JPS60140514A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS60140514A JPS60140514A JP25037283A JP25037283A JPS60140514A JP S60140514 A JPS60140514 A JP S60140514A JP 25037283 A JP25037283 A JP 25037283A JP 25037283 A JP25037283 A JP 25037283A JP S60140514 A JPS60140514 A JP S60140514A
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- Japan
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- film
- etching
- insulating film
- organic resin
- resin insulating
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕゛
本発明は薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、特に高精度
のギャップデプスを形成するに有効な薄膜磁気ヘッドの
製造方法に関するものである。
のギャップデプスを形成するに有効な薄膜磁気ヘッドの
製造方法に関するものである。
第１図は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における、層
間絶縁膜のエツチング方法を説明するための断面図であ
る。図において、１は基板、２は下地膜、３は下部磁性
体、４はギャップ材、５は下層有機樹脂膜、６は導体コ
イル、７は上層有機樹脂膜、また８は該下層有機樹脂膜
７を所定の形状に形成するためのマスクを示している。
間絶縁膜のエツチング方法を説明するための断面図であ
る。図において、１は基板、２は下地膜、３は下部磁性
体、４はギャップ材、５は下層有機樹脂膜、６は導体コ
イル、７は上層有機樹脂膜、また８は該下層有機樹脂膜
７を所定の形状に形成するためのマスクを示している。
上記構成を有する薄膜磁気ヘッドの製造は、まず、下地
膜２を有する基板ｌの上面に、下部磁性体３をスパッタ
リング法または蒸着法等によって堆積し、次に、ギャッ
プ長を規定するギャップ材４を同じくスパッタリング法
等により堆積し、上部磁性体のコンタクトスルホール（
１０）をトライあるいはウェットエツチングによりパタ
ーンニングする。
膜２を有する基板ｌの上面に、下部磁性体３をスパッタ
リング法または蒸着法等によって堆積し、次に、ギャッ
プ長を規定するギャップ材４を同じくスパッタリング法
等により堆積し、上部磁性体のコンタクトスルホール（
１０）をトライあるいはウェットエツチングによりパタ
ーンニングする。
次に、上記下部磁性体３に起因する導体コイル６の段切
れを防止するために、下層有機樹脂膜５を塗布し段差部
を平坦化する。この上にイオンミリングあるいは化学め
っき等の手法を用いて導体コイル６を形成する。更に、
該導体コイル６に起因する段差を平坦化して上部磁性体
の磁気特性の劣化を防止するため、上層有機樹脂膜７を
塗布し平坦化を行う。
れを防止するために、下層有機樹脂膜５を塗布し段差部
を平坦化する。この上にイオンミリングあるいは化学め
っき等の手法を用いて導体コイル６を形成する。更に、
該導体コイル６に起因する段差を平坦化して上部磁性体
の磁気特性の劣化を防止するため、上層有機樹脂膜７を
塗布し平坦化を行う。
次に、上記２層の有機樹脂膜５，７を所定の形状に加工
するために、ホトレジストを塗布、＊光。
するために、ホトレジストを塗布、＊光。
現像して前記マスク８を形成し、この後、上記有機樹脂
膜５，７をウェットエツチングする。
膜５，７をウェットエツチングする。
上記ウェットエツチング工程において重要なことは、１
つの基板上に形成される多数の薄膜磁気ヘッドのギャッ
プデプス精度を決定する、ギャップデプス位置がゼロの
点Ａの位置精度を出すことである。この精度は、上記ホ
トマスク８の精度およびレジスト精度に大きく影響され
、特に後者が問題となる。以下これについて図面を用い
て説明する。
つの基板上に形成される多数の薄膜磁気ヘッドのギャッ
プデプス精度を決定する、ギャップデプス位置がゼロの
点Ａの位置精度を出すことである。この精度は、上記ホ
トマスク８の精度およびレジスト精度に大きく影響され
、特に後者が問題となる。以下これについて図面を用い
て説明する。
第２図（Ａ）はレジストパターン精度の定義を示す図、
