JPH07297557A - 厚膜薄膜混成基板の製造方法 - Google Patents
厚膜薄膜混成基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH07297557A JPH07297557A JP8941294A JP8941294A JPH07297557A JP H07297557 A JPH07297557 A JP H07297557A JP 8941294 A JP8941294 A JP 8941294A JP 8941294 A JP8941294 A JP 8941294A JP H07297557 A JPH07297557 A JP H07297557A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- organic insulating
- film
- conductor
- thin film
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】厚膜配線基板上に薄膜多層配線層を形成する電
子材料部品において、有機絶縁膜を加工する際、工程を
簡略化し、かつ平坦性を上げる方法を提供できる。 【構成】厚膜配線基板１の導体スルホール２をあらかじ
め基板表面よりも突出させておき、その上から導体スル
ホール２が完全に隠れるまで有機絶縁膜３を塗布形成
し、その後、導体スルホール３が露出するまで、有機絶
縁膜のエッチングを行う。 【効果】有機絶縁膜の加工工数の低減と、有機絶縁巻く
の平坦化に効果有。
子材料部品において、有機絶縁膜を加工する際、工程を
簡略化し、かつ平坦性を上げる方法を提供できる。 【構成】厚膜配線基板１の導体スルホール２をあらかじ
め基板表面よりも突出させておき、その上から導体スル
ホール２が完全に隠れるまで有機絶縁膜３を塗布形成
し、その後、導体スルホール３が露出するまで、有機絶
縁膜のエッチングを行う。 【効果】有機絶縁膜の加工工数の低減と、有機絶縁巻く
の平坦化に効果有。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】厚膜配線基板上に有機絶縁膜及び
金属配線膜から薄膜層を有する厚膜薄膜混成基板の製造
及び構造に利用できる。
金属配線膜から薄膜層を有する厚膜薄膜混成基板の製造
及び構造に利用できる。
【０００２】
【従来の技術】厚膜薄膜混成基板の製造方法における薄
膜層の形成は、各有機絶縁膜、及び金属配線膜をホトレ
ジスト膜等のエッチングマスク材で被覆しパターニング
した後に、選択的にエッチングすることで薄膜パターン
を形成する。
膜層の形成は、各有機絶縁膜、及び金属配線膜をホトレ
ジスト膜等のエッチングマスク材で被覆しパターニング
した後に、選択的にエッチングすることで薄膜パターン
を形成する。
【０００３】従来技術では、厚膜配線と薄膜配線の接続
をとるために、まず、厚膜基板上に有機絶縁膜を塗布形
成し、厚膜配線上の有機絶縁膜を前記ホトレジスト等に
よるパターンニング後にエッチング除去した後に金属配
線膜を形成する方法が一般的である。関連する公知例と
しては、例えば特開平４−９８８９３号が挙げられる。
をとるために、まず、厚膜基板上に有機絶縁膜を塗布形
成し、厚膜配線上の有機絶縁膜を前記ホトレジスト等に
よるパターンニング後にエッチング除去した後に金属配
線膜を形成する方法が一般的である。関連する公知例と
しては、例えば特開平４−９８８９３号が挙げられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】厚膜配線基板上に薄膜
層を形成する場合、従来技術ではまず厚膜配線基板上に
有機絶縁膜を塗布形成し、その後厚膜配線（導体スルホ
ール）上の有機絶縁膜を除去するために、ホトレジスト
によるパターニングが必要となり、工数が大きい。ま
た、穴を明けた有機絶縁膜に、配線層を形成するため、
平坦性が悪くなり、加工精度が落ちる。本発明では、工
程を簡略化し工数を低減し、さらに有機絶縁膜の平坦性
を上げることにより、加工精度を上げることを目的とす
る。
層を形成する場合、従来技術ではまず厚膜配線基板上に
有機絶縁膜を塗布形成し、その後厚膜配線（導体スルホ
ール）上の有機絶縁膜を除去するために、ホトレジスト
によるパターニングが必要となり、工数が大きい。ま
た、穴を明けた有機絶縁膜に、配線層を形成するため、
平坦性が悪くなり、加工精度が落ちる。本発明では、工
程を簡略化し工数を低減し、さらに有機絶縁膜の平坦性
を上げることにより、加工精度を上げることを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】厚膜配線基板の導体スル
ホールをあらかじめ基板表面に突出させるためには、液
体ホーニングにより基板と導体スルホールを同時に研削
していく。その後の基板上への有機絶縁膜は、スピン回
転塗布で行ない、導体スルホール露出のための有機絶縁
膜除去は、酸素プラズマによるドライエッチングで行
う。エッチングの終点判定は、導体スルホールが露出し
た時点のＣＯの発光スペクトルの強度変化で行う。また
表面の平坦性を上げるために、ドライエッチングのかわ
りに、機械的研磨、たとえばテープ研磨、ポリッシング
