JP2001338404A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JP2001338404A JP2001338404A JP2000154001A JP2000154001A JP2001338404A JP 2001338404 A JP2001338404 A JP 2001338404A JP 2000154001 A JP2000154001 A JP 2000154001A JP 2000154001 A JP2000154001 A JP 2000154001A JP 2001338404 A JP2001338404 A JP 2001338404A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高記録密度／高周波数信号に対応して絶縁層
を狭く形成した場合においても、良好な絶縁性を保つ。 【解決手段】 下部シールド層３と第１のＡｌ2Ｏ3層５
との間に第１の金属膜層４を設ける。また、第２のＡｌ
2Ｏ3層７と上部シールド層９との間に代人の金属膜層８
を設ける。
を狭く形成した場合においても、良好な絶縁性を保つ。 【解決手段】 下部シールド層３と第１のＡｌ2Ｏ3層５
との間に第１の金属膜層４を設ける。また、第２のＡｌ
2Ｏ3層７と上部シールド層９との間に代人の金属膜層８
を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドに
関し、特に高周波記録信号に対応して狭く形成されたリ
ードギャップ及びライトギャップにおける絶縁性を向上
させた薄膜磁気ヘッドに関する。
関し、特に高周波記録信号に対応して狭く形成されたリ
ードギャップ及びライトギャップにおける絶縁性を向上
させた薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の薄膜磁気ヘッドの構造を図３及び
図４に示す。図３は、従来の薄膜磁気ヘッド２０の一部
を切り欠いて示す分解斜視図であり、図４は、薄膜磁気
ヘッド２０の断面図である。
図４に示す。図３は、従来の薄膜磁気ヘッド２０の一部
を切り欠いて示す分解斜視図であり、図４は、薄膜磁気
ヘッド２０の断面図である。
【０００３】図３及び図４に示すように、薄膜磁気ヘッ
ド２０は、基板２１上に形成された複数の層から構成さ
れる。基板２１上には、下部シールド層２２が設けられ
ており、下部シールド層２２の上層には、第１のＡｌ2
Ｏ3（アルミナ）層２３が設けられている。第１のＡｌ2
Ｏ3層の上には、磁気抵抗薄膜層２４が設けられ、さら
に、この磁気抵抗薄膜層２４を挟み込むように第２のＡ
ｌ2Ｏ3層２５が形成されている。薄膜磁気ヘッド２０で
は、このように磁気抵抗薄膜層２４を挟み込む第１及び
第２のＡｌ2Ｏ3層２３、２５によりリードギャップが形
成され、これにより信号の再生が行われる。
ド２０は、基板２１上に形成された複数の層から構成さ
れる。基板２１上には、下部シールド層２２が設けられ
ており、下部シールド層２２の上層には、第１のＡｌ2
Ｏ3（アルミナ）層２３が設けられている。第１のＡｌ2
Ｏ3層の上には、磁気抵抗薄膜層２４が設けられ、さら
に、この磁気抵抗薄膜層２４を挟み込むように第２のＡ
ｌ2Ｏ3層２５が形成されている。薄膜磁気ヘッド２０で
は、このように磁気抵抗薄膜層２４を挟み込む第１及び
第２のＡｌ2Ｏ3層２３、２５によりリードギャップが形
成され、これにより信号の再生が行われる。
【０００４】第２のＡｌ2Ｏ3層２５上には、上部シール
ド層２６が設けられており、上部シールド層２６上に
は、層間絶縁膜２７に挟み込まれたコイル層２８が設け
られており、さらにこれらを覆うように上部磁性層２９
が形成されている。上部シールド層２６と上部磁性層２
９とは、この薄膜磁気ヘッド２０の一端側で所定の間隔
を形成するように設けられており、これによりライトギ
ャップ３０が画成されている。この薄膜磁気ヘッド２０
では、このライトギャップ３０において信号の記録が行
われる。
ド層２６が設けられており、上部シールド層２６上に
は、層間絶縁膜２７に挟み込まれたコイル層２８が設け
られており、さらにこれらを覆うように上部磁性層２９
