JPH03108798A - 多層配線基板およびその製造方法 - Google Patents
多層配線基板およびその製造方法Info
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- JPH03108798A JPH03108798A JP24750289A JP24750289A JPH03108798A JP H03108798 A JPH03108798 A JP H03108798A JP 24750289 A JP24750289 A JP 24750289A JP 24750289 A JP24750289 A JP 24750289A JP H03108798 A JPH03108798 A JP H03108798A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、ポリイミド樹脂を絶縁層とする多層配線が形
成された多層配線基板およびその製造方法に関する。
成された多層配線基板およびその製造方法に関する。
［従来の技術］
ポリイミド樹脂を絶縁層とする多層配線を形成する場合
に、パターンメッキて形成した導体柱を介して各配線層
の電気的接続を行う技術が提案されている（特開昭６１
−２４８４２９号公報参照）。
に、パターンメッキて形成した導体柱を介して各配線層
の電気的接続を行う技術が提案されている（特開昭６１
−２４８４２９号公報参照）。
この従来技術による多層配線の形成工程を簡単に説明す
る。
る。
セラミック基板の主面上にポリイミド樹脂層を形成し、
該ボリイミ１へ樹脂層」に第１層の配線層を形成する。
該ボリイミ１へ樹脂層」に第１層の配線層を形成する。
その第１層の配線層の上部にパターンメッキで導体柱を
形成した後、その導体相および第１層の配線層を覆って
、前記ポリイミド樹脂層」二に、上層配線層（第２層の
配線層）との絶縁層となるポリイミド樹脂を塗布し、加
熱硬化させる。その後、加熱硬化させたボリイミ１−樹
脂層の表面を研磨して導体柱の頭頂面を露出させる。
形成した後、その導体相および第１層の配線層を覆って
、前記ポリイミド樹脂層」二に、上層配線層（第２層の
配線層）との絶縁層となるポリイミド樹脂を塗布し、加
熱硬化させる。その後、加熱硬化させたボリイミ１−樹
脂層の表面を研磨して導体柱の頭頂面を露出させる。
そして、研磨さ力、ノごポリイミド樹脂層の表面上に、
導体柱と電気的に接続された第２層の配線層を形成する
。以後、導体柱を形成する工程以降を繰り返すことで多
層配線か形成される。
導体柱と電気的に接続された第２層の配線層を形成する
。以後、導体柱を形成する工程以降を繰り返すことで多
層配線か形成される。
［発明か解決しようとする課題］
しかるに、上述した従来技術では、導体柱の頭頂面を露
出させるためにポリイミド樹脂層の表面を研磨し、その
７ｉＪＩ磨されたポリイミド樹脂層上にスパッタリング
を行うため、ポリイミド樹脂層に対するスパッタ膜の密
着強度が低下する課題を有していた。
出させるためにポリイミド樹脂層の表面を研磨し、その
７ｉＪＩ磨されたポリイミド樹脂層上にスパッタリング
を行うため、ポリイミド樹脂層に対するスパッタ膜の密
着強度が低下する課題を有していた。
本発明は」１記事情に基づいてなされたもので、その目
的は、絶縁層であるポリイミド樹脂上に形成される薄膜
の密着強度を高めた多層配線基板およびその製造方法を
提供することにある。
的は、絶縁層であるポリイミド樹脂上に形成される薄膜
の密着強度を高めた多層配線基板およびその製造方法を
提供することにある。
［課題を解決するための手段］
第１の発明である多層配線基板は、上記目的を達成する
ために、セラミック基板の主面上に、ポリイミド樹脂を
絶縁層とする多層配線か施され、該多層配線の各配線層
が、パターンメッキで形成された導体柱を介して電気的
に接続された多層配線基板において、絶縁層である前記
ポリイミド樹脂と、その十の配線層との間に、油泥導体
柱の頭頂面を露出させた状態でポリイミド樹脂膜か形成
されたことを技術的手段とする。
ために、セラミック基板の主面上に、ポリイミド樹脂を
絶縁層とする多層配線か施され、該多層配線の各配線層
が、パターンメッキで形成された導体柱を介して電気的
に接続された多層配線基板において、絶縁層である前記
ポリイミド樹脂と、その十の配線層との間に、油泥導体
柱の頭頂面を露出させた状態でポリイミド樹脂膜か形成
されたことを技術的手段とする。
また、第２の発明である多層配線基板の製造方法は、以
千の技術的手段をイ１する。
千の技術的手段をイ１する。
まず、セラミック基板の主面上にポリイミド樹脂の絶縁
層を形成し、該絶縁層」に第１層の配線層を形成する。
層を形成し、該絶縁層」に第１層の配線層を形成する。
