JPH05325136A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH05325136A JPH05325136A JP13128992A JP13128992A JPH05325136A JP H05325136 A JPH05325136 A JP H05325136A JP 13128992 A JP13128992 A JP 13128992A JP 13128992 A JP13128992 A JP 13128992A JP H05325136 A JPH05325136 A JP H05325136A
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- magnetic head
- film magnetic
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 コイル導体層、磁気ギャップ深さを高精度に
形成することができ、設備投資・生産性の面から安価に
製造することができる薄膜磁気ヘッドの製造方法を得
る。 【構成】 非磁性基板１上に、下部磁性層２、ギャップ
層３、層間絶縁層４ｃ，４ｂ、コイル導体層５、上部磁
性層６および保護層７を順次積層して形成する薄膜磁気
ヘッドの製造方法において、Ｃｕコイル導体層５のメッ
キ下地層５ｃをイオン吸着型触媒付与による無電解メッ
キ法によって形成する。 【効果】 Ｃｕメッキ下地層５ｃを無電解メッキ法によ
って形成するため、スパッタリングにる層間絶縁層４ｃ
への熱ダメージを防止し、コイル導体層５を精度良く形
成できる。
形成することができ、設備投資・生産性の面から安価に
製造することができる薄膜磁気ヘッドの製造方法を得
る。 【構成】 非磁性基板１上に、下部磁性層２、ギャップ
層３、層間絶縁層４ｃ，４ｂ、コイル導体層５、上部磁
性層６および保護層７を順次積層して形成する薄膜磁気
ヘッドの製造方法において、Ｃｕコイル導体層５のメッ
キ下地層５ｃをイオン吸着型触媒付与による無電解メッ
キ法によって形成する。 【効果】 Ｃｕメッキ下地層５ｃを無電解メッキ法によ
って形成するため、スパッタリングにる層間絶縁層４ｃ
への熱ダメージを防止し、コイル導体層５を精度良く形
成できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜加工技術によって
作られる微細コイルを含む薄膜磁気ヘッドの製造方法に
関し、より詳しくは、コイル導体層を高精度に、かつ低
コストで形成することができ、磁気ギャップ深さを高精
度に形成することができる薄膜磁気ヘッドの製造方法に
関する。
作られる微細コイルを含む薄膜磁気ヘッドの製造方法に
関し、より詳しくは、コイル導体層を高精度に、かつ低
コストで形成することができ、磁気ギャップ深さを高精
度に形成することができる薄膜磁気ヘッドの製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の薄膜磁気ヘッドの断面図、
図４の（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ従来の薄膜磁気ヘッド
のコイルの形成方法を行程順に示す断面図である。
図４の（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ従来の薄膜磁気ヘッド
のコイルの形成方法を行程順に示す断面図である。
【０００３】図３に示すように、薄膜磁気ヘッドは非磁
性基板１と下部磁性層２とギャップ絶縁層３と層間絶縁
層４ａ，４ｂとコイル導体層５と上部磁性層６と保護層
７とが設けられて構成されている。なお、図４におい
て、５ａはメッキ下地層、５ｂはＣｕコイル導電層、８
はレジストである。
性基板１と下部磁性層２とギャップ絶縁層３と層間絶縁
層４ａ，４ｂとコイル導体層５と上部磁性層６と保護層
７とが設けられて構成されている。なお、図４におい
て、５ａはメッキ下地層、５ｂはＣｕコイル導電層、８
はレジストである。