同（Ｂ）はレジスト膜厚と上記レジストパターン精度と
の間の相関関係を示す図である。第２図（Ａ）において
、Ｒは基板上に複数個形成されているレジストパターン
を示しており、ｄは該レジストパターンの間の位置ずれ
量を示しており、本発明においては上記位置ずれ量−ｐ
平均値（±σ）をレジストパターン精度と呼んでいる。
同（Ｂ）はレジスト膜厚と上記レジストパターン精度と
の間の相関関係を示す図である。第２図（Ａ）において
、Ｒは基板上に複数個形成されているレジストパターン
を示しており、ｄは該レジストパターンの間の位置ずれ
量を示しており、本発明においては上記位置ずれ量−ｐ
平均値（±σ）をレジストパターン精度と呼んでいる。
上記レジストパターン精度は、第２図（Ｂ）に示されて
いる如く、レジスト膜厚が厚くなると悪化する。
いる如く、レジスト膜厚が厚くなると悪化する。
従来の薄膜ヘッドの製造方法においては、上記２層の有
機樹脂膜５，７を同時にエツチングしていたため、エツ
チングされる有機樹脂膜厚は４μｍ程度ある。通常、こ
れをエツチングするためにはレジスト膜厚が２．５μｍ
程度必要であり、この場合におけるレジストパターン精
度は第２図（Ｂ）より約１．５μｍとなり、かなり低下
して上記点Ａの位置精度を悪化させる原因となる。
機樹脂膜５，７を同時にエツチングしていたため、エツ
チングされる有機樹脂膜厚は４μｍ程度ある。通常、こ
れをエツチングするためにはレジスト膜厚が２．５μｍ
程度必要であり、この場合におけるレジストパターン精
度は第２図（Ｂ）より約１．５μｍとなり、かなり低下
して上記点Ａの位置精度を悪化させる原因となる。
なお、前記有機樹脂膜５，７の膜厚を薄くすることは、
絶縁性の低下、下部磁性体３周辺における段差の拡大に
起因する導体コイルの段切れの発生等の別の問題の原因
となるため困難である。
絶縁性の低下、下部磁性体３周辺における段差の拡大に
起因する導体コイルの段切れの発生等の別の問題の原因
となるため困難である。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的と
するところは、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法におけ
る上述の如き問題を解消し、有機樹脂絶縁膜のギヤツブ
デプス位！ゼロの点を高精度にウェットエツチングする
ことを可能とする薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する
ことにある。
するところは、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法におけ
る上述の如き問題を解消し、有機樹脂絶縁膜のギヤツブ
デプス位！ゼロの点を高精度にウェットエツチングする
ことを可能とする薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する
ことにある。
本発明の上記目的は、基板上に下部磁性体、ギャップ材
、下層有機樹脂絶縁膜、導体コイル、上層有機樹脂絶縁
膜および上部磁性体を順次形成する薄膜磁気ヘッドの製
造方法において、前記下層有機樹脂絶縁膜をエツチング
した後、該下層有機樹脂絶縁膜表面に、前記上層有機樹
脂絶縁膜エツチング時にエツチング選択性を有せしめる
変質層を形成する工程を含むことを特徴とする薄膜磁気
ヘッドの製造方法によって達成される。
、下層有機樹脂絶縁膜、導体コイル、上層有機樹脂絶縁
膜および上部磁性体を順次形成する薄膜磁気ヘッドの製
造方法において、前記下層有機樹脂絶縁膜をエツチング
した後、該下層有機樹脂絶縁膜表面に、前記上層有機樹
脂絶縁膜エツチング時にエツチング選択性を有せしめる
変質層を形成する工程を含むことを特徴とする薄膜磁気
ヘッドの製造方法によって達成される。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。
。
第３図は本発明の一実施例である薄膜磁気ヘッドの製造
方法の要部を示す断面図である。図において、記号１〜
７および１０は先に第１図に示したと同じ楕成要素を示
しており、９は上部磁性体を示している。
方法の要部を示す断面図である。図において、記号１〜
７および１０は先に第１図に示したと同じ楕成要素を示
しており、９は上部磁性体を示している。
本実施例の製造方法においては、基板１上に下地膜２を
スパッタリング法等で形成し、平滑に仕上げた上に、下
部磁性体３をスパッタリング法あるいは蒸着法等により
堆積し、ドライあるいはウェットエツチングにより所定
の形状を得ている。
スパッタリング法等で形成し、平滑に仕上げた上に、下