次に、前記第１層の配線層上にパターンメッキで導体柱
を形成した後、ｍ百ｌＬ第１層の配線ノーおよび前記導
体柱を覆っ°Ｃ３前記絶縁層」二に再度ポリイミド樹脂
の絶縁層を形成し、該絶縁層の表面を研磨して前記導体
柱の頭頂面を露出させる。そして、研磨された前記絶縁
層上に、前記導体柱の頭頂面を露出さぜな状態でポリイ
ミド樹脂膜を形成し、該ポリイミド樹脂膜上に、前記導
体柱と電気的に接わ“、ｉされた第２層の配線Ｊｇを形
成する。以後、前記導体柱を形成する工程以降を繰り返
して多層配線を形成する。
を形成した後、ｍ百ｌＬ第１層の配線ノーおよび前記導
体柱を覆っ°Ｃ３前記絶縁層」二に再度ポリイミド樹脂
の絶縁層を形成し、該絶縁層の表面を研磨して前記導体
柱の頭頂面を露出させる。そして、研磨された前記絶縁
層上に、前記導体柱の頭頂面を露出さぜな状態でポリイ
ミド樹脂膜を形成し、該ポリイミド樹脂膜上に、前記導
体柱と電気的に接わ“、ｉされた第２層の配線Ｊｇを形
成する。以後、前記導体柱を形成する工程以降を繰り返
して多層配線を形成する。
なお、パターンメッキは、写真法または印刷法によって
、メツキ用レジストでの逆パターンを形成しｔｓ ｆ＆
、そのパターン部にメツキを行う工程を言う。
、メツキ用レジストでの逆パターンを形成しｔｓ ｆ＆
、そのパターン部にメツキを行う工程を言う。
［作用および発明の効果］
上記構成上りなる本発明は、導体柱の頭頂面を露出さＶ
゛るために、研磨された絶縁層のポリイミド樹脂−１−
に配線層を形成するものではなく、研磨されたポリイミ
ド樹脂の表面上に、さらにボリイミｌ−樹脂膜を形成し
、該ポリイミド樹脂膜」二に配線層を形成するものであ
る。
゛るために、研磨された絶縁層のポリイミド樹脂−１−
に配線層を形成するものではなく、研磨されたポリイミ
ド樹脂の表面上に、さらにボリイミｌ−樹脂膜を形成し
、該ポリイミド樹脂膜」二に配線層を形成するものであ
る。
従−って、配線層を形成するポリイミド樹脂膜の表面が
、研磨されたポリイミド樹脂の表面より平滑であるため
、ボリイミｌ’樹脂膜」二にスパッタリング等で形成さ
れた薄膜の密着強度を高めることができる。
、研磨されたポリイミド樹脂の表面より平滑であるため
、ボリイミｌ’樹脂膜」二にスパッタリング等で形成さ
れた薄膜の密着強度を高めることができる。
［実施例］
次に、本発明の多層配線基板およびその製造方法を図面
に示ず一実施例に基つき説明する。
に示ず一実施例に基つき説明する。
第１図ないし第７図は配線パターンの形成二［程を示す
説明図であり、第８図ないし第１４図は各配線層間の絶
縁層の形成工程を示ず設明図である。
説明図であり、第８図ないし第１４図は各配線層間の絶
縁層の形成工程を示ず設明図である。
本実施例の多層配線基板は、セラミック基板１の主面上
に、ポリイミド樹脂を各配線層間の絶縁層とする多層配
線が施されたものである。
に、ポリイミド樹脂を各配線層間の絶縁層とする多層配
線が施されたものである。
セラミック基板１は、例えば、アルミナを主原料として
作成された複数のクリーンシーＩ〜を積層して、加湿雰
囲気の水素炉中て高温焼成して得られる多層基板である
。
作成された複数のクリーンシーＩ〜を積層して、加湿雰
囲気の水素炉中て高温焼成して得られる多層基板である
。
ａ）まず、あらかしめ研磨されたセラミック基板１の１
−面−４−に、図示しない回転式塗布機（スピンコータ
）により、一定精度に調整されたポリイミド樹脂を塗布
し、加熱硬化させて、第１図に示すように、厚さ２５μ
ｍのポリイミド樹脂層２を形成する。
−面−４−に、図示しない回転式塗布機（スピンコータ
）により、一定精度に調整されたポリイミド樹脂を塗布
し、加熱硬化させて、第１図に示すように、厚さ２５μ
ｍのポリイミド樹脂層２を形成する。
ｂ）このポリイミド樹脂層２の表面上に、下層にＣｒ
（５００Ａ） 、、 」層にＣＬｌ （５０００Ａ ）
の２層からなる薄膜層３をスパッタリングにより形成す
るく第２図参照）。
（５００Ａ） 、、 」層にＣＬｌ （５０００Ａ ）
の２層からなる薄膜層３をスパッタリングにより形成す
るく第２図参照）。
Ｃ）次に、その薄ｊ模Ｊ（ｉ７３上にフォトレジスト４
を塗布し、パターン露光を行った後、現像処理にヨリ配
線パターン部分のみ）刈）〜レシス１〜４を除去する（
第３図参照）。
を塗布し、パターン露光を行った後、現像処理にヨリ配
線パターン部分のみ）刈）〜レシス１〜４を除去する（
第３図参照）。
ｄ）フォトレジス１〜４が除去された部分に、電解メツ
キにより下層にＣｕ（５μｍ）、」−層にＮ１（１μｍ
）の２層から成るメツキ層５を形成する（第４図参照）
。
キにより下層にＣｕ（５μｍ）、」−層にＮ１（１μｍ
）の２層から成るメツキ層５を形成する（第４図参照）
。
ｅ）その後、上下の配線層を導通させる導体柱（第６図
