JP2731201B2 - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JP2731201B2 JP2731201B2 JP32028888A JP32028888A JP2731201B2 JP 2731201 B2 JP2731201 B2 JP 2731201B2 JP 32028888 A JP32028888 A JP 32028888A JP 32028888 A JP32028888 A JP 32028888A JP 2731201 B2 JP2731201 B2 JP 2731201B2
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- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- magnetic head
- magnetic
- coil
- thin
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明は薄膜磁気ヘッドに関する。
（従来の技術） 近年、磁気記録再生装置に用いられる磁気ヘッドの高
密度化、小型化（マルチトラック化）、量産性の要求が
高まっている。これにより、薄膜技術により形成した薄
膜磁気ヘッドが用いられている。
密度化、小型化（マルチトラック化）、量産性の要求が
高まっている。これにより、薄膜技術により形成した薄
膜磁気ヘッドが用いられている。
このような薄膜磁気ヘッドとして次のようなものがあ
る。
る。
第３図は従来の磁気ヘッドを示す側面断面図である。
同図において、１はAl2 O3 TiCなどにより形成された
基板を示している。この基板１上には、メッキ法による
パーマロイなどの磁性体により下側磁気コアとなる第１
の磁性体層２が形成されている。第１の磁性体層２上に
は、ギャップ部を形成するためのSiO2等による絶縁中間
層３が形成されている。絶縁中間層３上には、メッキに
よるCuなどからなるコイル４が介在された硬化レジスト
等による絶縁層５が形成されている。絶縁層５上には、
第１の磁性体層２および絶縁中間層３に接触させて上側
磁気コアとなる第２の磁性体層６がメッキ法により形成
されている。第２の磁性体層６上を含む基板１上には、
Al2 O3等による保護層７が形成されている。
基板を示している。この基板１上には、メッキ法による
パーマロイなどの磁性体により下側磁気コアとなる第１
の磁性体層２が形成されている。第１の磁性体層２上に
は、ギャップ部を形成するためのSiO2等による絶縁中間
層３が形成されている。絶縁中間層３上には、メッキに
よるCuなどからなるコイル４が介在された硬化レジスト
等による絶縁層５が形成されている。絶縁層５上には、
第１の磁性体層２および絶縁中間層３に接触させて上側
磁気コアとなる第２の磁性体層６がメッキ法により形成
されている。第２の磁性体層６上を含む基板１上には、
Al2 O3等による保護層７が形成されている。
このような録音・再生兼用の薄膜磁気ヘッドにおいて
は、再生出力を大きくするために、コイルの巻数を多く
することが行われている。このようにコイルの巻数を多
くした場合、通常、コイルにおける抵抗が大きくなりイ
ンピーダンスノイズが増えるので、コイルのサスペクト
比を大きくして、コイルの低抵抗化が図られる。
は、再生出力を大きくするために、コイルの巻数を多く
することが行われている。このようにコイルの巻数を多
くした場合、通常、コイルにおける抵抗が大きくなりイ
ンピーダンスノイズが増えるので、コイルのサスペクト
比を大きくして、コイルの低抵抗化が図られる。
上述のアスペクト比の大きいコイルの形成法として
は、選択メッキ法が優れており、薄膜磁気ヘッドプロセ
スで広く用いられている。
は、選択メッキ法が優れており、薄膜磁気ヘッドプロセ
スで広く用いられている。
しかしながら、選択メッキ法で形成されたコイルは、
第３図に示したように、コイル４の形状が逆テーパー状
となり、コイル４を絶縁するための絶縁層としてSiO2等
のスパッタ薄膜を使用すれば、例えバイアススパッタ法
を用いて絶縁層の段差被覆性を改善しても、第４図に示
すように、絶縁層４のコイル４の側壁部分に、空孔８が
形成され、絶縁層としての機能を果たさないという課題
がある。
第３図に示したように、コイル４の形状が逆テーパー状
となり、コイル４を絶縁するための絶縁層としてSiO2等
のスパッタ薄膜を使用すれば、例えバイアススパッタ法
を用いて絶縁層の段差被覆性を改善しても、第４図に示
すように、絶縁層４のコイル４の側壁部分に、空孔８が
形成され、絶縁層としての機能を果たさないという課題
がある。
そこで、薄膜磁気ヘッドの絶縁層に、段差被覆性の良
好なレジスト等の塗布型の有機絶縁材料を用いることが
考えられる。
好なレジスト等の塗布型の有機絶縁材料を用いることが
考えられる。
しかしながら、上述した従来の薄膜磁気ヘッドは、絶
