JPH01120094A - 高強度薄膜配線基板の製造方法 - Google Patents
高強度薄膜配線基板の製造方法Info
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- JPH01120094A JPH01120094A JP27583687A JP27583687A JPH01120094A JP H01120094 A JPH01120094 A JP H01120094A JP 27583687 A JP27583687 A JP 27583687A JP 27583687 A JP27583687 A JP 27583687A JP H01120094 A JPH01120094 A JP H01120094A
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Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
薄膜多層配線基板はセラミック、ガラスなどの絶縁基板
上に直接又はポリイミド層を介し、蒸着ないしはスパッ
タによる薄膜を被成し、この薄膜上に導体配線を形成し
、次にポリイミド層、薄膜及び導体配線の形成を順次に
反覆するやり方でつくられる。
上に直接又はポリイミド層を介し、蒸着ないしはスパッ
タによる薄膜を被成し、この薄膜上に導体配線を形成し
、次にポリイミド層、薄膜及び導体配線の形成を順次に
反覆するやり方でつくられる。
この種の薄膜多層配線基板に関して有利に配線密度を上
げかつ高い強度を得ることについての開発研究の成果を
、ここに提案する。
げかつ高い強度を得ることについての開発研究の成果を
、ここに提案する。
（従来の技術）
薄膜多層配線基板の層間絶縁にポリイミド層を用いるこ
との有用性に関しては数多類例をみることができ代表例
としては特開昭５９−１５１４９７号公報が参照される
。
との有用性に関しては数多類例をみることができ代表例
としては特開昭５９−１５１４９７号公報が参照される
。
（発明が解決しようとする問題点）
ところでこのようなポリイミド層を層間絶縁として多層
にわたる導体配線パターンを形成するための第１手順と
して蒸着又はスパッタによる薄膜の被成が重要であるが
、そのポリイミド層に対する密着性を確保するためには
薄膜の最下層金属としてＣｒが最適とされている。
にわたる導体配線パターンを形成するための第１手順と
して蒸着又はスパッタによる薄膜の被成が重要であるが
、そのポリイミド層に対する密着性を確保するためには
薄膜の最下層金属としてＣｒが最適とされている。
ここで導体配線パターンの導電性を高めるため、薄膜上
へさらにＣｕ又はＡｕめっきを施すことが必要とされ、
とくにこのめっきを容易にするには、薄膜を予めＣｒ−
Ｃｕ 又はＣｒ−Ａｕの二重成層とすることが一般的
である。
へさらにＣｕ又はＡｕめっきを施すことが必要とされ、
とくにこのめっきを容易にするには、薄膜を予めＣｒ−
Ｃｕ 又はＣｒ−Ａｕの二重成層とすることが一般的
である。
このようなＣｒ−Ｃｕ又はＣｒ−Ａｕ 薄膜上へ全面
にＣｕ又はＡｕめっきを行った上で、配線パターンの不
要部をエツチングして導体配線パターンを得ることはで
きるけれども、このようなエツチング法では、オーバー
エツチングが不可避な故、精緻かつ高密度のパターン形
成には適合し難いきらいがあり、一方でその要請に対し
ては、必要部にのみ上記のめっきを施す手法がより有利
である。
にＣｕ又はＡｕめっきを行った上で、配線パターンの不
要部をエツチングして導体配線パターンを得ることはで
きるけれども、このようなエツチング法では、オーバー
エツチングが不可避な故、精緻かつ高密度のパターン形
成には適合し難いきらいがあり、一方でその要請に対し
ては、必要部にのみ上記のめっきを施す手法がより有利
である。
しかるにＣｕ又はＡｕめっきによる配線パターン形成の
際に必要なフォトレジストは、上記薄膜表層のＣｕ又は
Ａｕに対する密着が悪いために、Ｃｕ又は篩めっき時に
フォトレジストのはく離や、フォトレジスト直下へめっ
きもぐりの如き欠かんを生じて、満足な配線パターンの
形成が妨げられる。
際に必要なフォトレジストは、上記薄膜表層のＣｕ又は
Ａｕに対する密着が悪いために、Ｃｕ又は篩めっき時に
フォトレジストのはく離や、フォトレジスト直下へめっ
きもぐりの如き欠かんを生じて、満足な配線パターンの
形成が妨げられる。
これに対してフォトレジストの密着のよい、Ｃｒを薄膜
の最上層とする、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒ又はＣｒ−Ａｕ−Ｃ
ｒのような薄膜構成の試みは、このようなＣｒ最上層へ
の、Ｃｕ 又はＡｕめっき自体が、Ｃｒの表面上で不
