JPH0618056B2 - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPH0618056B2 JPH0618056B2 JP60145701A JP14570185A JPH0618056B2 JP H0618056 B2 JPH0618056 B2 JP H0618056B2 JP 60145701 A JP60145701 A JP 60145701A JP 14570185 A JP14570185 A JP 14570185A JP H0618056 B2 JPH0618056 B2 JP H0618056B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は薄膜磁気ヘツドの製造方法に係り、特にトラツ
ク巾精度に優れかつコイルの断線などを生じない薄膜磁
気ヘツドの製造方法に関する。
ク巾精度に優れかつコイルの断線などを生じない薄膜磁
気ヘツドの製造方法に関する。
従来の薄膜磁気ヘツドの製造方法を第２図及び第３図を
用いて詳細に説明する。まずフエライトなどの磁性ある
いはAl2O3・Al2O3-TiCなどの非磁性基板(1)上にＣｏある
いはＦｅを主成分とするアモルフアス、Fe-Al-Si合金
（センダスト）、Fe-Ni合金（パーマロイ）等から成る
下部磁性層(2)、さらにSiO、SiO2、Al2O3などの無機材料
から成る第１絶縁層(3)、さらにＣｕあるいはＡｌなど
から成るコイル導体層(4)、さらにその上に第１絶縁層
と同様は無機材料から成る第２絶縁層(5)を蒸着あるい
はスパツタリングなどで形成する。
用いて詳細に説明する。まずフエライトなどの磁性ある
いはAl2O3・Al2O3-TiCなどの非磁性基板(1)上にＣｏある
いはＦｅを主成分とするアモルフアス、Fe-Al-Si合金
（センダスト）、Fe-Ni合金（パーマロイ）等から成る
下部磁性層(2)、さらにSiO、SiO2、Al2O3などの無機材料
から成る第１絶縁層(3)、さらにＣｕあるいはＡｌなど
から成るコイル導体層(4)、さらにその上に第１絶縁層
と同様は無機材料から成る第２絶縁層(5)を蒸着あるい
はスパツタリングなどで形成する。
その後、前記第２絶縁層(5)上にフオトレジスト（図示
せず）を厚く塗布し、フオトレジスト上からイオンミリ
ングなどでフオトレジストと絶縁層(5)のエツチング速
度が同一となるイオンビーム入射角度でエツチングし
（以下これをエツチバツク法と呼ぶ）、平坦な第２絶縁
層(5)を形成する。さらに前記第２絶縁層(5)上にＣｕあ
るいはＡｌなどから成るコイル導体層(6)、さらにその
上にＳｉＯあるいはSiO2、Al2O3などから成る第３絶縁層
(7)を蒸着あるいはスパツタリングなどで形成する。そ
の後第２絶縁層(5)を平坦化したのと同様な方法で第３
絶縁層(7)をエツチバツクする。このようにして形成さ
れた第３絶縁層(7)上にコイル導体層(4)(6)を全て覆う
ようにフオトレジストをパターニングし（図示せず）そ
の後このフオトレジスト１３０℃位で３０分程度熱処理
し、例えばＡｒイオンを用いたイオンミリングで絶縁層
(3)，(5)，(7)を所定のテーパ角度（θ１）、（θ２）
になるようにテーパエツチングする。この時第３図に示
すようにテーパ部の角度（θ１）（θ２）はフオトレジ
ストの厚さと大きさを適当に選ぶ事により任意の角度を
つける事が出来る。しかしながら、このテーパ角度はあ
まり急俊すぎると上部磁性層(9)がこの部分で膜厚減少
を生じ、磁性抵抗が高くなり、記録再生効率が低下す
る。また、あまりなだらかすぎると上部磁性層(9)と下
部磁性層(2)間で漏洩磁束が増加し、同様に記録再生効
率が低下する。したがって、磁気抵抗を増加せずかつ漏
洩磁束も増加させない最適なテーパ角度は通常30゜〜60゜
付近にある事が知られている。
せず）を厚く塗布し、フオトレジスト上からイオンミリ