縁層に有機絶縁材料である硬化レジストを使用している
が、信頼性に乏しく、また、レジストは230℃付近に軟
化点を有するため、スパッタやアニール等の高温（200
℃〜450℃）プロセスを行うことができない。
縁層に有機絶縁材料である硬化レジストを使用している
が、信頼性に乏しく、また、レジストは230℃付近に軟
化点を有するため、スパッタやアニール等の高温（200
℃〜450℃）プロセスを行うことができない。
したがって、記録媒体の高密度化に必要な高飽和磁束
密度を有するアモルファス磁性薄膜等は、スパッタ法で
形成され、更に、回転磁場中でアニールして初めて優れ
た軟磁気特性を示すが用いることが困難である。
密度を有するアモルファス磁性薄膜等は、スパッタ法で
形成され、更に、回転磁場中でアニールして初めて優れ
た軟磁気特性を示すが用いることが困難である。
このように、従来の薄膜磁気ヘッドでは、高飽和磁束
密度を有するスパッタ磁性薄膜を使用することができ
ず、このため、低温プロセスであるメッキ法によるパー
マロイ磁性薄膜を用い、また、アニール処理を行うこと
ができないため、その特性向上に限界がある。
密度を有するスパッタ磁性薄膜を使用することができ
ず、このため、低温プロセスであるメッキ法によるパー
マロイ磁性薄膜を用い、また、アニール処理を行うこと
ができないため、その特性向上に限界がある。
（発明が解決しようとする課題） 上述したように、従来の薄膜磁気ヘッドは、絶縁層と
してレジスト等の塗布型の有機材料を用いざるを得ない
ので、信頼性が乏しいばかりか、磁気特性の良好なスパ
ッタ磁性薄膜を用いることができないため、高記録密度
に対応することが難しいという課題がある。
してレジスト等の塗布型の有機材料を用いざるを得ない
ので、信頼性が乏しいばかりか、磁気特性の良好なスパ
ッタ磁性薄膜を用いることができないため、高記録密度
に対応することが難しいという課題がある。
本発明は上述した従来の課題を解決するためのもの
で、信頼性の良好な、かつ、高記録密度に対応できる特
性の良好な薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とす
る。
で、信頼性の良好な、かつ、高記録密度に対応できる特
性の良好な薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とす
る。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明は、基板上に形成された下部磁気コアと、この
下部磁気コア上に形成された導電性コイルと、この導電
性コイルの一部を絶縁層を介して被覆し前記下部磁気コ
ア上に形成された上部磁気コアとを備えた薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、前記絶縁層を、有機絶縁材料と無機絶縁材
料とにより形成すると共に、前記有機絶縁材料を前記導
電性コイルの側壁に接触して形成し、かつ前記無機絶縁
材料により前記導電性コイルおよび前記有機絶縁材料を
覆って形成したことを特徴とする。
下部磁気コア上に形成された導電性コイルと、この導電
性コイルの一部を絶縁層を介して被覆し前記下部磁気コ
ア上に形成された上部磁気コアとを備えた薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、前記絶縁層を、有機絶縁材料と無機絶縁材
料とにより形成すると共に、前記有機絶縁材料を前記導
電性コイルの側壁に接触して形成し、かつ前記無機絶縁
材料により前記導電性コイルおよび前記有機絶縁材料を
覆って形成したことを特徴とする。
さらに本発明では、無機絶縁材料としてSiO等が用い
られ、また有機絶縁材料としてレジスト材やポリイシド
等が用いられる。
られ、また有機絶縁材料としてレジスト材やポリイシド
等が用いられる。
（作用） 本発明では、絶縁層を、無機絶縁材料と有機絶縁材料
とで形成し、絶縁層のほとんどを信頼性、耐熱性に優れ
たSiO2等の無機絶縁材料で形成したので、高信頼性を有
し、かつ磁気特性の良好なスパッタ薄膜を使用すること
により、高記録密度に対応できる特性の良好な薄膜磁気
ヘッドを提供することができる。
とで形成し、絶縁層のほとんどを信頼性、耐熱性に優れ
たSiO2等の無機絶縁材料で形成したので、高信頼性を有
し、かつ磁気特性の良好なスパッタ薄膜を使用すること
により、高記録密度に対応できる特性の良好な薄膜磁気
ヘッドを提供することができる。
（実施例） 以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドを示す側
面断面図である。
面断面図である。
同図において、11はAl TiCなどの基板を示している。
この基板11上には、下側磁気コアとなる第１の磁性薄膜
12が形成されている。第１の磁性薄膜12上には、ギャッ
プ部を形成するためのSiO2等による絶縁中間層13が形成
