JPH04600B2 - - Google Patents
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- JPH04600B2 JPH04600B2 JP22677083A JP22677083A JPH04600B2 JP H04600 B2 JPH04600 B2 JP H04600B2 JP 22677083 A JP22677083 A JP 22677083A JP 22677083 A JP22677083 A JP 22677083A JP H04600 B2 JPH04600 B2 JP H04600B2
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- hole
- etching
- organic polymer
- forming
- film
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- Expired
Links
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はLSIまたはLSIパツケージ等の多層配
線板において、配線層間に絶縁材として有機高分
子膜を用いたものにおいての好適なスルーホール
の形成方法に関する。
線板において、配線層間に絶縁材として有機高分
子膜を用いたものにおいての好適なスルーホール
の形成方法に関する。
情報処理装置の高速化をはかり信号伝播遅延を
小さくするため、LSIまたはLSIパツケージ等の
多層配線板において、配線層間の絶縁膜として誘
電率の小さい有機高分子膜を用いた検討がなされ
ている。従来、このような有機高分子膜としてポ
リイミド系樹脂が用いられている。ところで、こ
のように下部導体配線１の上面にポリイミド系樹
脂の絶縁膜２が設けられている基板にエツチング
マスク３を被せてスルーホールをエツチング形成
する場合に、通常、ネガタイプのフオトレジスト
をマスクとしヒドラジンを主成分としたエツチヤ
ントを用いるケミカルエツチング法、あるいは金
属薄膜をマスクに用いO2を反応ガスとし有機高
分子膜をH2O，CO2などのガスに分解する円筒型
プラズマエツチング法および平行平板型リアクテ
イブイオンエツチング法が周知である。上記各エ
ツチング法のうち、ケミカルエツチング法および
円筒型プラズマエツチング法では等方的なエツチ
ングが行なわれるため、第１図に示すようにポリ
イミド系樹脂膜２の膜厚とほぼ等しい長さＬのサ
イドエツチング４が生じる。このため開口径が大
きくなり、微細なスルーホールの形成が困難であ
る。これに対し、平行平板型リアクテイブイオン
エツチング法では、異方性の強いエツチングが行
われるためサイドエツチの少ない微細なスルーホ
ールを形成することができる。しかしながら、こ
の方法ではスルーホール開口上部周辺の表面とス
ルーホール側壁とのなす角が、ほぼ垂直に近い鋭
い角度をもつためスパツタ法などでスルーホール
をメタライズすると、第２図に示すように、開口
上部周辺でマイクロクラツク６が生じ易く、上部
導体配線５と下部導体配線１を接続するスルーホ
ールの接続信頼性を確保することが困難であると
いう問題を有している。
小さくするため、LSIまたはLSIパツケージ等の
多層配線板において、配線層間の絶縁膜として誘
電率の小さい有機高分子膜を用いた検討がなされ
ている。従来、このような有機高分子膜としてポ
リイミド系樹脂が用いられている。ところで、こ
のように下部導体配線１の上面にポリイミド系樹
脂の絶縁膜２が設けられている基板にエツチング
マスク３を被せてスルーホールをエツチング形成
する場合に、通常、ネガタイプのフオトレジスト
をマスクとしヒドラジンを主成分としたエツチヤ
ントを用いるケミカルエツチング法、あるいは金
属薄膜をマスクに用いO2を反応ガスとし有機高
分子膜をH2O，CO2などのガスに分解する円筒型
プラズマエツチング法および平行平板型リアクテ
イブイオンエツチング法が周知である。上記各エ
ツチング法のうち、ケミカルエツチング法および
円筒型プラズマエツチング法では等方的なエツチ
ングが行なわれるため、第１図に示すようにポリ
イミド系樹脂膜２の膜厚とほぼ等しい長さＬのサ
イドエツチング４が生じる。このため開口径が大
きくなり、微細なスルーホールの形成が困難であ
る。これに対し、平行平板型リアクテイブイオン
エツチング法では、異方性の強いエツチングが行
われるためサイドエツチの少ない微細なスルーホ
ールを形成することができる。しかしながら、こ
の方法ではスルーホール開口上部周辺の表面とス
ルーホール側壁とのなす角が、ほぼ垂直に近い鋭
い角度をもつためスパツタ法などでスルーホール
をメタライズすると、第２図に示すように、開口
上部周辺でマイクロクラツク６が生じ易く、上部