【０００４】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を図３お
よび図４の（ａ）〜（ｆ）に基づいて説明する。表面に
Ａｌ2 Ｏ3 などの絶縁膜が付与された非磁性基板１上
に、パーマロイをスパッタリングやメッキによって２〜
３μｍの厚さで成膜後、レジストをマスクとして化学エ
ッチングやイオントリミングを行って下部磁性層２を形
成する。次に、ギャップ絶縁層３としてＡｌ2 Ｏ3 をス
パッタリングによって０．５〜０．８μｍの厚さで形成
し、上部磁性層６との接続部をエッチングする。
よび図４の（ａ）〜（ｆ）に基づいて説明する。表面に
Ａｌ2 Ｏ3 などの絶縁膜が付与された非磁性基板１上
に、パーマロイをスパッタリングやメッキによって２〜
３μｍの厚さで成膜後、レジストをマスクとして化学エ
ッチングやイオントリミングを行って下部磁性層２を形
成する。次に、ギャップ絶縁層３としてＡｌ2 Ｏ3 をス
パッタリングによって０．５〜０．８μｍの厚さで形成
し、上部磁性層６との接続部をエッチングする。
【０００５】その後、レジスト８をパターニング後に硬
化させて下部磁性層２上に層間絶縁層４ａを２μｍの厚
さで形成する（図４の（ａ）参照）。この層間絶縁層４
ａ上にＣｕなどのメッキ下地層５ａをスパッタリングや
蒸着などによって０．１〜０．２μｍの厚さで形成（図
４（ｂ）の参照）した後、レジスト８を塗布・パターニ
ングし（図４の（ｃ）参照）、電気メッキによってＣｕ
コイル導電層５ｂを３〜４μｍの厚さで形成する（図４
の（ｄ）参照）。
化させて下部磁性層２上に層間絶縁層４ａを２μｍの厚
さで形成する（図４の（ａ）参照）。この層間絶縁層４
ａ上にＣｕなどのメッキ下地層５ａをスパッタリングや
蒸着などによって０．１〜０．２μｍの厚さで形成（図
４（ｂ）の参照）した後、レジスト８を塗布・パターニ
ングし（図４の（ｃ）参照）、電気メッキによってＣｕ
コイル導電層５ｂを３〜４μｍの厚さで形成する（図４
の（ｄ）参照）。
【０００６】その後、レジスト８を溶剤により除去し
（図４の（ｅ）参照）、Ｃｕコイル導電層５ｂ以外のメ
ッキ下地層５ａをイオンミリングやスパッタリングによ
り除去してコイル導体層５を形成する（図４の（ｆ）参
照）。コイル導体層５を形成した後、層間絶縁層４ｂと
上部磁性層６とを前記と同じ方法にて形成し、最後に耐
侯性、耐機械加工性のために、Ａｌ2 Ｏ3 の保護層７を
スパッタリングにより３０〜４０μｍの厚さで形成す
る。
（図４の（ｅ）参照）、Ｃｕコイル導電層５ｂ以外のメ
ッキ下地層５ａをイオンミリングやスパッタリングによ
り除去してコイル導体層５を形成する（図４の（ｆ）参
照）。コイル導体層５を形成した後、層間絶縁層４ｂと
上部磁性層６とを前記と同じ方法にて形成し、最後に耐
侯性、耐機械加工性のために、Ａｌ2 Ｏ3 の保護層７を
スパッタリングにより３０〜４０μｍの厚さで形成す
る。
【０００７】従来の薄膜磁気ヘッドのコイル形成工程に
おいては、メッキ下地層５ａの形成は上述のようにスパ
ッタリングや蒸着などの真空装置で行われている。
おいては、メッキ下地層５ａの形成は上述のようにスパ
ッタリングや蒸着などの真空装置で行われている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、真空装置によるメ
ッキ下地層５ａを形成する際に、層間絶縁層４ａに熱ダ
メージがかかってこの層間絶縁層４ａが変形し、コイル
導体層５が精度良く形成できないという問題があった。
また、スパッタリング初期での基板クリーニングのため
の逆スパッタリングにより、ギャップ絶縁層３が削られ
るので、ギャップ深さをばらつかせる原因となってい
る。さらに、真空装置は、設備が非常に高価な上に、膜
付け前後の所用時間を含めて膜付けに長時間を要するた
め、設備投資・生産性の点でコストにマイナスの影響を
与える。
来の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、真空装置によるメ
ッキ下地層５ａを形成する際に、層間絶縁層４ａに熱ダ
メージがかかってこの層間絶縁層４ａが変形し、コイル
導体層５が精度良く形成できないという問題があった。