ングなどでフオトレジストと絶縁層(5)のエツチング速
度が同一となるイオンビーム入射角度でエツチングし
（以下これをエツチバツク法と呼ぶ）、平坦な第２絶縁
層(5)を形成する。さらに前記第２絶縁層(5)上にＣｕあ
るいはＡｌなどから成るコイル導体層(6)、さらにその
上にＳｉＯあるいはSiO2、Al2O3などから成る第３絶縁層
(7)を蒸着あるいはスパツタリングなどで形成する。そ
の後第２絶縁層(5)を平坦化したのと同様な方法で第３
絶縁層(7)をエツチバツクする。このようにして形成さ
れた第３絶縁層(7)上にコイル導体層(4)(6)を全て覆う
ようにフオトレジストをパターニングし（図示せず）そ
の後このフオトレジスト１３０℃位で３０分程度熱処理
し、例えばＡｒイオンを用いたイオンミリングで絶縁層
(3)，(5)，(7)を所定のテーパ角度（θ１）、（θ２）
になるようにテーパエツチングする。この時第３図に示
すようにテーパ部の角度（θ１）（θ２）はフオトレジ
ストの厚さと大きさを適当に選ぶ事により任意の角度を
つける事が出来る。しかしながら、このテーパ角度はあ
まり急俊すぎると上部磁性層(9)がこの部分で膜厚減少
を生じ、磁性抵抗が高くなり、記録再生効率が低下す
る。また、あまりなだらかすぎると上部磁性層(9)と下
部磁性層(2)間で漏洩磁束が増加し、同様に記録再生効
率が低下する。したがって、磁気抵抗を増加せずかつ漏
洩磁束も増加させない最適なテーパ角度は通常30゜〜60゜
付近にある事が知られている。
前記絶縁層(3)，(5)，(7)を最適テーパ角度になるよう
にテーパエツチング下した後、SiO,SiO2或いはAl2O3な
どから成るギヤツプ層(8)を蒸着またはスパツタリング
等で形成する。次いで、このギヤツプ層(8)に下部磁性
層(2)と上部磁性層(9)を結合させるための窓をエツチン
グした後、ＣｏあるいはＦｅを主成分とするアモルフア
ス、Fe-Al-Si合金（センダスト）、あるいはFe-Ni合金
（パーマロイ）から成る上部磁性層(9)を蒸着あるいは
スパツタリングなどで形成する。この後上部磁性層(9)
上にフオトレジスト（図示せず）を塗布し、このレジス
ト層を所定形状にパターニングし、これをマスクとし
て、上部磁性層(9)を例えば、Ａｒイオンを用いたイオ
ンミリングでエツチングして薄膜磁気ヘツドを形成す
る。
にテーパエツチング下した後、SiO,SiO2或いはAl2O3な
どから成るギヤツプ層(8)を蒸着またはスパツタリング
等で形成する。次いで、このギヤツプ層(8)に下部磁性
層(2)と上部磁性層(9)を結合させるための窓をエツチン
グした後、ＣｏあるいはＦｅを主成分とするアモルフア
ス、Fe-Al-Si合金（センダスト）、あるいはFe-Ni合金
（パーマロイ）から成る上部磁性層(9)を蒸着あるいは
スパツタリングなどで形成する。この後上部磁性層(9)
上にフオトレジスト（図示せず）を塗布し、このレジス
ト層を所定形状にパターニングし、これをマスクとし
て、上部磁性層(9)を例えば、Ａｒイオンを用いたイオ
ンミリングでエツチングして薄膜磁気ヘツドを形成す
る。
しかしながら、この上部磁性層(9)のエツチングの際に
以下に示す様な問題点があった。これを第４図〜第７図
を用いて詳細に説明する。
以下に示す様な問題点があった。これを第４図〜第７図
を用いて詳細に説明する。
まず第１に、上部磁性層(9)を１０μｍ厚程度で形成し
た場合、絶縁層(3)，(5)，(7)のテーパ部が30゜〜60゜で
形成された場合には、テーパ部での上部磁性層(9)の膜
厚は平面での膜厚よりも実際には薄くなっている。した
がってこの様にして形成された上部磁性層(9)を例え
ば、イオンビーム入射角（イオンビーム入射角とは、
イオンビームと試料の法線方向がなす角度をいう。）を
＝0゜でイオンミリングした場合には第４図に示すよう
に平面（θ＝０°）の所定膜厚を完全にエツチングする
と、例えばテーパー角50゜の部分では、その約1/3のエツ
