JPS5965920A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS5965920A JPS5965920A JP17657082A JP17657082A JPS5965920A JP S5965920 A JPS5965920 A JP S5965920A JP 17657082 A JP17657082 A JP 17657082A JP 17657082 A JP17657082 A JP 17657082A JP S5965920 A JPS5965920 A JP S5965920A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- soft magnetic
- layer
- area
- gap part
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気記録装置に用いられる薄膜磁気ヘッドの
製造方法に関し、特に、磁気回路の一部を成す下部磁性
体の製造方法に関するものである。
製造方法に関し、特に、磁気回路の一部を成す下部磁性
体の製造方法に関するものである。
第１図は、近年、実用化されつつある薄膜磁気ヘッドの
概略断面図である。第１図において、基板１１上にＡ
ｌｔ Ｏｓ等の絶縁Ｎ１２が形成され、次いで軟磁性体
から成る下部ポール１３がメッキ法、蒸着法あるいはス
パッタ法によシ形成される。このあと、ギャップとなる
Ａ ７ｇ Ｏｓ等の絶縁Ｎ１４が成膜される。次いで、
フォトレジスト等の有機物から成る絶縁層１５が形成さ
れ、さらに導体材料から成るコイル１６が形成され、コ
イル１６を埋込むように再度フォトレジスト等の有機物
から成る絶縁層１７が形成され、そのあと軟磁性体から
成る上部ボール１８が下部ポール１３と同様にして形成
され、最後に、Ａ ＆ Ｏｓ等の絶縁物から成る保護膜
１９が形成され、薄膜磁気−・ラドのトランステユーザ
ーが構成されている。
概略断面図である。第１図において、基板１１上にＡ
ｌｔ Ｏｓ等の絶縁Ｎ１２が形成され、次いで軟磁性体
から成る下部ポール１３がメッキ法、蒸着法あるいはス
パッタ法によシ形成される。このあと、ギャップとなる
Ａ ７ｇ Ｏｓ等の絶縁Ｎ１４が成膜される。次いで、
フォトレジスト等の有機物から成る絶縁層１５が形成さ
れ、さらに導体材料から成るコイル１６が形成され、コ
イル１６を埋込むように再度フォトレジスト等の有機物
から成る絶縁層１７が形成され、そのあと軟磁性体から
成る上部ボール１８が下部ポール１３と同様にして形成
され、最後に、Ａ ＆ Ｏｓ等の絶縁物から成る保護膜
１９が形成され、薄膜磁気−・ラドのトランステユーザ
ーが構成されている。
このような構造を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、高ビ
ツト密度記録例えば、２５００ＢＰＩ（Ｂ自Ｐｅｒ Ｉ
ｎｃｂ）以上の密度で記録を行なう場合には、上部ポー
ル１８および下部ポール１３の膜厚は１μｍ以下とせざ
るをえず、この場合、上部ボール１８および下部ポール
１３を成す軟磁性体の膜厚が薄いために、磁気抵抗が増
大し、上部ボール１８および下部ポール１３が磁気的に
飽和してしまい、薄膜磁気ヘッドの書込み読出し効率（
以下Ｉｔ、／Ｗ効率と略す）、特に、書込み効率が低下
し、Ｒ膜磁気ヘッドの書込み特性が劣化するという欠点
がある。
ツト密度記録例えば、２５００ＢＰＩ（Ｂ自Ｐｅｒ Ｉ
ｎｃｂ）以上の密度で記録を行なう場合には、上部ポー
ル１８および下部ポール１３の膜厚は１μｍ以下とせざ
るをえず、この場合、上部ボール１８および下部ポール
１３を成す軟磁性体の膜厚が薄いために、磁気抵抗が増
大し、上部ボール１８および下部ポール１３が磁気的に
飽和してしまい、薄膜磁気ヘッドの書込み読出し効率（
以下Ｉｔ、／Ｗ効率と略す）、特に、書込み効率が低下
