JPH04281204A - エッチング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は周縁にテーパを有する凹
所を被エッチング材に形成するためのエッチング方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】図４は磁気ディスク装置の薄膜ヘッドの
縦断面図である。記録の細密化を目的として磁気ヘッド
のギャップの微細化が進められているが、薄膜ヘッドは
磁気回路を薄膜によって形成し、この目的を達せんとす
るものである。

【０００３】図４において１はＡｌ２　Ｏ３　・ＴｉＣ
　からなる基板であり、この上にＡｌ２　Ｏ３　からな
る絶縁膜２が形成され、更にその上に薄膜製の第１磁極
３が形成されている。第１磁極３上には平面視で環状を
なすコイル４（図４にはその一部の断面が示されている
）が絶縁材を介在させて設けられており、その上を薄膜
の第２磁極５で覆っている。

【０００４】第１磁極３，第２磁極５は環状のコイル４
の外周縁部の一部で微小なギャップ６を有するようにし
て隔てられているが内周縁側は接触している。このよう
な薄膜ヘッドではコイル４の通電量に応じた磁束がギャ
ップ６から漏洩し、またギャップ６が臨んだ磁極ディス
ク部（図示せず）の記録に応じた磁束をギャップ６で検
出することになる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】磁極３，５は蒸着等の
方法により形成されるが、第２磁極５は環状コイルの内
外周縁部に勾配を有しているために勾配部分で膜切れを
生じ、或いは極端に薄い部分が生成されることがあり、
歩留低下要因となっていた。このようなステップカバレ
ッジ不良を解消するための一案として図５に示す構成が
考えられる。これは絶縁膜２上に、コイル４の略１／２
　の深さを有し、その厚み形状に倣う凹所７を形成し、
ここを含む絶縁膜２上に薄膜製の第１磁極３を形成し、
コイル４をこの凹所７に配した上に第２磁極５を形成し
たものである。コイル４の厚みを同一とすれば第２磁極
５の勾配は図４のものの略１／２　となる。これらによ
り膜切れ、極薄膜部の発生は抑制されることになる。

【０００６】一方、第１磁極３について見るとコイル４
の内外周縁部で膜切れ等を生じさせないためには図５の
如く凹所７の内外周縁の勾配、つまり凹所７の周縁のテ
ーパ７０の勾配は第２磁極５と同程度とする必要がある
。 本発明はこのように周縁にテーパを有する凹所を形成す
ることを可能とするエッチング方法を提供することを目
的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理を示
す図面である。本発明はイオンエッチングにおけるファ
セット（ｆａｃｅｔ）生成という好ましくない現象を利
用せんとするものである。即ち図１の（ａ）　に示すよ
うに被エッチング材２０に凹凸が存在する場合にイオン
エッチングを行うと、凸部の周縁にファセット２１と称
するテーパ面が形成され、全面が一様にエッチングされ
ないという不都合が生じるのである。

【０００８】これはエッチングレートがイオンビームの
入射角に依存し、入射角度が非直角（材料によって異な
るが４０〜６０°程度）　の場合に最大値をとるという
特性に因って生じる。つまり凸部周縁部の角部はミクロ
にみれば傾斜を有しており、ここに対するイオンビーム
の入射角は非直角である。従ってこの部分のエッチング
が優勢に進み、これにより小さなファセットが生成せし
められ、このファセットに対する入射角は当然非直角で
あるからファセットが成長していくのである。

【０００９】本発明はこの現象を利用するのである。即
ち第１発明は、周縁にテーパを有する凹所を被エッチン
グ材に形成するエッチング方法において、形成すべき凹
所に対応するパターンのマスクを形成する第１工程と、
前記マスクを用いて被エッチング材をエッチングする第
２工程と、マスクを除去する第３工程と、被エッチング
材をイオンエッチングする第４工程とを含むことを特徴
とする。第２発明はイオンエッチングに先立ち、第２工
程で形成された凹部の底部にその周縁部よりも優先的に
保護膜を形成し、底部エッチングを防止することを特徴
とする。

【００１０】

【作用】第２工程によりパターン開口に従った凹部が形
成される。第３工程によりマスクを除去し、これにイオ
ンエッチングをすると上記凹部の周縁にファセットが形
成され、その結果、望ましいテーパを有する凹所が形成
されることになる。

【００１１】第２発明では第４工程で保護膜を設けるこ
とにより第５工程では凹部の底部のイオンエッチングが
防止されることになる。凹部の周縁部に保護膜が存在し
ない場合はこの部分はイオンエッチングされファセット
が形成され、またこの部分に保護膜がある場合はこの保
護膜がイオンエッチングされた後に被エッチング材その
もののエッチングが行われ、ファセットが形成される。 底部は保護膜が厚いのでその間保護されることになる。

【００１２】

【実施例】以下本発明をその実施例を示す図面に基づい
て詳述する。図２は第１発明の薄膜ヘッドでの実施例を
示す要部の断面構造図である。Ａｌ２　Ｏ３　・ＴｉＣ
　製の基板（図示せず）上のＡｌ２　Ｏ３　製の絶縁膜
２上にフォトレジスト、例えばヘキスト社製ＡＺ１３５
０Ｊ　を１〜３μｍ　の厚さに塗布し、公知の方法で露
光，　現像を行い、コイル４（図５参照）の配置位置に
倣う開口８０を有するパターンのマスク８を形成する（
ａ）　。