導体配線５と下部導体配線１を接続するスルーホ
ールの接続信頼性を確保することが困難であると
いう問題を有している。
本発明は上記問題点を解消した接続信頼性の高
い微細なスルーホールの成形方法を提供するもの
であり、その構成は、平行平板型リアクテイブイ
オンエツチング法でスルーホールを形成した後、
上記スルーホールの開口上部周辺をテーパ加工す
ることを特徴とする。
い微細なスルーホールの成形方法を提供するもの
であり、その構成は、平行平板型リアクテイブイ
オンエツチング法でスルーホールを形成した後、
上記スルーホールの開口上部周辺をテーパ加工す
ることを特徴とする。
以下に本発明を図面に基づいて詳細に説明す
る。本発明に係るスルーホールの形成工程を示す
と、まず、下部導体配線１上にポリイミド系樹脂
膜２を形成する工程の後、樹脂のエツチングマス
ク３を形成する工程を経て該エツチングマスク３
の上面にネガタイプのフオトレジスト７を塗布
し、所望のスルーホールの位置のフオトレジスト
７を現像除去するとともに露呈した部分のエツチ
ングマスク３ならびにポリイミド系樹脂膜２をエ
ツチング除去し、スルーホール８を形成する（第
３図ａ参照）。
る。本発明に係るスルーホールの形成工程を示す
と、まず、下部導体配線１上にポリイミド系樹脂
膜２を形成する工程の後、樹脂のエツチングマス
ク３を形成する工程を経て該エツチングマスク３
の上面にネガタイプのフオトレジスト７を塗布
し、所望のスルーホールの位置のフオトレジスト
７を現像除去するとともに露呈した部分のエツチ
ングマスク３ならびにポリイミド系樹脂膜２をエ
ツチング除去し、スルーホール８を形成する（第
３図ａ参照）。
次いで、全面のフオトレジスト７ならびにエツ
チングマスク３を除去する。次いで、スルーホー
ル８の開口上部周辺をケミカルエツチング法によ
りテーパ加工する。具体的には所定のエツチング
液に適宜時間浸漬すればよい。その後、スルーホ
ール８およびポリイミド樹脂膜２上にメタライズ
を施した後、上部導体配線５を形成する（第３図
ｂ参照）。以上の工程により微細なスルーホール
が形成される。
チングマスク３を除去する。次いで、スルーホー
ル８の開口上部周辺をケミカルエツチング法によ
りテーパ加工する。具体的には所定のエツチング
液に適宜時間浸漬すればよい。その後、スルーホ
ール８およびポリイミド樹脂膜２上にメタライズ
を施した後、上部導体配線５を形成する（第３図
ｂ参照）。以上の工程により微細なスルーホール
が形成される。
次に本発明の具体例を示す。
下部導体配線上にポリイミド系樹脂を多層塗り
し、約10μm厚の絶縁膜を形成した。次いで該樹
脂膜の上面にエツチングマスクを施した。エツチ
ングマスクとしてはTi金属膜を蒸着形成した。
Ti金属膜の膜厚は約1μmである。該Ti金属膜の
上面にフオトレジストを形成した。フオトレジス
トとしては炭化ポリブタジエン系ネガ型フオトレ
ジストを用いた。
し、約10μm厚の絶縁膜を形成した。次いで該樹
脂膜の上面にエツチングマスクを施した。エツチ
ングマスクとしてはTi金属膜を蒸着形成した。
Ti金属膜の膜厚は約1μmである。該Ti金属膜の
上面にフオトレジストを形成した。フオトレジス
トとしては炭化ポリブタジエン系ネガ型フオトレ
ジストを用いた。
次に上記ポリイミド系樹脂膜２のエツチング除
去、すなわちスルーホールの孔用は、異方性のエ
ツチングが可能でサイドエツチの少ない平行平板
型リアクテイブイオンエツチング法で行なつた。
次にスルーホールの開口上部周辺のテーパ加工
は、約30〜40℃に加熱したヒドラジン系エツチヤ
ントによるケミカルエツチング法で行なつた。こ
のエツチヤントに約１〜５分浸漬して所定のテー
パを得た。最後に、スルーホールおよびポリイミ
ド樹脂膜上へのメタライズは、まわりこみのよい
マグネストロンスパツタ法で行なつた。
去、すなわちスルーホールの孔用は、異方性のエ
ツチングが可能でサイドエツチの少ない平行平板
型リアクテイブイオンエツチング法で行なつた。
次にスルーホールの開口上部周辺のテーパ加工
は、約30〜40℃に加熱したヒドラジン系エツチヤ
ントによるケミカルエツチング法で行なつた。こ
のエツチヤントに約１〜５分浸漬して所定のテー
パを得た。最後に、スルーホールおよびポリイミ
ド樹脂膜上へのメタライズは、まわりこみのよい
マグネストロンスパツタ法で行なつた。
この結果微細なかつ接続信頼性の高いスルーホ
ールを得た。
ールを得た。
尚、念のため付言すれば、本実施例の数値は一
例を示すものであり、これによつて本発明を限定
するものではない。更に本実施例では有機高分子
膜としてポリイミド系樹脂を用いた例を示した
が、本発明はこれに限らずポリイミド系樹脂以外
の有機高分子膜、例えばエポキシ樹脂膜等につい
ても極めて有効であり、かかる有機高分子膜につ
いて微細かつ接続信頼性の高いスルーホールを形
成することができる。