し、Ｒ膜磁気ヘッドの書込み特性が劣化するという欠点
がある。
このよう力欠点を解決するために、従来、第２図に示し
たような断面構造を有する薄膜磁気ヘッドが提案されて
いる。
たような断面構造を有する薄膜磁気ヘッドが提案されて
いる。
第２図において、軟磁性体から成る下部ポール２３およ
び上部ボール２８のインナーギャップ部Ｂ１およびリア
ギャップ部Ｃにおりる膜厚がフロントギャップ部Ａの膜
厚に比較して大きくなるような構造を有しておシ、上部
ボール２８、および下部ポール２３の磁気抵抗を下げ、
両ボールの磁気的な飽和を抑制した構造となっている。
び上部ボール２８のインナーギャップ部Ｂ１およびリア
ギャップ部Ｃにおりる膜厚がフロントギャップ部Ａの膜
厚に比較して大きくなるような構造を有しておシ、上部
ボール２８、および下部ポール２３の磁気抵抗を下げ、
両ボールの磁気的な飽和を抑制した構造となっている。
しかしながら、このような構造を肩する潟膜磁気ヘッド
は、下記の如き欠点を有している。すなわち、下部ポー
ル２３の膜厚が基板２１と反対側すなわち上部ポール２
８側に厚くしたステップ構造となっているため、以後の
プロセスで下部ポール２３上に積層される各膜の形成、
およびこれらの膜をパターン化するだめのフォトレジス
ト層タという製造プロセス上の問題点がある。しかも、
前述のステップにより、上部ボール２８の経験する段差
は第１図の如き断面構造を有する薄膜磁気ヘッドの上部
ボール（第１図１８）に比較して大きなものとなるため
、フロントキャップ部Ａとインナー・ギャップ部Ｂとの
間の勾配部において、±部ボ・・−ル２８の磁気特性の
劣化を招くという欠点もある。
は、下記の如き欠点を有している。すなわち、下部ポー
ル２３の膜厚が基板２１と反対側すなわち上部ポール２
８側に厚くしたステップ構造となっているため、以後の
プロセスで下部ポール２３上に積層される各膜の形成、
およびこれらの膜をパターン化するだめのフォトレジス
ト層タという製造プロセス上の問題点がある。しかも、
前述のステップにより、上部ボール２８の経験する段差
は第１図の如き断面構造を有する薄膜磁気ヘッドの上部
ボール（第１図１８）に比較して大きなものとなるため
、フロントキャップ部Ａとインナー・ギャップ部Ｂとの
間の勾配部において、±部ボ・・−ル２８の磁気特性の
劣化を招くという欠点もある。
さらに、第２昭１の如き断面構造を有する薄膜磁気ヘッ
ドにおいては、書込みあるいは読出し時に、前述のステ
ップ部（第２図中のＤ部）を介して大半の価来が漏洩し
て、上部ボール２８から下部ポール２３（あるいはこの
逆）に流れてしまい、磁束が有効に上部ホール２８ある
いは下部ポール２３の中を通過せず、Ｒ／Ｗ効率が低下
するという大きな欠点がある。
ドにおいては、書込みあるいは読出し時に、前述のステ
ップ部（第２図中のＤ部）を介して大半の価来が漏洩し
て、上部ボール２８から下部ポール２３（あるいはこの
逆）に流れてしまい、磁束が有効に上部ホール２８ある
いは下部ポール２３の中を通過せず、Ｒ／Ｗ効率が低下
するという大きな欠点がある。
一方、第３図に示したような断面形状を有するヘッドに
おいては、絶縁層３２に予め形成された窪みに対して第
１の軟磁性体層３３を、前記窪みを埋込むように形成し
、次いで所定のポール形成を有する第２の軟磁性体層３
４を形成し、この第１の軟磁性体層３３と第２の軟磁性
体層３４との積層体によシ下部ボールを形成しておシ、
しかも、下部ホールの膜厚がインナー・ギャップ部Ｂお
よびリアギャップ部Ｃにおいて、基板側に厚くなるよう
な逆ステップ構造となっているため、第１図あるいは第
２図に示しだ如き従来の薄膜磁気ヘッドの諸欠点が解決
されることとなる。
おいては、絶縁層３２に予め形成された窪みに対して第
１の軟磁性体層３３を、前記窪みを埋込むように形成し
、次いで所定のポール形成を有する第２の軟磁性体層３