部磁性体３をスパッタリング法あるいは蒸着法等により
堆積し、ドライあるいはウェットエツチングにより所定
の形状を得ている。
次に、薄膜磁気ヘッドのギャップ長を規定するギャップ
材４をスパッタリング法等により堆積し、上部磁性体の
コンタクトホール１０をドライまたはウェットエツチン
グによりパターンニングする。
材４をスパッタリング法等により堆積し、上部磁性体の
コンタクトホール１０をドライまたはウェットエツチン
グによりパターンニングする。
次に、下層有機樹脂膜５としてのポリイミド樹脂を塗布
、硬化した後、レジストをマスクとしてウェットエツチ
ングし所定の形状を得る。次に、導体膜をスパッタリン
グ法、蒸着法等により堆積した後、ホトレジストをマス
クとしてアルゴンイオンミリング法によりエツチングし
て導体コイル６を得る。この際、下層ポリイミド樹脂膜
５表面にアルゴンイオンミリングによる変質層が形成さ
れる。
、硬化した後、レジストをマスクとしてウェットエツチ
ングし所定の形状を得る。次に、導体膜をスパッタリン
グ法、蒸着法等により堆積した後、ホトレジストをマス
クとしてアルゴンイオンミリング法によりエツチングし
て導体コイル６を得る。この際、下層ポリイミド樹脂膜
５表面にアルゴンイオンミリングによる変質層が形成さ
れる。
上記変質層はホトレジスト表面にも形成されるため、ホ
トレジストが除去できなくなる。そこで一度酸素プラズ
マアツシャー処理によりホトレジストとポリイミド樹脂
膜表面の変質層を除去した後、上記ホトレジストを除去
する。次に、下層ポリイミド樹脂膜５にエツチング選択
性を持たせるために、再度、アルゴンイオンミリング法
あるいはスパッタエツチング法により表面に変質層を形
成させる。これには数分間の処理が必要である。
トレジストが除去できなくなる。そこで一度酸素プラズ
マアツシャー処理によりホトレジストとポリイミド樹脂
膜表面の変質層を除去した後、上記ホトレジストを除去
する。次に、下層ポリイミド樹脂膜５にエツチング選択
性を持たせるために、再度、アルゴンイオンミリング法
あるいはスパッタエツチング法により表面に変質層を形
成させる。これには数分間の処理が必要である。
次に、上層有機樹脂膜７としてのポリイミド樹脂を塗布
、硬化した後、レジストをマスクによりウェットエツチ
ングして所定の形状を得る。この場合、下層ポリイミド
樹脂膜５はその表面が変質層により保護されているため
、エツチングされることはなく、エツチングは上層ポリ
イミド樹脂膜７だけを考慮して行えば良い。このため、
これに必要なレジストは膜厚が薄くて済み、この結果、
先に第２図（Ｂ）に示した如く、レジストパターン精度
が向上する。
、硬化した後、レジストをマスクによりウェットエツチ
ングして所定の形状を得る。この場合、下層ポリイミド
樹脂膜５はその表面が変質層により保護されているため
、エツチングされることはなく、エツチングは上層ポリ
イミド樹脂膜７だけを考慮して行えば良い。このため、
これに必要なレジストは膜厚が薄くて済み、この結果、
先に第２図（Ｂ）に示した如く、レジストパターン精度
が向上する。
なお、上層ポリイミド樹脂膜７のエツチング終点は、該
上層ポリイミド樹脂膜７のエツチング面下端点Ｂが下層
ポリイミド樹脂゛膜５のテーパ部上にあり、更に、上下
部磁性体３，９のコンタクトスルホール１０が抜けた時
点である。
上層ポリイミド樹脂膜７のエツチング面下端点Ｂが下層
ポリイミド樹脂゛膜５のテーパ部上にあり、更に、上下
部磁性体３，９のコンタクトスルホール１０が抜けた時
点である。
次に、上部磁性体９をスパッタリング法、蒸着法等で堆
積し、ドライあるいはウェットエツチングにより所定の
形状を得る。この後、更に、無機絶縁膜から成る保護膜
を素子部全体に形成して、薄膜磁気ヘッドを完成させる
。
積し、ドライあるいはウェットエツチングにより所定の
形状を得る。この後、更に、無機絶縁膜から成る保護膜
を素子部全体に形成して、薄膜磁気ヘッドを完成させる
。
上記実施例においては、薄膜磁気ヘッドのギャップデプ
スを決定するギャップデプス位置ゼロの点Ａの位置精度
は、薄い下層ポリイミド樹脂膜５のエツチング精度のみ
により決定されるので、高精度のエツチング精度を得る
ことができる。
スを決定するギャップデプス位置ゼロの点Ａの位置精度
は、薄い下層ポリイミド樹脂膜５のエツチング精度のみ
により決定されるので、高精度のエツチング精度を得る
ことができる。
また、上記実施例においては、下層ポリイミド樹脂絶縁
層５の表面に変質層を形成するのに、アルゴンイオンミ
リング法あるいはスパッタエツチング法を用いる例を示
したが、これは、下層有機樹脂絶縁層の材料に応じて適
宜選択すれば良いことは言うまでもない。
