JPH01191315A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH01191315A JPH01191315A JP1366888A JP1366888A JPH01191315A JP H01191315 A JPH01191315 A JP H01191315A JP 1366888 A JP1366888 A JP 1366888A JP 1366888 A JP1366888 A JP 1366888A JP H01191315 A JPH01191315 A JP H01191315A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘッドに関し、更に詳述すれば、磁性
層上に積層される保護層が改良された薄膜磁気ヘッドに
関する。
層上に積層される保護層が改良された薄膜磁気ヘッドに
関する。
薄膜磁気ヘッドは、フェライト或いはサファイア等の耐
摩耗性材料より成る基板上に、センダスト、アモルファ
ス等により形成した複数の磁性層、導電性金属から成る
コイル導体層及び絶縁層等を順次成膜及びエツチングを
繰返して所定の形状にパターニングし、最後に記録媒体
の走行による摩耗等から前記磁性層を保護する目的で保
護層を形成して設けられている。
摩耗性材料より成る基板上に、センダスト、アモルファ
ス等により形成した複数の磁性層、導電性金属から成る
コイル導体層及び絶縁層等を順次成膜及びエツチングを
繰返して所定の形状にパターニングし、最後に記録媒体
の走行による摩耗等から前記磁性層を保護する目的で保
護層を形成して設けられている。
処で、上記のような構成において、保護層が磁性層に較
べて充分に硬いと、記録媒体の走行による摩耗が磁性】
側に早く及び、磁性層に偏摩耗が生じてスペーシング・
ロスを発生することは良く知られでいる。
べて充分に硬いと、記録媒体の走行による摩耗が磁性】
側に早く及び、磁性層に偏摩耗が生じてスペーシング・
ロスを発生することは良く知られでいる。
一方、前記保護層は軟らか過ぎると全体の摩耗が早くな
り、ヘッド寿命を短かくする。従って、保護層の硬度は
磁性層と路間しか、これよりも幾分低い硬さに設けられ
ていることが望ましい。
り、ヘッド寿命を短かくする。従って、保護層の硬度は
磁性層と路間しか、これよりも幾分低い硬さに設けられ
ていることが望ましい。
例えば、磁性層のビッカース硬度がHV =600〜6
50kg/lTlff12 のとき、保護層はHv =
400〜600kg/lTlm2 の範囲に設定されて
いることが望ましい。
50kg/lTlff12 のとき、保護層はHv =
400〜600kg/lTlm2 の範囲に設定されて
いることが望ましい。
また、前記保護層の厚みは、記録媒体の摺動性、耐偏摩
耗の点から20〜40μm程度以上を必要とする。しか
しこの程度の厚みになると、通常、累積された内部応力
により保護層が剥離又は保護層に亀裂を生じる。このた
め内部応力を極力小さくする必要がある。この問題を解
決する1つの有効手段は、ヘッドを構成する各材料の熱
膨張係数を合わせることである。しかしながら、一般に
従来は金属磁性材料と保護層の熱膨張係数を合わせるこ
とは難しかった。
耗の点から20〜40μm程度以上を必要とする。しか
しこの程度の厚みになると、通常、累積された内部応力
により保護層が剥離又は保護層に亀裂を生じる。このた
め内部応力を極力小さくする必要がある。この問題を解
決する1つの有効手段は、ヘッドを構成する各材料の熱
膨張係数を合わせることである。しかしながら、一般に
従来は金属磁性材料と保護層の熱膨張係数を合わせるこ
とは難しかった。
特開昭62−16218号公報には、偏摩耗の発生を効
果的に抑制できる保護層としてMgOと5iCh の混
合物が開示されている。更に、MgOと3102の組成
比を5in2を濃度にして10〜70%とすることによ
り、適度な硬さ(Hv=450〜850)と所望の熱膨
張係数が得られることが記載されている。
果的に抑制できる保護層としてMgOと5iCh の混
合物が開示されている。更に、MgOと3102の組成
比を5in2を濃度にして10〜70%とすることによ
り、適度な硬さ(Hv=450〜850)と所望の熱膨
張係数が得られることが記載されている。
