JPS60143414A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘツドの製造方法

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JPS60143414A
JPS60143414A JP24696883A JP24696883A JPS60143414A JP S60143414 A JPS60143414 A JP S60143414A JP 24696883 A JP24696883 A JP 24696883A JP 24696883 A JP24696883 A JP 24696883A JP S60143414 A JPS60143414 A JP S60143414A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic resin
film
resin film
conductor coil
gap
Prior art date
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Pending
Application number
JP24696883A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Sugimoto
憲治 杉本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS60143414A publication Critical patent/JPS60143414A/ja
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3163Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、特に有機樹
脂層間絶縁膜(以下「有機樹脂膜」という)の形成工程
を改良した薄膜磁気ヘッドの製造方法に関するものであ
る。
〔発明の背景〕
薄膜磁気ヘッドは絶縁膜を有する基板上に、下部磁性体
、ギャップ材、導体コイル、上記有機樹脂膜、上部磁性
体および保護膜を順次形成することによって製造される
。ここで、上記有機樹脂膜は導体コイル形成の前後に分
けて形成されるものである。
第1図〜第3図に従来の有機樹脂膜の形成方法の詳細を
示す。図において、2は基板上に形成された下地絶縁膜
、3は下部磁性体、4はギャップ材、5は第1の有機樹
脂膜、6は導体コイル、7は第2の有機樹脂膜を示して
いる。
第1図は第1の有機樹脂膜5によりギャップ深さゼロ位
置を決定した後、第2の有機樹脂膜7をギャップ深さゼ
ロ位置より後退させて形成する方法を示している。第2
図は第1の有機樹脂膜5を予めギャップ深さゼロ位置よ
り後退させて形成した後、第2の有機樹脂膜7を形成し
てギャップ深さゼロ位置を決定する方法を示している。
また、第3図は第1の有機樹脂膜5によりギャップ深さ
ゼロ位置を決定した後、第2の有機樹脂膜7も同じ位置
でエツチングする方法を示している。
しかしながら、上記3種類の方法は、パターン位置合わ
せの問題、導体コイル6のイオンミリング時におけるギ
ャップ長の減少、上部磁性体テーパ部の段差発生に起因
する特性劣化等、解決すべき問題を有しているものであ
った。 −〔発明の目的〕 本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的と
するところは、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法におけ
る上述の如き問題を解消し、層間絶縁膜に有機樹脂膜を
用いる薄膜磁気ヘッドのギャップ長、ギャップ深さ精度
を向上させることが可能な簿膜磁気ヘッドの製造方法を
提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明の要点は、絶縁膜を有する基板上に下部磁性体、
ギャップ材、導体コイル、有機樹脂膜。
上部磁性体および保護膜を順次形成する薄膜磁気ヘッド
の製造方法において、前記有機樹脂膜をギャップ材上に
形成し、導体コイル上の有機樹脂層のエツチング時に一
括してギャップ深さゼロ位置を決定するエツチング工程
を有する点にある。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
第4図(A)〜(E)は本発明の一実施例である前記有
機樹脂膜の形成プロセスを示すものである。
図において、記号2〜7は先に第1図〜第3図に示した
と同じ構成要素を示しており、1はセラミック基板、8
はホトレジストを示している。
まず、第4図(A)に示す如く、セラミック基板1上に
下地アルミナ絶縁膜2.下部磁性体3.ギャップ材4を
形成する。次に、第4図(B)に示す如く、第1の有機
樹脂膜5を形成する。この有機樹脂膜5は有機樹脂をス
ピン塗布し熱硬化させ、ホトエツチングを行って形成す
る。
なお、この有機樹脂膜5は下部磁性体3上に乗上げる導
体コイル6の段切れ防止と、イオンミリング時における
オーバーミリングによるギャップ長の減少防止を目的と
するものであり、従って、上記ホトエツチングのパター
ンは下部磁性体3全体を覆うような形とすることが必要
である。
次に第4図(C)に示す如く、導体コイル6を形成する
。形成方法としては、蒸着、スパッタリング、めっき等
があるが、いずれの方法を用いても良い。エツチング(
めっき下地膜除去を含む)方法としては、一般に、ドラ
イエツチング方法であるスパッタエツチング、プラズマ
エツチング、イオンミリング等を用いることができる。
これらの方法は、一般には、導体膜エツチング後のオー
バーエツチングによって下地膜をエツチングする。しか
し、本者施例においては上記第1の有機樹脂膜5により
磁気ギャップ材4が覆われているため、オーバーエツチ