が形成されている。上部シールド層２６と上部磁性層２
９とは、この薄膜磁気ヘッド２０の一端側で所定の間隔
を形成するように設けられており、これによりライトギ
ャップ３０が画成されている。この薄膜磁気ヘッド２０
では、このライトギャップ３０において信号の記録が行
われる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来の
薄膜磁気ヘッドにおいては、リードギャップ及びライト
ギャップの形成にＡｌ2Ｏ3層を用いていた。ここで、近
年の記録密度の増大に伴い、記録／再生信号の周波数も
より高くなり、リードギャップ及びライトギャップの幅
もより狭く形成されるようになった。リードギャップ及
びライトギャップの幅を狭く形成すると、すなわちＡｌ
2Ｏ3層を薄く形成すると、Ａｌ2Ｏ3層の絶縁層としての
機能が低下し、磁気抵抗素子とシールドとの間で絶縁不
良が発生することがあった。
薄膜磁気ヘッドにおいては、リードギャップ及びライト
ギャップの形成にＡｌ2Ｏ3層を用いていた。ここで、近
年の記録密度の増大に伴い、記録／再生信号の周波数も
より高くなり、リードギャップ及びライトギャップの幅
もより狭く形成されるようになった。リードギャップ及
びライトギャップの幅を狭く形成すると、すなわちＡｌ
2Ｏ3層を薄く形成すると、Ａｌ2Ｏ3層の絶縁層としての
機能が低下し、磁気抵抗素子とシールドとの間で絶縁不
良が発生することがあった。
【０００６】本発明は、上述のような課題に鑑みてなさ
れたものであり、高周波記録信号に対応してＡｌ2Ｏ3層
を十分に薄く形成するとともに、絶縁不良の問題を回避
することのできる薄膜磁気ヘッドを提供することを目的
とする。
れたものであり、高周波記録信号に対応してＡｌ2Ｏ3層
を十分に薄く形成するとともに、絶縁不良の問題を回避
することのできる薄膜磁気ヘッドを提供することを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、基板と、上記基
板上に形成された下部シールド層と、上記下部シールド
層上に形成された第１の金属膜層と、上記金属膜層上に
形成された第１の絶縁層と、上記絶縁層上に形成された
磁気抵抗薄膜層と、上記磁気抵抗薄膜層上に形成された
第２の絶縁層と、上記第２の絶縁層上に形成された上部
シールド層と、上記上部シールド層上に形成されたコイ
ル層とを備える。さらに、上記第２の絶縁層と上記上部
シールド層との間に第２の金属膜層を設けてもよい。上
記第１及び第２の金属膜層は、例えば、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔ
ｉ、Ｗ、Ｎｂから選ばれる少なくとも１つの金属を材料
とする。
めに、本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、基板と、上記基
板上に形成された下部シールド層と、上記下部シールド
層上に形成された第１の金属膜層と、上記金属膜層上に
形成された第１の絶縁層と、上記絶縁層上に形成された
磁気抵抗薄膜層と、上記磁気抵抗薄膜層上に形成された
第２の絶縁層と、上記第２の絶縁層上に形成された上部
シールド層と、上記上部シールド層上に形成されたコイ
ル層とを備える。さらに、上記第２の絶縁層と上記上部
シールド層との間に第２の金属膜層を設けてもよい。上
記第１及び第２の金属膜層は、例えば、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔ
ｉ、Ｗ、Ｎｂから選ばれる少なくとも１つの金属を材料
とする。
【０００８】本発明に係る薄膜磁気ヘッドでは、磁気抵
抗薄膜層とシールド層との間の絶縁不良の発生率が低下
する。
抗薄膜層とシールド層との間の絶縁不良の発生率が低下
する。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドについて、図面を参照しながら詳細に説明する。
ドについて、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１０】図１は、本発明の実施の形態として示す、
本発明を適用した薄膜磁気ヘッド１の一部を切り欠いて