例を示すものであり、これによつて本発明を限定
するものではない。更に本実施例では有機高分子
膜としてポリイミド系樹脂を用いた例を示した
が、本発明はこれに限らずポリイミド系樹脂以外
の有機高分子膜、例えばエポキシ樹脂膜等につい
ても極めて有効であり、かかる有機高分子膜につ
いて微細かつ接続信頼性の高いスルーホールを形
成することができる。
以上説明したように本発明によれば平行平板型
リアクテイブイオンエツチング法によりサイドエ
ツチの少ない微細なスルーホールを形成でき、か
つ、ケミカルエツチングによりスルーホールの開
口上部周辺にテーパ加工が施されるため、スルー
ホール壁面を一様にほぼ均一な膜厚のメタライズ
を施すことができる。このため、接続信頼性の高
いスルーホールを形成することができる。
リアクテイブイオンエツチング法によりサイドエ
ツチの少ない微細なスルーホールを形成でき、か
つ、ケミカルエツチングによりスルーホールの開
口上部周辺にテーパ加工が施されるため、スルー
ホール壁面を一様にほぼ均一な膜厚のメタライズ
を施すことができる。このため、接続信頼性の高
いスルーホールを形成することができる。
第１図はケミカルエツチング法あるいは円筒型
プラズマエツチング法で形成した従来のスルーホ
ールの断面図、第２図は平行平板型リアクテイブ
イオンエツチング法でスルーホールを孔明け後、
スパツタ法でスルーホールのメタライズおよび上
部導体配線層を形成した場合のスルーホール断面
図、第３図ａ，ｂは、本発明の実施例に係り、同
図ａはテーパ加工前のスルーホール断面図、同図
ｂはテーパ加工後のスルーホール断面図である。 図中、１…下部導体配線、２…ポリイミド系樹
脂膜、３…エツチングマスク、４…サイドエツ
チ、５…上部導体配線、７…フオトレジスト、８
…スルーホール。
プラズマエツチング法で形成した従来のスルーホ
ールの断面図、第２図は平行平板型リアクテイブ
イオンエツチング法でスルーホールを孔明け後、
スパツタ法でスルーホールのメタライズおよび上
部導体配線層を形成した場合のスルーホール断面
図、第３図ａ，ｂは、本発明の実施例に係り、同
図ａはテーパ加工前のスルーホール断面図、同図
ｂはテーパ加工後のスルーホール断面図である。 図中、１…下部導体配線、２…ポリイミド系樹
脂膜、３…エツチングマスク、４…サイドエツ
チ、５…上部導体配線、７…フオトレジスト、８
…スルーホール。
Claims (1)
- １ 有機高分子膜を配線層間の絶縁膜とする多層
配線板におけるスルーホールの形成方法であつ
て、平行平板型リアクテイブイオンエツチング法
により上記有機高分子膜をエツチング除去してス
ルーホールを形成した後、ケミカルエツチング法
により上記スルーホールの開口上部周辺をテーパ
加工することを特徴とするスルーホール形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22677083A JPS60119793A (ja) | 1983-12-02 | 1983-12-02 | スル−ホ−ル形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22677083A JPS60119793A (ja) | 1983-12-02 | 1983-12-02 | スル−ホ−ル形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60119793A JPS60119793A (ja) | 1985-06-27 |
| JPH04600B2 true JPH04600B2 (ja) | 1992-01-08 |
Family
ID=16850334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22677083A Granted JPS60119793A (ja) | 1983-12-02 | 1983-12-02 | スル−ホ−ル形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60119793A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6318697A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-26 | 日本電気株式会社 | 多層配線基板 |
-
1983
- 1983-12-02 JP JP22677083A patent/JPS60119793A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60119793A (ja) | 1985-06-27 |
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