JPH08329419A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH08329419A JPH08329419A JP8043467A JP4346796A JPH08329419A JP H08329419 A JPH08329419 A JP H08329419A JP 8043467 A JP8043467 A JP 8043467A JP 4346796 A JP4346796 A JP 4346796A JP H08329419 A JPH08329419 A JP H08329419A
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
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- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 完成された薄膜磁気ヘッドの不良率を低め、
製品間の性能差を小さくでき、素材の選択範囲が広く、
しかも条件設定の容易な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提
供する。 【解決手段】 この薄膜磁気ヘッドの製造方法は、下部
磁極層の上に形成されたエッチング対象の磁気形成層に
上部磁極層を形成する段階と、前記上部磁極層の上に金
属性種子層を形成する段階、前記種子層の上に上部磁極
層の目的とするパターンに対応する開口部を持つ絶縁層
を形成する段階と、鍍金法により前記種子層の露出面に
金属マスク層を形成する段階と、前記絶縁層を除去して
前記金属マスク層に覆われていない磁気形成層の露出部
位を所定深さでエッチングする段階とを含む。
製品間の性能差を小さくでき、素材の選択範囲が広く、
しかも条件設定の容易な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提
供する。 【解決手段】 この薄膜磁気ヘッドの製造方法は、下部
磁極層の上に形成されたエッチング対象の磁気形成層に
上部磁極層を形成する段階と、前記上部磁極層の上に金
属性種子層を形成する段階、前記種子層の上に上部磁極
層の目的とするパターンに対応する開口部を持つ絶縁層
を形成する段階と、鍍金法により前記種子層の露出面に
金属マスク層を形成する段階と、前記絶縁層を除去して
前記金属マスク層に覆われていない磁気形成層の露出部
位を所定深さでエッチングする段階とを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気ヘッド(T
hin film magnetic head) の製造方法に係り、特に金属
マスクを用いた乾式の薄膜磁気ヘッドの製造方法に関す
る。
hin film magnetic head) の製造方法に係り、特に金属
マスクを用いた乾式の薄膜磁気ヘッドの製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】磁気情報を記録及び再生する薄膜磁気ヘ
ッドの磁極膜の形成方法は大きく分けると湿式法と乾式
法とに区別できる。湿式法は、ニッケルー鉄合金を用い
て鍍金法により上部磁極膜を形成する方式として最も多
く使われる方法である。最近は、高密度の記録が要求さ
れるにしたがって上部磁極膜の材料が鉄ー室素系に変更
され、これによって鍍金に依存する既存の湿式法の適用
が難しくなり、マスクを用いた選択的エッチング法、即
ち乾式法が適用されている。従来の乾式法においては、
上部磁極膜をエッチングするためのマスクとしてはフォ
トリソグラフィ法により得たフォトレジストが使用され
たり、フォトリソグラフィ法により得たフォトレジスト
マスクを用いて金属膜をエッチングして得た金属マスク
が使用される。
ッドの磁極膜の形成方法は大きく分けると湿式法と乾式
法とに区別できる。湿式法は、ニッケルー鉄合金を用い
て鍍金法により上部磁極膜を形成する方式として最も多
く使われる方法である。最近は、高密度の記録が要求さ
れるにしたがって上部磁極膜の材料が鉄ー室素系に変更
され、これによって鍍金に依存する既存の湿式法の適用
が難しくなり、マスクを用いた選択的エッチング法、即
ち乾式法が適用されている。従来の乾式法においては、
上部磁極膜をエッチングするためのマスクとしてはフォ
トリソグラフィ法により得たフォトレジストが使用され
たり、フォトリソグラフィ法により得たフォトレジスト
マスクを用いて金属膜をエッチングして得た金属マスク
が使用される。
【０００３】図１ないし図４は、フォトレジストをマス
クとして使用する乾式法による上部磁極膜加工工程図
で、各図面のＡは磁極先端部位の側断面図、Ｂは同図Ａ
の正断面図である。図１のＡとＢは、上部磁極膜のため
の金属膜５が、磁気コイル４を保護している平坦化層３
の上に全面的に形成されている状態を示す。図１で、１
は下部磁極膜であり、２は磁気記録ギャップを備えるた
めのＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 などによる絶縁層である。そ
して、平坦化層３は、前記記録電流印加用コイル４の上
下に設けられる。
クとして使用する乾式法による上部磁極膜加工工程図
で、各図面のＡは磁極先端部位の側断面図、Ｂは同図Ａ
の正断面図である。図１のＡとＢは、上部磁極膜のため