可避な酸化膜のため困難なので、このようにめっきの際
に邪魔になる最上層Ｃｒを、めっきに先立ってエツチン
グにより除去しなければならないが、その際に、Ｃｒの
エツチング液が最上層直下の極く薄いＣｕ又はＡｕ膜へ
浸透することとなって、最下層のＣｒとの界面でＣｒの
腐食を来し、それ故完成のあと、Ｃｕ又はＡｕ層と最下
層Ｃｒの界面にて、配線パターンめっきのはく離を来た
すうれいがある。
の最上層とする、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒ又はＣｒ−Ａｕ−Ｃ
ｒのような薄膜構成の試みは、このようなＣｒ最上層へ
の、Ｃｕ 又はＡｕめっき自体が、Ｃｒの表面上で不
可避な酸化膜のため困難なので、このようにめっきの際
に邪魔になる最上層Ｃｒを、めっきに先立ってエツチン
グにより除去しなければならないが、その際に、Ｃｒの
エツチング液が最上層直下の極く薄いＣｕ又はＡｕ膜へ
浸透することとなって、最下層のＣｒとの界面でＣｒの
腐食を来し、それ故完成のあと、Ｃｕ又はＡｕ層と最下
層Ｃｒの界面にて、配線パターンめっきのはく離を来た
すうれいがある。
上記のようなポリイミド層上にて、Ｃｕ又はＡｕめっき
による導体配線パターンを形成する場合におけるあまた
難点を一挙に払拭して、とくに有利に、フォトリソグラ
フィによるパターンめっきにて、精緻、高密度の導体配
線が得られる、高強度薄膜配線基板の製造方法を与える
ことがこの発明の目的である。
による導体配線パターンを形成する場合におけるあまた
難点を一挙に払拭して、とくに有利に、フォトリソグラ
フィによるパターンめっきにて、精緻、高密度の導体配
線が得られる、高強度薄膜配線基板の製造方法を与える
ことがこの発明の目的である。
（問題点を解決するための手段）
この発明は、薄膜多層配線基板の層間絶縁を司るポリイ
ミド層又は、セラミック、ガラスなどの絶縁基板上に、
蒸着ないしはスパッタに、より薄膜を被成し、この薄膜
上に、フォトリソグラフィによるパターンめっきを施し
て導体配線を得る、薄膜配線基板の製造方法において、
上記薄膜を、Ｃｒ−Ｔｉ−Ｃｕ−Ｃｒ又は、Ｃｒ−Ｔｉ
−八ｕ−Ｃｒの成層膜構成になるものとすること、を特
徴とする高強度薄膜配線基板の製造方法である。
ミド層又は、セラミック、ガラスなどの絶縁基板上に、
蒸着ないしはスパッタに、より薄膜を被成し、この薄膜
上に、フォトリソグラフィによるパターンめっきを施し
て導体配線を得る、薄膜配線基板の製造方法において、
上記薄膜を、Ｃｒ−Ｔｉ−Ｃｕ−Ｃｒ又は、Ｃｒ−Ｔｉ
−八ｕ−Ｃｒの成層膜構成になるものとすること、を特
徴とする高強度薄膜配線基板の製造方法である。
一般的な薄膜配線基板は、第１図のようにセラミック又
はガラスなどの絶縁基板上たとえばアルミナセラミック
基板１に、絶縁層として厚み２５μｍ前後にて固化した
ポリイミド層２を形成し、このポリイミド層２上に、蒸
着又はスパッタによりポリイミド層を強固に密着する薄
膜３を形成するが、この発明においては、この薄膜につ
き、厚み ５００人程０のＣｒを上記ポリイミド層に対
する密着の確保のため、ついで厚み１０００人程度０置
ｉ とこれを介し厚み５０００人程度０Ｃｕ又はＡｕさ
らに厚み５００人程０のＣｒの成層膜構成とする。
はガラスなどの絶縁基板上たとえばアルミナセラミック
基板１に、絶縁層として厚み２５μｍ前後にて固化した
ポリイミド層２を形成し、このポリイミド層２上に、蒸
着又はスパッタによりポリイミド層を強固に密着する薄
膜３を形成するが、この発明においては、この薄膜につ
き、厚み ５００人程０のＣｒを上記ポリイミド層に対
する密着の確保のため、ついで厚み１０００人程度０置
ｉ とこれを介し厚み５０００人程度０Ｃｕ又はＡｕさ
らに厚み５００人程０のＣｒの成層膜構成とする。
（作 用）
この発明において薄膜表層のＣｒ膜は、導体配線のフォ
トリソグラフィによるパターンめっきのために必要なフ
ォトレジストの、塗布層に対する密着を強めるためにの
み不可欠で、このフォトレジストの塗布と露光及び現像
を終えて、第２図（ａ）に示すようなレジストパターン
が形成されたあとは、例えばフェリシアン化カリウム及
び水酸化カリウムの水溶液よりなるような腐食液にて、
同図（ｂ）に示すＣｒエツチング５のように除去され、
かくしてめっき下地として有効な薄膜中のＣｕ又は６膜
をレジストパターンの底に裸出させるのである。
トリソグラフィによるパターンめっきのために必要なフ
ォトレジストの、塗布層に対する密着を強めるためにの
み不可欠で、このフォトレジストの塗布と露光及び現像
を終えて、第２図（ａ）に示すようなレジストパターン
が形成されたあとは、例えばフェリシアン化カリウム及
び水酸化カリウムの水溶液よりなるような腐食液にて、
同図（ｂ）に示すＣｒエツチング５のように除去され、
かくしてめっき下地として有効な薄膜中のＣｕ又は６膜
