JPS6396923A - ヴァイア形成方法 - Google Patents
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Classifications
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
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- H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ、産業上の利用分野
この発明は、一般に電気絶縁性の樹脂層内でのヴアイア
の作成、より具体的に言えばかかる層内に傾斜ヴアイア
を作成する新奇な方法に関するものである。
の作成、より具体的に言えばかかる層内に傾斜ヴアイア
を作成する新奇な方法に関するものである。
Ｂ、従来技術
絶縁層は、コンピュータの構成部品を製造する際に導体
または半導体を相互に分離するためにふつう使われてい
る。かかる層は、コンピュータ・チップおよびチップを
担持するパッケージの作成に使われる。
または半導体を相互に分離するためにふつう使われてい
る。かかる層は、コンピュータ・チップおよびチップを
担持するパッケージの作成に使われる。
大部分の゛かかる絶縁層は、孔すなわちヴアイアを備え
ている。ヴアイアの壁面は、銅などの導体でめっきして
、層の両面の良導体または半導体相互間に電気的連絡を
もたらすことがしばしば行なわれている。
ている。ヴアイアの壁面は、銅などの導体でめっきして
、層の両面の良導体または半導体相互間に電気的連絡を
もたらすことがしばしば行なわれている。
たとえば、穴あけや方向性プラズマ・エツチングによっ
て絶縁層中に垂直な壁面のヴアイアを作成するとき、し
ばしば後でヴアイア壁面に付着させる導電性材料の保全
性に関して問題が生じることがある。ヴアイアの垂直な
壁が絶縁層の平坦面とぶつかる鋭いかどで、導電性材料
に亀裂が生じ、その後剥離してはがれることがときどき
ある。
て絶縁層中に垂直な壁面のヴアイアを作成するとき、し
ばしば後でヴアイア壁面に付着させる導電性材料の保全
性に関して問題が生じることがある。ヴアイアの垂直な
壁が絶縁層の平坦面とぶつかる鋭いかどで、導電性材料
に亀裂が生じ、その後剥離してはがれることがときどき
ある。
この問題を解決するため、かなりの努力が注がれてきた
。ヴアイアの壁が樹脂層とぶつかる所のかどが鋭くなら
ないようにした傾斜壁が、この問題を解決するための有
用な方法として、一般に受は入れられてきた。しかし、
樹脂層中に傾斜ヴアイアを作成するための最適の方法、
とくにコンピュータ構成部品を乾式エツチングまたはプ
ラズマ・エツチングで作成する場合の方法は、まだ見つ
かっていない。
。ヴアイアの壁が樹脂層とぶつかる所のかどが鋭くなら
ないようにした傾斜壁が、この問題を解決するための有
用な方法として、一般に受は入れられてきた。しかし、
樹脂層中に傾斜ヴアイアを作成するための最適の方法、
とくにコンピュータ構成部品を乾式エツチングまたはプ
ラズマ・エツチングで作成する場合の方法は、まだ見つ
かっていない。
ウィルソン（Ｗｉｌｓｏｎ ）等の米国特許明細書第４
３６９０９０号は、傾斜ヴアイアをもつ硬化ボリン酸フ
ィルムの製造方法を記載している。ウィルソン等の方法
は、ポリアミン酸フィルムを、ヴアイア壁の傾斜を制御
するためにヴアイアに湿式化学エツチングを施す前に、
ある臨界クロノスタチック温度で部分硬化を行なうこと
を含んでいる。ウィルソン等の方法で所期のテーパ効果
が得られるのは、部分硬化ステップまたはイミド化ステ
ップの性質による。
３６９０９０号は、傾斜ヴアイアをもつ硬化ボリン酸フ
ィルムの製造方法を記載している。ウィルソン等の方法
は、ポリアミン酸フィルムを、ヴアイア壁の傾斜を制御
するためにヴアイアに湿式化学エツチングを施す前に、
ある臨界クロノスタチック温度で部分硬化を行なうこと