しかしながら、本発明者が種々実験を重ねたところ、上
記Mg OS i 02 系では硬度及び応力の自由度
は大きいが、耐水性に劣り実用上大きな欠点があること
が分かった。すなわち、望ましいビッカース硬度範囲(
550kg/mm2 以上)は、MgOの組成比が70
モル%以上であり、この場合は耐水性が著しく悪く実用
に適さない。一方、MgOの組成を70モル%以下にす
ると、耐水性は向上し一応満足できる程度にはなるが、
軟らかくなり過ぎ、すなわちビッカース硬度が不適当な
範囲となり、この場合も実用に適さないことを見出した
。
記Mg OS i 02 系では硬度及び応力の自由度
は大きいが、耐水性に劣り実用上大きな欠点があること
が分かった。すなわち、望ましいビッカース硬度範囲(
550kg/mm2 以上)は、MgOの組成比が70
モル%以上であり、この場合は耐水性が著しく悪く実用
に適さない。一方、MgOの組成を70モル%以下にす
ると、耐水性は向上し一応満足できる程度にはなるが、
軟らかくなり過ぎ、すなわちビッカース硬度が不適当な
範囲となり、この場合も実用に適さないことを見出した
。
本発明の目的は、上記事情に鑑みなされたもので、偏摩
耗を生じさせないでかつ耐水性に優れた・保護層を形成
した薄膜磁気ヘッドを提供することにある。
耗を生じさせないでかつ耐水性に優れた・保護層を形成
した薄膜磁気ヘッドを提供することにある。
すなわち、本発明の上記目的は、基板上に磁性層、コイ
ル導体層及び絶縁層を形成し、保護層を前記磁性層上に
積層した構成から成る薄膜磁気ヘッドにおいて、前記保
護層の組成がPbOと8102 とから成ることを特徴
とする薄膜磁気ヘッドにより達成される。
ル導体層及び絶縁層を形成し、保護層を前記磁性層上に
積層した構成から成る薄膜磁気ヘッドにおいて、前記保
護層の組成がPbOと8102 とから成ることを特徴
とする薄膜磁気ヘッドにより達成される。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図の1実施例は、本発明の薄膜磁気ヘッドの構造を
示す断面図であり、製造プロセスに基づいて説明する。
示す断面図であり、製造プロセスに基づいて説明する。
図において、フェライト基板10上にスパッタ法により
CoNb−’Z、r合金の強磁性体を10μm付着し、
下部磁性層11を形成する。次に下部磁性層1層上にS
iO2等よりなる非磁性絶縁層12及びCu、AI等よ
りなるコイル導体層13を適宜形成した後、略台形状に
イオンミリングにより加工し、フロントギャップ部17
及び図示しないリアギャップ部で下部磁性層11を露出
せしめ、ギャップ層14を形成する。前記非磁性絶縁層
12上に下部磁性層11とフロントギャップ部及びリア
ギャップ部で磁気的に接合するようにCo−Nb−Zr
合金の金属磁性材料をスパッタ法で15μm付着し、上
部磁性層15を形成する。
CoNb−’Z、r合金の強磁性体を10μm付着し、
下部磁性層11を形成する。次に下部磁性層1層上にS
iO2等よりなる非磁性絶縁層12及びCu、AI等よ
りなるコイル導体層13を適宜形成した後、略台形状に
イオンミリングにより加工し、フロントギャップ部17
及び図示しないリアギャップ部で下部磁性層11を露出
せしめ、ギャップ層14を形成する。前記非磁性絶縁層
12上に下部磁性層11とフロントギャップ部及びリア
ギャップ部で磁気的に接合するようにCo−Nb−Zr
合金の金属磁性材料をスパッタ法で15μm付着し、上
部磁性層15を形成する。
次に、本発明の要部である保護層16を上部磁性層15
の上に形成する。
の上に形成する。
なお、保護層は電子ビーム蒸着(真空度=1×10−”
pas基板温度=200℃、付着速度=1000人/分
)により、30μm厚に成膜した。
pas基板温度=200℃、付着速度=1000人/分
)により、30μm厚に成膜した。
上述のようにして保護層16が形成された後、従来と同
様、前記保護層16を平坦化し、接着剤層18を介して
保護板19と貼着して製作される。
様、前記保護層16を平坦化し、接着剤層18を介して
保護板19と貼着して製作される。
第2図にPbOのモル%とビッカース硬度の関係を示す
。ビッカース硬度Hv=400〜600kg/+nm2
の硬度範囲に対して、PbO2のモル%は5%〜40
%で得られることがわかる。
