JPH0447886B2 - - Google Patents
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- JPH0447886B2 JPH0447886B2 JP21385782A JP21385782A JPH0447886B2 JP H0447886 B2 JPH0447886 B2 JP H0447886B2 JP 21385782 A JP21385782 A JP 21385782A JP 21385782 A JP21385782 A JP 21385782A JP H0447886 B2 JPH0447886 B2 JP H0447886B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic resin
- resin layer
- thickness
- magnetic head
- coil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘツドの製造方法に関し、特
に有機樹脂層間絶縁層（以下、「有機樹脂層」と
いう。）の形成工程を改良した薄膜磁気ヘツドの
製造方法に関する。
に有機樹脂層間絶縁層（以下、「有機樹脂層」と
いう。）の形成工程を改良した薄膜磁気ヘツドの
製造方法に関する。
〔従来技術〕
第１図は本出願人が先に提案した薄膜磁気ヘツ
ドの有機樹脂層形成方法を示す図であり、この方
法は表面に凸凹を有する基体上に平坦性の良い塗
布被覆を形成するものである。すなわち、第１図
ａに示す如く基板１に導体配線２を形成した基体
に、第１図ｂに示す如く有機樹脂層３を施す。こ
の有機樹脂層３の膜厚は予定厚さより幾分厚くす
る。次に、第１図ｃに示す如く、前記有機樹脂層
３上にポジ型ホトレジスト等の平坦性の良い被膜
４を形成し、表面をより平坦化するために熱処理
を加え、第１図ｄに示す如き形状とする。そし
て、前記被膜４と有機樹脂層３とを同程度のエツ
チング速度でイオンエツチングすることにより第
１図ｅに示した如き平坦な有機樹脂層表面３′を
得るものである。
ドの有機樹脂層形成方法を示す図であり、この方
法は表面に凸凹を有する基体上に平坦性の良い塗
布被覆を形成するものである。すなわち、第１図
ａに示す如く基板１に導体配線２を形成した基体
に、第１図ｂに示す如く有機樹脂層３を施す。こ
の有機樹脂層３の膜厚は予定厚さより幾分厚くす
る。次に、第１図ｃに示す如く、前記有機樹脂層
３上にポジ型ホトレジスト等の平坦性の良い被膜
４を形成し、表面をより平坦化するために熱処理
を加え、第１図ｄに示す如き形状とする。そし
て、前記被膜４と有機樹脂層３とを同程度のエツ
チング速度でイオンエツチングすることにより第
１図ｅに示した如き平坦な有機樹脂層表面３′を
得るものである。
しかしながら、上述の方法においては、エツチ
ング条件が変動すると前記被膜４と有機樹脂層３
とのエツチング速度に差が生じ、平坦性が悪化す
るほか、処理工程が長い等解決すべき問題を有し
ていた。
ング条件が変動すると前記被膜４と有機樹脂層３
とのエツチング速度に差が生じ、平坦性が悪化す
るほか、処理工程が長い等解決すべき問題を有し
ていた。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、そ
の目的とするところは、従来の薄膜磁気ヘツドの
製造方法における上述の如き問題を解決し、層間
絶縁層に有機樹脂層を用いる薄膜磁気ヘツドの該
有機樹脂層表面の平坦性を向上させることにより
平坦性の良い上部磁性体形成を可能とする薄膜磁
気ヘツドの製造方法を提供することにある。
の目的とするところは、従来の薄膜磁気ヘツドの
製造方法における上述の如き問題を解決し、層間
絶縁層に有機樹脂層を用いる薄膜磁気ヘツドの該
有機樹脂層表面の平坦性を向上させることにより
平坦性の良い上部磁性体形成を可能とする薄膜磁
気ヘツドの製造方法を提供することにある。
本発明の要点は、絶縁膜を有する基板上に下部
磁性体、ギヤツプ材、導体コイル、有機樹脂層、
上部磁性体および保護層を順次形成する薄膜磁気
ヘツドの態造方法において、前記有機樹脂層の膜
厚を所定の平坦度が得られる厚さとする工程を有
する点にある。
磁性体、ギヤツプ材、導体コイル、有機樹脂層、
上部磁性体および保護層を順次形成する薄膜磁気
ヘツドの態造方法において、前記有機樹脂層の膜
厚を所定の平坦度が得られる厚さとする工程を有
する点にある。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に
説明する。
説明する。
第２図ａ〜ｅはポリイミド系有機樹脂層（以
下、単に「有機樹脂層」という。）の平坦化プロ
セスを示すものである。まず、第２図ａに示すよ
うに、セラミツク基板５上に下地アルミナ絶縁膜
６、下部磁性体７、ギヤツプ材８、導体コイル９
を形成する。次に、第２図ｂに示すように有機樹
脂層１０を形成する。この有機樹脂層１０は有機
樹脂をスピン塗布し熱硬化させることにより形成
する。
下、単に「有機樹脂層」という。）の平坦化プロ
セスを示すものである。まず、第２図ａに示すよ
うに、セラミツク基板５上に下地アルミナ絶縁膜
６、下部磁性体７、ギヤツプ材８、導体コイル９
を形成する。次に、第２図ｂに示すように有機樹
脂層１０を形成する。この有機樹脂層１０は有機