を含んでいる。ウィルソン等の方法で所期のテーパ効果
が得られるのは、部分硬化ステップまたはイミド化ステ
ップの性質による。
ベラ−＝ （Ｂｅ１ａｎｉ ）の米国特許第４４ ’１
１７３５号明細書は、ヴアイアの湿式エツチングで、エ
ッチャントをうまく選ぶことによりヴアイア壁の傾斜を
４５度と９０度の間で制御できることを指摘している。
１７３５号明細書は、ヴアイアの湿式エツチングで、エ
ッチャントをうまく選ぶことによりヴアイア壁の傾斜を
４５度と９０度の間で制御できることを指摘している。
・
ヒラ才力の米国特許第４４８２４２７号明細書は、穴あ
きマスクを通した酸素反応性イオン・エツチングにより
、ポリマ一層中に傾斜した壁面をもつヴアイア・ホール
を形成する乾式法を記載している。ヒラ才力は、マスク
をポリマ一層の上に臨界的距離だけ離して配置すること
により、傾斜ヴアイアを実現している。
きマスクを通した酸素反応性イオン・エツチングにより
、ポリマ一層中に傾斜した壁面をもつヴアイア・ホール
を形成する乾式法を記載している。ヒラ才力は、マスク
をポリマ一層の上に臨界的距離だけ離して配置すること
により、傾斜ヴアイアを実現している。
アルムグレン（Ａｌｍｇｒｅｎ ）の米国特許明細書第
４４８７６５２号は、マスク材料とポリイミドに対する
エツチングの選択性に関してプラズマを制御することに
より、マスク・アパチャの壁面内の傾斜をその下側にあ
るポリイミド・ヴアイアに転写することを記載している
。
４４８７６５２号は、マスク材料とポリイミドに対する
エツチングの選択性に関してプラズマを制御することに
より、マスク・アパチャの壁面内の傾斜をその下側にあ
るポリイミド・ヴアイアに転写することを記載している
。
ウオルフ（Ｗｏｌｆ）等の米国特許明細書第４４９５２
２０号は、リンでドープした二酸化ケイ素マスクを使っ
て下側のポリイミド層中に傾斜ヴアイアを形成すること
を示している。酸素プラズマは、二酸化ケイ素マスク中
のポリイミド露出した貫通孔をエッチし、また孔の周囲
でマスクの下のポリイミドをエッチする。孔の下のポリ
イミド中に、孔の周囲に伸びるボウル形のボイドが形成
される。
２０号は、リンでドープした二酸化ケイ素マスクを使っ
て下側のポリイミド層中に傾斜ヴアイアを形成すること
を示している。酸素プラズマは、二酸化ケイ素マスク中
のポリイミド露出した貫通孔をエッチし、また孔の周囲
でマスクの下のポリイミドをエッチする。孔の下のポリ
イミド中に、孔の周囲に伸びるボウル形のボイドが形成
される。
ドープされた二酸化ケイ素マスクを除去すると、傾斜ヴ
アイアが露出する。
アイアが露出する。
ナカジマの米国特許第４３５４８９７号明細書は、フォ
トレジスト・マスクをアンダーカットするようにフォト
レジスト・マスクを通して湿式化学エツチングを行ない
、マスクを軟化させてアンダーカットされた空洞に向け
て傾斜させ、その後で空洞の底部を乾式エツチングする
ステップを含む、絶縁層中に傾斜ヴアイアを形成する方
法を示している。
トレジスト・マスクをアンダーカットするようにフォト
レジスト・マスクを通して湿式化学エツチングを行ない
、マスクを軟化させてアンダーカットされた空洞に向け
て傾斜させ、その後で空洞の底部を乾式エツチングする
ステップを含む、絶縁層中に傾斜ヴアイアを形成する方
法を示している。
Ｃ１発明が解決しようとする問題点
樹脂層中に傾斜ヴアイアを作成する改良された方法を提
供することが、本発明の一目的である。
供することが、本発明の一目的である。
樹脂性絶縁体中の導電性めっきされたヴアイアが電気的
保全性を失わないようにすることが、本発明の第２の目
的である。
保全性を失わないようにすることが、本発明の第２の目
的である。
コンピュータ構成部品に役だつ、傾斜ヴアイアを備えた
樹脂性絶縁層を含む構造を提供することが、本発明の第
３の目的である。
樹脂性絶縁層を含む構造を提供することが、本発明の第
３の目的である。
Ｄ６問題点を解決するための手段