されている。絶縁中間層13上には、メッキ法により形成
されCuなどからなるコイル14が形成されている。コイル
14の側壁の傘部分の逆テーパ部分には、レジストなどの
有機絶縁部15が形成されている。また、コイル14および
有機絶縁部15を含む絶縁中間層13上には、スパッタ法に
より、形成されたSiO2などの無機絶縁薄膜16が形成され
ている。無機絶縁薄膜16上には、第１の磁性薄膜12およ
び絶縁中間層13に接触させて上側磁気コアとなる第２の
磁性薄膜17が形成されている。第２の磁性薄膜17上を含
む基板11上には、保護層18が形成されている。
この基板11上には、下側磁気コアとなる第１の磁性薄膜
12が形成されている。第１の磁性薄膜12上には、ギャッ
プ部を形成するためのSiO2等による絶縁中間層13が形成
されている。絶縁中間層13上には、メッキ法により形成
されCuなどからなるコイル14が形成されている。コイル
14の側壁の傘部分の逆テーパ部分には、レジストなどの
有機絶縁部15が形成されている。また、コイル14および
有機絶縁部15を含む絶縁中間層13上には、スパッタ法に
より、形成されたSiO2などの無機絶縁薄膜16が形成され
ている。無機絶縁薄膜16上には、第１の磁性薄膜12およ
び絶縁中間層13に接触させて上側磁気コアとなる第２の
磁性薄膜17が形成されている。第２の磁性薄膜17上を含
む基板11上には、保護層18が形成されている。
次に、上述の薄膜磁気ヘッドにおけるコイル、絶縁部
および絶縁薄膜の製造プロセスの一例を第２図（ａ）〜
（ｆ）を用いて説明する。
および絶縁薄膜の製造プロセスの一例を第２図（ａ）〜
（ｆ）を用いて説明する。
まず、第２図（ａ）に示すように、第１の磁性薄膜12
上に形成された絶縁中間層13の上部に、電解メッキ時の
通電体となるCu等によるメッキ下地21をスパッタ法等に
より形成する。次に、第２図（ｂ）に示すように、メッ
キ時のフレームとなるレジスト22をフォトリソグラフィ
ー技術を用いて形成し、さらに200℃くらいで、次に30
分程ハードベークする。そして第２図（ｃ）に示すよう
に、Cu等の導体を電解メッキ法により電着することによ
りコイル23を形成する。この後、第２図（ｄ）に示すよ
うに、30分程、酸素イオンビームを全面に照射すれば、
有機絶縁材であるレジスト22が選択的にエッチングされ
る。このとき、コイル23の側壁の傘部分の逆テーパ部分
には、レジスト22の一部が残っており、また、コイル23
の上部が一部酸化され、酸化層24が形成される。次に、
第２図（ｅ）に示すように、Arイオンビームによりメッ
キ下地21およびコイル23上の酸化層24をエッチングす
る。この後、第２図（ｆ）に示すように、SiO2等の無機
絶縁材をバイアススパッタ法によりスパッタリングして
無機絶縁膜25を形成する。そして無機絶縁膜25の凹部Ｈ
にレジスト（図示省略）をコーティングした後、全面に
Arイオンビームを、ビーム入射角75°くらいで照射し、
レジストと無機絶縁膜25の凸部分Ｍを同レートでエッチ
ングして、無機絶縁膜25の表面形状を平坦に加工するこ
とにより無機絶縁薄膜が形成される。
上に形成された絶縁中間層13の上部に、電解メッキ時の
通電体となるCu等によるメッキ下地21をスパッタ法等に
より形成する。次に、第２図（ｂ）に示すように、メッ
キ時のフレームとなるレジスト22をフォトリソグラフィ
ー技術を用いて形成し、さらに200℃くらいで、次に30
分程ハードベークする。そして第２図（ｃ）に示すよう
に、Cu等の導体を電解メッキ法により電着することによ
りコイル23を形成する。この後、第２図（ｄ）に示すよ
うに、30分程、酸素イオンビームを全面に照射すれば、
有機絶縁材であるレジスト22が選択的にエッチングされ
る。このとき、コイル23の側壁の傘部分の逆テーパ部分
には、レジスト22の一部が残っており、また、コイル23
の上部が一部酸化され、酸化層24が形成される。次に、
第２図（ｅ）に示すように、Arイオンビームによりメッ
キ下地21およびコイル23上の酸化層24をエッチングす
る。この後、第２図（ｆ）に示すように、SiO2等の無機
絶縁材をバイアススパッタ法によりスパッタリングして
無機絶縁膜25を形成する。そして無機絶縁膜25の凹部Ｈ
にレジスト（図示省略）をコーティングした後、全面に
Arイオンビームを、ビーム入射角75°くらいで照射し、
レジストと無機絶縁膜25の凸部分Ｍを同レートでエッチ
ングして、無機絶縁膜25の表面形状を平坦に加工するこ
とにより無機絶縁薄膜が形成される。
なお、この実施例における薄膜磁気ヘッドの他部分の
製造プロセスは、従来と同様の製造プロセスであり、そ
の説明を省略する。
製造プロセスは、従来と同様の製造プロセスであり、そ
の説明を省略する。
したがって、この実施例の薄膜磁気ヘッドは、絶縁層
としての有機絶縁材料の使用を必要最少限にし、かつ、
絶縁層としての無機絶縁材料によりコイルを十分に密封
しているので、信頼性の高い薄膜磁気ヘッドを提供する