樹脂をスピン塗布し熱硬化させることにより形成
する。
その塗布膜厚は、導体コイル（以下、単に「コ
イル」という。）上絶縁膜の平坦度が0.1μm程度
になるように決められる。例えば、コイル膜厚
1.5μm、コイル幅6μm、コイル間隔3μmの場合、
塗布膜厚は第３図に示すようになり、熱硬化後の
有機樹脂膜厚を6μm程度にしなければならない。
なお、この塗布膜厚は、コイル形状、コイル間
隔、有機樹脂粘度、樹脂量等により変化するが、
必要な平坦度が得られるまで厚く塗布することに
なる。また、この塗布は必ずしも１度に行わなく
ても良く、何回かに分けて行つても良い。
イル」という。）上絶縁膜の平坦度が0.1μm程度
になるように決められる。例えば、コイル膜厚
1.5μm、コイル幅6μm、コイル間隔3μmの場合、
塗布膜厚は第３図に示すようになり、熱硬化後の
有機樹脂膜厚を6μm程度にしなければならない。
なお、この塗布膜厚は、コイル形状、コイル間
隔、有機樹脂粘度、樹脂量等により変化するが、
必要な平坦度が得られるまで厚く塗布することに
なる。また、この塗布は必ずしも１度に行わなく
ても良く、何回かに分けて行つても良い。
次に、第２図ｃに示すように有機樹脂層１０を
最終必要膜厚より薄くなるまで除去する。ここで
最終必要膜厚より薄くするのは、後工程で化学エ
ツチングする際に安定したテーパ角を得るために
再塗布を行うためである。この有機樹脂層除去
は、イオンミリングで行うが、通常用いられるア
ルゴンガスに酸素を添加した状態で行うのが望ま
しい。第４図に酸素の添加量とエツチングレート
との関係を示した。酸素100％の場合はアルゴン
ガス100％の場合に比べて約10倍のエツチングレ
ートが得られる。
最終必要膜厚より薄くなるまで除去する。ここで
最終必要膜厚より薄くするのは、後工程で化学エ
ツチングする際に安定したテーパ角を得るために
再塗布を行うためである。この有機樹脂層除去
は、イオンミリングで行うが、通常用いられるア
ルゴンガスに酸素を添加した状態で行うのが望ま
しい。第４図に酸素の添加量とエツチングレート
との関係を示した。酸素100％の場合はアルゴン
ガス100％の場合に比べて約10倍のエツチングレ
ートが得られる。
有機樹脂層１０を酸素イオンミリングにより最
終必要膜厚より薄くした後、イオン照射を受けた
表面にプラズマアツシヤー処理を施して有機樹脂
イオンダメージ層を除去し、第２図ｄに示すよう
に有機樹脂１１を再度塗布、熱硬化させて必要膜
厚を得る。酸素イオンミリングを用いた場合は、
アルゴンイオンミリングを用いた場合に比べて前
記表面ダメージが小さく、プラズマアツシヤー処
理が短時間で済むという効果もあり、コイル上の
有機樹脂層を必要以上に減少させたり、コイルを
露出させたりすることもない。なお、有機樹脂層
１１を付加することにより、表面の状態が良化
し、次工程で塗布されるホトレジストの密着性が
向上する。
終必要膜厚より薄くした後、イオン照射を受けた
表面にプラズマアツシヤー処理を施して有機樹脂
イオンダメージ層を除去し、第２図ｄに示すよう
に有機樹脂１１を再度塗布、熱硬化させて必要膜
厚を得る。酸素イオンミリングを用いた場合は、
アルゴンイオンミリングを用いた場合に比べて前
記表面ダメージが小さく、プラズマアツシヤー処
理が短時間で済むという効果もあり、コイル上の
有機樹脂層を必要以上に減少させたり、コイルを
露出させたりすることもない。なお、有機樹脂層
１１を付加することにより、表面の状態が良化
し、次工程で塗布されるホトレジストの密着性が
向上する。
次に、有機樹脂層１１上にホトレジストを塗
布、パターン焼付後エツチングを行う。このエツ
チングはドライエツチングでもウエツトエツチン
グでも良い。この工程が終了した時点で第２図ｅ
に示すような構造体が得られる。この構造体に、
更に、コイル、有機樹脂層、上部磁性体、保護膜
等を形成することにより、第５図に示すような薄
膜磁気ヘツドを得ることができる。
布、パターン焼付後エツチングを行う。このエツ
チングはドライエツチングでもウエツトエツチン
グでも良い。この工程が終了した時点で第２図ｅ
に示すような構造体が得られる。この構造体に、
更に、コイル、有機樹脂層、上部磁性体、保護膜
等を形成することにより、第５図に示すような薄
膜磁気ヘツドを得ることができる。
前述の如く、有機樹脂層を形成する際に、所望
の平坦度を得るに必要な塗布膜厚は、コイル形
状、コイル間隔、有機樹脂粘度等の関数であり、
塗布膜厚決定に際しては、事前に、第３図に示し
た如き関係を把握するのが好ましい。なお、この
塗布膜厚は、必ずしも１回の塗布により得なくて
も良いことも前述の通りである。また、酸素イオ
ンミリングにおける酸素の混合比は適宜選択して
良いことは言うまでもない。
の平坦度を得るに必要な塗布膜厚は、コイル形
状、コイル間隔、有機樹脂粘度等の関数であり、
塗布膜厚決定に際しては、事前に、第３図に示し
た如き関係を把握するのが好ましい。なお、この
塗布膜厚は、必ずしも１回の塗布により得なくて
も良いことも前述の通りである。また、酸素イオ
ンミリングにおける酸素の混合比は適宜選択して
良いことは言うまでもない。
以上述べた如く、本発明によれば、絶縁膜を有
する基板上に下部磁性体、ギヤツプ材、コイル、
有機樹脂層、上部磁性体および保護層を順次形成
する薄膜磁気ヘツドの製造方法において、前記有
機樹脂層の膜厚を所定の平坦度が得られる厚さと