チング時間ですでに上部磁性層(9)が除去されてしまっ
ているため残り2/3のエツチング時間でテーパ部分をオ
ーバーエツチングしてしまい（第５図Ａ部）、特に１０
μｍ程度の厚い上部磁性層(9)の場合、テーパ部と、平
面でのエツチング時間が大巾にずれ、コイル導体(4)，
(6)をエツチングしてしまいヘツドが断線するという欠
点があった。
た場合、絶縁層(3)，(5)，(7)のテーパ部が30゜〜60゜で
形成された場合には、テーパ部での上部磁性層(9)の膜
厚は平面での膜厚よりも実際には薄くなっている。した
がってこの様にして形成された上部磁性層(9)を例え
ば、イオンビーム入射角（イオンビーム入射角とは、
イオンビームと試料の法線方向がなす角度をいう。）を
＝0゜でイオンミリングした場合には第４図に示すよう
に平面（θ＝０°）の所定膜厚を完全にエツチングする
と、例えばテーパー角50゜の部分では、その約1/3のエツ
チング時間ですでに上部磁性層(9)が除去されてしまっ
ているため残り2/3のエツチング時間でテーパ部分をオ
ーバーエツチングしてしまい（第５図Ａ部）、特に１０
μｍ程度の厚い上部磁性層(9)の場合、テーパ部と、平
面でのエツチング時間が大巾にずれ、コイル導体(4)，
(6)をエツチングしてしまいヘツドが断線するという欠
点があった。
また逆に例えばイオンビーム入射角を＝40゜で上部磁
性層(9)をイオンミリングした場合には、テーパ部分よ
りも平面部分でのエツチング時間が早いため平面部分で
の磁性層のエツチングが終了しても、テーパ部分の磁性
膜が残ってしまい、多トラツクヘツドなどの場合、磁気
的に隣り同志が短絡し、クロストークが悪化するという
欠点があった。
性層(9)をイオンミリングした場合には、テーパ部分よ
りも平面部分でのエツチング時間が早いため平面部分で
の磁性層のエツチングが終了しても、テーパ部分の磁性
膜が残ってしまい、多トラツクヘツドなどの場合、磁気
的に隣り同志が短絡し、クロストークが悪化するという
欠点があった。
さらに、フオトレジストを用いて上部磁性層(9)をイオ
ンミリングする場合には、第６図及び第７図に示すよう
な問題がある。すなわち、フオトレジストをマスクとし
て用いる場合にフオトレジスト自体に流動性があるた
め、フオトレジスト膜厚は絶縁層の肩部に対応する部分
（第３図、矢印Ｂで示す部分）で最も薄くなってしま
う。従って、この部分において厚い上部磁性層(9)とす
るためにフオトレジスト膜厚を十分に確保しようとする
と、第３図Ｃの部分ではフオトレジスタが平坦な上部磁
性層をエツチングする時に比べて厚くなってしまう。こ
の時の状態を第３図Ｄ方向から見たものを第６図(a)に
示す。この様な形状のものを用いて例えばＡｒイオンを
用いてフオトレジストによるシヤドウイング（Shadowin
g）を受けない様なイオンビーム入射角（ここでShadowi
ngとは加工物においてイオンビームがあたらない部分を
言う。たとえばパターニングしたフオトレジストの側壁
角度を約75゜とすると、シヤドウイングを受けるイオン
ビーム入射角とは、25゜よりも大きいイオンビーム入射
角を言う。）、例えば20゜位でイオンビームエツチング
すると、第６図(a)に示すようにフオトレジストの端部
(11)にＡｒイオンによってスパツタされた上部磁性層膜
の一部がフオトレジストの端部に堆積して再付着し膜(1
2)を形成する。このためフオトレジストを剥離した後の
上部磁性層(9)の形状は第６図(C)に示すようになり、端
部に余分な膜(12)が残留してしまう。この様な断面形状
を有する上部磁性層(9)上にSiO,SiO2あるいはAl2O3など
から成る保護層(13)を蒸着やスパ−タリングなどで形成
した場合に第６図(d)のＥに示す部分にクラツクが入
り、保護層(13)が割れてしまい磁気ヘツドとしての性能
を満足出来ない。
ンミリングする場合には、第６図及び第７図に示すよう
な問題がある。すなわち、フオトレジストをマスクとし