ことができる。また、磁気特性の良好なスパッタ磁性薄
膜を用いることが可能であり、さらにアニール処理を行
うことにより高記録密度化に対応できる薄膜磁気ヘッド
を提供することができる。
としての有機絶縁材料の使用を必要最少限にし、かつ、
絶縁層としての無機絶縁材料によりコイルを十分に密封
しているので、信頼性の高い薄膜磁気ヘッドを提供する
ことができる。また、磁気特性の良好なスパッタ磁性薄
膜を用いることが可能であり、さらにアニール処理を行
うことにより高記録密度化に対応できる薄膜磁気ヘッド
を提供することができる。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の薄膜磁気ヘッドは、絶
縁層を無機絶縁材料と有機絶縁材料とで形成し、絶縁層
のほとんどを信頼性、耐熱性に優れたSiO2等の無機絶縁
材料で形成したので、高信頼性を有し、かつ磁気特性の
良好なスパッタ薄膜を使用することにより、高記録密度
に対応できる特性の良好な薄膜磁気ヘッドを提供するこ
とができる。
縁層を無機絶縁材料と有機絶縁材料とで形成し、絶縁層
のほとんどを信頼性、耐熱性に優れたSiO2等の無機絶縁
材料で形成したので、高信頼性を有し、かつ磁気特性の
良好なスパッタ薄膜を使用することにより、高記録密度
に対応できる特性の良好な薄膜磁気ヘッドを提供するこ
とができる。
第１図は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドを示す側面
断面図、第２図（ａ）〜（ｆ）は第１図の薄膜磁気ヘッ
ドの製造プロセスの一例を示す図、第３図は従来の薄膜
磁気ヘッドを示す側面断面図、第４図は第３図の要部の
拡大断面図である。 11……基板、12……第１の磁性薄膜、13……絶縁中間
層、14、23……コイル、15……有機絶縁部、16……無機
絶縁薄膜、17……第２の磁性薄膜、18……保護層、22…
…レジスト、25……無機絶縁膜。
断面図、第２図（ａ）〜（ｆ）は第１図の薄膜磁気ヘッ
ドの製造プロセスの一例を示す図、第３図は従来の薄膜
磁気ヘッドを示す側面断面図、第４図は第３図の要部の
拡大断面図である。 11……基板、12……第１の磁性薄膜、13……絶縁中間
層、14、23……コイル、15……有機絶縁部、16……無機
絶縁薄膜、17……第２の磁性薄膜、18……保護層、22…
…レジスト、25……無機絶縁膜。
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に形成された下部磁気コアと、この
下部磁気コア上に形成された導電性コイルと、この導電
性コイルの一部を絶縁層を介して被覆し前記下部磁気コ
ア上に形成された上部磁気コアとを備えた薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、前記絶縁層を有機絶縁材料と無機絶縁材料
とにより形成すると共に、前記有機絶縁材料を前記導電
性コイルの側壁に接触して形成し、かつ前記無機絶縁材
料により前記導電性コイルおよび前記有機絶縁材料を覆
って形成したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32028888A JP2731201B2 (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32028888A JP2731201B2 (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02165406A JPH02165406A (ja) | 1990-06-26 |
| JP2731201B2 true JP2731201B2 (ja) | 1998-03-25 |
Family
ID=18119831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32028888A Expired - Lifetime JP2731201B2 (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2731201B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10930425B2 (en) * | 2017-10-25 | 2021-02-23 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Inductor |
-
1988
- 1988-12-19 JP JP32028888A patent/JP2731201B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02165406A (ja) | 1990-06-26 |
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