上記およびその他の目的は、基板上に支持された樹脂層
中に傾斜ヴアイアを作成する新奇な方法に関する本発明
によって達成される。この方法は、（ａ）樹脂層の硬化
温度で寸法が安定な基板上に接着支持された部分硬化さ
れた樹脂層を用意する、（ｂ）樹脂層中に垂直壁を備え
たヴアイアを形成する、（ｃ）樹脂層を完全に硬化させ
る各ステップを含んでいる。（ｃ）の間に樹脂の支持表
面が収縮することは、基板と支持表面の間の接着によっ
て妨げられ、ヴアイア壁面が傾斜した断面プロフィルを
とるようになる。
中に傾斜ヴアイアを作成する新奇な方法に関する本発明
によって達成される。この方法は、（ａ）樹脂層の硬化
温度で寸法が安定な基板上に接着支持された部分硬化さ
れた樹脂層を用意する、（ｂ）樹脂層中に垂直壁を備え
たヴアイアを形成する、（ｃ）樹脂層を完全に硬化させ
る各ステップを含んでいる。（ｃ）の間に樹脂の支持表
面が収縮することは、基板と支持表面の間の接着によっ
て妨げられ、ヴアイア壁面が傾斜した断面プロフィルを
とるようになる。
後続のステップで、ヴアイアを導体または半導体材料で
被覆することができ、また後者の導体または半導体材料
を他の材料層で被覆することもできる。
被覆することができ、また後者の導体または半導体材料
を他の材料層で被覆することもできる。
Ｅ、実施例
次に図面を参照しながら本発明の説明を行なうが、図面
は、例示的なものであり網羅的であることを意図しては
いない。数段で硬化させることができ、部分硬化の前に
基板に被覆させることができ、基板に接着し、完全に硬
化させると収縮する材料でできた樹脂層に、まず乾式方
向性エツチングを用いて、基板に被覆されたかかる材料
の部分硬化された層中に垂直な壁面をもつヴアイアを形
成し、その後に層を硬化させる方法によって、傾斜ヴア
イアを形成できることが発見された。この垂直壁面をも
つヴアイアは、最終硬化の際に、樹脂層の基板と接触す
る側の収縮が基板と樹脂層の接着のために妨げられ、支
持されていない側が自由に収縮できるとき、傾斜ヴアイ
アに変わる。
は、例示的なものであり網羅的であることを意図しては
いない。数段で硬化させることができ、部分硬化の前に
基板に被覆させることができ、基板に接着し、完全に硬
化させると収縮する材料でできた樹脂層に、まず乾式方
向性エツチングを用いて、基板に被覆されたかかる材料
の部分硬化された層中に垂直な壁面をもつヴアイアを形
成し、その後に層を硬化させる方法によって、傾斜ヴア
イアを形成できることが発見された。この垂直壁面をも
つヴアイアは、最終硬化の際に、樹脂層の基板と接触す
る側の収縮が基板と樹脂層の接着のために妨げられ、支
持されていない側が自由に収縮できるとき、傾斜ヴアイ
アに変わる。
具体的に第１図を参照すると、基板２上に支持された樹
脂層１が示されている。樹脂層１は、マスク層３で被覆
されている。
脂層１が示されている。樹脂層１は、マスク層３で被覆
されている。
基板２は、適当な材料なら何でもよい。通常、基板２は
、セラミック材料、銅などの導体、またはシリコンなど
の半導体から作られる。かかる材料を組合せて基板２を
作ってもよい。たとえば、導体または半導体の上にセラ
ミック材料を被覆した基板でもよい。
、セラミック材料、銅などの導体、またはシリコンなど
の半導体から作られる。かかる材料を組合せて基板２を
作ってもよい。たとえば、導体または半導体の上にセラ
ミック材料を被覆した基板でもよい。
樹脂層１を、基板２に付着させた後、部分硬化させる０
本発明で有用な樹脂性材料は、いくつかの特性を備えて
いなければならない。まず部分硬化し、後で完全に硬化
できるものでなければならない、完全に硬化したとき、
電気絶縁性をもたなければならない、基板に対して幾分
かの接着力を有し、最終硬化の際に収縮しなければなら
ない。
本発明で有用な樹脂性材料は、いくつかの特性を備えて
いなければならない。まず部分硬化し、後で完全に硬化
できるものでなければならない、完全に硬化したとき、