示す分解斜視図である。図２は、図１に示す薄膜磁気ヘ
ッド１の断面を示す図である。この薄膜磁気ヘッド１
は、基板２上に所定の材料からなる複数の層を順次積層
して形成されており、再生用ヘッド部１ａと記録用ヘッ
ド部１ｂからなる磁気抵抗効果型（ＭＲ）複合型薄膜磁
気ヘッドである。
本発明を適用した薄膜磁気ヘッド１の一部を切り欠いて
示す分解斜視図である。図２は、図１に示す薄膜磁気ヘ
ッド１の断面を示す図である。この薄膜磁気ヘッド１
は、基板２上に所定の材料からなる複数の層を順次積層
して形成されており、再生用ヘッド部１ａと記録用ヘッ
ド部１ｂからなる磁気抵抗効果型（ＭＲ）複合型薄膜磁
気ヘッドである。
【００１１】詳しくは、基板２上には、下部シールド層
３が形成され、下部シールド層３上には、第１の金属膜
層４及び絶縁層として機能する第１のＡｌ2Ｏ3層５が順
次形成されている。すなわち、従来の薄膜磁気ヘッドに
おいては、下部シールド層上にＡｌ2Ｏ3層を直接形成し
ていたが、この薄膜磁気ヘッド１においては、下部シー
ルド層３の上層に下地層として第１の金属膜層４を設
け、これにより第１のＡｌ2Ｏ3層５と下部シールド層３
との間にこの第１の金属膜層４を挟み込むように構成し
ている。
３が形成され、下部シールド層３上には、第１の金属膜
層４及び絶縁層として機能する第１のＡｌ2Ｏ3層５が順
次形成されている。すなわち、従来の薄膜磁気ヘッドに
おいては、下部シールド層上にＡｌ2Ｏ3層を直接形成し
ていたが、この薄膜磁気ヘッド１においては、下部シー
ルド層３の上層に下地層として第１の金属膜層４を設
け、これにより第１のＡｌ2Ｏ3層５と下部シールド層３
との間にこの第１の金属膜層４を挟み込むように構成し
ている。
【００１２】第１のＡｌ2Ｏ3層５上には、ＭＲヘッド６
ａ及びＭＲ電極６ｂとして機能するＭＲ層６が設けら
れ、さらにこのＭＲ層６の上層には、第２のＡｌ2Ｏ3層
７が形成されている。第２のＡｌ2Ｏ3層７上には、第２
の金属膜層８及び上部シールド層９が順次形成されてい
る。すなわち、従来の薄膜磁気ヘッドにおいては、単層
のＡｌ2Ｏ3層上に直接上部シールド層を設けていたが、
この薄膜磁気ヘッド１では、第２のＡｌ2Ｏ3層７上に第
２の金属膜層８を設け、この第２の金属膜層８を第２の
Ａｌ2Ｏ3層７と上部シールド層９との間に挟み込むよう
に構成している。
ａ及びＭＲ電極６ｂとして機能するＭＲ層６が設けら
れ、さらにこのＭＲ層６の上層には、第２のＡｌ2Ｏ3層
７が形成されている。第２のＡｌ2Ｏ3層７上には、第２
の金属膜層８及び上部シールド層９が順次形成されてい
る。すなわち、従来の薄膜磁気ヘッドにおいては、単層
のＡｌ2Ｏ3層上に直接上部シールド層を設けていたが、
この薄膜磁気ヘッド１では、第２のＡｌ2Ｏ3層７上に第
２の金属膜層８を設け、この第２の金属膜層８を第２の
Ａｌ2Ｏ3層７と上部シールド層９との間に挟み込むよう
に構成している。
【００１３】このように構成された薄膜磁気ヘッド１の
ＭＲ記録部１ａにおいては、ＭＲ層６を挟み込む第１及
び第２のＡｌ2Ｏ3層５，７がリードギャップを形成し、
これにより記録信号の再生が行われる。
ＭＲ記録部１ａにおいては、ＭＲ層６を挟み込む第１及
び第２のＡｌ2Ｏ3層５，７がリードギャップを形成し、
これにより記録信号の再生が行われる。
【００１４】さらに、上部シールド層９上には、複数の
層間絶縁膜１０に挟み込まれたコイル層１１が形成され
ており、さらにこれらを覆うように上部磁性層１２が形
成されている。上部シールド層９と上部磁性層１２と
は、この薄膜磁気ヘッド１の一端側で、所定の間隔を形
成するように設けられており、これによりライトギャッ
プ１３が画成されている。この薄膜磁気ヘッド１は、こ
のライトギャップ１３において信号の記録を行う。
層間絶縁膜１０に挟み込まれたコイル層１１が形成され
ており、さらにこれらを覆うように上部磁性層１２が形
成されている。上部シールド層９と上部磁性層１２と
は、この薄膜磁気ヘッド１の一端側で、所定の間隔を形
成するように設けられており、これによりライトギャッ
プ１３が画成されている。この薄膜磁気ヘッド１は、こ
のライトギャップ１３において信号の記録を行う。