。ビッカース硬度Hv=400〜600kg/+nm2
の硬度範囲に対して、PbO2のモル%は5%〜40
%で得られることがわかる。
前記の通りに構成した薄膜磁気ヘッド面に対して記録媒
体を、1000時間走行させて偏摩耗を観察した。偏摩
耗はオプティカルフラットにより干渉縞を観察し、磁性
層と保護層との段差を調べることにより行った。その結
果、上記組成範囲の保護層で、段差は認められなかった
。
体を、1000時間走行させて偏摩耗を観察した。偏摩
耗はオプティカルフラットにより干渉縞を観察し、磁性
層と保護層との段差を調べることにより行った。その結
果、上記組成範囲の保護層で、段差は認められなかった
。
又、上記組成範囲の保護層の内部応力は3.6×101
1dyn/cat 〜4.8X 10’ dyn/c
m!で5i02 単体に比べて、凡そ1桁小さい事がわ
かった。
1dyn/cat 〜4.8X 10’ dyn/c
m!で5i02 単体に比べて、凡そ1桁小さい事がわ
かった。
さらに、純水浸漬試験の結果、何ら変化は認められず、
耐水性上、何ら問題がないことが確認された。
耐水性上、何ら問題がないことが確認された。
以上記載したとおり、本発明によれば、磁性層に積層さ
れる保護層の硬度を適当としたことにより、記録媒体の
走行による偏摩耗の発生が好適に阻止され、かつ耐水性
の良好な薄膜磁気ヘッドを得ることができ、前記従来技
術の欠点を除いて優れた性能を有する薄膜磁気ヘッドを
提供することができる。
れる保護層の硬度を適当としたことにより、記録媒体の
走行による偏摩耗の発生が好適に阻止され、かつ耐水性
の良好な薄膜磁気ヘッドを得ることができ、前記従来技
術の欠点を除いて優れた性能を有する薄膜磁気ヘッドを
提供することができる。
なお、PbOと5i02以外の第3物質を少堡添加して
も本発明の効果が損われることはない。
も本発明の効果が損われることはない。
第1図は本発明に基づいて構成される薄膜磁気ヘッドの
断面図、第2図はPbOのモル%とビッカース硬度の関
係を示した図である。 10・ フェライト基板、11 下部磁性層、12−非
磁性絶縁層、13−・コイル導体層、14−ギャップ層
、15・上部磁性層、16−保護層、17−フロントギ
ャップ部、18・接着剤層、19・ 保護板 PbO(−1しZ)
断面図、第2図はPbOのモル%とビッカース硬度の関
係を示した図である。 10・ フェライト基板、11 下部磁性層、12−非
磁性絶縁層、13−・コイル導体層、14−ギャップ層
、15・上部磁性層、16−保護層、17−フロントギ
ャップ部、18・接着剤層、19・ 保護板 PbO(−1しZ)
Claims (1)
- 基板上に少なくとも磁性層、コイル導体層及び絶縁層を
形成し、保護層を前記磁性層上に積層した構成から成る
薄膜磁気ヘッドにおいて、前記保護層の組成がPbOと
SiO_2から成ることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1366888A JPH01191315A (ja) | 1988-01-26 | 1988-01-26 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1366888A JPH01191315A (ja) | 1988-01-26 | 1988-01-26 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01191315A true JPH01191315A (ja) | 1989-08-01 |
Family
ID=11839576
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1366888A Pending JPH01191315A (ja) | 1988-01-26 | 1988-01-26 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01191315A (ja) |
-
1988
- 1988-01-26 JP JP1366888A patent/JPH01191315A/ja active Pending
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