する工程を含むようにしたので、前記有機樹脂層
上に設けられる上部磁性体を平坦性の良いものと
することができ、安定した性能の薄膜磁気ヘツド
を製造することができるという顕著な効果を奏す
るものである。
する基板上に下部磁性体、ギヤツプ材、コイル、
有機樹脂層、上部磁性体および保護層を順次形成
する薄膜磁気ヘツドの製造方法において、前記有
機樹脂層の膜厚を所定の平坦度が得られる厚さと
する工程を含むようにしたので、前記有機樹脂層
上に設けられる上部磁性体を平坦性の良いものと
することができ、安定した性能の薄膜磁気ヘツド
を製造することができるという顕著な効果を奏す
るものである。
また、厚塗りにした前記有機樹脂層を酸素イオ
ンミリングにより除去するようにすと、エツチン
グレートが高速化できると同時に表面ダメージを
低減させることができるという効果がある。
ンミリングにより除去するようにすと、エツチン
グレートが高速化できると同時に表面ダメージを
低減させることができるという効果がある。
第１図は従来の製造方法を示す工程図、第２図
は本発明の実施例を示す工程図、第３図は有機樹
脂膜厚と平坦度の関係の一例を示すグラフ、第４
図はイオンミリングにおける酸素添加の効果を示
すグラフ、第５図は薄膜磁気ヘツドの断面図であ
る。 ５……セラミツク基板、６……アルミナ絶縁
膜、７……下部磁性体、８……ギヤツプ材、９…
…コイル、１０，１１……有機樹脂層、１２……
上部磁性体、１３……保護膜。
は本発明の実施例を示す工程図、第３図は有機樹
脂膜厚と平坦度の関係の一例を示すグラフ、第４
図はイオンミリングにおける酸素添加の効果を示
すグラフ、第５図は薄膜磁気ヘツドの断面図であ
る。 ５……セラミツク基板、６……アルミナ絶縁
膜、７……下部磁性体、８……ギヤツプ材、９…
…コイル、１０，１１……有機樹脂層、１２……
上部磁性体、１３……保護膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絶縁層を有する基板上に下部磁性体、ギヤツ
プ材、導体コイル、有機樹脂層間絶縁層、上部磁
性体及び保護層を順次形成する薄膜磁気ヘツドの
製造方法において、 ポリイミド系有機樹脂からなる前記有機樹脂層
間絶縁層を所定の平坦度が得られる様にその膜厚
を形成し、しかる後、酸素が100％の酸素イオン
ミリングを用いて目的の膜厚より薄くなるまでエ
ツチングした後、加工面変質層の除去を行い、有
機樹脂を塗布し、熱硬化することにより目的とす
る膜厚を得ることを特徴とする薄膜磁気ヘツドの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21385782A JPS59104718A (ja) | 1982-12-08 | 1982-12-08 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21385782A JPS59104718A (ja) | 1982-12-08 | 1982-12-08 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59104718A JPS59104718A (ja) | 1984-06-16 |
| JPH0447886B2 true JPH0447886B2 (ja) | 1992-08-05 |
Family
ID=16646166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21385782A Granted JPS59104718A (ja) | 1982-12-08 | 1982-12-08 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59104718A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS619816A (ja) * | 1984-06-25 | 1986-01-17 | Nec Kansai Ltd | 薄膜磁気ヘツドの形成方法 |
| JPS61222010A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-10-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | 平坦化方法 |
| JPH0664713B2 (ja) * | 1987-04-15 | 1994-08-22 | 株式会社日立製作所 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JPH0770025B2 (ja) * | 1987-09-16 | 1995-07-31 | 富士通株式会社 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
-
1982
- 1982-12-08 JP JP21385782A patent/JPS59104718A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59104718A (ja) | 1984-06-16 |
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