層５の表面に変質層を形成するのに、アルゴンイオンミ
リング法あるいはスパッタエツチング法を用いる例を示
したが、これは、下層有機樹脂絶縁層の材料に応じて適
宜選択すれば良いことは言うまでもない。
以上述べた如く、本発明によ゛れば、基板上に下部磁性
体、ギャップ材、下層有機樹脂絶縁膜、導体コイル、上
層有機樹脂絶縁膜および上部磁性体を順次形成する薄膜
磁気ヘッドの製造方法において、前記下層有機樹脂絶縁
膜をエツチングした後、該下層有機樹脂絶縁膜表面に、
前記上層有機樹脂絶縁膜エツチング時にエツチング選択
性を有せしめる変質層を形成する工程を含むようにした
ので、有機樹脂絶縁膜のギャップデプス位置ゼロの点を
高精度にウェットエツチングすることができ、高精度で
安定したギャップデプス加工が可能で、電磁変換特性の
優れた薄膜磁気ヘッドを製造することが可能な薄膜磁気
ヘッドの製造方法を実現できるという顕著な効果を奏す
るものである。
体、ギャップ材、下層有機樹脂絶縁膜、導体コイル、上
層有機樹脂絶縁膜および上部磁性体を順次形成する薄膜
磁気ヘッドの製造方法において、前記下層有機樹脂絶縁
膜をエツチングした後、該下層有機樹脂絶縁膜表面に、
前記上層有機樹脂絶縁膜エツチング時にエツチング選択
性を有せしめる変質層を形成する工程を含むようにした
ので、有機樹脂絶縁膜のギャップデプス位置ゼロの点を
高精度にウェットエツチングすることができ、高精度で
安定したギャップデプス加工が可能で、電磁変換特性の
優れた薄膜磁気ヘッドを製造することが可能な薄膜磁気
ヘッドの製造方法を実現できるという顕著な効果を奏す
るものである。
第１図は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における、層
間絶縁膜のエツチング方法を説明するための断面図、第
２図（Ａ）はレジストパターン精度の定義を示す図、第
２図（Ｂ）はレジスト膜厚とレジストパターン精度との
間の相関関係を示す図、第３図は本発明の一実施例であ
る薄膜磁気ヘッドの製造方法の要部を示す断面図である
。 に基板、２：下地膜、３：下部磁性体、４：ギャップ材
、５：上層有機樹脂膜、６：導体コイル。 ７：上層有機樹脂膜、９：上部磁性体、ｌｏ：上下部磁
性体のコンタクトスルホール。 特許出願人 株式会社日立製作所 代理人弁理士磯村雅俊 第 １ 図 第２図 ωｅ レジスト膜厚μｍ
間絶縁膜のエツチング方法を説明するための断面図、第
２図（Ａ）はレジストパターン精度の定義を示す図、第
２図（Ｂ）はレジスト膜厚とレジストパターン精度との
間の相関関係を示す図、第３図は本発明の一実施例であ
る薄膜磁気ヘッドの製造方法の要部を示す断面図である
。 に基板、２：下地膜、３：下部磁性体、４：ギャップ材
、５：上層有機樹脂膜、６：導体コイル。 ７：上層有機樹脂膜、９：上部磁性体、ｌｏ：上下部磁
性体のコンタクトスルホール。 特許出願人 株式会社日立製作所 代理人弁理士磯村雅俊 第 １ 図 第２図 ωｅ レジスト膜厚μｍ
Claims (1)
- （１）基板上に下部磁性体、ギャップ材、下層有機樹脂
絶縁膜、導体コイル、上層有機樹脂絶縁膜および上部磁
性体を順次形成するＫＵ磁気ヘッドの製造方法において
、前記下層有機樹脂絶縁膜をエツチングした後、該下層
有機樹脂絶縁膜表面に、前記上層有機樹脂絶縁膜エツチ
ング時にエツチング選択性を有せしめる変質層を形成す
る工程を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25037283A JPS60140514A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25037283A JPS60140514A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60140514A true JPS60140514A (ja) | 1985-07-25 |
Family
ID=17206937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25037283A Pending JPS60140514A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60140514A (ja) |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP25037283A patent/JPS60140514A/ja active Pending
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