て用いる場合にフオトレジスト自体に流動性があるた
め、フオトレジスト膜厚は絶縁層の肩部に対応する部分
（第３図、矢印Ｂで示す部分）で最も薄くなってしま
う。従って、この部分において厚い上部磁性層(9)とす
るためにフオトレジスト膜厚を十分に確保しようとする
と、第３図Ｃの部分ではフオトレジスタが平坦な上部磁
性層をエツチングする時に比べて厚くなってしまう。こ
の時の状態を第３図Ｄ方向から見たものを第６図(a)に
示す。この様な形状のものを用いて例えばＡｒイオンを
用いてフオトレジストによるシヤドウイング（Shadowin
g）を受けない様なイオンビーム入射角（ここでShadowi
ngとは加工物においてイオンビームがあたらない部分を
言う。たとえばパターニングしたフオトレジストの側壁
角度を約75゜とすると、シヤドウイングを受けるイオン
ビーム入射角とは、25゜よりも大きいイオンビーム入射
角を言う。）、例えば20゜位でイオンビームエツチング
すると、第６図(a)に示すようにフオトレジストの端部
(11)にＡｒイオンによってスパツタされた上部磁性層膜
の一部がフオトレジストの端部に堆積して再付着し膜(1
2)を形成する。このためフオトレジストを剥離した後の
上部磁性層(9)の形状は第６図(C)に示すようになり、端
部に余分な膜(12)が残留してしまう。この様な断面形状
を有する上部磁性層(9)上にSiO,SiO2あるいはAl2O3など
から成る保護層(13)を蒸着やスパ−タリングなどで形成
した場合に第６図(d)のＥに示す部分にクラツクが入
り、保護層(13)が割れてしまい磁気ヘツドとしての性能
を満足出来ない。
また逆にシヤドウイングを受ける様なイオンビーム入射
角例えば30゜でイオンビームエツチングを行なうとする
と第７図(b)に示す様にシヤドウイングにより実質的な
エツチング時間が減少する領域が出来、上部磁極(9)が
裾野(14)をひいた様な形となり、トラツク巾精度が悪化
してしまう。
角例えば30゜でイオンビームエツチングを行なうとする
と第７図(b)に示す様にシヤドウイングにより実質的な
エツチング時間が減少する領域が出来、上部磁極(9)が
裾野(14)をひいた様な形となり、トラツク巾精度が悪化
してしまう。
本発明は上記欠点を解消せんとするものであり、ヘツド
の断線及びクロストークの悪化、また、保護層のクラツ
クの発生がなく、トラツク巾精度に優れた薄膜磁気ヘツ
ドの製造方法を提供せんとするものである。
の断線及びクロストークの悪化、また、保護層のクラツ
クの発生がなく、トラツク巾精度に優れた薄膜磁気ヘツ
ドの製造方法を提供せんとするものである。
すなわち、本発明は、絶縁層のテーパ角度を最適角30゜
〜60゜の範囲に形成した上に上部磁性層を形成し、該上
部磁性層を不活性ガスを用いてイオンミリングする場
合、テーパ角度が30゜〜50゜の範囲にある場合はイオンビ
ーム入射角度を25゜以上30゜以下、テーパ角度が50゜〜60゜
の範囲にある場合には、イオンビーム入射角度を25゜以
上35゜以下でエツチングし、最後にイオンビーム入射角
を25゜以下で再エツチングする事により達せられる。
〜60゜の範囲に形成した上に上部磁性層を形成し、該上
部磁性層を不活性ガスを用いてイオンミリングする場
合、テーパ角度が30゜〜50゜の範囲にある場合はイオンビ
ーム入射角度を25゜以上30゜以下、テーパ角度が50゜〜60゜
の範囲にある場合には、イオンビーム入射角度を25゜以
上35゜以下でエツチングし、最後にイオンビーム入射角
を25゜以下で再エツチングする事により達せられる。
すなわち、本発明における薄膜磁気ヘツドは、第３図に
図示するとおり従来の薄膜磁気ヘツドと同様にフエライ
トなどの磁性あるいはAl2O3,Al2O3-TiCなどの非磁性基
板(1)上にＣｏあるいはＦｅを主成分とするアモルフア
ス、Fe-Al-Si合金（センダスト）、Fe-Ni合金（パーマ
ロイ）などから成る下部磁性層(2)、さらに第一絶縁層