等が有効である。
ホールをあらかじめ基板表面に突出させるためには、液
体ホーニングにより基板と導体スルホールを同時に研削
していく。その後の基板上への有機絶縁膜は、スピン回
転塗布で行ない、導体スルホール露出のための有機絶縁
膜除去は、酸素プラズマによるドライエッチングで行
う。エッチングの終点判定は、導体スルホールが露出し
た時点のＣＯの発光スペクトルの強度変化で行う。また
表面の平坦性を上げるために、ドライエッチングのかわ
りに、機械的研磨、たとえばテープ研磨、ポリッシング
等が有効である。
【０００６】
【作用】液体ホーニングは、金属を含む導体スルホール
は削れにくく、基板となるセラミックは削れやすい。そ
の為同時に液体ホーニングをかけると研削速度の差によ
り、導体スルホールが基板表面より突出する。酸素プラ
ズマによるドライエッチングは、エッチング時に有機絶
縁膜から発生するＣとプラズマガス中のＯの反応生成物
であるＣＯの発光スペクトルの強度変化により、導体ス
ルホールの露出が容易に判定できる。機械的研磨、すな
わちテープ研磨又は、ポリッシングは、有機絶縁膜と導
体スルホールを同時に研削でき、表面の平坦性を上げる
ことが可能。
は削れにくく、基板となるセラミックは削れやすい。そ
の為同時に液体ホーニングをかけると研削速度の差によ
り、導体スルホールが基板表面より突出する。酸素プラ
ズマによるドライエッチングは、エッチング時に有機絶
縁膜から発生するＣとプラズマガス中のＯの反応生成物
であるＣＯの発光スペクトルの強度変化により、導体ス
ルホールの露出が容易に判定できる。機械的研磨、すな
わちテープ研磨又は、ポリッシングは、有機絶縁膜と導
体スルホールを同時に研削でき、表面の平坦性を上げる
ことが可能。
【０００７】
【実施例】図１に本発明の製造方法及び、工程途中の断
面を示す。まず厚膜配線基板１は、セラミックの焼成前
のグリーンシートに約０．１ｍｍの穴をあけ、そこに
Ｗ，又はＭｏ，又はＣｕ等を焼成可能な導体ペースト状
にしたものを埋め込み、それを１０〜５０枚程度重ね合
わせ、プレスにより接着する。その後、Ｈ2／Ｎ2の還元
雰囲気中で焼成し厚膜配線基板１ができる。前記導体ペ
ーストは同時に焼成され導体スルホール２となる。次に
液体ホーニングにより表面を研削する。ホーニングの研
磨剤は例えばアランダム＃３２０を用い、研削条件は、
砥粒濃度が、水１００ｃｃに対し砥粒が２０〜３０ｃ
ｃ、吐出圧力が５〜１０ｋｇ／ｃｍ2であれば、導体ス
ルホールと基板の段差が、０．０１ｍｍに容易に制御で
きる。次に突出した導体スルホールを完全に覆うまで、
有機絶縁膜３を形成する。有機絶縁膜には例えばＰＩＱ
を用い、スピン回転による滴下塗布法により塗布する。
有機絶縁膜は塗布ムラ防止のため６μｍを５回に分け計
３０μｍ塗布する。その後、酸素プラズマによる異方性
のドライエッチングにより有機絶縁膜を表面より除去し
ていく。ドライエッチングの終点判定は、ＣＯの発光ス
ペクトルの変化で行い、導体スルホールを完全に露出さ
せる。その後、無電解でＮｉめつき４を０．５μｍ程度
施し、その上にさらにＣｒ膜をスパッタ法により、０．
１μｍ程度形成し、ホトレジストと露光現像処理を用い
た、ホトリソ技術により、金属配線膜５を得る。図２
は、完成した厚膜薄膜混成基板の断面図である。第２絶
縁膜６、第３絶縁膜８には感光性ＰＩＱを用い、露光現
像処理によりパターニングを行い、第２スルホール７、
第３スルホール９を形成した。スルホールにはＣｕめっ
きにより導体が形成されている。
面を示す。まず厚膜配線基板１は、セラミックの焼成前
のグリーンシートに約０．１ｍｍの穴をあけ、そこに
Ｗ，又はＭｏ，又はＣｕ等を焼成可能な導体ペースト状
にしたものを埋め込み、それを１０〜５０枚程度重ね合
わせ、プレスにより接着する。その後、Ｈ2／Ｎ2の還元
雰囲気中で焼成し厚膜配線基板１ができる。前記導体ペ
ーストは同時に焼成され導体スルホール２となる。次に
液体ホーニングにより表面を研削する。ホーニングの研
磨剤は例えばアランダム＃３２０を用い、研削条件は、
砥粒濃度が、水１００ｃｃに対し砥粒が２０〜３０ｃ
ｃ、吐出圧力が５〜１０ｋｇ／ｃｍ2であれば、導体ス
ルホールと基板の段差が、０．０１ｍｍに容易に制御で
きる。次に突出した導体スルホールを完全に覆うまで、
有機絶縁膜３を形成する。有機絶縁膜には例えばＰＩＱ
を用い、スピン回転による滴下塗布法により塗布する。
有機絶縁膜は塗布ムラ防止のため６μｍを５回に分け計
３０μｍ塗布する。その後、酸素プラズマによる異方性
のドライエッチングにより有機絶縁膜を表面より除去し
ていく。ドライエッチングの終点判定は、ＣＯの発光ス
ペクトルの変化で行い、導体スルホールを完全に露出さ
せる。その後、無電解でＮｉめつき４を０．５μｍ程度
施し、その上にさらにＣｒ膜をスパッタ法により、０．
１μｍ程度形成し、ホトレジストと露光現像処理を用い
た、ホトリソ技術により、金属配線膜５を得る。図２
は、完成した厚膜薄膜混成基板の断面図である。第２絶
縁膜６、第３絶縁膜８には感光性ＰＩＱを用い、露光現
像処理によりパターニングを行い、第２スルホール７、
第３スルホール９を形成した。スルホールにはＣｕめっ
きにより導体が形成されている。
【０００８】前記ドライエッチングの代わりに、テープ