参照）６をパターンメッキにて形成するため、フチ１ヘ
レシス１〜４の１−にさらにフォトレジスト７を塗布し
、露光、現像工程を経て、第５図に示すように、導体柱
６が形成される部分のみフォトレジスト ｆ）そして、Ｃｕの電解メツキにより、高さ２０μＩｎ
の導体柱６を形成する（第６図参照）。
参照）６をパターンメッキにて形成するため、フチ１ヘ
レシス１〜４の１−にさらにフォトレジスト７を塗布し
、露光、現像工程を経て、第５図に示すように、導体柱
６が形成される部分のみフォトレジスト ｆ）そして、Ｃｕの電解メツキにより、高さ２０μＩｎ
の導体柱６を形成する（第６図参照）。
ｇ）フォトレジスト
ヂング処理によって不要部分の薄膜Ｗｊ３を除去するこ
とで、第７図に示すように、薄ｊ摸層３とメツキ層５か
らなる配線パターン（本発明の第１層の配線層）８が形
成される。
とで、第７図に示すように、薄ｊ摸層３とメツキ層５か
らなる配線パターン（本発明の第１層の配線層）８が形
成される。
１〕）次に、上層（第２層）の配線層（図示しない）と
の絶縁Ｊ―を形成するため、第８図に示すように、導体
柱６および配線パターン８を覆ってポリイミド樹脂を塗
布し、加熱硬化させて、第９図に示すように、厚さ２５
μｍのポリイミド樹脂層９を形成する（第９図参照）。
の絶縁Ｊ―を形成するため、第８図に示すように、導体
柱６および配線パターン８を覆ってポリイミド樹脂を塗
布し、加熱硬化させて、第９図に示すように、厚さ２５
μｍのポリイミド樹脂層９を形成する（第９図参照）。
ｊ）続いて、ポリイミド樹脂層９の表面を研磨して、第
１０図に示すように、導体柱６の頭頂面を露出させる。
１０図に示すように、導体柱６の頭頂面を露出させる。
ｊ）研磨したポリイミド樹脂層９の表面上に再度ポリイ
ミド樹脂１０を塗布し、約１４０°Ｃで３０分間プリベ
ーキンク（その結果、１２００ｃｐの粘度を有する）し
た後、そのポリイミド樹脂１０上にフォトレジスト１１
を塗布するく第１１図および第１２図参照）。
ミド樹脂１０を塗布し、約１４０°Ｃで３０分間プリベ
ーキンク（その結果、１２００ｃｐの粘度を有する）し
た後、そのポリイミド樹脂１０上にフォトレジスト１１
を塗布するく第１１図および第１２図参照）。
＋（＞露光、現像、およびポリイミド樹脂１０のエッヂ
ンク°工程を経゛Ｃ５第１３図に示すように導体柱６の
頭頂面を露出させた後、フチＩ・レジス１〜１１を除去
する。
ンク°工程を経゛Ｃ５第１３図に示すように導体柱６の
頭頂面を露出させた後、フチＩ・レジス１〜１１を除去
する。
１）そして、ポリイミド樹脂１０を加熱硬化（２００℃
て３０分間加熱した後、３５０℃で］時間加熱する）さ
せることにより、研磨されたポリイミド樹脂層９」二に
、厚さ２〜５μｍのポリイミド樹脂膜１０ａが形成され
る（第１４図参照）。
て３０分間加熱した後、３５０℃で］時間加熱する）さ
せることにより、研磨されたポリイミド樹脂層９」二に
、厚さ２〜５μｍのポリイミド樹脂膜１０ａが形成され
る（第１４図参照）。
その後、」１記ｂ）以降の工程を繰り返ずことにより、
多層配線が形成される。
多層配線が形成される。
このように、本実施例では、研磨されたポリイミド樹脂
層９の表面上に、さらにポリイミド樹脂膜１０ａを形成
し、該ポリイミド樹脂膜１０ａＪ１に配線パターン８を
形成するものである。
層９の表面上に、さらにポリイミド樹脂膜１０ａを形成
し、該ポリイミド樹脂膜１０ａＪ１に配線パターン８を
形成するものである。
従って、配線パターン８を形成するポリイミド樹脂膜１
０ａの表面が、研磨されたポリイミド樹脂層９の表面よ
り平滑であるため、ポリイミド樹脂膜１０ａ上にスパッ
タリングで形成された薄膜層３の密着強度を高めること
ができる。
０ａの表面が、研磨されたポリイミド樹脂層９の表面よ
り平滑であるため、ポリイミド樹脂膜１０ａ上にスパッ
タリングで形成された薄膜層３の密着強度を高めること
ができる。
なお、本実施例では、配線パターン８をパターンメッキ
法により形成したが、配線の厚みをスパッタリングで確
保して、配線パターン８をエッチツク法によって形成し
ても良い。
法により形成したが、配線の厚みをスパッタリングで確
保して、配線パターン８をエッチツク法によって形成し
ても良い。
また、実施例で示したポリイミド樹脂膜１０ａやポリイ
ミド樹脂）ｆａ９の厚み、薄膜層３や導体柱６の厚み等
は一例であり、これらの数値に限定されるものではない
。
ミド樹脂）ｆａ９の厚み、薄膜層３や導体柱６の厚み等
は一例であり、これらの数値に限定されるものではない
。
第１図ないし第７図は配線パターンの形成二［程を示す
説明図であり、第８図ないし第１４図は各配線層間の絶
縁層の形成工程を示す説明図である。 図中 １・・・セラミック基板 ２．９・・・ポリイミド樹脂層（絶縁層）６・・・導体