【００１５】前述のとおり、磁気記録媒体における記録
密度の増大に伴って、より周波数の高い記録／再生信号
が用いられるようになっている。これに対応して、リー
ドギャップを狭く、すなわちこの薄膜磁気ヘッド１にお
ける第１及び第２のＡｌ2Ｏ3層５，７を薄く形成する必
要がある。しかしながら、第１及び第２のＡｌ2Ｏ3層
５，７を薄く形成することにより、絶縁不良の発生頻度
が高くなるという問題があった。
密度の増大に伴って、より周波数の高い記録／再生信号
が用いられるようになっている。これに対応して、リー
ドギャップを狭く、すなわちこの薄膜磁気ヘッド１にお
ける第１及び第２のＡｌ2Ｏ3層５，７を薄く形成する必
要がある。しかしながら、第１及び第２のＡｌ2Ｏ3層
５，７を薄く形成することにより、絶縁不良の発生頻度
が高くなるという問題があった。
【００１６】そこで、本願発明者らは、第１及び第２の
Ａｌ2Ｏ3層５，７を単層で用いる代わりに、第１のＡｌ
2Ｏ3層５と下部シールド層３との間、及び第２のＡｌ2
Ｏ3層７と上部シールド層９との間に、第１の金属膜層
４及び第２の金属膜層８をそれぞれ設けることにより、
これら第１の及び第２のＡｌ2Ｏ3層５，７の絶縁性が向
上し、絶縁不良の発生率が著しく低下することを見出し
た。すなわち、下部シールド層３上に下地層として第１
の金属膜層４を形成した後、この第１の金属膜層４上に
第１のＡｌ2Ｏ3層５を形成することにより、絶縁不良の
問題を改善することができる。これは、Ａｌ2Ｏ3膜の下
層に金属膜を配置することにより、Ａｌ2Ｏ3膜の構造
（膜密度・欠陥等）が改善／最適化されることにより、
電気的絶縁が向上すると思われる。
Ａｌ2Ｏ3層５，７を単層で用いる代わりに、第１のＡｌ
2Ｏ3層５と下部シールド層３との間、及び第２のＡｌ2
Ｏ3層７と上部シールド層９との間に、第１の金属膜層
４及び第２の金属膜層８をそれぞれ設けることにより、
これら第１の及び第２のＡｌ2Ｏ3層５，７の絶縁性が向
上し、絶縁不良の発生率が著しく低下することを見出し
た。すなわち、下部シールド層３上に下地層として第１
の金属膜層４を形成した後、この第１の金属膜層４上に
第１のＡｌ2Ｏ3層５を形成することにより、絶縁不良の
問題を改善することができる。これは、Ａｌ2Ｏ3膜の下
層に金属膜を配置することにより、Ａｌ2Ｏ3膜の構造
（膜密度・欠陥等）が改善／最適化されることにより、
電気的絶縁が向上すると思われる。
【００１７】第１及び第２の金属膜層４、８の材料とし
ては、例えば、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｂ等の金属や
これらの組み合わせを用いることができる。もちろん、
これら以外の金属を用いてもよい。また、以上の説明に
おいて実施の形態として示した薄膜磁気ヘッド１では、
下部シールド層３と第１のＡｌ2Ｏ3層５との間に第１の
金属膜層４を設け、第２のＡｌ2Ｏ3層７と上部シールド
層９との間に第２の金属膜層８を設けているが、下部シ
ールド層３側及び上部シールド層９側のいずれか一方の
みに金属膜層を形成する構成としてもよい。このような
構成によっても、絶縁不良の発生率を低下させることが
でき、すなわち、本発明の効果を享受することができ
る。
ては、例えば、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｂ等の金属や
これらの組み合わせを用いることができる。もちろん、
これら以外の金属を用いてもよい。また、以上の説明に
おいて実施の形態として示した薄膜磁気ヘッド１では、
下部シールド層３と第１のＡｌ2Ｏ3層５との間に第１の
金属膜層４を設け、第２のＡｌ2Ｏ3層７と上部シールド
層９との間に第２の金属膜層８を設けているが、下部シ
ールド層３側及び上部シールド層９側のいずれか一方の
みに金属膜層を形成する構成としてもよい。このような
構成によっても、絶縁不良の発生率を低下させることが
でき、すなわち、本発明の効果を享受することができ
る。
【００１８】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る薄膜磁気ヘ
ッドは、下部シールド層と絶縁層の間に金属膜層を設け