研磨又はポリッシング等の乾式研磨法により、有機絶縁
膜を研削していき、さらに平坦性を上げるために導体ス
ルホールも同時に研磨することもできる。
研磨又はポリッシング等の乾式研磨法により、有機絶縁
膜を研削していき、さらに平坦性を上げるために導体ス
ルホールも同時に研磨することもできる。
【０００９】
【発明の効果】従来、厚膜薄膜混成基板は、厚膜上に薄
膜層を形成する場合、有機絶縁膜を塗布形成した後、ホ
トレジスト塗布、露光及び現像によるパターンニング、
有機絶縁膜のエッチング、レジスト剥離工程を経なけれ
ばならなかった。また有機絶縁膜をエッチング除去した
部分に配線膜を形成するため、平坦性が悪くなり、加工
精度がおちる。本発明では、前記工程で、ホトレジスト
塗布、露光及び現像、レジスト剥離工程が省略できる。
また平坦な有機絶縁膜上に配線を形成することができ、
加工精度も上がる。
膜層を形成する場合、有機絶縁膜を塗布形成した後、ホ
トレジスト塗布、露光及び現像によるパターンニング、
有機絶縁膜のエッチング、レジスト剥離工程を経なけれ
ばならなかった。また有機絶縁膜をエッチング除去した
部分に配線膜を形成するため、平坦性が悪くなり、加工
精度がおちる。本発明では、前記工程で、ホトレジスト
塗布、露光及び現像、レジスト剥離工程が省略できる。
また平坦な有機絶縁膜上に配線を形成することができ、
加工精度も上がる。
【図面の簡単な説明】
【図１】厚膜薄膜混成基板の製造方法と各工程の断面
図。
図。
【図２】厚膜薄膜混成基板の完成断面図。
１…厚膜配線基板、 ２…導体スルホール、 ３…有機絶縁膜、 ４…Ｎｉめっき、 ５…Ｃｒスパッタ膜、 ６…第２絶縁膜、 ７…第２スルホール、 ８…第３絶縁膜、 ９…第３スルホール。
Claims (3)
- 【請求項１】導体スルホールを有する厚膜配線基板上に
有機絶縁層及び金属配線層から成る薄膜層を形成する
際、あらかじめ導体スルホールを基板表面より突出させ
ておき、その後有機絶縁膜を導体スルホールが完全に隠
れるまで形成し、その後、導体スルホールが有機絶縁膜
表面に露出するように有機絶縁膜をエッチングにより除
去することを特徴とする厚膜薄膜混成基板の製造方法。 - 【請求項２】請求項１の製造方法において、有機絶縁膜
を形成した後、導体スルホールと有機絶縁膜が同一平面
になるように、有機絶縁膜及び導体スルホールを機械的
研磨により同時に除去することを特徴とする厚膜薄膜混
成基板の製造方法。 - 【請求項３】請求項１及び２で製造された厚膜薄膜混成
基板の構造体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8941294A JPH07297557A (ja) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | 厚膜薄膜混成基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8941294A JPH07297557A (ja) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | 厚膜薄膜混成基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07297557A true JPH07297557A (ja) | 1995-11-10 |
Family
ID=13969938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8941294A Pending JPH07297557A (ja) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | 厚膜薄膜混成基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07297557A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010238932A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びパワーモジュールの製造方法 |
| JP2013027918A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | Tokuyama Corp | 窒化アルミニウム−金属接合基板の製造方法 |
-
1994
- 1994-04-27 JP JP8941294A patent/JPH07297557A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010238932A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びパワーモジュールの製造方法 |
| JP2013027918A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | Tokuyama Corp | 窒化アルミニウム−金属接合基板の製造方法 |
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