JPH01128528A - 配線パターンの形成方法 - Google Patents
配線パターンの形成方法Info
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- JPH01128528A JPH01128528A JP28533387A JP28533387A JPH01128528A JP H01128528 A JPH01128528 A JP H01128528A JP 28533387 A JP28533387 A JP 28533387A JP 28533387 A JP28533387 A JP 28533387A JP H01128528 A JPH01128528 A JP H01128528A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は配線パターン形成方法に係り、特に多層配線板
に好適なパターン形成方法に関する。
に好適なパターン形成方法に関する。
従来、多層配線板は以下（α）〜（１）の工程で製造し
てい友。即ち、 （α）下地ｅ縁体上にポリイミド前駆体を全面塗布し、
加熱硬化してポリイミド絶縁層を形成。
てい友。即ち、 （α）下地ｅ縁体上にポリイミド前駆体を全面塗布し、
加熱硬化してポリイミド絶縁層を形成。
（ｂ） 上記ポリイミド絶縁層上にウェットエツチン
グが可能なレジスト層を全面形成し、このレジスト上に
蒸着法ま友はスパッタリング法などによってアルミ薄膜
を全面に形成。
グが可能なレジスト層を全面形成し、このレジスト上に
蒸着法ま友はスパッタリング法などによってアルミ薄膜
を全面に形成。
（Ｃ） 上記アルミ薄膜上にフォトレジストを塗布し
、露光し、現像して所望の配線パターンを反転させ友パ
ターンを形成。
、露光し、現像して所望の配線パターンを反転させ友パ
ターンを形成。
（嶋 露光し次アルミ博換を、エツチング液にてエツチ
ング除去し、フォトレジストを除去して所望配麿を反転
させた形状のアルミ薄膜パターンを形成。
ング除去し、フォトレジストを除去して所望配麿を反転
させた形状のアルミ薄膜パターンを形成。
（ｅ） アルミ博狭パターンをドライエツチング用
マスクとし、上記つ！ヴトエッチングが可能なレジスト
及びポリイミド絶縁層をドライエツチング法でエツチン
グして所望配線パターン形成の刀Ω工篩を形成。
マスクとし、上記つ！ヴトエッチングが可能なレジスト
及びポリイミド絶縁層をドライエツチング法でエツチン
グして所望配線パターン形成の刀Ω工篩を形成。
び）加工溝を有する基板全面に蒸着法またはスパッタリ
ング法によって導体となる金属層を形成。
ング法によって導体となる金属層を形成。
（ｇ） 上記ウェットエツチングが可能なレジストｌ
ウェットエツチングにより除去し、これと共にこのレジ
スト上の金属を除去して加工溝内部に形成され友金属層
のみを残す。
ウェットエツチングにより除去し、これと共にこのレジ
スト上の金属を除去して加工溝内部に形成され友金属層
のみを残す。
（４更に上記（α）〜（１）の工程を繰シ返すことによ
りて、多層配線形成が可能になる。
りて、多層配線形成が可能になる。
なお、上記従来技術は、アイ・イー・イー・イー、イー
・シー・シー（ＩＰ）ｉｌ Ｂ、Ｃ，Ｃ，）、１９８
４年、Ｐ８２〜Ｐ８７に記載されている。
・シー・シー（ＩＰ）ｉｌ Ｂ、Ｃ，Ｃ，）、１９８
４年、Ｐ８２〜Ｐ８７に記載されている。
上記従来技術は、基板上の絶縁層膜厚のばらつき、基板
上の異なる位置でのドライエツチング速度のばらつき等
により、ドライエツチング時間を所定深さの加工に賛す
る最低時間よりも長くしなければならない点について配
慮されておらず、ポリイミド絶縁層溝加工後に露出する
面が、下層導体金属であるか下層ポリイミド絶縁層であ
るかによって、該露出面に凹凸が生じる、という問題が
あつ几〇 本発明の目的は、上記した従来技術の問題点をなくし、
ドライエツチング後の露出面を基板全面でそろえること
により、精度の高い配線を安定に形成できる配線パター
ンの形成方法を提供することにある。
上の異なる位置でのドライエツチング速度のばらつき等
により、ドライエツチング時間を所定深さの加工に賛す
る最低時間よりも長くしなければならない点について配
慮されておらず、ポリイミド絶縁層溝加工後に露出する
面が、下層導体金属であるか下層ポリイミド絶縁層であ
