JPS61187294A - 導電パタ−ンの形成方法 - Google Patents
導電パタ−ンの形成方法Info
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- JPS61187294A JPS61187294A JP2677885A JP2677885A JPS61187294A JP S61187294 A JPS61187294 A JP S61187294A JP 2677885 A JP2677885 A JP 2677885A JP 2677885 A JP2677885 A JP 2677885A JP S61187294 A JPS61187294 A JP S61187294A
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- Japan
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- conductive
- conductive pattern
- film
- conductive film
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈発明の分野〉
この発明は、混成集積回路基板などに適用される導電パ
ターンの形成方法に関するものである。
ターンの形成方法に関するものである。
〈従来技術とその問題点〉
従来、導電パターンの形成方法として、スクリーン印刷
法と、フォトエツチング法とが存在する。スクリーン印
刷法は、たとえば第２図に示すような絶縁基板ｌ上に導
電パターン２を形成するにあたり、この導電パターン２
に相当する形状のスクリーン、つまり金属マスクで上記
基板ｌを被覆し、］二記スクリーンを介して基板ｌ」二
に導電材料を塗布して上記導電パターン２を直接に印刷
したのち焼成する方法である。そして、このスクリーン
印刷法の特徴は、所望の導電パターン２の形状に相当す
る部分のみに導電膜が印刷されるものであるから、導電
材料の無駄がないことである。
法と、フォトエツチング法とが存在する。スクリーン印
刷法は、たとえば第２図に示すような絶縁基板ｌ上に導
電パターン２を形成するにあたり、この導電パターン２
に相当する形状のスクリーン、つまり金属マスクで上記
基板ｌを被覆し、］二記スクリーンを介して基板ｌ」二
に導電材料を塗布して上記導電パターン２を直接に印刷
したのち焼成する方法である。そして、このスクリーン
印刷法の特徴は、所望の導電パターン２の形状に相当す
る部分のみに導電膜が印刷されるものであるから、導電
材料の無駄がないことである。
ところが、このスクリーン印刷法は、スクリーンのパタ
ーンをｌ ＯＯｐ、ｔｎ以下の線幅に形成することが困
難であることから、微細な導電パターン２ａの形成が困
難であり、その最小の導電パターンの線幅としては１０
０ ｇｍ程度である。
ーンをｌ ＯＯｐ、ｔｎ以下の線幅に形成することが困
難であることから、微細な導電パターン２ａの形成が困
難であり、その最小の導電パターンの線幅としては１０
０ ｇｍ程度である。
これに対し、フォトエツチング法は、第２図に示すよう
な絶縁基板１上に導電パターン２を形成するにあたり、
まず、第３図（ａ）、（ｂ）に示すように、絶縁基板ｌ
の主面全面に導電膜３を印刷、焼成して形成し、この導
電膜３上に耐食性感光塗料を塗布し、ネガマスクをこの
感光膜に密着させたのち紫外線で露光する。この露光後
、第３図（Ｃ）に示すように、惑星な感光膜であるフォ
トレジスト膜４を残して不要部分の感光膜を除去し、第
３図（ｄ）に示すように、フ第１・レジンＩ・膜４のな
い部分の導電膜３をエツチング液で溶解させて除去する
。最後に感光した部分のフ第１・レジスト膜４を除去す
れば、第２図および第３図（ｅ）に示すような導電パタ
ーン２が形成される。
な絶縁基板１上に導電パターン２を形成するにあたり、
まず、第３図（ａ）、（ｂ）に示すように、絶縁基板ｌ
の主面全面に導電膜３を印刷、焼成して形成し、この導