また、スパッタリング初期での基板クリーニングのため
の逆スパッタリングにより、ギャップ絶縁層３が削られ
るので、ギャップ深さをばらつかせる原因となってい
る。さらに、真空装置は、設備が非常に高価な上に、膜
付け前後の所用時間を含めて膜付けに長時間を要するた
め、設備投資・生産性の点でコストにマイナスの影響を
与える。
【０００９】また、従来の無電解メッキにおいて用いら
れるコロイド型触媒では、エッチング剤によって表面を
荒してその凹凸に触媒を埋め込むが、エッチングされる
層間絶縁膜４ａが２μｍ程度と非常に薄いため、強いエ
ッチング処理を行うと層間絶縁膜４ａと非磁性基板１と
の密着性が低下し、弱いエッチング処理だと表面の凹凸
が不十分で触媒がうまく埋め込まれないという問題があ
った。
れるコロイド型触媒では、エッチング剤によって表面を
荒してその凹凸に触媒を埋め込むが、エッチングされる
層間絶縁膜４ａが２μｍ程度と非常に薄いため、強いエ
ッチング処理を行うと層間絶縁膜４ａと非磁性基板１と
の密着性が低下し、弱いエッチング処理だと表面の凹凸
が不十分で触媒がうまく埋め込まれないという問題があ
った。
【００１０】本発明は上記問題を解決するので、コイル
導体層および磁気ギャツプ深さを高精度に形成すること
ができ、設備投資・生産性の面から安価に製造すること
ができる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供するものであ
る。
導体層および磁気ギャツプ深さを高精度に形成すること
ができ、設備投資・生産性の面から安価に製造すること
ができる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供するものであ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
に本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法としての第１の手
段は、Ｃｕコイル（コイル導体層）のメッキ下地層を湿
式メッキ法によって形成するものである。
に本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法としての第１の手
段は、Ｃｕコイル（コイル導体層）のメッキ下地層を湿
式メッキ法によって形成するものである。
【００１２】また、本発明の第２の手段は、Ｃｕコイル
のメッキ下地層をイオン吸着型触媒付与による湿式メッ
キ法によって形成するものである。
のメッキ下地層をイオン吸着型触媒付与による湿式メッ
キ法によって形成するものである。
【００１３】
【作用】上記第１の手段により、Ｃｕコイルのメッキ下
地層を湿式メッキ法によって形成するため、スパッタリ
ングによる層間絶縁層への熱ダメージを防止でき、コイ
ル導体層を精度良く形成できる。また、基板クリーニン
グ逆スパッタリングによるギャップ絶縁層の削れが皆無
となって磁気ギャツプ深さを高精度に形成することがで
きる。さらに、設備投資・生産性の面から安価な薄膜磁
気ヘッドを得ることができる。
地層を湿式メッキ法によって形成するため、スパッタリ
ングによる層間絶縁層への熱ダメージを防止でき、コイ
ル導体層を精度良く形成できる。また、基板クリーニン
グ逆スパッタリングによるギャップ絶縁層の削れが皆無
となって磁気ギャツプ深さを高精度に形成することがで
きる。さらに、設備投資・生産性の面から安価な薄膜磁
気ヘッドを得ることができる。
【００１４】また、上記第２の手段により、上記作用に
加えて、イオン吸着型触媒は物理的に層間絶縁層をエッ
チングせずにイオン反応によって触媒を層間絶縁層上に
担持させるので、２μｍと非常に薄い層間絶縁層上に良
好に触媒層を形成することができる。
加えて、イオン吸着型触媒は物理的に層間絶縁層をエッ
チングせずにイオン反応によって触媒を層間絶縁層上に
担持させるので、２μｍと非常に薄い層間絶縁層上に良
好に触媒層を形成することができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づき説明す