４を形成し、この第１の軟磁性体層３３と第２の軟磁性
体層３４との積層体によシ下部ボールを形成しておシ、
しかも、下部ホールの膜厚がインナー・ギャップ部Ｂお
よびリアギャップ部Ｃにおいて、基板側に厚くなるよう
な逆ステップ構造となっているため、第１図あるいは第
２図に示しだ如き従来の薄膜磁気ヘッドの諸欠点が解決
されることとなる。
本発明の目的は第３図の如き断面形状を有する薄膜磁気
ヘッドを実現する製造方法、より具体的には下部ポール
の形成方法を提供することにある。
ヘッドを実現する製造方法、より具体的には下部ポール
の形成方法を提供することにある。
本発明によれば、軟磁性体拐料から成る上部および下部
ポールの間に導体材料から成るコイルを挾んで成る薄膜
磁気ヘッドの製造方法において、前記下部ポールのイン
ナー・ギャップ部およびリア・ギャップ部に相当する領
域に対して深さＬの窪みを形成する工程と、所望の分解
能に応じて決定されだ膜厚ｔ（ｔ（Ｌ）なる第１の軟磁
性体層を基板全面に形成する工程と、前記窪み以外の領
域を第１の７オトレジスト層で被覆する工程と前記第１
のフォトレジスト層をマスク層としで、前記窪み以外の
下部ポールとなるべき部分に膜厚り−ｔなる第２の軟磁
性体層をメッキ法で形成する工程と、前記第１のフォト
レジスト層を除去し前記第２の軟磁性体層を所定の下部
ポ・−ル形状に加工する為のエソチング工程とを含むこ
とを特徴とする淘膜磁勿ヘッドの製造方法が得られる。
ポールの間に導体材料から成るコイルを挾んで成る薄膜
磁気ヘッドの製造方法において、前記下部ポールのイン
ナー・ギャップ部およびリア・ギャップ部に相当する領
域に対して深さＬの窪みを形成する工程と、所望の分解
能に応じて決定されだ膜厚ｔ（ｔ（Ｌ）なる第１の軟磁
性体層を基板全面に形成する工程と、前記窪み以外の領
域を第１の７オトレジスト層で被覆する工程と前記第１
のフォトレジスト層をマスク層としで、前記窪み以外の
下部ポールとなるべき部分に膜厚り−ｔなる第２の軟磁
性体層をメッキ法で形成する工程と、前記第１のフォト
レジスト層を除去し前記第２の軟磁性体層を所定の下部
ポ・−ル形状に加工する為のエソチング工程とを含むこ
とを特徴とする淘膜磁勿ヘッドの製造方法が得られる。
次に、本発明による実施例Ｑｃついて第６図を用いて説
明する。
明する。
第６図（ａ）において、基板６１上に形成された絶縁層
６２に対して、下部ボールのインナー・ギャップ部（第
３図においてはＢの領域）、およびリア・ギャップ部（
第３図においてはＣの領域）以外の領域を被覆するよう
にフォトレジスト層６３を形成し、絶縁層６２を深さＬ
だけエツチングによシ除去し窪みを形成する（第６図（
ｂ））。次いで所望の分解能に応じて決定された膜厚ｔ
（ｔ＜Ｌ）なる第１の軟磁性体層６４を基板６１全面に
成膜五 する（第６図（Ｃ））。このあと、角度、下部ポールの
インナー・ギャップ部（第３図においてはＢの領域）お
よびリア・ギャップ部（第３図においてはＣの領域）以
外の領域を被覆するようにフォトレジスト層６５を形成
しく第６図（ｄ））、前記第１の軟磁性体層６４金メッ
キ下地層としてメッキ法により、膜厚Ｌ−１なる第２の
軟磁性体層６６を形成する（第６図（ｅ））。このあと
、前記フォトレジスト層６５を剥離し、新たに７オトレ
ジストを塗布し、フォトエツチング法を用いて所定のボ
ール形状を形成し、前述の第１の軟磁性体層６４と前記
第２の軟磁性体層６６の積層体によシ下部ホールが構成
される。
６２に対して、下部ボールのインナー・ギャップ部（第
３図においてはＢの領域）、およびリア・ギャップ部（
第３図においてはＣの領域）以外の領域を被覆するよう
にフォトレジスト層６３を形成し、絶縁層６２を深さＬ
だけエツチングによシ除去し窪みを形成する（第６図（
ｂ））。次いで所望の分解能に応じて決定された膜厚ｔ
（ｔ＜Ｌ）なる第１の軟磁性体層６４を基板６１全面に