るかによって、該露出面に凹凸が生じる、という問題が
あつ几〇 本発明の目的は、上記した従来技術の問題点をなくし、
ドライエツチング後の露出面を基板全面でそろえること
により、精度の高い配線を安定に形成できる配線パター
ンの形成方法を提供することにある。
Ｃ問題点を解決する手段〕
上記目的は下地絶縁体上に絶縁体を形成し、ドライエツ
チング法によって所望配線パターン形状の溝加工を行い
、この加工溝内に導体金属を充填して配線パターンを形
成する配線パターンの形成方法において、上記下地絶縁
体上に所望配線パターン形状と同形状もしくはそれよ〕
も広くパターニングした金ｍ＊換ｆｅあらかじめ形成し
ておき、上記ドライエツチング法によって所望配線パタ
ーン形状の溝加工を形成する時のストッパにすることに
よって達成される。
チング法によって所望配線パターン形状の溝加工を行い
、この加工溝内に導体金属を充填して配線パターンを形
成する配線パターンの形成方法において、上記下地絶縁
体上に所望配線パターン形状と同形状もしくはそれよ〕
も広くパターニングした金ｍ＊換ｆｅあらかじめ形成し
ておき、上記ドライエツチング法によって所望配線パタ
ーン形状の溝加工を形成する時のストッパにすることに
よって達成される。
ドライエツチング法においては、金属のエツチング速度
はポリイミド系樹脂のエツチング速度に比べて一般に１
００倍以上遅い。この為アルミ薄膜のような金属薄膜が
ドライエツチング用マスクとして用いられるわけだが、
逆にドライエツチングのストッパ七して用いることも可
能である。即ち、ポリイミド絶縁層内の一定の深さの位
置にあらかじめ金属薄膜を形成しておけば、ドライエツ
チングによってポリイミド絶縁層を加工しても金属薄膜
か露出した段階で加工の進行はストップする。
はポリイミド系樹脂のエツチング速度に比べて一般に１
００倍以上遅い。この為アルミ薄膜のような金属薄膜が
ドライエツチング用マスクとして用いられるわけだが、
逆にドライエツチングのストッパ七して用いることも可
能である。即ち、ポリイミド絶縁層内の一定の深さの位
置にあらかじめ金属薄膜を形成しておけば、ドライエツ
チングによってポリイミド絶縁層を加工しても金属薄膜
か露出した段階で加工の進行はストップする。
なお、該金Ｍ薄換が所望配線を短絡させない為には、あ
らかじめ該金属薄膜を所望配線パターンと略同形状にパ
ターニングしなければならない。ま之露元工程での位置
ずれを考慮すると、上記パターニングは所望配線パター
ン形状よりも広くパターニングしておくことが望ましい
。
らかじめ該金属薄膜を所望配線パターンと略同形状にパ
ターニングしなければならない。ま之露元工程での位置
ずれを考慮すると、上記パターニングは所望配線パター
ン形状よりも広くパターニングしておくことが望ましい
。
以下、本発明の一実施例を、第１図により説明する。第
１図（α）の下地絶縁体上１に、同図（ｂ）に示す様に
スパッタ法によ、！ｔｃｒｉＩｌ膜２（Ｉ［ｉｌ厚１ｏ
００Ａ）を形成し、同図＠）の様に所望導体パターン形
状よシ広くパターニングし友。次に同図（ｄ）に示す様
にポリイミド絶縁層３（ａｌ！厚２０μｍ）およびリフ
トオフ層４（膜厚５綿）を形成し友。しかるのち同図（
ｅ）に示す憬にスパッタ法により人！博膜５（膜厚ｒｉ
、１〜２μｍ）を形成し、同図（ｆ）の様に所望導体パ
ターンの反転パターンにパターニングし九〇次に同図（
ｔ）の様に上記へ１薄膜パターンをマスクとしてドライ
エツチングを行い、加工＃１６を得る。この時、Ｃｒ薄
瞑２がストッパとして露出し、これ以上深くドライエツ
チングが進行することはない。次いで同図（勾に示す様
に銅層７を蒸着し、加工溝内部に銅を充填する。しかる
のちにリフトオフ層４ｔ−エツチングで除去することに
より、同１／（Ｌ）の様な導体配線を得友。
１図（α）の下地絶縁体上１に、同図（ｂ）に示す様に
スパッタ法によ、！ｔｃｒｉＩｌ膜２（Ｉ［ｉｌ厚１ｏ
００Ａ）を形成し、同図＠）の様に所望導体パターン形
状よシ広くパターニングし友。次に同図（ｄ）に示す様
にポリイミド絶縁層３（ａｌ！厚２０μｍ）およびリフ
トオフ層４（膜厚５綿）を形成し友。しかるのち同図（
ｅ）に示す憬にスパッタ法により人！博膜５（膜厚ｒｉ
、１〜２μｍ）を形成し、同図（ｆ）の様に所望導体パ
ターンの反転パターンにパターニングし九〇次に同図（
