JPS59117725A - 薄膜ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS59117725A JPS59117725A JP23041882A JP23041882A JPS59117725A JP S59117725 A JPS59117725 A JP S59117725A JP 23041882 A JP23041882 A JP 23041882A JP 23041882 A JP23041882 A JP 23041882A JP S59117725 A JPS59117725 A JP S59117725A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- insulating film
- coil
- tapered
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁性薄膜を用いた薄膜ヘッドの製造方法、特
に導体コイル相互間およびコイルと磁性膜間の絶縁膜に
無機材料を用いた薄膜ヘッドの製造方法に関するもので
ある。
に導体コイル相互間およびコイルと磁性膜間の絶縁膜に
無機材料を用いた薄膜ヘッドの製造方法に関するもので
ある。
従来用いられている薄膜ヘッドの構成例を第１図に示す
。図において、１は基板、２は磁性膜、３はコイル、４
は５ｉＯｉ！またはＡｔ２０８からなる絶縁膜、５は有
機性樹脂からなる絶縁膜である。このように、従来用い
られている薄膜ヘッドでは、コイル３相互間およびコイ
ルと磁性膜２との間の絶縁膜５としては、上部磁性膜２
を形成するためにその光面を平坦とする必要がある関係
上、ホトレジストやポリイミド樹脂等の有機性樹脂を用
いている。
。図において、１は基板、２は磁性膜、３はコイル、４
は５ｉＯｉ！またはＡｔ２０８からなる絶縁膜、５は有
機性樹脂からなる絶縁膜である。このように、従来用い
られている薄膜ヘッドでは、コイル３相互間およびコイ
ルと磁性膜２との間の絶縁膜５としては、上部磁性膜２
を形成するためにその光面を平坦とする必要がある関係
上、ホトレジストやポリイミド樹脂等の有機性樹脂を用
いている。
しかしながら、これらの有機性樹脂は熱伝導率が小さく
、また熱膨張率も基板、Ｓｉｎｇ、磁性膜等のそれと比
較して大きく異なるために大電流を流すことができず、
有機性樹脂の上部に設けた磁性膜２などが剥離しやすい
等の欠点を有していた。
、また熱膨張率も基板、Ｓｉｎｇ、磁性膜等のそれと比
較して大きく異なるために大電流を流すことができず、
有機性樹脂の上部に設けた磁性膜２などが剥離しやすい
等の欠点を有していた。
これらの欠点を解消するには、上記絶縁膜５としても絶
縁膜４と同様に有機性樹脂ではなく ５ｉｎｓ等の無機
材料を使用すればよいことは明らかである。その場合、
問題は前述したように凹凸のあるコイルバタン上に表面
が平坦な無機材料の膜をどのようにして形成するかとい
うことであるが、これは、コイルバタン上に形成した凹
凸のあるＳｉｎｇ等の膜をさらにホトレジスト等で覆っ
て表面を平坦にした後、これを５ｉ０２とホトレジスト
のエツチング速度がほぼ等しくなるようなエツチング条
件で平らにエツチングして行く手法をとることにより解
決できることがわかった。第２図に、このようにして製
造した薄膜ヘッドを示す。図において６は５ｉＯｚから
なる絶縁膜である。
縁膜４と同様に有機性樹脂ではなく ５ｉｎｓ等の無機
材料を使用すればよいことは明らかである。その場合、
問題は前述したように凹凸のあるコイルバタン上に表面
が平坦な無機材料の膜をどのようにして形成するかとい
うことであるが、これは、コイルバタン上に形成した凹
凸のあるＳｉｎｇ等の膜をさらにホトレジスト等で覆っ
て表面を平坦にした後、これを５ｉ０２とホトレジスト
のエツチング速度がほぼ等しくなるようなエツチング条
件で平らにエツチングして行く手法をとることにより解
決できることがわかった。第２図に、このようにして製
造した薄膜ヘッドを示す。図において６は５ｉＯｚから
なる絶縁膜である。
ところで、このような構造の薄膜ヘッドを製造するため
には、リフトオフ法により下部の磁性膜２およびコイル
３を５ｉＯｚで埋め込んだ後に、この下部磁性膜２とコ
イル３および絶縁膜６を挾んで対向する上部磁性膜２と
を結合させるために上記３ｉ０２からなる絶縁膜６をテ
ーパエツチングする必要がある。、このテーパエツチン
グは、円筒形のプラズマエツチング装置を用いて行なわ
れるが、第２図に示すようにテーパ部は直線状にエツチ
ングされるため、端部に図中矢印で示すような角部分が
生じる。このために、この部分において磁性膜２のバタ
ン形成に使用するレジスト膜が薄くなることから磁性膜
２のバタン形成が正確に行なえず、また磁性膜２それ自
体の厚みもこの部分で薄くなるため特性が劣化しやすい
問題があった。
には、リフトオフ法により下部の磁性膜２およびコイル
３を５ｉＯｚで埋め込んだ後に、この下部磁性膜２とコ