成膜五 する（第６図（Ｃ））。このあと、角度、下部ポールの
インナー・ギャップ部（第３図においてはＢの領域）お
よびリア・ギャップ部（第３図においてはＣの領域）以
外の領域を被覆するようにフォトレジスト層６５を形成
しく第６図（ｄ））、前記第１の軟磁性体層６４金メッ
キ下地層としてメッキ法により、膜厚Ｌ−１なる第２の
軟磁性体層６６を形成する（第６図（ｅ））。このあと
、前記フォトレジスト層６５を剥離し、新たに７オトレ
ジストを塗布し、フォトエツチング法を用いて所定のボ
ール形状を形成し、前述の第１の軟磁性体層６４と前記
第２の軟磁性体層６６の積層体によシ下部ホールが構成
される。
以上、述べて来た様に、本発明によれば下部ホールの膜
厚が、インナー・ギャップ部およびリア・ギャップ部に
おいて基板側に厚くなる様な逆ステップ構造となってお
シ、しかも前述した如く、予め絶縁層６２に形成された
窪みが第１の軟磁性体層６４と第２の軟磁性体層６６と
によシ埋められ平坦化されることとなる。従って、既に
述べたように、従来の薄膜磁気ヘッドの持つ諸欠点を改
善した第３図に示した様な断面形状を有する薄膜磁気ヘ
ッドを生産することが可能となシ、その工業的価値は極
めて大きいものと言える。
厚が、インナー・ギャップ部およびリア・ギャップ部に
おいて基板側に厚くなる様な逆ステップ構造となってお
シ、しかも前述した如く、予め絶縁層６２に形成された
窪みが第１の軟磁性体層６４と第２の軟磁性体層６６と
によシ埋められ平坦化されることとなる。従って、既に
述べたように、従来の薄膜磁気ヘッドの持つ諸欠点を改
善した第３図に示した様な断面形状を有する薄膜磁気ヘ
ッドを生産することが可能となシ、その工業的価値は極
めて大きいものと言える。
尚、以上の説明においてｈＳ第３図の如き薄膜磁気ヘッ
ドを念頭に置いて説明したあと、絶縁層６２の一部に対
して深さＬの症みを形成する例について説明しだが、第
４図および第５図に示したような窪みとしても良いしあ
るいは基板の一部に達するような窪みとしても本発明の
意とするところは（ｐＪら損われないことは勿論である
。
ドを念頭に置いて説明したあと、絶縁層６２の一部に対
して深さＬの症みを形成する例について説明しだが、第
４図および第５図に示したような窪みとしても良いしあ
るいは基板の一部に達するような窪みとしても本発明の
意とするところは（ｐＪら損われないことは勿論である
。
第１図および第２図は従来の薄膜磁気ヘッドを示す概略
断面図、第３図、第４図および第５図は本発明を用いて
形成された薄膜磁気ヘットを示す概略断面図ならひに第
６図（ａ）〜（ｅ）は本発明を説明する工程図である。 図において、１１，２１，３１，４１，５１．６１・・
基板、１２，１４，１５，１７，２２，２４．２５，２
７，３２゜３５．３６．３８，４２，４５，４６，４８
，５２，５５．５６゜５８．６２・・ 絶縁層、１３，
２３，３４，４４．５４・・・・下部ボール、１８．２
８，３９．４９．５９ ・ 上部ポール、６４−・ 第
１の軟磁性体層、６６・・・・・第２の軟磁性体層、６
０．６５・・・・ フォトレジスト層、１９．２９，４
０，５０．６０・・・・保瞳膜。 １１９ 第１閉 第３閉 第５圀 第６閃
断面図、第３図、第４図および第５図は本発明を用いて
形成された薄膜磁気ヘットを示す概略断面図ならひに第
６図（ａ）〜（ｅ）は本発明を説明する工程図である。 図において、１１，２１，３１，４１，５１．６１・・
基板、１２，１４，１５，１７，２２，２４．２５，２
７，３２゜３５．３６．３８，４２，４５，４６，４８
，５２，５５．５６゜５８．６２・・ 絶縁層、１３，
２３，３４，４４．５４・・・・下部ボール、１８．２
８，３９．４９．５９ ・ 上部ポール、６４−・ 第
１の軟磁性体層、６６・・・・・第２の軟磁性体層、６
０．６５・・・・ フォトレジスト層、１９．２９，４
０，５０．６０・・・・保瞳膜。 １１９ 第１閉 第３閉 第５圀 第６閃
