JPH0527163B2 - - Google Patents
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- JPH0527163B2 JPH0527163B2 JP58153639A JP15363983A JPH0527163B2 JP H0527163 B2 JPH0527163 B2 JP H0527163B2 JP 58153639 A JP58153639 A JP 58153639A JP 15363983 A JP15363983 A JP 15363983A JP H0527163 B2 JPH0527163 B2 JP H0527163B2
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- magnetic
- thin film
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- soft magnetic
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3143—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding
- G11B5/3146—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding magnetic layers
- G11B5/3153—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding magnetic layers including at least one magnetic thin film coupled by interfacing to the basic magnetic thin film structure
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明は段差部を有する薄膜ヘツドの上部磁性
層をスパツタリングで成膜した膜とメツキで成膜
した膜とを組み合わせて、スパツタリングでのみ
成膜可能な高飽和磁化・高透磁率を有するアモル
フアス磁性膜を薄膜ヘツドに応用する方法に関す
る。
層をスパツタリングで成膜した膜とメツキで成膜
した膜とを組み合わせて、スパツタリングでのみ
成膜可能な高飽和磁化・高透磁率を有するアモル
フアス磁性膜を薄膜ヘツドに応用する方法に関す
る。
(2) 技術の背景
磁気記録の高密度化に対応するため、薄膜磁気
ヘツドの磁極材料に高飽和磁化・高透磁率が得ら
れるアモルフアス軟磁性膜（Co−Fe−Ｂ，Co−
Zr）などが知られているが、成膜方法としては
スパツタリングに限られている。
ヘツドの磁極材料に高飽和磁化・高透磁率が得ら
れるアモルフアス軟磁性膜（Co−Fe−Ｂ，Co−
Zr）などが知られているが、成膜方法としては
スパツタリングに限られている。
(3) 従来技術と問題点
このためステツプカバー性が悪く、ステツプ部
での磁気回路的膜厚、つまりステツプ部のテーパ
ーに対し垂直方向の膜厚が、平坦部より薄くなる
ので構造上ステツプ部で磁気的に飽和しやすいと
いう欠点が出る。一方メツキでつくられるパーマ
ロイ薄膜の場合ステツプ部での磁気回路的膜厚
は、場所に依らずほぼ均一となるが、飽和磁化・
透磁率の点でアモルフアス軟磁性膜よりも劣ると
いう欠点がある。
での磁気回路的膜厚、つまりステツプ部のテーパ
ーに対し垂直方向の膜厚が、平坦部より薄くなる
ので構造上ステツプ部で磁気的に飽和しやすいと
いう欠点が出る。一方メツキでつくられるパーマ
ロイ薄膜の場合ステツプ部での磁気回路的膜厚
は、場所に依らずほぼ均一となるが、飽和磁化・
透磁率の点でアモルフアス軟磁性膜よりも劣ると
いう欠点がある。
(4) 発明の目的
本発明はスパツタリングで成膜される高飽和磁
化・高透磁率のアモルフアス軟磁性体のステツプ
カバーの悪さを、ステツプカバー性の良いメツキ
のパーマロイ軟磁性膜で補い、ステツプ部での磁
気的飽和が起こりにくくする方法を提供する。
化・高透磁率のアモルフアス軟磁性体のステツプ
カバーの悪さを、ステツプカバー性の良いメツキ
のパーマロイ軟磁性膜で補い、ステツプ部での磁
気的飽和が起こりにくくする方法を提供する。
(5) 発明の構成
本発明はスパツタリングで成膜したアモルフア
ス軟磁性膜から成る薄膜ヘツドの上部磁性層にお
いて、該アモルフアス軟磁性膜の段差部上にメツ
キで成膜したパーマロイ軟磁性膜を設けたことを
特徴とする複合磁気コア及びそれを有する薄膜ヘ
ツドにより達成される。
ス軟磁性膜から成る薄膜ヘツドの上部磁性層にお
いて、該アモルフアス軟磁性膜の段差部上にメツ
キで成膜したパーマロイ軟磁性膜を設けたことを
特徴とする複合磁気コア及びそれを有する薄膜ヘ
ツドにより達成される。
(6) 発明の実施例
以下本発明について図面を参照して実施例を説
明する。
明する。
第１図に示すのは、ステツプカバー性の良くな
いスパツタリングで成膜した高飽和磁化材料Co
−Zr等の磁極を有する薄膜ヘツドの断面図であ
る。セラミツク又はガラス基板１の上に２〜３〓
ｍの膜厚の下部磁性膜２を設け、ギヤツプ３用の
非磁性絶縁膜として約0.8〓ｍのSiO2を付着した
上に、レベリング性の高い樹脂から成る絶縁層４
を用いて、膜厚約２〓ｍのメツキCuのコイル５
の絶縁を図る。この上に上部磁性膜６をスパツタ
リングにて成膜する絶縁層４の上面に生じる段差
部に基板法線方向より〓゜傾いたテーパーがある
とすれば、テーパーの面に垂直な方向での膜厚
は、平面部の膜厚に対してCOS〓の割で薄くな
る。第２図に示すようにパーマロイメツキ用のフ
レーム８をフオトレジストAZ1350により形成し、
ギヤツプに近いテーパー，コイルの上，上下磁性
膜接続７の上方に開口部を設ける。第３図に示す
ように膜厚２〓ｍ程度のパーマロイをメツキす
る。メツキで成長したパーマロイは下地面に対し
て垂直に成長するので、テーパー部での膜厚は他
の場所と同じになる。メツキ用のフレーム８をア
セトン等の有機溶媒を用いて除去すると第４図の
ようなCo−Zrとパーマロイとから成る。複合コ
アを有する薄膜ヘツドが作れる。
いスパツタリングで成膜した高飽和磁化材料Co
−Zr等の磁極を有する薄膜ヘツドの断面図であ
る。セラミツク又はガラス基板１の上に２〜３〓
ｍの膜厚の下部磁性膜２を設け、ギヤツプ３用の
非磁性絶縁膜として約0.8〓ｍのSiO2を付着した
上に、レベリング性の高い樹脂から成る絶縁層４
を用いて、膜厚約２〓ｍのメツキCuのコイル５
の絶縁を図る。この上に上部磁性膜６をスパツタ