柱 ８・・・配線パターン（第１層の配線層）１０ａ・・ポ
リイミド樹脂膜
説明図であり、第８図ないし第１４図は各配線層間の絶
縁層の形成工程を示す説明図である。 図中 １・・・セラミック基板 ２．９・・・ポリイミド樹脂層（絶縁層）６・・・導体
柱 ８・・・配線パターン（第１層の配線層）１０ａ・・ポ
リイミド樹脂膜
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）セラミック基板の主面上に、ポリイミド樹脂を絶縁
層とする多層配線が施され、該多層配線の各配線層が、
パターンメッキで形成された導体柱を介して電気的に接
続された多層配線基板において、 絶縁層である前記ポリイミド樹脂と、その上の配線層と
の間に、前記導体柱の頭頂面を露出させた状態でポリイ
ミド樹脂膜が形成されたことを特徴とする多層配線基板
。 ２）（ａ）セラミック基板の主面上にポリイミド樹脂の
絶縁層を形成し、 （ｂ）該絶縁層上に第１層の配線層を形成し、（ｃ）該
第１層の配線層上にパターンメッキで導体柱を形成し、 （ｄ）前記第１層の配線層および前記導体柱を覆って、
前記絶縁層上に再度ポリイミド樹脂の絶縁層を形成し、 （ｅ）該絶縁層の表面を研磨して前記導体柱の頭頂面を
露出させ、 （ｆ）研磨された前記絶縁層上に、前記導体柱の頭頂面
を露出させた状態でポリイミド樹脂膜を形成し、 （ｇ）該ポリイミド樹脂膜上に、前記導体柱と電気的に
接続された第２層の配線層を形成し、（ｈ）以後、前記
導体柱を形成する工程以降を繰り返して多層配線を形成
する多層配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24750289A JPH03108798A (ja) | 1989-09-22 | 1989-09-22 | 多層配線基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24750289A JPH03108798A (ja) | 1989-09-22 | 1989-09-22 | 多層配線基板およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03108798A true JPH03108798A (ja) | 1991-05-08 |
Family
ID=17164426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24750289A Pending JPH03108798A (ja) | 1989-09-22 | 1989-09-22 | 多層配線基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03108798A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5196089A (en) * | 1990-08-28 | 1993-03-23 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Multilayer ceramic substrate for mounting of semiconductor device |
| JP2002353630A (ja) * | 2001-05-24 | 2002-12-06 | Daiwa Kogyo:Kk | 柱状金属体の形成方法及び多層配線基板の製造方法 |
| EP2496062A1 (en) * | 2007-06-11 | 2012-09-05 | PPG Industries Ohio, Inc. | Method of forming solid blind vias through the dielectric coating on high density interconnect (HDI) substrate materials |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6343396A (ja) * | 1986-08-11 | 1988-02-24 | 日立化成工業株式会社 | 配線板の製造方法 |
| JPH01120094A (ja) * | 1987-11-02 | 1989-05-12 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 高強度薄膜配線基板の製造方法 |
-
1989
- 1989-09-22 JP JP24750289A patent/JPH03108798A/ja active Pending
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