イル３および絶縁膜６を挾んで対向する上部磁性膜２と
を結合させるために上記３ｉ０２からなる絶縁膜６をテ
ーパエツチングする必要がある。、このテーパエツチン
グは、円筒形のプラズマエツチング装置を用いて行なわ
れるが、第２図に示すようにテーパ部は直線状にエツチ
ングされるため、端部に図中矢印で示すような角部分が
生じる。このために、この部分において磁性膜２のバタ
ン形成に使用するレジスト膜が薄くなることから磁性膜
２のバタン形成が正確に行なえず、また磁性膜２それ自
体の厚みもこの部分で薄くなるため特性が劣化しやすい
問題があった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、その
目的は、コイル相互間およびコイルと磁性膜間の絶縁物
に無機材料を用い、かつその絶縁膜のテーパ部端部の外
形をなだらかに形成することが可能な薄膜ヘッドの製造
方法を提供することにある。
目的は、コイル相互間およびコイルと磁性膜間の絶縁物
に無機材料を用い、かつその絶縁膜のテーパ部端部の外
形をなだらかに形成することが可能な薄膜ヘッドの製造
方法を提供することにある。
このような目的を達成するために、本発明は、無機材料
によシ形成した絶縁膜にテーパ加工した後、これを有機
性樹脂の被膜で覆ってテーバ部角部の外形をなだらかに
形成し、その後イオンビームエツチングを施すことによ
り、上記絶縁膜のテーパ部角部を上記被膜とともになだ
らかカ外形に沿って除去するものである。
によシ形成した絶縁膜にテーパ加工した後、これを有機
性樹脂の被膜で覆ってテーバ部角部の外形をなだらかに
形成し、その後イオンビームエツチングを施すことによ
り、上記絶縁膜のテーパ部角部を上記被膜とともになだ
らかカ外形に沿って除去するものである。
以下、実施例を用いて本発明の詳細な説明する。
第３図は、本発明により製造した薄膜ヘッドの一例を示
す断面図である。図において、第２図と同様に６は５ｉ
０２からなる絶縁膜であるが、そのテーパ部角部はなだ
らかに形成され、有機性樹脂からなる絶縁膜５を用いた
第１図のものと同様に丸味を有する断面形状が得られる
。
す断面図である。図において、第２図と同様に６は５ｉ
０２からなる絶縁膜であるが、そのテーパ部角部はなだ
らかに形成され、有機性樹脂からなる絶縁膜５を用いた
第１図のものと同様に丸味を有する断面形状が得られる
。
本発明によりこのような丸味を有する断面形状を形成す
るだめの基本的な工程について、第４図を用いて説明す
る。簡単のため、基板１の上に５Ｈ）ｚからなる絶縁膜
６を形成してそのテーパ部端部の角部をなだらかに加工
する場合を示し、磁性膜２やコイル３、絶縁膜４は省略
した。また本発明の基本的特徴をより明瞭にするだめ左
右の絶縁膜６にそれぞれテーパ部が設けられ、その間が
谷状に形成された構成を示した。
るだめの基本的な工程について、第４図を用いて説明す
る。簡単のため、基板１の上に５Ｈ）ｚからなる絶縁膜
６を形成してそのテーパ部端部の角部をなだらかに加工
する場合を示し、磁性膜２やコイル３、絶縁膜４は省略
した。また本発明の基本的特徴をより明瞭にするだめ左
右の絶縁膜６にそれぞれテーパ部が設けられ、その間が
谷状に形成された構成を示した。
まず、基板１の上に８１０２からなる絶縁膜６を形成し
た後、フレオン系のガスを用いた通常のプラズマエツチ
ングによりテーバエンテンダ加工を施す。この場合テー
パ部は約４５の角度で直線的にエンチングされるため、
テーパ上端部に角部が生じる（第４図（ａ））。この上
に系トレジスト（シブレイ社製ＡＺ１３５０Ｊ）を塗布
した後約１２０℃で３０分間の熱処理を行なうことによ
り被膜Ｔを形成した。熱処理により被膜７の外形はなだ
らかに形成されるとともに、上記絶縁膜６のテーパ部上
端部の角部にはホトレジストは殆んど被着されず、Ｓ
ｉ Ｏｐ、からなる絶縁膜６の角部が露出する（第４図
（ｂ：＋）。次いで、この状態の１試料をアルゴンガス
をイオン源とし、アルゴンガス圧ｌＸｌ０−’Ｔｏｒｒ
、加速電圧０．５ ｋ Ｖ、電流密度０．６ｍＡ／ａｎ
２０条件でイオンビームエツチングすると・、５ｔｏｚ
とホトレジストのエツチング速度かほぼ□同一となると
ころから被膜７とともに絶縁膜６の角部に対しても同様
にエツチングが進行する。その結果絶縁膜６０角部は被
膜７のなだらかな外形に沿って除去され、全体としてな
だらかに変化するエツチングプロファイルが得られる（
第４図（Ｃ））。
た後、フレオン系のガスを用いた通常のプラズマエツチ
ングによりテーバエンテンダ加工を施す。この場合テー
パ部は約４５の角度で直線的にエンチングされるため、
テーパ上端部に角部が生じる（第４図（ａ））。この上
に系トレジスト（シブレイ社製ＡＺ１３５０Ｊ）を塗布
した後約１２０℃で３０分間の熱処理を行なうことによ
り被膜Ｔを形成した。熱処理により被膜７の外形はなだ
らかに形成されるとともに、上記絶縁膜６のテーパ部上
端部の角部にはホトレジストは殆んど被着されず、Ｓ
ｉ Ｏｐ、からなる絶縁膜６の角部が露出する（第４図