電気絶縁性をもたなければならない、基板に対して幾分
かの接着力を有し、最終硬化の際に収縮しなければなら
ない。
これらの特性を備えている樹脂性材料なら、何でも本発
明に使える。かかる材料の代表は、ポリアミン酸および
エポキシである。
明に使える。かかる材料の代表は、ポリアミン酸および
エポキシである。
樹脂層を塗布する方法は、本発明の操作にとって重要で
なく、有用な方法なら何を使ってもよい。
なく、有用な方法なら何を使ってもよい。
未硬化の材料の膜をスピン・コートし、後でそれを部分
硬化させる方法は、基板２を部分硬化させた樹脂層１で
被覆する有用な方法の一例である。
硬化させる方法は、基板２を部分硬化させた樹脂層１で
被覆する有用な方法の一例である。
銅で被覆したセラミック基板をピロメリチン酸二無水物
とオキシジアニリンの混合物で被覆して８０ないし１０
０°Ｃで１０分間硬化させると、良い結果が得られる。
とオキシジアニリンの混合物で被覆して８０ないし１０
０°Ｃで１０分間硬化させると、良い結果が得られる。
こうして得られる部分硬化された樹脂は、こうして被覆
したとき基板２に接着することが認められる。樹脂層１
と基板２の間に幾分かの接着力があることは、本発明の
操作にとって重要である。ただし、強い接着力は必要で
ない。後で樹脂層１を完全に硬化させる際に基板２と樹
脂層１が離れないだけの接着力があれば十分である。
したとき基板２に接着することが認められる。樹脂層１
と基板２の間に幾分かの接着力があることは、本発明の
操作にとって重要である。ただし、強い接着力は必要で
ない。後で樹脂層１を完全に硬化させる際に基板２と樹
脂層１が離れないだけの接着力があれば十分である。
未硬化の樹脂層１を、完全に硬化した後の層が約２ミク
ロン以上となるような厚さで、基板２上に被覆すること
が好ましい、実験によれば、完全に硬化させた後の厚さ
が約２ミクロン未満である樹脂層の保全性は、コンピュ
ータ構成部品の製造に使えるとは必ずしも予言できない
。
ロン以上となるような厚さで、基板２上に被覆すること
が好ましい、実験によれば、完全に硬化させた後の厚さ
が約２ミクロン未満である樹脂層の保全性は、コンピュ
ータ構成部品の製造に使えるとは必ずしも予言できない
。
エポキシおよびポリアミン酸樹脂材料を使って樹脂層１
を作る場合、部分硬化させた後の樹脂の厚さが約５ない
し４０ミクロンのとき、良い結果が得られる。かかる樹
脂は、完全に硬化したときその体積が約半分になり、厚
さ約２．５ないし２０ミクロンの完全に硬化された層１
１Ｎ：もたらすことが認められる。
を作る場合、部分硬化させた後の樹脂の厚さが約５ない
し４０ミクロンのとき、良い結果が得られる。かかる樹
脂は、完全に硬化したときその体積が約半分になり、厚
さ約２．５ないし２０ミクロンの完全に硬化された層１
１Ｎ：もたらすことが認められる。
マスク層３は、樹脂層１のマスクを施した部分をプラズ
マのエツチング作用から保護するものなら、どんな材料
から作ってもよい。フォトレジスト材料を使っても、金
属マスクを使っても、いずれも良い結果が得られた。
マのエツチング作用から保護するものなら、どんな材料
から作ってもよい。フォトレジスト材料を使っても、金
属マスクを使っても、いずれも良い結果が得られた。
第１図に示したマスクは、フォトレジスト材料である。
フォトレジストは、キャリア層をそれを被覆するための
周知のどの方法を用いて樹脂層１に付着させてもよい。
周知のどの方法を用いて樹脂層１に付着させてもよい。
フォトレジストの付着方法は本発明にとって重要ではな
い。本発明で有用なはずのかかるフォトレジスト材料の
一種は、ハント・ケミカルズ（Ｈｕｎｔ ｃｈｅｍｉｃ
ａｌｓ ）社から市販されているウエイコー） （Ｗａ
ｙｃｏａｔ ）である。
い。本発明で有用なはずのかかるフォトレジスト材料の
一種は、ハント・ケミカルズ（Ｈｕｎｔ ｃｈｅｍｉｃ
ａｌｓ ）社から市販されているウエイコー） （Ｗａ
ｙｃｏａｔ ）である。