る。なお、従来のものと同機能のものには同符号を付し
てその説明は省略する。
る。なお、従来のものと同機能のものには同符号を付し
てその説明は省略する。
【００１６】図１の（ａ）〜（ｇ）はそれぞれ本発明の
一実施例の薄膜磁気ヘッドの製造方法におけるコイル形
成方法を工程順に示す断面図、図２は同薄膜磁気ヘッド
の製造方法により製造される薄膜磁気ヘッドの断面図で
ある。図１および図２において、４ｃは層間絶縁層、５
ｅは無電解メッキを開始するための触媒層、５ｃは無電
解メッキによって形成されたＣｕメッキ下地層、５ｄは
電気メッキによって形成されたＣｕコイル導電層であ
る。
一実施例の薄膜磁気ヘッドの製造方法におけるコイル形
成方法を工程順に示す断面図、図２は同薄膜磁気ヘッド
の製造方法により製造される薄膜磁気ヘッドの断面図で
ある。図１および図２において、４ｃは層間絶縁層、５
ｅは無電解メッキを開始するための触媒層、５ｃは無電
解メッキによって形成されたＣｕメッキ下地層、５ｄは
電気メッキによって形成されたＣｕコイル導電層であ
る。
【００１７】この薄膜磁気ヘッドの製造方法において
は、まず従来と同様な技術によって、非磁性基板１上に
下部磁性層２およびギャップ絶縁層３をスパッタリング
により形成した後、レジスト８をパターニング後硬化さ
せ、下部磁性層２，ギャップ絶縁層３上に層間絶縁層４
ｃを２μｍの厚さで形成する（図２および図１の（ａ）
参照）。
は、まず従来と同様な技術によって、非磁性基板１上に
下部磁性層２およびギャップ絶縁層３をスパッタリング
により形成した後、レジスト８をパターニング後硬化さ
せ、下部磁性層２，ギャップ絶縁層３上に層間絶縁層４
ｃを２μｍの厚さで形成する（図２および図１の（ａ）
参照）。
【００１８】続いて、無電解Ｃｕメッキを開始するため
の触媒層５ｅを塩化パラジウムキャタリスト（奥野製薬
工業（株）、キャタリストＣ）を浸漬塗布により形成す
る（図１の（ｂ）参照）。この触媒層５ｅ上にＣｕのメ
ッキ下地層５ｃを無電解Ｃｕメッキ（奥野製薬工業
（株）、カッパーＬＰ）によって０．１〜０．２μｍの
厚さで形成した（図１の（ｃ）参照）後、レジスト８を
塗布・パターニングし（図１の（ｄ）参照）、電気メッ
キ（奥野製薬工業（株）、トップルチナ ８１−ＳＷ）
によってＣｕコイル導電層５ｄを４μｍの厚さで形成す
る（図１の（ｅ）参照）。
の触媒層５ｅを塩化パラジウムキャタリスト（奥野製薬
工業（株）、キャタリストＣ）を浸漬塗布により形成す
る（図１の（ｂ）参照）。この触媒層５ｅ上にＣｕのメ
ッキ下地層５ｃを無電解Ｃｕメッキ（奥野製薬工業
（株）、カッパーＬＰ）によって０．１〜０．２μｍの
厚さで形成した（図１の（ｃ）参照）後、レジスト８を
塗布・パターニングし（図１の（ｄ）参照）、電気メッ
キ（奥野製薬工業（株）、トップルチナ ８１−ＳＷ）
によってＣｕコイル導電層５ｄを４μｍの厚さで形成す
る（図１の（ｅ）参照）。
【００１９】その後、レジスト８を溶剤により除去し
（図１の（ｆ）参照）、Ｃｕコイル導電層５ｄ以外のメ
ッキ下地層５ｃを過硫酸アンモニウムにより除去してコ
イル導体層５（メッキ下地層５ｃおよびＣｕコイル導電
層５ｄ）を形成する（図１の（ｇ）参照）。次に、コイ
ル導電層５を形成した後、従来と同じ方法にて層間絶縁
層４ｂと上部磁性層６とを形成し（図２参照）、最後に
耐候性、耐機械加工性のために厚さ３０μｍのＡｌ2 Ｏ
3 保護層７をスパッタリングにより形成して、図２の薄
膜磁気ヘッドの断面図と同様な薄膜磁気ヘッドを得る。
（図１の（ｆ）参照）、Ｃｕコイル導電層５ｄ以外のメ
ッキ下地層５ｃを過硫酸アンモニウムにより除去してコ
イル導体層５（メッキ下地層５ｃおよびＣｕコイル導電
層５ｄ）を形成する（図１の（ｇ）参照）。次に、コイ
ル導電層５を形成した後、従来と同じ方法にて層間絶縁
層４ｂと上部磁性層６とを形成し（図２参照）、最後に
耐候性、耐機械加工性のために厚さ３０μｍのＡｌ2 Ｏ
3 保護層７をスパッタリングにより形成して、図２の薄
膜磁気ヘッドの断面図と同様な薄膜磁気ヘッドを得る。
【００２０】上記構成により、Ｃｕコイルのメッキ下地