（ｂ：＋）。次いで、この状態の１試料をアルゴンガス
をイオン源とし、アルゴンガス圧ｌＸｌ０−’Ｔｏｒｒ
、加速電圧０．５ ｋ Ｖ、電流密度０．６ｍＡ／ａｎ
２０条件でイオンビームエツチングすると・、５ｔｏｚ
とホトレジストのエツチング速度かほぼ□同一となると
ころから被膜７とともに絶縁膜６の角部に対しても同様
にエツチングが進行する。その結果絶縁膜６０角部は被
膜７のなだらかな外形に沿って除去され、全体としてな
だらかに変化するエツチングプロファイルが得られる（
第４図（Ｃ））。
なお、以上の説明ではテーパ部角部をなだらかに加工す
るためのイオンビームエツチングに際しアルゴンガスを
イオン源として用いたが、例えば酸素とアルゴンガスと
の混合ガスを用いても、酸素の分圧を適当に設定するこ
とで絶縁膜６と被膜７のエツチング速度をほぼ同様に調
整でき、上述したと同様の加工が行なえる。また、ホト
レジストの粘度およびイオンビームの入射角を変えるこ
とによりテーパ部端部に形成される丸味の程度を調整す
ることが可能である。
るためのイオンビームエツチングに際しアルゴンガスを
イオン源として用いたが、例えば酸素とアルゴンガスと
の混合ガスを用いても、酸素の分圧を適当に設定するこ
とで絶縁膜６と被膜７のエツチング速度をほぼ同様に調
整でき、上述したと同様の加工が行なえる。また、ホト
レジストの粘度およびイオンビームの入射角を変えるこ
とによりテーパ部端部に形成される丸味の程度を調整す
ることが可能である。
因に、上下の磁性膜を結合させるために無機材料からな
る絶縁膜にテーパエツチング加工を施し、その上を有機
性樹脂からなるなだらかな外形を有する被膜で覆った後
、さらにイオンビームエツチングしてテーパ部角部を除
去し丸味のある外形を形成する手法は、上下磁性膜の代
りに通常の導体を用いた一般の多層配線において、その
一部で上下配線層を結合させるために層間絶縁膜にテー
パ部を形成する際等にも同様に応用できる技術であるこ
とは言〜うまでもない。
る絶縁膜にテーパエツチング加工を施し、その上を有機
性樹脂からなるなだらかな外形を有する被膜で覆った後
、さらにイオンビームエツチングしてテーパ部角部を除
去し丸味のある外形を形成する手法は、上下磁性膜の代
りに通常の導体を用いた一般の多層配線において、その
一部で上下配線層を結合させるために層間絶縁膜にテー
パ部を形成する際等にも同様に応用できる技術であるこ
とは言〜うまでもない。
以上説明したように、本発明によれば、絶縁膜にテーパ
エツチング加工を施した後その上を有機性樹脂からなる
なだらかな外形の被膜で覆い、さらにイオンビームエツ
チングによりテーノく部角部を上記なだらかな外形に沿
って除去することによシ、コイル間およびコイルと磁性
膜間の絶縁に無機材料を用いながらそのテーパ部端部の
外形をなだらかに形成することができる。このため、磁
性膜のバタン形成が精度良く行なえるとともに膜厚も均
一に形成でき、磁性膜の磁気特性を損うことがないため
薄膜ヘッドの性能を向上させることができる。
エツチング加工を施した後その上を有機性樹脂からなる
なだらかな外形の被膜で覆い、さらにイオンビームエツ
チングによりテーノく部角部を上記なだらかな外形に沿
って除去することによシ、コイル間およびコイルと磁性
膜間の絶縁に無機材料を用いながらそのテーパ部端部の
外形をなだらかに形成することができる。このため、磁
性膜のバタン形成が精度良く行なえるとともに膜厚も均
一に形成でき、磁性膜の磁気特性を損うことがないため
薄膜ヘッドの性能を向上させることができる。
第１図は従来の薄膜ヘッドの構造を示す断面図、第２図
は無機材料からなる絶縁膜を用いた薄膜ヘッドの構造を
示す断面図、第３図は本発明により製造した薄膜ヘッド
の構成例を示す断面図、第４図（ａ）〜（Ｃ）は本発明
の基本的工程を説明するだめの工程断面図である。 ２・・・・磁性膜、３・・・・コイル、６・・・・テー
パ部を設けた絶縁膜、１・・・・有機性樹脂からなる被
膜。 第１図 第２図 八 第３図 第４図
は無機材料からなる絶縁膜を用いた薄膜ヘッドの構造を
示す断面図、第３図は本発明により製造した薄膜ヘッド
の構成例を示す断面図、第４図（ａ）〜（Ｃ）は本発明
の基本的工程を説明するだめの工程断面図である。 ２・・・・磁性膜、３・・・・コイル、６・・・・テー
パ部を設けた絶縁膜、１・・・・有機性樹脂からなる被
膜。 第１図 第２図 八 第３図 第４図
Claims (1)
- コイル間およびコイルと磁性膜間の絶縁膜として無機材
料を用い、上記磁性膜を、上記コイルと絶縁膜とを介し
て対向し端部で相互に結合した上部磁性膜と下部磁性膜
とによって構成する薄膜ヘッドの製造方法において、上
記無機材料からなる絶縁膜を形成しその端部にテーパエ
ツチング加工を施す工程と、この絶縁膜を有機性樹脂か
らなる被膜で覆ってテーバ部角部の外形をなだらかに形
成する工程と、このテーパ部角部にイオンビームエツチ
ングを施すことにより絶縁膜のテーパ部角部を上記被膜
とともになだらかな外形に沿って除去する工程とを有す