Claims (1)
- 軟磁性体材料から成る上部および下部ボール間に導体材
料から成るコイルを挾んで成る薄膜磁気ヘッドの製造方
法において、前記下部ボールの形成に際して、予め前記
下部ボールの下地層に対して前記下部ボールのインナー
・ギヤツブ部訃よびリア・ギャップ部に和尚する領域に
対して深さＬの窪みを形成する工程と、所望の分解能に
応じて決定された膜厚ｔ（’ｔ＜Ｌ）なる第１の軟磁性
体層を基板全面に形成する工程と、前記窪み以外の領域
を第１のフォトレジスト層で被覆する工程と、前記第１
のフォトレジスト層をマスク層として前記窪み以外の下
部ボールとなるべき部分に膜厚り−ｔなる第２の軟磁性
体層をメッキ法で形成する工程と、前記第１のフォトレ
ジスト層全除去し前記第２の軟磁性体層を所定の下部ボ
ール形状に加工するだめのエツチング工程とを含むこと
を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17657082A JPS5965920A (ja) | 1982-10-07 | 1982-10-07 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17657082A JPS5965920A (ja) | 1982-10-07 | 1982-10-07 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5965920A true JPS5965920A (ja) | 1984-04-14 |
| JPS6250882B2 JPS6250882B2 (ja) | 1987-10-27 |
Family
ID=16015866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17657082A Granted JPS5965920A (ja) | 1982-10-07 | 1982-10-07 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5965920A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7943288B2 (en) * | 2005-07-13 | 2011-05-17 | Headway Technologies, Inc. | Thin-film magnetic head structure, method of manufacturing the same, and thin-film magnetic head |
-
1982
- 1982-10-07 JP JP17657082A patent/JPS5965920A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7943288B2 (en) * | 2005-07-13 | 2011-05-17 | Headway Technologies, Inc. | Thin-film magnetic head structure, method of manufacturing the same, and thin-film magnetic head |
| US8169740B2 (en) | 2005-07-13 | 2012-05-01 | Headway Technologies, Inc. | Thin-film magnetic head structure and thin-film magnetic head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6250882B2 (ja) | 1987-10-27 |
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