このフォトレジスト層を周知の工程と技法によりイメー
ジ通りに露光し現像して、マスク層３を形成する。
ジ通りに露光し現像して、マスク層３を形成する。
フォトレジスト層の一部分を露光と現像により除去して
、第１図に示す開口４のような開口を形成する。現像後
のフォトレジストは、後で樹脂層１に方向性プラズマ・
エツチングを施す際に、マスク層として機能する。
、第１図に示す開口４のような開口を形成する。現像後
のフォトレジストは、後で樹脂層１に方向性プラズマ・
エツチングを施す際に、マスク層として機能する。
第２図は、フォトレジスト３と金属層５からなる、別の
マスク１４を示す、第２図のマスク１４は、ポリイミド
表面に銅などの金属層を付着させる第１のステップを含
む、周知の方法で作成することができる。金属は、たと
えばスパッタリングや蒸着法で付着させることができる
。
マスク１４を示す、第２図のマスク１４は、ポリイミド
表面に銅などの金属層を付着させる第１のステップを含
む、周知の方法で作成することができる。金属は、たと
えばスパッタリングや蒸着法で付着させることができる
。
フォトレジスト層は、金属表面の全体に付着させる。そ
れをイメージ通りの光パターンで露光し、現像して金属
層の一部分を露出させる。金属層の露出部分は適当なエ
ッチャントでエツチングすると除去されるが、フォトレ
ジストで保護された部分はエツチングされない。
れをイメージ通りの光パターンで露光し、現像して金属
層の一部分を露出させる。金属層の露出部分は適当なエ
ッチャントでエツチングすると除去されるが、フォトレ
ジストで保護された部分はエツチングされない。
エツチングの後、第２図の構造が得られる。
この有用なマスクを形成する方法は、プリント回路エツ
チング技術の当業者なら容易に思いつくものである。た
とえば、マスクを通して金属な蒸着させることにより、
層１に金属マスクを付着することができる。
チング技術の当業者なら容易に思いつくものである。た
とえば、マスクを通して金属な蒸着させることにより、
層１に金属マスクを付着することができる。
第１図と第２図のどちらのマスクを使おうと、樹脂層１
に方向性軟式エツチングを施して、第３図に示すような
垂直壁面６をもつヴアイア７を形成する。第２図の金属
層を含むマスクは、金属層が下側の樹脂を大抵の乾式エ
ツチングから保護し、そのため技術者は様々なエツチン
グ系の中から自由に選択できるので、本発明の方法では
この方が好ましい。
に方向性軟式エツチングを施して、第３図に示すような
垂直壁面６をもつヴアイア７を形成する。第２図の金属
層を含むマスクは、金属層が下側の樹脂を大抵の乾式エ
ツチングから保護し、そのため技術者は様々なエツチン
グ系の中から自由に選択できるので、本発明の方法では
この方が好ましい。
方向性反応性イオン・エツチングを用いて良い結果が得
られるが、レーザ・エツチングを使ってもうまくいくこ
とがある。反応性イオン・エツチングを、第１図または
第２図のようなマスクの実施例と一緒に使う場合、通常
、酸素／四フッ化炭素プラズマを使ってエツチングを行
なう。レーザ・エツチングが望ましい場合、エキシマ・
レーザを第２図のマスクと組合せて使うと、良い結果が
得られる。
られるが、レーザ・エツチングを使ってもうまくいくこ
とがある。反応性イオン・エツチングを、第１図または
第２図のようなマスクの実施例と一緒に使う場合、通常
、酸素／四フッ化炭素プラズマを使ってエツチングを行
なう。レーザ・エツチングが望ましい場合、エキシマ・
レーザを第２図のマスクと組合せて使うと、良い結果が
得られる。
乾式エツチングによって樹脂層１中に垂直壁面６をもつ
ヴアイアを設けた後、マスクを除去する。
ヴアイアを設けた後、マスクを除去する。
第１図のマスクを使った場合、たとえばインダストリ・
ケム・ラボラトリ（ＩＮＤＵＳＴ−ＲＩ−ＣＨＥＭ ）
から市販されているＪｌｏｏなどの周知のフォトレジス
ト溶剤を用いてマスクを除去する。第２図のマスクは、
まず適当な溶媒で残っているフォトレジストを溶かした