ることを特徴とする薄膜ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23041882A JPS59117725A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 薄膜ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23041882A JPS59117725A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 薄膜ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59117725A true JPS59117725A (ja) | 1984-07-07 |
| JPS6248291B2 JPS6248291B2 (ja) | 1987-10-13 |
Family
ID=16907571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23041882A Granted JPS59117725A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 薄膜ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59117725A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS626417A (ja) * | 1985-07-03 | 1987-01-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS628321A (ja) * | 1985-07-04 | 1987-01-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS628320A (ja) * | 1985-07-04 | 1987-01-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5381110A (en) * | 1976-12-25 | 1978-07-18 | Toshiba Corp | Manufacture of magnetic film head |
| JPS5612733A (en) * | 1979-07-11 | 1981-02-07 | Fujitsu Ltd | Ion etching method |
| JPS56156915A (en) * | 1980-05-06 | 1981-12-03 | Hitachi Ltd | Formation of multilayer film for electronic circuit |
-
1982
- 1982-12-24 JP JP23041882A patent/JPS59117725A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5381110A (en) * | 1976-12-25 | 1978-07-18 | Toshiba Corp | Manufacture of magnetic film head |
| JPS5612733A (en) * | 1979-07-11 | 1981-02-07 | Fujitsu Ltd | Ion etching method |
| JPS56156915A (en) * | 1980-05-06 | 1981-12-03 | Hitachi Ltd | Formation of multilayer film for electronic circuit |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS626417A (ja) * | 1985-07-03 | 1987-01-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS628321A (ja) * | 1985-07-04 | 1987-01-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS628320A (ja) * | 1985-07-04 | 1987-01-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPH0618056B2 (ja) * | 1985-07-04 | 1994-03-09 | 富士写真フイルム株式会社 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6248291B2 (ja) | 1987-10-13 |
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