【００１３】次にエッチャントとして　　Ｈ３　ＰＯ４
　を用いて絶縁膜２のケミカルエッチングをう（ｂ）　
。実施例では約８０度で２０分間行い、６μｍ　の深さ
にエッチングした。 第２工程のエッチングはエッチング液を用いるケミカル
エッチングに限らず、エッチングガスを用いるケミカル
エッチングでもよい。イオンエッチング等物理的エッチ
ングでもよいが、エッチング速度が遅いので実用的では
ない。

【００１４】第２工程でケミカルエッチングを用いる場
合は、サイドエッチングが進み、図示の如く形成凹部７
１の周縁は湾曲断面となる。内外端部は絶縁膜表面に対
し垂直となっており、このような形状は第１磁極３（図
５参照）の形成に好ましくない。次に図２（ｃ）　に示
すようにマスク８を除去する。そしてイオンエッチング
を行う（ｄ）　。平坦部が１〜２μｍ　エッチングされ
る条件でイオンエッチングを行うと周縁部のエッチング
が優先的に進行し、端縁での角度が４０°〜５０°程度
のテーパが形成されることになり、所要のテーパ７０を
有する凹所７が得られることになる。

【００１５】次に図３に基き第２発明を説明する。図３
の（ａ），（ｂ），（ｃ）　に示すように第１〜３工程
は第１発明と同様である。次に比較的低粘度のレジスト
（例えばヘキスト社製ＡＺ１３５０）をスピンナ塗布の
方法により塗布し、保護膜９を形成する。図３の（ｄ）
　に示すように保護膜９は凹部７１の周縁部が底部，　
及び非ケミカルエッチング部よりも薄くなるか又は上記
周縁部が保護膜９が形成されないようにする。勿論後者
の方が望ましい。

【００１６】次に図３（ｅ）　に示すようにイオンエッ
チングを行う。これにより露出した凹部７１周縁部の絶
縁膜２はエッチングされ、これに伴い所要のテーパ７０
が形成される。この第２発明では凹部７１の厚い保護膜
９で覆われた底部がエッチングされず周縁部のみがエッ
チングされるので、より勾配の小さいテーパが得られる
。周縁部に薄い保護膜９が形成されている場合は、これ
がエッチングにより除去され、その後に露出した絶縁膜
２がエッチングされることになる。この工程の後、保護
膜９を除去する（ｆ）　。

【００１７】以上のようにして形成された凹所７及びそ
の隣接部に第１磁極３を形成し、コイル４を凹所７に配
設し、その上に第２磁極５を形成すると、図５に示す如
き薄膜ヘッドが得られる。なお本発明は薄膜ヘッドのＡ
ｌ２　Ｏ３　膜のエッチングに限らず、半導体装置の基
板等他の被エッチング材にも適用可能である。

【００１８】

【発明の効果】以上の如き本発明による場合は周縁にテ
ーパを有する凹所を形成することが可能となり、従って
例えば図５に示す如き構造の薄膜ヘッドを製作すること
が可能になり、従ってその歩留を向上することができる
。そして第２発明では傾斜角のより小さいテーパを実現
することができる。更にまた本発明によれば従来不可能
であった凹所の形成が可能となるので、上記薄膜ヘッド
同様、埋込型構造，半埋込型構造をとることが可能とな
り、それによって種々の新規な構成が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理説明図である。

【図２】第１発明の工程を示す断面構造図である。

【図３】第２発明の工程を示す断面構造図である。

【図４】薄膜ヘッドの縦断面図である。

【図５】薄膜ヘッドの縦断面図である。

【符号の説明】

１　　　　基板 ２　　　　絶縁膜 ３　　　　第１磁極 ４　　　　コイル ５　　　　第２磁極 ７　　　　凹所 ８　　　　マスク ９　　　　保護膜

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　周縁にテーパ（７０）を有する凹所（
   ７）　を被エッチング材（２０）上に形成するエッチン
   グ方法において、形成すべき凹所（７）　に対応するパ
   ターンのマスク（８）　を形成する第１工程と、前記マ
   スク（８）　を用いて被エッチング材（２０）をエッチ
   ングする第２工程と、マスク（８）　を除去する第３工
   程と、被エッチング材（２０）をイオンエッチングする
   第４工程とを含むことを特徴とするエッチング方法。
2. 【請求項２】　　周縁にテーパ（７０）を有する凹所（
   ７）　を被エッチング材（２０）上に形成するエッチン
   グ方法において、形成すべき凹所（７）　に対応するパ
   ターンのマスク（８）　を形成する第１工程と、前記マ
   スク（８）　を用いて被エッチング材（２０）をエッチ
   ングする第２工程と、マスク（８）　を除去する第３工
   程と、第２工程のケミカルエッチングによって形成され
   た凹部（７１）の底部にその周縁部よりも優先的に保護
   膜（９）　を被着する第４工程と、少なくとも前記周縁
   部をイオンエッチングする第５工程とを含むことを特徴
   とするエッチング方法。
3. 【請求項３】　　前記第２工程はケミカルエッチングに
   よる請求項１または２のエッチング方法。
4. 【請求項４】　　前記第２工程はサイドエッチングを含
   む請求項１または２のエッチング方法。
5. 【請求項５】　　前記第４工程はレジストのスピンナ塗
   布により保護膜（９）　を形成する請求項２記載のエッ
   チング方法。