層５ｃを湿式メッキ法によって形成するため、スパッタ
リングによる層間絶縁層４ｃへの熱ダメージを防止で
き、コイル導体層５を精度良く形成できる。また、従来
のような基板クリーニング逆スパッタリングによるギャ
ップ絶縁層３の削れが皆無となって磁気ギャツプ深さを
高精度に形成することができる。さらに、設備投資・生
産性の面から安価な薄膜磁気ヘッドを得ることができ
る。
層５ｃを湿式メッキ法によって形成するため、スパッタ
リングによる層間絶縁層４ｃへの熱ダメージを防止で
き、コイル導体層５を精度良く形成できる。また、従来
のような基板クリーニング逆スパッタリングによるギャ
ップ絶縁層３の削れが皆無となって磁気ギャツプ深さを
高精度に形成することができる。さらに、設備投資・生
産性の面から安価な薄膜磁気ヘッドを得ることができ
る。
【００２１】なお、上記実施例においては無電解Ｃｕメ
ッキを開始するための触媒層５ｅとして塩化パラジウム
キャタリストを用いたが、この代わりに、塩化パラジウ
ム系アルカリイオンキャタリスト（奥野製薬工業
（株）、ＯＰＣ−５０）を用いてもよく、この場合には
上記作用効果に加えて、この塩化パラジウム系アルカリ
イオンキャタリストなどのイオン吸着型触媒は物理的に
層間絶縁層４ｃをエッチングせずにイオン反応によって
触媒を層間絶縁層４ｃ上に担持させるので、２μｍと非
常に薄い層間絶縁層４ｃ上に良好に触媒層を形成するこ
とができる。
ッキを開始するための触媒層５ｅとして塩化パラジウム
キャタリストを用いたが、この代わりに、塩化パラジウ
ム系アルカリイオンキャタリスト（奥野製薬工業
（株）、ＯＰＣ−５０）を用いてもよく、この場合には
上記作用効果に加えて、この塩化パラジウム系アルカリ
イオンキャタリストなどのイオン吸着型触媒は物理的に
層間絶縁層４ｃをエッチングせずにイオン反応によって
触媒を層間絶縁層４ｃ上に担持させるので、２μｍと非
常に薄い層間絶縁層４ｃ上に良好に触媒層を形成するこ
とができる。
【００２２】また、上記実施例では無電解Ｃｕメッキを
開始するための触媒を塩化パラジウムや塩化パラジウム
系イオン吸着型触媒を用いたが、この他に無電解メッキ
で触媒、あるいは活性化作用を示す金属を用いれば良
く、塩化パラジウムに限定されるものではない。また、
コイル導電層５以外のメッキ下地層５ｃの除去に過硫酸
アンモニウムを用いたが、メッキ下地金属を溶解する薬
品であれば良く、過硫酸アンモニウムに限定されるもの
ではない。さらに、上記実施例では無電解メッキの場合
についてのみ述べたが、湿式メッキ法における電解メッ
キなどを採用してもよい。
開始するための触媒を塩化パラジウムや塩化パラジウム
系イオン吸着型触媒を用いたが、この他に無電解メッキ
で触媒、あるいは活性化作用を示す金属を用いれば良
く、塩化パラジウムに限定されるものではない。また、
コイル導電層５以外のメッキ下地層５ｃの除去に過硫酸
アンモニウムを用いたが、メッキ下地金属を溶解する薬
品であれば良く、過硫酸アンモニウムに限定されるもの
ではない。さらに、上記実施例では無電解メッキの場合
についてのみ述べたが、湿式メッキ法における電解メッ
キなどを採用してもよい。
【００２３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、薄膜磁気
ヘッドの製造方法において、Ｃｕコイルのメッキ下地層
を湿式メッキ法によって形成することにより、コイル導
体層、磁気ギャツプ深さを高精度に形成することがで
き、設備投資・生産性の面から安価な薄膜磁気ヘッドを
得ることができる。
ヘッドの製造方法において、Ｃｕコイルのメッキ下地層
を湿式メッキ法によって形成することにより、コイル導
体層、磁気ギャツプ深さを高精度に形成することがで
き、設備投資・生産性の面から安価な薄膜磁気ヘッドを
得ることができる。
【００２４】また、Ｃｕコイルのメッキ下地層をイオン
吸着型触媒付与による無電解メッキ法によって形成する
ことにより、非常に薄い層間絶縁層上に良好に触媒層を
形成することができる。
吸着型触媒付与による無電解メッキ法によって形成する
ことにより、非常に薄い層間絶縁層上に良好に触媒層を