をレジストパターンの底に裸出させるのである。
このエツチングの際に上記のように薄いＣｕ又は６膜を
通した腐食液の浸透によって最下層Ｃｒ膜がそのＣｕ又
はＡｕ膜との界面で腐食されろうれいは、その界面に位
置するＣｒの腐食液に対して安定に緻密なＴｉ膜によっ
て確実に防止される。
通した腐食液の浸透によって最下層Ｃｒ膜がそのＣｕ又
はＡｕ膜との界面で腐食されろうれいは、その界面に位
置するＣｒの腐食液に対して安定に緻密なＴｉ膜によっ
て確実に防止される。
従って、最表層Ｃｒ膜のエツチング除去により裸出した
薄膜中のＣｕ又はＡｕ ｌｉ上にて、同図（ｃ）のよう
に電解によるＣｕ及びＡｕめっき６，７を、それぞれ５
〜１０μｍ、１〜２μｍ程度にて施し、その後同図（ｄ
）にて番号８で示すようにフ第１・レジストパターン４
を取除き、ついで導体配線パタ−ン以外の不要なスパッ
タ膜を、Ｃｒ→Ｃｕ−＋Ｔｉ−＋Ｃｒの順にて薄膜３を
同図（ｄ）のようにエツチング除去９するわけであり、
このとき導体配線パターン１０の最外面に適用したＡｕ
めっき７の膜がＣｕめっき６の膜の保護に役立つ。
薄膜中のＣｕ又はＡｕ ｌｉ上にて、同図（ｃ）のよう
に電解によるＣｕ及びＡｕめっき６，７を、それぞれ５
〜１０μｍ、１〜２μｍ程度にて施し、その後同図（ｄ
）にて番号８で示すようにフ第１・レジストパターン４
を取除き、ついで導体配線パタ−ン以外の不要なスパッ
タ膜を、Ｃｒ→Ｃｕ−＋Ｔｉ−＋Ｃｒの順にて薄膜３を
同図（ｄ）のようにエツチング除去９するわけであり、
このとき導体配線パターン１０の最外面に適用したＡｕ
めっき７の膜がＣｕめっき６の膜の保護に役立つ。
このように第２図（ｅ）のようにポリイミド層上に、線
幅約２０ＩＩｍ、厚み６〜１２μｍの微細な導体配線パ
ターンが完成するわけである。
幅約２０ＩＩｍ、厚み６〜１２μｍの微細な導体配線パ
ターンが完成するわけである。
この導体配線パターン上に第３図のようにあらためてポ
リイミド層２′を塗布形成し、その後止にのべた薄膜３
′の形成とめっき各工程を順次に繰返して、薄膜多層配
線基板が得られる。
リイミド層２′を塗布形成し、その後止にのべた薄膜３
′の形成とめっき各工程を順次に繰返して、薄膜多層配
線基板が得られる。
（実施例）
第１図に示したように、ポリイミド層２上にＣｒ（５０
０人） −Ｔｉ （１０００人） −Ｃｕ （５０００
人） Ｃｒ （５００人の成層膜構成とした薄膜３を
０．１１幅にて１．５１の長さにわたらせ、これに重ね
て０．１０ｍｍ幅、０．０３ｍｍ厚みで弓形をなす肋リ
ボン１１を加熱圧縮ボンディング法で固着し、この弓形
リボン１１にフック１２を引かけて垂重力を作用させて
、次の各条件の下に薄膜３の付着力を測定して、第５図
の成績が得られた。
０人） −Ｔｉ （１０００人） −Ｃｕ （５０００
人） Ｃｒ （５００人の成層膜構成とした薄膜３を
０．１１幅にて１．５１の長さにわたらせ、これに重ね
て０．１０ｍｍ幅、０．０３ｍｍ厚みで弓形をなす肋リ
ボン１１を加熱圧縮ボンディング法で固着し、この弓形
リボン１１にフック１２を引かけて垂重力を作用させて
、次の各条件の下に薄膜３の付着力を測定して、第５図
の成績が得られた。
繰返し加熱冷却
一６５°Ｃで２０分→室温で５分→＋１５０°Ｃで２０
分→室温で５分→−６５°Ｃで２０分の昇、降温サイク
ル数２２回 熱衝撃 一６５°Ｃで５分→＋１５０°Ｃで５分でそれぞれ保持
し、１０秒未満にて急熱、急冷サイクル数１０回と１０
０回 加圧加湿 ２．５気圧下に、１２５℃にて、湿度１００χにて７２
時間及び２００時間保持 第５図から何れの場合も付着力の試験前後にわたる低下
は微小であり、強い密着で確保されることが明らかであ
る。
分→室温で５分→−６５°Ｃで２０分の昇、降温サイク
ル数２２回 熱衝撃 一６５°Ｃで５分→＋１５０°Ｃで５分でそれぞれ保持
し、１０秒未満にて急熱、急冷サイクル数１０回と１０
０回 加圧加湿 ２．５気圧下に、１２５℃にて、湿度１００χにて７２
時間及び２００時間保持 第５図から何れの場合も付着力の試験前後にわたる低下
は微小であり、強い密着で確保されることが明らかであ
る。
（発明の効果）
パターンめっきによる薄膜配線基板の配線パターンの形
成に必要なエツチングは、薄いスパッタ膜についてのみ
施せば足りるため、サイドエツチング（オーバーエツチ
ング）は少なく、また配線精度はフォトレジストのパタ
ーン精度で決定されるので、非常に高精度な配線が可能
である上、とくにポリイミドと強固に密着した配線が得
られるため、多層配線化した場合も高い信鎖性が期待で
きる。
成に必要なエツチングは、薄いスパッタ膜についてのみ
施せば足りるため、サイドエツチング（オーバーエツチ
ング）は少なく、また配線精度はフォトレジストのパタ
ーン精度で決定されるので、非常に高精度な配線が可能