後、塩化第二鉄など、樹脂層に影響を与えない溶媒を用
いて金属層を除去する。
ケム・ラボラトリ（ＩＮＤＵＳＴ−ＲＩ−ＣＨＥＭ ）
から市販されているＪｌｏｏなどの周知のフォトレジス
ト溶剤を用いてマスクを除去する。第２図のマスクは、
まず適当な溶媒で残っているフォトレジストを溶かした
後、塩化第二鉄など、樹脂層に影響を与えない溶媒を用
いて金属層を除去する。
マスクを除去すると、第４図に示した構造が得られる。
・樹脂層１は、基板２と樹脂層１の支持されていない面
８を連結する、垂直壁面６をもつヴアイア７を含んでい
る。
８を連結する、垂直壁面６をもつヴアイア７を含んでい
る。
第５図は、ヴアイア７の壁面６が垂直になるような、ヴ
アイア７を基板２上の樹脂層１中に形成するもう１つの
方法を示す、走査レーザ１４でマスク１５を通して樹脂
層１を走査すると、樹脂層１はその影響を受ける。この
方法では、マスク１５は層１と接触しないように保持さ
れる。
アイア７を基板２上の樹脂層１中に形成するもう１つの
方法を示す、走査レーザ１４でマスク１５を通して樹脂
層１を走査すると、樹脂層１はその影響を受ける。この
方法では、マスク１５は層１と接触しないように保持さ
れる。
次に第４図または第５図の構造を最終硬化にかける。通
常、かかる最終硬化は３６０°Ｃで約１時間行なう。
常、かかる最終硬化は３６０°Ｃで約１時間行なう。
最終硬化ステージで、樹脂層１は厚さが収縮する。樹脂
層１は水平方向にも収縮しようとするが、基板２と樹脂
層１の間に接着による引力が働いて、樹脂層１がその界
面で水平方向に収縮するのを妨げる。樹脂層１の支持さ
れていない面は収縮を妨げられず、水平方向に収縮する
。
層１は水平方向にも収縮しようとするが、基板２と樹脂
層１の間に接着による引力が働いて、樹脂層１がその界
面で水平方向に収縮するのを妨げる。樹脂層１の支持さ
れていない面は収縮を妨げられず、水平方向に収縮する
。
樹脂層１の支持されていない面１６が水平方向に収縮し
、かつ支持されている面１７が収縮できないので、ヴア
イア壁６が傾斜した第６図の構成が得られる。
、かつ支持されている面１７が収縮できないので、ヴア
イア壁６が傾斜した第６図の構成が得られる。
第７図は、本発明の方法で作られた、基板９が導体層１
１で被覆されたセラミック層１０からなる構造を示す。
１で被覆されたセラミック層１０からなる構造を示す。
絶縁層１は、傾斜した壁面６をもつヴアイア７を含んで
いる。絶縁層１の支持されていない面は、傾斜壁面６お
よびヴアイア７の底部・の導体層１１へと伸びる導体で
被覆されている。
いる。絶縁層１の支持されていない面は、傾斜壁面６お
よびヴアイア７の底部・の導体層１１へと伸びる導体で
被覆されている。
ヴアイアの傾斜した壁面６上の導体１２が、絶縁層１の
頂面と導体層１１の間を電気的に連絡する。
頂面と導体層１１の間を電気的に連絡する。
かかる連絡は、コンピュータで使われるチップやパッケ
ージ切製造に有用なことが周知である。
ージ切製造に有用なことが周知である。
絶縁体上に導体層を配置することは周知である。
たとえば、スパッタリング、真空蒸着、またはアディテ
ィブめっきにより、セラミック基板１０または絶縁層１
上に導体層１１と１２を付着させることができる。
ィブめっきにより、セラミック基板１０または絶縁層１
上に導体層１１と１２を付着させることができる。
コンピュータ構成部品製造の当業者には自明のように、
層１１と１２は、半導体材料からも導体材料からも作る
ことができる。代表的な半導体材料は、たとえば、シリ
コン、セレン、およびヒ化ガリウムである。
層１１と１２は、半導体材料からも導体材料からも作る
ことができる。代表的な半導体材料は、たとえば、シリ
コン、セレン、およびヒ化ガリウムである。
本発明の方法によってヴアイア７の傾斜壁面が設けられ
、ポリイミド層１上が銅層１２で被覆された、第７図に
示すような構造を、コンピュータ・チップやプリント回