た構成としているので、絶縁層の絶縁性が向上し、絶縁
不良の発生率を低下させることができる。すなわち、本
発明によれば、絶縁層を薄く形成しても絶縁不良の問題
を回避することができるため、高記録密度／高周波数記
録信号に対応できる信頼性の高い薄膜磁気ヘッドを提供
することができる。また、上部シールドと絶縁層の間に
金属膜層を設けることにより、さらに絶縁不良の発生率
を低下させることができる。
ッドは、下部シールド層と絶縁層の間に金属膜層を設け
た構成としているので、絶縁層の絶縁性が向上し、絶縁
不良の発生率を低下させることができる。すなわち、本
発明によれば、絶縁層を薄く形成しても絶縁不良の問題
を回避することができるため、高記録密度／高周波数記
録信号に対応できる信頼性の高い薄膜磁気ヘッドを提供
することができる。また、上部シールドと絶縁層の間に
金属膜層を設けることにより、さらに絶縁不良の発生率
を低下させることができる。
【図１】本発明を適用した薄膜磁気ヘッドの一部を切り
欠いて示す分解斜視図である。
欠いて示す分解斜視図である。
【図２】図１に示す薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図３】従来の薄膜磁気ヘッドの一部を切り欠いて示す
分解斜視図である。
分解斜視図である。
【図４】従来の薄膜磁気ヘッドの断面図である。
１ 薄膜磁気ヘッド ２ 基板 ３ 下部シールド層 ４ 第１の金属膜層 ５ 第１のＡｌ2Ｏ3層 ６ ＭＲ層 ７ 第２のＡｌ2Ｏ3層 ８ 第２の金属膜層 ９ 上部シールド層 １０ 層間絶縁膜 １１ コイル層 １２ 上部磁性層 １３ ライトギャップ
Claims (3)
- 【請求項１】 基板と、 上記基板上に形成された下部シールド層と、 上記下部シールド層上に形成された第１の金属膜層と、 上記金属膜層上に形成された第１の絶縁層と、 上記絶縁層上に形成された磁気抵抗薄膜層と、 上記磁気抵抗薄膜層上に形成された第２の絶縁層と、 上記第２の絶縁層上に形成された上部シールド層と、 上記上部シールド層上に形成されたコイル層とを備える
薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 上記第２の絶縁層と上記上部シールド層
との間に設けられた第２の金属膜層を備えることを特徴
とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 上記第１及び第２の金属膜層は、Ｔａ、
Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｂから選ばれる少なくとも１つの金
属を材料とすることを特徴とする請求項１又は２記載の
薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000154001A JP2001338404A (ja) | 2000-05-25 | 2000-05-25 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000154001A JP2001338404A (ja) | 2000-05-25 | 2000-05-25 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001338404A true JP2001338404A (ja) | 2001-12-07 |
Family
ID=18659163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000154001A Pending JP2001338404A (ja) | 2000-05-25 | 2000-05-25 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001338404A (ja) |
-
2000
- 2000-05-25 JP JP2000154001A patent/JP2001338404A/ja active Pending
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