ングになりギャップ長が減少するおそれはない。
次に、第4図(D)に示す如く、導体コイル6上に第2
の有機樹脂膜7を形成する。これは、前記第1の有機樹
脂膜5と同じ材料を用い、同様にスピン塗布、熱硬化を
行い形成する。そして、ギャップ深さゼロ位置を決定す
るエツチングを行うためにホトレジスト8を形成する。
次に、第4図(E)に示す如く、第2.第1の有機樹脂
膜7.同5をエツチングする。このエツチングの方法は
ウェットエツチングでもドライエツチングでも良い。エ
ツチング終了後は、上記第2の有機樹脂膜7上に、更に
上部磁性体9.保護膜10等を形成することにより、第
5図に示す如き薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
本実施例によれば、第2.第1の有機樹脂膜を同時にエ
ツチングするため、テーパ部に段差が生じたり、エツチ
ング精度が劣化することがなく。
また、両有機樹脂膜の位置合わせの問題も解消するもの
である。
なお、前述の如く、ギャップ材4上に第1の有機樹脂膜
5を形成する際には、導体コイル6のオーバーエツチン
グによる有機樹脂膜5のエツチング量を予め把握してお
き、上記有機樹脂膜5をこのエツチング量より厚い膜厚
にしなければならないことは言うまでもない。また、導
体コイル6をイオンミリングにより形成した場合には、
その周囲の有機樹脂膜の表面に、ウェットエツチングで
は除去できない変質層を形成するので、ウェットエツチ
ングを行う前にプラズマアッシングを加える必要がある
ことも言までもない。
上記実施例においては、導体コイルが単層の薄膜磁気ヘ
ッドを例に挙げたが、本発明はこれに限定されるべきも
のではなく、導体コイルが多層の薄膜磁気ヘッドについ
ても有効であることも言うまでもないことである。
〔発明の効果〕
以上述べた如く、本発明によれば、絶縁膜を有する基板
上に下部磁性体、ギャップ材、導体コイル、有機樹脂層
間絶縁膜、上部磁性体および保護膜を順次形成する薄膜
磁気ヘッドの製造方法において、前記ギャップ材と導体
コイルとの間、および導体コイルと上部磁性体との間に
有機樹脂層間絶縁膜を形成し、ギャップ深さゼロ位置を
決定するために前記2層の有機樹脂層間絶縁膜を同時に
エツチングするようにしたので、ギャップ長、ギャップ
深さ精度を向上させることが可能な薄膜磁気ヘッドの製
造方法を実現できるという顕著な効果を奏するものであ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第3図は従来の製造方法における有機樹脂膜の
形成方法を示す断面図、第4図は本発明の一実施例であ
る製造方法による有機樹脂膜の形成工程を示す断面図、
第5図は本発明の製造方法により製造した薄膜磁気ヘッ
ドの断面図である。 1:セラミック基板、2:下地アルミナ絶縁膜。 3:下部磁性体、4:ギャップ材、5:第1の有機樹脂
膜、6:導体コイル、7:第2の有機樹脂膜、8:ホト
レジスト、9:上部磁性膜、10:方謹膜。 第 1 図 第2図 [F]) 第3図 第 4 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)絶縁膜を有する基板上に下部磁性体、ギャップ材
    、導体コイル、有機樹脂層間絶縁膜、上部磁性体および
    保護膜を順次形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
    て、前記ギャップ材と導体コイルとの間、および導体コ
    イルと上部磁性体との間に有機樹脂層間絶縁膜を形成し
    、ギャップ深さゼロ位置を決定するために前記2層の有
    機樹脂層間絶縁膜を同時にエツチングすることを特徴と
    する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
JP24696883A 1983-12-30 1983-12-30 薄膜磁気ヘツドの製造方法 Pending JPS60143414A (ja)

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JP24696883A JPS60143414A (ja) 1983-12-30 1983-12-30 薄膜磁気ヘツドの製造方法

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JP24696883A JPS60143414A (ja) 1983-12-30 1983-12-30 薄膜磁気ヘツドの製造方法

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JPS60143414A true JPS60143414A (ja) 1985-07-29

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ID=17156399

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JP24696883A Pending JPS60143414A (ja) 1983-12-30 1983-12-30 薄膜磁気ヘツドの製造方法

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JP (1) JPS60143414A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05155937A (ja) * 1991-12-03 1993-06-22 Ube Ind Ltd ポリブタジエン及び耐衝撃性ポリスチレン系樹脂

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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