(3)第１コイル導体層(4)、更に平坦化処理された第２絶
縁層(5)、第２コイル導体層(6)、平坦化処理された第３
絶縁層(7)、ギヤツプ層(8)から構成され、絶縁層（3,5,
7）におけるテーパ角度（θ）はフオトレジストの厚さ
及びパターニングされるべきフオトレジストの大きさに
より30゜〜60゜の範囲にテーパエツチングにより任意に形
成される。その後、ギヤツプ層(8)に下部磁性層(2)及び
上部磁性層(9)を結合するための窓（図示せず）をエツ
チングにより形成後、最終的に、上部磁性層(9)として
Ｃｏ或いはＦｅを主成分とするアモルフアス、Fe-Al-Si
合金（センダスト）、Fe-Ni合金（パーマロイ）を蒸着
或いはスパツタリングなどで形成する。その後、上部磁
性層(9)上に塗布されるフオトレジストを所定形状にパ
ターニングした後、絶縁層（3,5,7）のテーパ角度（θ
１，θ２）が30゜〜50゜の範囲にある時はイオンビーム入
射角を25゜以上30゜以下でフオトレジスト及び上部磁性層
(9)をＡｒイオンによりドライエツチングする。このよ
うなイオンビーム入射角（25゜〜30゜）でエツチングする
ことにより、上部磁性層(9)はテーパ部におけるオーバ
エツチング或いはエツチング残りのない理想的エツチン
グが行なえる。
図示するとおり従来の薄膜磁気ヘツドと同様にフエライ
トなどの磁性あるいはAl2O3,Al2O3-TiCなどの非磁性基
板(1)上にＣｏあるいはＦｅを主成分とするアモルフア
ス、Fe-Al-Si合金（センダスト）、Fe-Ni合金（パーマ
ロイ）などから成る下部磁性層(2)、さらに第一絶縁層
(3)第１コイル導体層(4)、更に平坦化処理された第２絶
縁層(5)、第２コイル導体層(6)、平坦化処理された第３
絶縁層(7)、ギヤツプ層(8)から構成され、絶縁層（3,5,
7）におけるテーパ角度（θ）はフオトレジストの厚さ
及びパターニングされるべきフオトレジストの大きさに
より30゜〜60゜の範囲にテーパエツチングにより任意に形
成される。その後、ギヤツプ層(8)に下部磁性層(2)及び
上部磁性層(9)を結合するための窓（図示せず）をエツ
チングにより形成後、最終的に、上部磁性層(9)として
Ｃｏ或いはＦｅを主成分とするアモルフアス、Fe-Al-Si
合金（センダスト）、Fe-Ni合金（パーマロイ）を蒸着
或いはスパツタリングなどで形成する。その後、上部磁
性層(9)上に塗布されるフオトレジストを所定形状にパ
ターニングした後、絶縁層（3,5,7）のテーパ角度（θ
１，θ２）が30゜〜50゜の範囲にある時はイオンビーム入
射角を25゜以上30゜以下でフオトレジスト及び上部磁性層
(9)をＡｒイオンによりドライエツチングする。このよ
うなイオンビーム入射角（25゜〜30゜）でエツチングする
ことにより、上部磁性層(9)はテーパ部におけるオーバ
エツチング或いはエツチング残りのない理想的エツチン
グが行なえる。
この理由は先の第４図及び第５図を用いて述べたとおり
であるが、再度説明すると、まず第４図は種々のイオン
ビーム入射角（）におけるテーパ角（θ）での相対的
なエツチング時間を示してあり、ここでは、上部磁性層
(9)の平面部の膜厚をｔ０とするとテーパ角度θにおけ
る膜厚ｔは必ずｔ＜ｔｏとなっており、しかもｔ＝ｔｏ
cosθでほぼ示される事が実験結果からわかっているた
め、テーパ部での膜厚減少を考慮してある。またここで
はイオンビーム入射角＝40゜で平面（θ＝0゜）でのエ
ツチング時間を基準にとってある。この図からわかるよ
うに最も望ましいイオンビーム入射角はテーパ角0゜（す
なわち平面）と、テーパ角を有したときのエツチング時
間が同一になるようにイオンビーム入射角を設定すれ
ば、絶縁層をオーバーエツチングする事もなく、またテ
ーパ部に残膜を残す事なくエツチングが出来るわけであ
る。したがって、エツチングのレートのバラツキも含め
てテーパ角θが30゜〜50゜の範囲にあるとき、イオンビー
ム入射角を25゜以上30゜以下に設定すればほぼ理想的なエ