電膜３上に耐食性感光塗料を塗布し、ネガマスクをこの
感光膜に密着させたのち紫外線で露光する。この露光後
、第３図（Ｃ）に示すように、惑星な感光膜であるフォ
トレジスト膜４を残して不要部分の感光膜を除去し、第
３図（ｄ）に示すように、フ第１・レジンＩ・膜４のな
い部分の導電膜３をエツチング液で溶解させて除去する
。最後に感光した部分のフ第１・レジスト膜４を除去す
れば、第２図および第３図（ｅ）に示すような導電パタ
ーン２が形成される。
そして、このフ第１・エツチング法の特徴は、数匹ｍ以
下の線幅をもった微細な導電パターン２を容易に形成で
きることである。
下の線幅をもった微細な導電パターン２を容易に形成で
きることである。
ところが、このフォトエツチング法は、絶縁基板ｌの主
面全面に導電膜３を印刷、焼成して形成したのち、不要
部分の導電膜を除去するため、導電材料の無駄が多いこ
とである。
面全面に導電膜３を印刷、焼成して形成したのち、不要
部分の導電膜を除去するため、導電材料の無駄が多いこ
とである。
また、絶縁基板１の主面全面に導電膜３を広範囲にわた
って印刷、焼成して形成するものであるから、たとえば
第４図に示すように、導電膜３の膜厚が絶縁基板１の一
端側から他端側に向かって不均一である場合、第３図（
Ｃ）で説明したように、必要な感光膜４を残して不要部
分の感光１１りを除去したのち、第３図（ｄ）で説明し
たように。
って印刷、焼成して形成するものであるから、たとえば
第４図に示すように、導電膜３の膜厚が絶縁基板１の一
端側から他端側に向かって不均一である場合、第３図（
Ｃ）で説明したように、必要な感光膜４を残して不要部
分の感光１１りを除去したのち、第３図（ｄ）で説明し
たように。
感光膜４のない部分の導＊ ｎａ ３をエツチング液で
溶解させて除去する際、膜厚の薄い部分の導′市膜２Ｃ
はエツチング液で侵食されて剥離し、膜厚の厚い導電膜
２ｆはエツチング液で溶解されないで残イｆして、導電
膜２ｄと導電膜２ｅとを電気的に短絡させる欠点があり
、導電ｎジ３の膜厚およびエツチングの制御がきわめて
困難である。
溶解させて除去する際、膜厚の薄い部分の導′市膜２Ｃ
はエツチング液で侵食されて剥離し、膜厚の厚い導電膜
２ｆはエツチング液で溶解されないで残イｆして、導電
膜２ｄと導電膜２ｅとを電気的に短絡させる欠点があり
、導電ｎジ３の膜厚およびエツチングの制御がきわめて
困難である。
〈発明の１」的〉
この発明はト記従来の欠点を除去するためになされたも
ので、導電材１１の無駄が少なく、かつ導電膜の膜厚お
よびエツチングの制御が容易な導電パターンの形成方法
を提供することを目的としている。
ので、導電材１１の無駄が少なく、かつ導電膜の膜厚お
よびエツチングの制御が容易な導電パターンの形成方法
を提供することを目的としている。
〈発明の構成と効果〉
この発明による導電パターンの形成方法は、微細な導電
パターンをフ第１・エツチングで、ラフな導電パターン
をスクリーン印刷でそれぞれ形成することを特徴として
いる。
パターンをフ第１・エツチングで、ラフな導電パターン
をスクリーン印刷でそれぞれ形成することを特徴として
いる。
したがって、この発明によれば、ラフな導電パターンを
スクリーン印刷で形成するから、スクリーン印刷自体の
有する特徴としての導電材料の無駄をなくすことができ
る。また、微細な導電パターンはフ第１・エツチングで
形成されるから、その微細な導電パターンの形成が容易
であるとともに、絶縁基板の主面全面に導電膜を広範囲
にわたって形成するものではなく、微細な導電パターン
に相当する部分に局部的に導電膜を形成すればよいから
、導電膜の膜厚およびエツチングの制御が容易である。
スクリーン印刷で形成するから、スクリーン印刷自体の
有する特徴としての導電材料の無駄をなくすことができ
る。また、微細な導電パターンはフ第１・エツチングで
形成されるから、その微細な導電パターンの形成が容易
であるとともに、絶縁基板の主面全面に導電膜を広範囲
にわたって形成するものではなく、微細な導電パターン
に相当する部分に局部的に導電膜を形成すればよいから