路板が受けるたわみや取扱いにかけた後、亀裂、ビーリ
ングまたはフレーキングの有無を検査した。銅のビーリ
ングやフレーキングはほとんど認められなかった。
、ポリイミド層１上が銅層１２で被覆された、第７図に
示すような構造を、コンピュータ・チップやプリント回
路板が受けるたわみや取扱いにかけた後、亀裂、ビーリ
ングまたはフレーキングの有無を検査した。銅のビーリ
ングやフレーキングはほとんど認められなかった。
第８図は、第７図の構造にもう１層加えて得られる構造
を示す。第６図の構造に絶縁層１３を被覆すると、導体
層１１と１２がカプセル封じされる。コンピュータ構成
部品製造の当業者ならすぐに理解できるように、この構
造にはいくらでも層を追加することができ、また適当な
樹脂性材料なら何を使っても、本発明の方法により傾斜
壁面をもつヴアイアをいくつでも設けることができる。
を示す。第６図の構造に絶縁層１３を被覆すると、導体
層１１と１２がカプセル封じされる。コンピュータ構成
部品製造の当業者ならすぐに理解できるように、この構
造にはいくらでも層を追加することができ、また適当な
樹脂性材料なら何を使っても、本発明の方法により傾斜
壁面をもつヴアイアをいくつでも設けることができる。
Ｆ９発明の詳細
な説明したように、この発明によれば、樹脂層と基板と
が接着されており、それぞれの表面が拘束されているた
め、樹脂層の硬化縮退時にヴアイアに力が加わりその垂
直壁が傾斜壁となる。
が接着されており、それぞれの表面が拘束されているた
め、樹脂層の硬化縮退時にヴアイアに力が加わりその垂
直壁が傾斜壁となる。
第１図は、基板上に支持され、その支持されない側がマ
スクされた樹脂層の概略図である。 第２図は、別のマスクの概略図である。 第３図は、樹脂層の方向性エツチングの後の第１図また
は第２図の構造の概略図である。 第４図は、マスク除去後の第３図の構造の概略図である
。 第５図は、レーザを使って樹脂層を方向性エツチングす
るもう１つの方法の概略図である。 第６図は、ヴアイアが傾斜壁面をもつ樹脂層の概略図で
ある。 第７図および第８図は、追加層を加えた後の第６図の構
造の概略図である。 １・・・・樹脂層、２・・・・基板、６・・・・壁面、
７・・・・ヴアイア。 出願人 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ
・コーポレーション 復代理人 弁理士 澤 １） 俊 夫ＦＩＧ、
１ ＦＩＧ、 ２ ＦＩＧ、 ３ ＦＩＧ、 ｌ４ ＦＩＧ、 ５
スクされた樹脂層の概略図である。 第２図は、別のマスクの概略図である。 第３図は、樹脂層の方向性エツチングの後の第１図また
は第２図の構造の概略図である。 第４図は、マスク除去後の第３図の構造の概略図である
。 第５図は、レーザを使って樹脂層を方向性エツチングす
るもう１つの方法の概略図である。 第６図は、ヴアイアが傾斜壁面をもつ樹脂層の概略図で
ある。 第７図および第８図は、追加層を加えた後の第６図の構
造の概略図である。 １・・・・樹脂層、２・・・・基板、６・・・・壁面、
７・・・・ヴアイア。 出願人 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ
・コーポレーション 復代理人 弁理士 澤 １） 俊 夫ＦＩＧ、
１ ＦＩＧ、 ２ ＦＩＧ、 ３ ＦＩＧ、 ｌ４ ＦＩＧ、 ５
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に支持された樹脂層中にヴアイアを形成する方法
において、 部分硬化された樹脂層であって完全硬化時に縮小するも
のを、その樹脂層の硬化温度で寸法がほとんど変化しな
い基板上に接着支持するステップと、 上記樹脂層中に垂直壁を備えたヴアイアを形成するステ
ップと、 上記樹脂層を硬化させるステップとを有するヴアイア形
成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US915462 | 1986-10-06 | ||
