成するように形成された上部磁
性層と、上部磁性層の上から全体を覆うように形成され
た保護膜と、から構成されている、ＭＲ複合型薄膜磁気
ヘッドにおいて、 上記薄膜磁気ヘッドを構成する下部磁性層及び上部磁性
層が、鉄タンタル窒素酸素（Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｏ）膜に
より構成されていることを特徴とする、ＭＲ複合型薄膜
磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8038805A JPH09212820A (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8038805A JPH09212820A (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09212820A true JPH09212820A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=12535519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8038805A Pending JPH09212820A (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09212820A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6873499B2 (en) | 1998-12-04 | 2005-03-29 | International Business Machines Corporation | Read head having high resistance soft magnetic flux guide layer for enhancing read sensor efficiency |
-
1996
- 1996-01-31 JP JP8038805A patent/JPH09212820A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6873499B2 (en) | 1998-12-04 | 2005-03-29 | International Business Machines Corporation | Read head having high resistance soft magnetic flux guide layer for enhancing read sensor efficiency |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040511 |