リングにて成膜する絶縁層４の上面に生じる段差
部に基板法線方向より〓゜傾いたテーパーがある
とすれば、テーパーの面に垂直な方向での膜厚
は、平面部の膜厚に対してCOS〓の割で薄くな
る。第２図に示すようにパーマロイメツキ用のフ
レーム８をフオトレジストAZ1350により形成し、
ギヤツプに近いテーパー，コイルの上，上下磁性
膜接続７の上方に開口部を設ける。第３図に示す
ように膜厚２〓ｍ程度のパーマロイをメツキす
る。メツキで成長したパーマロイは下地面に対し
て垂直に成長するので、テーパー部での膜厚は他
の場所と同じになる。メツキ用のフレーム８をア
セトン等の有機溶媒を用いて除去すると第４図の
ようなCo−Zrとパーマロイとから成る。複合コ
アを有する薄膜ヘツドが作れる。
(7) 発明の効果
高飽和磁化・高透磁率であるが、ステツプカバ
ー性に難のある軟磁性材料を薄膜ヘツドに応用す
ることができるので、高記録密度に対応できる薄
膜ヘツドがつくれる。
ー性に難のある軟磁性材料を薄膜ヘツドに応用す
ることができるので、高記録密度に対応できる薄
膜ヘツドがつくれる。
第１図〜第４図は本発明の薄膜磁気ヘツド製造
工程断面図 １……基板、２……下部（Co−Zr）磁性膜、
３……ギヤツプ用薄膜、４……絶縁層、５……コ
イル導体、６……上部（Co−Zr）磁性膜、７…
…上下磁性膜接続部、８……メツキ用フレーム、
９……メツキしたパーマロイ、〓：段差部の角
度。
工程断面図 １……基板、２……下部（Co−Zr）磁性膜、
３……ギヤツプ用薄膜、４……絶縁層、５……コ
イル導体、６……上部（Co−Zr）磁性膜、７…
…上下磁性膜接続部、８……メツキ用フレーム、
９……メツキしたパーマロイ、〓：段差部の角
度。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ スパツタリングで成膜したアモルフアス軟磁
性膜から成る薄膜ヘツドの上部磁性層において、 該アモルフアス軟磁性膜６の段差部上にメツキ
で成膜したパーマロイ軟磁性膜９を設けた ことを特徴とする複合コアを有する薄膜磁気ヘツ
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15363983A JPS6045920A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 複合・コアを有する薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15363983A JPS6045920A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 複合・コアを有する薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6045920A JPS6045920A (ja) | 1985-03-12 |
| JPH0527163B2 true JPH0527163B2 (ja) | 1993-04-20 |
Family
ID=15566911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15363983A Granted JPS6045920A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 複合・コアを有する薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6045920A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6278712A (ja) * | 1985-10-01 | 1987-04-11 | Sony Corp | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS6278711A (ja) * | 1985-10-01 | 1987-04-11 | Sony Corp | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS6377833U (ja) * | 1986-11-11 | 1988-05-23 | ||
| JPH0533390Y2 (ja) * | 1989-02-17 | 1993-08-25 | ||
| FR2716996B1 (fr) * | 1994-03-07 | 1996-04-05 | Commissariat Energie Atomique | Tête magnétique verticale et son procédé de réalisation. |
| US5845954A (en) * | 1996-06-25 | 1998-12-08 | Toyota Technical Center, U.S.A., Inc. | Glove box assembly including glove box that is positionable in a partially open position |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5233512A (en) * | 1975-09-10 | 1977-03-14 | Hitachi Ltd | Film magnetic head |
| JPS5284722A (en) * | 1975-12-31 | 1977-07-14 | Fujitsu Ltd | Thin film magnetic head and its production |
-
1983
- 1983-08-23 JP JP15363983A patent/JPS6045920A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5233512A (en) * | 1975-09-10 | 1977-03-14 | Hitachi Ltd | Film magnetic head |
| JPS5284722A (en) * | 1975-12-31 | 1977-07-14 | Fujitsu Ltd | Thin film magnetic head and its production |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6045920A (ja) | 1985-03-12 |
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