| US06/915,462 US4830706A (en) | 1986-10-06 | 1986-10-06 | Method of making sloped vias |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6396923A true JPS6396923A (ja) | 1988-04-27 |
| JP2553079B2 JP2553079B2 (ja) | 1996-11-13 |
Family
ID=25435787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62119168A Expired - Lifetime JP2553079B2 (ja) | 1986-10-06 | 1987-05-18 | ヴァイア形成方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4830706A (ja) |
| EP (1) | EP0263322B1 (ja) |
| JP (1) | JP2553079B2 (ja) |
| DE (1) | DE3777313D1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6471131A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-16 | Hitachi Ltd | Formation of connecting window to insulating film |
| JP2020191478A (ja) * | 2015-03-31 | 2020-11-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
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| US5244538A (en) * | 1991-07-26 | 1993-09-14 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method of patterning metal on a substrate using direct-write deposition of a mask |
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-
1986
- 1986-10-06 US US06/915,462 patent/US4830706A/en not_active Expired - Fee Related
-
1987
- 1987-05-18 JP JP62119168A patent/JP2553079B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1987-09-11 EP EP87113322A patent/EP0263322B1/en not_active Expired
- 1987-09-11 DE DE8787113322T patent/DE3777313D1/de not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4830706A (en) | 1989-05-16 |
| JP2553079B2 (ja) | 1996-11-13 |
| EP0263322B1 (en) | 1992-03-11 |
| EP0263322A2 (en) | 1988-04-13 |
| DE3777313D1 (de) | 1992-04-16 |
| EP0263322A3 (en) | 1988-09-21 |
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