ツチングの出来る事が実験結果により判明した。
であるが、再度説明すると、まず第４図は種々のイオン
ビーム入射角（）におけるテーパ角（θ）での相対的
なエツチング時間を示してあり、ここでは、上部磁性層
(9)の平面部の膜厚をｔ０とするとテーパ角度θにおけ
る膜厚ｔは必ずｔ＜ｔｏとなっており、しかもｔ＝ｔｏ
cosθでほぼ示される事が実験結果からわかっているた
め、テーパ部での膜厚減少を考慮してある。またここで
はイオンビーム入射角＝40゜で平面（θ＝0゜）でのエ
ツチング時間を基準にとってある。この図からわかるよ
うに最も望ましいイオンビーム入射角はテーパ角0゜（す
なわち平面）と、テーパ角を有したときのエツチング時
間が同一になるようにイオンビーム入射角を設定すれ
ば、絶縁層をオーバーエツチングする事もなく、またテ
ーパ部に残膜を残す事なくエツチングが出来るわけであ
る。したがって、エツチングのレートのバラツキも含め
てテーパ角θが30゜〜50゜の範囲にあるとき、イオンビー
ム入射角を25゜以上30゜以下に設定すればほぼ理想的なエ
ツチングの出来る事が実験結果により判明した。
またテーパ角度が50゜〜60゜の範囲にある時は第４図に示
すようにイオンビーム入射角が25゜以上35゜以下の領域に
おいて平面と斜面とのエツチング時間がほぼ同一となる
ため上記と同様に絶縁層のオーバーエツチングやテーパ
部に残膜を残す事なく、理想的なエツチングが出来る。
すようにイオンビーム入射角が25゜以上35゜以下の領域に
おいて平面と斜面とのエツチング時間がほぼ同一となる
ため上記と同様に絶縁層のオーバーエツチングやテーパ
部に残膜を残す事なく、理想的なエツチングが出来る。
またこの時のイオンビーム入射角度は、テーパ角30゜〜6
0゜の範囲において、25゜よりも大きくなっているため、
単純にこの角度でイオンミリングすると、フオトレジス
トによりシヤドウイングを受けるためエツチング後に上
部磁極(9)に裾野(14)をひいてしまう（第１図(b)）。し
たがってこのイオンビーム入射角度で上部磁性層(9)の
大半をエツチングした後、イオンビームがフオトレジス
トによりシヤドウイングを受けないようなイオンビーム
入射角度25゜以下でイオンミリングすれば裾野(14)は完
全にエツチングされ、トラツク巾精度が向上する。この
時最終的に裾野(14)をエツチングする時間は、数十分程
度で十分なためテーパ部のオーバーエツチング量は、第
５図に示すよりもはるかに少ない量ですみ断線する恐れ
はない。
0゜の範囲において、25゜よりも大きくなっているため、
単純にこの角度でイオンミリングすると、フオトレジス
トによりシヤドウイングを受けるためエツチング後に上
部磁極(9)に裾野(14)をひいてしまう（第１図(b)）。し
たがってこのイオンビーム入射角度で上部磁性層(9)の
大半をエツチングした後、イオンビームがフオトレジス
トによりシヤドウイングを受けないようなイオンビーム
入射角度25゜以下でイオンミリングすれば裾野(14)は完
全にエツチングされ、トラツク巾精度が向上する。この
時最終的に裾野(14)をエツチングする時間は、数十分程
度で十分なためテーパ部のオーバーエツチング量は、第
５図に示すよりもはるかに少ない量ですみ断線する恐れ
はない。
さらに、上部磁性材料であるＣｏあるいはＦｅを主成分
とするアモルフアス、Fe-Al-Si合金（センダスト）、Ni
-Fe合金（パーマロイ）を加速電圧700V、イオン電流密
度0.60mA/cm2でＡｒイオンによりエツチングした場合は
イオンビーム入射角度に対してほぼ同一のエツチングレ
ートをとる事が第８図よりわかる。したがって、上記エ
ツチング方法がこれら３つの磁性材料に適用出来る事は
勿論である。
とするアモルフアス、Fe-Al-Si合金（センダスト）、Ni
-Fe合金（パーマロイ）を加速電圧700V、イオン電流密
度0.60mA/cm2でＡｒイオンによりエツチングした場合は