ｔ）の様に上記へ１薄膜パターンをマスクとしてドライ
エツチングを行い、加工＃１６を得る。この時、Ｃｒ薄
瞑２がストッパとして露出し、これ以上深くドライエツ
チングが進行することはない。次いで同図（勾に示す様
に銅層７を蒸着し、加工溝内部に銅を充填する。しかる
のちにリフトオフ層４ｔ−エツチングで除去することに
より、同１／（Ｌ）の様な導体配線を得友。
〔発明の効果〕
以上述べ友ように本発明ｌこよれば配線幅が狭く、配＃
膜厚の厚い配線、配ち高アスペクト比配線を狭い配線ピ
ッチで形成できるので、高密度の配線基板を得ることが
できる。
膜厚の厚い配線、配ち高アスペクト比配線を狭い配線ピ
ッチで形成できるので、高密度の配線基板を得ることが
できる。
第１図は、本発明の一実施例の工程を示す断面図である
。 １・・・下地絶縁体 ２・・・Ｃｒ薄膜３・・・ポリ
イミド絶縁層 ４・・・リフトオフ層 ５・・・ＡＪ−薄膜６・・・
加工＃ ７・・・銅層−１：、− ・：゛て４；１、 ・Ｊ
。 １・・・下地絶縁体 ２・・・Ｃｒ薄膜３・・・ポリ
イミド絶縁層 ４・・・リフトオフ層 ５・・・ＡＪ−薄膜６・・・
加工＃ ７・・・銅層−１：、− ・：゛て４；１、 ・Ｊ
Claims (1)
- １．下地絶縁体上に絶縁体を形成し、ドライエッチング
法によって所望配線パターン形状の溝加工を行い、この
加工溝内に導体金属を充填して配線パターンを形成する
配線パターン形成方法において、上記下地絶縁体上に所
望配線パターン形状と同形状もしくはそれより広い形状
の金属薄膜をあらかじめ設けておくことを特徴とする配
線パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28533387A JPH0750706B2 (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 配線パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28533387A JPH0750706B2 (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 配線パターンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01128528A true JPH01128528A (ja) | 1989-05-22 |
| JPH0750706B2 JPH0750706B2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=17690191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28533387A Expired - Lifetime JPH0750706B2 (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 配線パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0750706B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008270680A (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Ulvac Japan Ltd | Ｃｎｔ成長用微細ホール形成方法、ｃｎｔ成長用基板、及びｃｎｔ成長方法 |
-
1987
- 1987-11-13 JP JP28533387A patent/JPH0750706B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008270680A (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Ulvac Japan Ltd | Ｃｎｔ成長用微細ホール形成方法、ｃｎｔ成長用基板、及びｃｎｔ成長方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0750706B2 (ja) | 1995-05-31 |
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