形成することができる。
【図１】（ａ）〜（ｇ）はそれぞれ本発明の一実施例に
かかる薄膜磁気ヘッドの製造方法におけるコイル形成方
法を工程順に示す断面図である。
かかる薄膜磁気ヘッドの製造方法におけるコイル形成方
法を工程順に示す断面図である。
【図２】同薄膜磁気ヘッドの製造方法により製造した薄
膜磁気ヘッドの概略断面図である。
膜磁気ヘッドの概略断面図である。
【図３】従来の薄膜磁気ヘッドの概略断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ従来の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法におけるコイル形成方法を工程順に示す断
面図である。
ドの製造方法におけるコイル形成方法を工程順に示す断
面図である。
１ 磁性基板 ２ 下部磁性層 ３ ギャップ絶縁層 ４ｃ 層間絶縁層 ５ コイル導体層 ５ｃ Ｃｕメッキ下地層 ５ｄ Ｃｕコイル導電層 ５ｅ 触媒層 ６ 上部磁性層 ７ 保護層 ８ レジスト
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に、下部磁性層と、ギャップ層
と、層間絶縁層と、メッキ下地層およびコイル導電層か
らなるコイル導体層と、上部磁性層と、保護層とを順次
積層して薄膜磁気ヘッドを形成する薄膜磁気ヘッドの製
造方法において、前記コイル導体層のメッキ下地層の形
成を、湿式メッキ法で形成してなる薄膜磁気ヘッドの製
造方法。 - 【請求項２】 コイル導体層のメッキ下地層の形成に際
して、イオン吸着型触媒付与方法によって触媒層を形成
してなる請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13128992A JPH05325136A (ja) | 1992-05-25 | 1992-05-25 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13128992A JPH05325136A (ja) | 1992-05-25 | 1992-05-25 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05325136A true JPH05325136A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=15054482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13128992A Pending JPH05325136A (ja) | 1992-05-25 | 1992-05-25 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05325136A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6246541B1 (en) | 1998-05-29 | 2001-06-12 | Hitachi Metals, Ltd. | Thin film magnetic head with reduced magnetic gap by incorporating coil conductors with convex surfaces |
-
1992
- 1992-05-25 JP JP13128992A patent/JPH05325136A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6246541B1 (en) | 1998-05-29 | 2001-06-12 | Hitachi Metals, Ltd. | Thin film magnetic head with reduced magnetic gap by incorporating coil conductors with convex surfaces |
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