イオンビーム入射角度に対してほぼ同一のエツチングレ
ートをとる事が第８図よりわかる。したがって、上記エ
ツチング方法がこれら３つの磁性材料に適用出来る事は
勿論である。
以上のように本発明によれば絶縁層のテーパ角度を30゜
〜60゜の範囲に形成した上に上部磁性層を形成し、該上
部磁性層を不活性ガスを用いてイオンミリングする場
合、テーパ角度が30゜〜50゜の範囲にある場合はイオンビ
ーム入射角度を25゜以上30゜以下、テーパ角度が50゜〜60゜
の範囲にある時はイオンビーム入射角度を25゜以上35゜以
下でエツチングし、最後にイオンビーム入射角度を25゜
以下で再エツチングすることによりヘツドの断線及びク
ロストークの悪化もなく、かつトラツク巾精度に優れた
薄膜磁気ヘツドを提供出来るという極めて顕著な効果を
奏する。
〜60゜の範囲に形成した上に上部磁性層を形成し、該上
部磁性層を不活性ガスを用いてイオンミリングする場
合、テーパ角度が30゜〜50゜の範囲にある場合はイオンビ
ーム入射角度を25゜以上30゜以下、テーパ角度が50゜〜60゜
の範囲にある時はイオンビーム入射角度を25゜以上35゜以
下でエツチングし、最後にイオンビーム入射角度を25゜
以下で再エツチングすることによりヘツドの断線及びク
ロストークの悪化もなく、かつトラツク巾精度に優れた
薄膜磁気ヘツドを提供出来るという極めて顕著な効果を
奏する。
第１図は本発明による製造方法を説明するための図、第
２図は２層コイル構造の薄膜磁気ヘツドの平面図、第３
図は第２図のＡ−Ａ′断面図、第４図は種々のイオンビ
ーム入射角（）における角（θ）のちがいによるテー
パ部の膜厚減少を考慮した相対的なエツチング時間を示
す図、第５図はオーバエツチングの様子を説明する図、
第６図、第７図は従来プロセスの問題点を説明するため
の断面図、第８図はＣｏあるいはＦｅを主成分とするア
モルフアス、Fe-Al-Si合金（センダスト）、Ni-Fe合金
（パーマロイ）のイオン入射角度に対する相対的なエツ
チング速度を示す図である。 図中符号： １……基板 ２……下部磁性層 3,5,7……絶縁層 4,6……コイル導体層 ８……ギヤツプ層 ９……上部磁性層 10……フオトレジスト 13……保護層 14……裾野 ｔｏ……平面でエツチングされる膜厚 ｔ……斜面でエツチングされる膜厚 Ｔ……トラツク巾
２図は２層コイル構造の薄膜磁気ヘツドの平面図、第３
図は第２図のＡ−Ａ′断面図、第４図は種々のイオンビ
ーム入射角（）における角（θ）のちがいによるテー
パ部の膜厚減少を考慮した相対的なエツチング時間を示
す図、第５図はオーバエツチングの様子を説明する図、
第６図、第７図は従来プロセスの問題点を説明するため
の断面図、第８図はＣｏあるいはＦｅを主成分とするア
モルフアス、Fe-Al-Si合金（センダスト）、Ni-Fe合金
（パーマロイ）のイオン入射角度に対する相対的なエツ
チング速度を示す図である。 図中符号： １……基板 ２……下部磁性層 3,5,7……絶縁層 4,6……コイル導体層 ８……ギヤツプ層 ９……上部磁性層 10……フオトレジスト 13……保護層 14……裾野 ｔｏ……平面でエツチングされる膜厚 ｔ……斜面でエツチングされる膜厚 Ｔ……トラツク巾
Claims (2)
- 【請求項１】下部磁性層、絶縁層、コイル導体層、ギヤ
ツプ層および上部磁性層とを含む積層構造からなり、テ
ーパ角度30゜〜60゜の範囲に設けられた前記絶縁層上に前
記上部磁性層を被着後、上方よりイオンミリングして形
成される薄膜磁気ヘツドの製造方法において、前記テー
パ角度が略50゜以下の場合にはイオンビーム入射角度を2
5゜以上30゜以下、前記テーパ角度が略50゜以上ではイオン
ビーム入射角度を25゜以上35゜以下でエツチングした後、
最後にイオンビーム入射角度を25゜以下で再エツチング
する事を特徴とする薄膜磁気ヘツドの製造方法。 - 【請求項２】上部磁性層がＣｏあるいはＦｅを主成分と