である上、とくにポリイミドと強固に密着した配線が得
られるため、多層配線化した場合も高い信鎖性が期待で
きる。
第１図はこの発明に従う薄膜成形要領を示す断面図、
第２図は、導体配線パターンの形成工程図、第３図は多
層薄膜配線基板の造成要領説明図であり、 第４図は付着力試験要領の説明図、 第５図は付着力試験成績グラフである。 ■・・・絶縁基板 ２・・・ポリイミド層３・
・・薄膜 第２図 （ａ） 第３図 第４図 υ、１伊惰
層薄膜配線基板の造成要領説明図であり、 第４図は付着力試験要領の説明図、 第５図は付着力試験成績グラフである。 ■・・・絶縁基板 ２・・・ポリイミド層３・
・・薄膜 第２図 （ａ） 第３図 第４図 υ、１伊惰
Claims (1)
- １．薄膜多層配線基板の層間絶縁を司るポリイミド層又
は、セラミック、ガラスなどの絶縁基板上に、蒸着ない
しはスパッタにより薄膜を被成し、この薄膜上に、フオ
トリソグラフィによるパターンめっきを施して導体配線
を得る、薄膜配線基板の製造方法において、 上記薄膜を、Ｃｒ−Ｔｉ−Ｃｕ−Ｃｒ又は、Ｃｒ−Ｔｉ
−Ａｕ−Ｃｒの成層膜構成になるものとすること、を特
徴とする高強度薄膜配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27583687A JPH01120094A (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | 高強度薄膜配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27583687A JPH01120094A (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | 高強度薄膜配線基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01120094A true JPH01120094A (ja) | 1989-05-12 |
Family
ID=17561108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27583687A Withdrawn JPH01120094A (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | 高強度薄膜配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01120094A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03108798A (ja) * | 1989-09-22 | 1991-05-08 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 多層配線基板およびその製造方法 |
| JPH03108797A (ja) * | 1989-09-22 | 1991-05-08 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 多層配線基板およびその製造方法 |
| JP2013038415A (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-21 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 薄膜電極セラミック基板及びその製造方法 |
-
1987
- 1987-11-02 JP JP27583687A patent/JPH01120094A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03108798A (ja) * | 1989-09-22 | 1991-05-08 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 多層配線基板およびその製造方法 |
| JPH03108797A (ja) * | 1989-09-22 | 1991-05-08 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 多層配線基板およびその製造方法 |
| JP2013038415A (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-21 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 薄膜電極セラミック基板及びその製造方法 |
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