、導電膜の膜厚およびエツチングの制御が容易である。
〈実施例の説明〉
以下、この発明の実施例を図面にしたがって説明する。
第１図はこの発明による導電パターンの形成工程の一例
を示す平面図である。まず、第１図（ａ）に示すように
、絶縁基板ｌの主面の一部分に導電膜３を印刷、焼成し
て形成し、この導電膜３上に耐食性感光塗料を塗布し、
ネガマスクをこの感光膜に密着させたのち紫外線で露光
する。この露光後、第３図（Ｃ）で説明したように、必
要な感光膜であるフォｉ・レジストｎ分４を残して不要
部分の感光膜を除去し、第３図（ｄ）で説明したように
、フォトレジスト膜４のない部分の導電膜３をエツチン
グ液で溶解させて除去する。最後に感光した部分のフオ
トレジスＩ・膜４を除去すれば、第１図（ｂ）に示すよ
うな微細な導電パターン２ａが形成される。
を示す平面図である。まず、第１図（ａ）に示すように
、絶縁基板ｌの主面の一部分に導電膜３を印刷、焼成し
て形成し、この導電膜３上に耐食性感光塗料を塗布し、
ネガマスクをこの感光膜に密着させたのち紫外線で露光
する。この露光後、第３図（Ｃ）で説明したように、必
要な感光膜であるフォｉ・レジストｎ分４を残して不要
部分の感光膜を除去し、第３図（ｄ）で説明したように
、フォトレジスト膜４のない部分の導電膜３をエツチン
グ液で溶解させて除去する。最後に感光した部分のフオ
トレジスＩ・膜４を除去すれば、第１図（ｂ）に示すよ
うな微細な導電パターン２ａが形成される。
これによって、数ｐＬｍ以下の線幅をもった微細な導電
パターン２ａを容易に形成することができる。また、絶
縁基板ｌの主面全面に導電膜３を形成するものでなく、
導電膜３が局部的に形成されるものであるから、導電膜
３から除去される不要部分３ａの量が少なくなり、導電
材料の無駄がきわめて少ない。さらに、絶縁基板ｌの主
面全面に導電膜３を広範囲にわたって形成するものでな
いから、第４図で説明したように、導電膜３の膜厚が絶
縁基板１の一端側から他端側に向かって不均一となるお
それがなく、導電パターン２を形成する導電膜３がエツ
チング液で侵食されて剥離したリ、その導′ｌＬ膜３同
志が電気的に短絡されるおそれがなく、導電膜３の膜厚
の制御がきわめて容易である。また、これにともなって
導電膜３の凹凸を小さくすることができるから、均質な
フ第１・レンストＩＩ！Ｊ ４を形成することができ、
エツチングの制御がきわめて容易である。そのため、比
較的厚い導電膜３でもエツチングが可能であり、その微
細な導電パターン２ａの抵抗値を減少させることができ
る。
パターン２ａを容易に形成することができる。また、絶
縁基板ｌの主面全面に導電膜３を形成するものでなく、
導電膜３が局部的に形成されるものであるから、導電膜
３から除去される不要部分３ａの量が少なくなり、導電
材料の無駄がきわめて少ない。さらに、絶縁基板ｌの主
面全面に導電膜３を広範囲にわたって形成するものでな
いから、第４図で説明したように、導電膜３の膜厚が絶
縁基板１の一端側から他端側に向かって不均一となるお
それがなく、導電パターン２を形成する導電膜３がエツ
チング液で侵食されて剥離したリ、その導′ｌＬ膜３同
志が電気的に短絡されるおそれがなく、導電膜３の膜厚
の制御がきわめて容易である。また、これにともなって
導電膜３の凹凸を小さくすることができるから、均質な
フ第１・レンストＩＩ！Ｊ ４を形成することができ、
エツチングの制御がきわめて容易である。そのため、比
較的厚い導電膜３でもエツチングが可能であり、その微
細な導電パターン２ａの抵抗値を減少させることができ
る。
その後、第１図（Ｃ）に示すように、絶縁基板Ｉ Ｊ−
に、ト記導電パターン２ａを除く他のラフな導電パター
ン２ｂ〜２ｅに相当する形状のスクリーン、つまり金属
マスクで１；記基板１を被覆し、に記スクリーンを介し
て基板１」−に導電膜を印刷したのち焼成すれば、微細
な導電パターン２ａとラフな導電パターン２ｂ〜２ｅと
を含む導電パターン２が形成される。そして、このラフ
な導電パターン２ｂ〜２ｅはスクリーン印刷によって形