するアモルフアス、またはFe-Al-Si合金、Fe-Ni合金で
ある事を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁
気ヘツドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60145701A JPH0618056B2 (ja) | 1985-07-04 | 1985-07-04 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60145701A JPH0618056B2 (ja) | 1985-07-04 | 1985-07-04 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS628320A JPS628320A (ja) | 1987-01-16 |
| JPH0618056B2 true JPH0618056B2 (ja) | 1994-03-09 |
Family
ID=15391108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60145701A Expired - Fee Related JPH0618056B2 (ja) | 1985-07-04 | 1985-07-04 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0618056B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5016342A (en) * | 1989-06-30 | 1991-05-21 | Ampex Corporation | Method of manufacturing ultra small track width thin film transducers |
| JP2517445Y2 (ja) * | 1989-12-27 | 1996-11-20 | ぺんてる株式会社 | 水溶性インキボールペンにおける中芯とホルダーとの取付装置 |
| US7554764B2 (en) | 2006-04-07 | 2009-06-30 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Lift-off method for forming write pole of a magnetic write head and write pole formed thereby |
| US7576951B2 (en) | 2006-04-25 | 2009-08-18 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic write head having a magnetic write pole with a concave trailing edge |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59117725A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜ヘツドの製造方法 |
-
1985
- 1985-07-04 JP JP60145701A patent/JPH0618056B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59117725A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜ヘツドの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS628320A (ja) | 1987-01-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |