JP2517479B2 - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は磁気記録再生装置等に使用される薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法に関する。

（ロ）従来の技術 薄膜磁気ヘッドにおいては、記録・再生効率を高める
ためにコイルパターン等の上方に形成される上部磁性層
の透磁率を向上させなければならない。このためには、
前記上部磁性層の下地となる絶縁層上面を平坦にする必
要がある。また、前記上部磁性層の内部応力を低下させ
るためには、コイル端子部付近の絶縁層上面も平坦にす
る必要がある。

第３図に従来の薄膜磁気ヘッド製造方法における絶縁
層の平坦化工程を示す。

まず、第３図（ａ）に示すようにフェライト等の高透
磁率磁性材料よりなる基板（１）の上面にSiO₂等の絶縁
層（２）を被着形成する。

次に、第３図（ｂ）に示すように前記絶縁層（２）上
面にCu等よりなる導電層を被着形成した後、該導電層に
イオンミリング等の微細エッチング加工によりパターニ
ングを行うことによりコイルパターンのコイル部（3a）
及び端子部（3b）を形成する。

次に、第３図（ｃ）に示すように前記コイル部（3a）
及び端子部（3b）の上面にSiO₂等の絶縁層（４）を被着
形成する。この時、前記絶縁層（４）表面には前記コイ
ル部（3a）及び端子部（3b）に沿って凸部（5a）及び凹
部（5b）よりなる段差が形成される。前記段差の凸部
（5a）の高さはコイル部（3a）及び端子部（3b）の高さ
と同程度であり、また前記凸部（5a）のピッチはコイル
部（3a）近傍では小さく（２〜５μｍ）、端子部（3b）
側では大きい（10〜100μｍ）。

次に、第３図（ｄ）に示すように前記絶縁層（４）表
面の段差を小さくするために、該絶縁層（４）上にフォ
トレジスト（６）をスピンコートで形成する。

次に、第３図（ｅ）に示すように前記フォトレジスト
（６）の上方からイオンビームエッチングを行い、前記
絶縁層（４）の上部をフォトレジスト（６）表面に沿っ
てエッチング除去することにより該絶縁層（４）表面を
平坦化する。尚、この時のエッチング条件は、フォトレ
ジスト（６）と絶縁層（４）とのエッチングレートが等
速になるように選ぶ。

しかし乍ら、上記従来の平坦化工程では、第３図
（ｅ）に示すように、絶縁層（４）表面はコイル部（3
a）の上方では平坦になるが、凸部（5a）のピッチが大
きい端子部（3b）側では、十分には平坦化されず、前記
凸部（5a）の半分程度の凹部（７）が残る。

上述の問題を解決する手段として例えば、特開昭63−
20710号公報（G11B5/31）がある。これは、コイルパタ
ーンのピッチの大きい部分の凹部に絶縁材からなる凸形
状パターンを形成することにより前記コイルパターンの
凹部のピッチを小さくしてから平坦化工程を行うという
ものである。

しかし乍ら、この方法においても凸形状パターンを形
成することが非常に難しく、量産性に適していない。

また、フォトレジスト（６）を厚く（例えば、５μｍ
以上）塗布形成することにより第４図（ａ）に示すよう
にフォトレジスト（６）表面を平坦にすることが出来る
が、この後、イオンビームエッチングを行う場合、前記
フォトレジスト（６）が厚いため、エッチング時間が長
くなり、該レジスト（６）は高エネルギーのイオンビー
ム照射によるダメージにより変質が起こり、その結果レ
ジストのエッチングレートが極端に低下し、レジストの
厚い部分と薄い部分とでエッチング時間に差が生じ、第
４図（ｂ）に示すように絶縁層（４）表面に凹み（８）
が生じる。

（ハ）発明が解決しようとする課題 本発明は上記従来例の欠点に鑑み為されたものであ
り、量産性を低下させることなく、コイルパターン上に
形成される絶縁層の表面を十分に平坦にすることが出来
る薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とす
るものである。

（ニ）課題を解決するための手段 本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、絶縁層表面の
平坦化を、前記絶縁層上に上面が平坦になるまでフォト
レジストを塗布形成し、該フォトレジストを酸素プラズ
マを用いたアッシングにより薄くした後、前記フォトレ
ジスト及び前記絶縁層の上部をイオンビームエッチング
により除去することにより行うことを特徴とする。

（ホ）作用 上記製造方法に依れば、フォトレジストはアッシング
により薄くなった後、イオンビームエッチングされるの
で、イオンビームエッチングによる処理時間は短かく、
前記フォトレジストは変質しない。

（ヘ）実施例 以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を詳細に説
明する。

第１図は本実施例の薄膜磁気ヘッドの製造方法、特に
平坦化工程を示す要部断面図である。

先ず、従来例と同様にして第１図（ａ）に示すように
基板（１）の上面に絶縁層（２）、コイル部（3a）と端
子部（3b）とよりなるコイルパターン、及び絶縁層
（４）を形成する。この時、前記絶縁層（４）の表面に
はコイルパターンに沿って凸部（5a）と凹部（5b）とよ
りなる段差が形成される。

次に、第１図（ｂ）に示すように前記絶縁層（４）の
上部にフォトレジスト（６）をスピンコートにより形成
する。この時のフォトレジスト（６）の厚みは前記コイ
ルパターンの凹凸の最大ピッチとそこでの平坦度の目標
によって決まる。例えば、実験より得られた第２図のよ
うな関係があるとき、平坦度の目標を0.4μｍ以下とす
ると、コイルパターンの凹凸の最大ピッチが100μｍで
あれば、フォトレジスト（６）は20μｍ以上塗布する必
要がある。尚、20μｍのレジスト塗布はスピンコートに
よる多層塗布により行う。

次に、第１図（ｃ）に示すように前記フォトレジスト
（６）を反応性イオンエッチング装置を用いて凸部（5
a）上の最小厚ｌが0.5μｍ、凹部（5b）上の最大厚ｍが
3.5μｍになるまで酸素プラズマによりアッシング（灰
化）を行う。この時のエッチング条件は、RFプラズマ出
力が100W、酸素流量が50SCCM、酸素圧が0.1Torrであ
る。

次に、第１図（ｄ）に示すように前記フォトレジスト
（６）のイオンビームエッチングを行い、該フォトレジ
スト（６）及び絶縁層（４）を合計３μｍ厚エッチング
除去することにより前記絶縁層（４）表面を平坦にす
る。この時のエッチング条件は、イオンビーム加速電圧
が500V、イオン電流密度が140mA/cm²、Arガス圧が0.2mT
orr、イオンビーム入射角が60°である。この入射角の
時の絶縁層とフォトレジストとのエッチングレートの比
（選択比）は1.03である。

以上の工程により絶縁層（４）表面を平坦化した後、
該絶縁層（４）上にセンダスト等よりなる上部磁性層
（図示せず）を被着形成する。

上述のような製造方法に依れば、フォトレジスト
（６）を上面が平坦になるまで厚く塗布形成した後、物
理的エネルギーの小さい反応性イオンエッチングにより
前記フォトレジスト（６）を薄くし、その後イオンビー
ムエッチングにより絶縁層（４）表面を平坦にするの
で、物理的エネルギーの高いイオンビームエッチングを
行う時間は短く、前記フォトレジスト（６）は変質せ
ず、エッチングレートが設定値からずれることはなく、
前記絶縁層（４）表面の平坦化を高精度に行うことが出
来る。

（ト）発明の効果 本発明に依れば、量産性を低下させることなく、コイ
ルパターン上に形成される絶縁層表面を十分に平坦に
し、該絶縁層上に形成される上部磁性層の透磁率等の磁
気特性の劣化による記録再生特性の悪化を防止した薄膜
磁気ヘッドの製造方法を提供し得る。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明に係り、第１図は薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を示す要部断面図、第２図はレジスト塗
布厚によるレジスト表面段差の大きさを示す図である。
第３図及び第４図は夫々従来の薄膜磁気ヘッドの製造方
法を示す要部断面図である。 （イ）……基板、（3a）……コイル部、（3b）……端子
部、（４）……絶縁層、（６）……フォトレジスト。

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に形成されたコイル部及び端子部よ
   りなるコイルパターン上に絶縁層を被着形成し、該絶縁
   層表面を平坦化した後、前記絶縁層上に上部磁性層を被
   着形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記絶
   縁層表面の平坦化を、前記絶縁層上に上面が平坦になる
   までフォトレジストを塗布形成し、該フォトレジストを
   酸素プラズマを用いたアッシングにより薄くした後、前
   記フォトレジスト及び前記絶縁層の上部をイオンビーム
   エッチングにより除去することにより行うことを特徴と
   する薄膜磁気ヘッドの製造方法。