成されるから、その導電材料の無駄をなくすことができ
る。
に、ト記導電パターン２ａを除く他のラフな導電パター
ン２ｂ〜２ｅに相当する形状のスクリーン、つまり金属
マスクで１；記基板１を被覆し、に記スクリーンを介し
て基板１」−に導電膜を印刷したのち焼成すれば、微細
な導電パターン２ａとラフな導電パターン２ｂ〜２ｅと
を含む導電パターン２が形成される。そして、このラフ
な導電パターン２ｂ〜２ｅはスクリーン印刷によって形
成されるから、その導電材料の無駄をなくすことができ
る。
第１図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はこの発明による導電パ
ターンの形成方法の一例を示す平面図、第２図は従来の
導電パターンの形成方法の一例を示す平面図、第３図（
ａ）〜（ｅ）は従来の導電パターンの形成力法の他の例
を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は第３図の３Ｂ−３Ｂ
線に沿う断面図、（ｃ）〜（ｅ）は第２図４７）３Ｅ−
３Ｅ線に沿う断面図、第４図は第２図の４−４線に沿う
断面ＩＡである。 １・・・絶縁基板、２・・・導電パターン、２ａ・・・
微細す導電パターン、２ｂ〜２ｅ・・・ラフな導電パタ
ーン。
ターンの形成方法の一例を示す平面図、第２図は従来の
導電パターンの形成方法の一例を示す平面図、第３図（
ａ）〜（ｅ）は従来の導電パターンの形成力法の他の例
を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は第３図の３Ｂ−３Ｂ
線に沿う断面図、（ｃ）〜（ｅ）は第２図４７）３Ｅ−
３Ｅ線に沿う断面図、第４図は第２図の４−４線に沿う
断面ＩＡである。 １・・・絶縁基板、２・・・導電パターン、２ａ・・・
微細す導電パターン、２ｂ〜２ｅ・・・ラフな導電パタ
ーン。
Claims (1)
- （１）絶縁基板上に微細な導電パターンをフォトエッチ
ングで形成する工程と、上記微細な導電パターンに電気
的に接続されたラフな導電パターンをスクリーン印刷で
形成する工程とを具備したことを特徴とする導電パター
ンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2677885A JPS61187294A (ja) | 1985-02-14 | 1985-02-14 | 導電パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2677885A JPS61187294A (ja) | 1985-02-14 | 1985-02-14 | 導電パタ−ンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61187294A true JPS61187294A (ja) | 1986-08-20 |
Family
ID=12202755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2677885A Pending JPS61187294A (ja) | 1985-02-14 | 1985-02-14 | 導電パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61187294A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01163490U (ja) * | 1988-02-15 | 1989-11-14 |
-
1985
- 1985-02-14 JP JP2677885A patent/JPS61187294A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01163490U (ja) * | 1988-02-15 | 1989-11-14 |
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