の金属膜５が、磁気コイル４を保護している平坦化層３
の上に全面的に形成されている状態を示す。図１で、１
は下部磁極膜であり、２は磁気記録ギャップを備えるた
めのＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 などによる絶縁層である。そ
して、平坦化層３は、前記記録電流印加用コイル４の上
下に設けられる。
【０００４】次に、図２のＡとＢに示したように、前記
金属膜５の上には、上部磁極膜を加工するためのマスク
として所定高さのフォトレジスト６が形成される。この
フォトレジスト６は、材料の塗布、露光及び現像過程を
含む一般的なフォトリソグラフィ法により形成される。
次に、図３のＡとＢに示したように、金属膜５を上部磁
極膜として加工するために、前記フォトレジスト６に覆
われていない部分を絶縁層２の直前までＲＩＥエッチン
グ技法でエッチングする。そして図４に示したように、
マスクとして使われたフォトレジスト６を除去し、目的
とする磁気ヘッドを得る。
金属膜５の上には、上部磁極膜を加工するためのマスク
として所定高さのフォトレジスト６が形成される。この
フォトレジスト６は、材料の塗布、露光及び現像過程を
含む一般的なフォトリソグラフィ法により形成される。
次に、図３のＡとＢに示したように、金属膜５を上部磁
極膜として加工するために、前記フォトレジスト６に覆
われていない部分を絶縁層２の直前までＲＩＥエッチン
グ技法でエッチングする。そして図４に示したように、
マスクとして使われたフォトレジスト６を除去し、目的
とする磁気ヘッドを得る。
【０００５】以上のようにフォトレジストを上部磁極膜
の形成のためのマスクとして使う乾式法には次の問題点
がある。まず、図５Ａに示したように、フォトレジスト
は相当な厚さを持つので、影効果により上部磁極膜の上
部に比べその下部の幅が大きくなって梯形となる。また
厚いフォトレジストをマスクとして使うと、上部磁極膜
５の下部に影効果により未エッチング部位５ａが残留す
ることとなる。この問題を改善するために、図５Ｂに示
したように、フォトレジスト膜６’を薄くすることが考
えられる。しかしこれでは、上部磁極膜の下部に残留す
る未エッチング部位５ａ’が小さくなる代わりに、薄い
フォトレジスト６’がエッチングされることにより上部
磁極膜の両側の縁５ｂが崩れ壊れる。
の形成のためのマスクとして使う乾式法には次の問題点
がある。まず、図５Ａに示したように、フォトレジスト
は相当な厚さを持つので、影効果により上部磁極膜の上
部に比べその下部の幅が大きくなって梯形となる。また
厚いフォトレジストをマスクとして使うと、上部磁極膜
５の下部に影効果により未エッチング部位５ａが残留す
ることとなる。この問題を改善するために、図５Ｂに示
したように、フォトレジスト膜６’を薄くすることが考
えられる。しかしこれでは、上部磁極膜の下部に残留す
る未エッチング部位５ａ’が小さくなる代わりに、薄い
フォトレジスト６’がエッチングされることにより上部
磁極膜の両側の縁５ｂが崩れ壊れる。
【０００６】これを解決するためには、イオンビーム蝕
刻の時にイオンの進行方向をできるだけ蝕刻面に垂直と
なるようにすべきである。しかし、ビームの進行方向が
蝕刻面に垂直である場合には、蝕刻速度が落ちるだけで
なく、蝕刻されたフォトレジストが再び付着する再付着
現象が発生する。図６乃至図１１は、金属マスクを上部
磁極膜の形成のためのマスクとして使用する乾式法によ
る上部磁極膜加工工程図であって、各図面のＡは磁極先
端部位の側断面図、Ｂは同図Ａの正断面図である。
刻の時にイオンの進行方向をできるだけ蝕刻面に垂直と
なるようにすべきである。しかし、ビームの進行方向が
蝕刻面に垂直である場合には、蝕刻速度が落ちるだけで
なく、蝕刻されたフォトレジストが再び付着する再付着
現象が発生する。図６乃至図１１は、金属マスクを上部
磁極膜の形成のためのマスクとして使用する乾式法によ
る上部磁極膜加工工程図であって、各図面のＡは磁極先
端部位の側断面図、Ｂは同図Ａの正断面図である。
【０００７】図６ＡとＢは、上部磁極膜のための金属膜
５が、磁気コイル４を保護している平坦化層３の上に全
面的に形成されている状態を示す。図面で、１は下部磁
極膜であり、２は磁気記録ギャップを備えるためのＳｉ
Ｏ2 、Ａｌ2 Ｏ3 などによる絶縁層である。平坦化層３
は、前記記録電流印加用コイル４の上下に設けられる。
５が、磁気コイル４を保護している平坦化層３の上に全
面的に形成されている状態を示す。図面で、１は下部磁
極膜であり、２は磁気記録ギャップを備えるためのＳｉ
Ｏ2 、Ａｌ2 Ｏ3 などによる絶縁層である。平坦化層３
は、前記記録電流印加用コイル４の上下に設けられる。
【０００８】次に、図７ＡとＢに示したように、金属マ
スク層７が前記金属膜５の上に全面的に形成される。そ
して、図８ＡとＢに示したように、前記金属マスク層７
の上に所定高さのフォトレジスト６を形成する。ここで
フォトレジスト６は、材料の塗布、露光及び現像過程を
含む一般的なフォトリソグラフィ法により形成される。
スク層７が前記金属膜５の上に全面的に形成される。そ
して、図８ＡとＢに示したように、前記金属マスク層７
の上に所定高さのフォトレジスト６を形成する。ここで
フォトレジスト６は、材料の塗布、露光及び現像過程を
含む一般的なフォトリソグラフィ法により形成される。
【０００９】次に、図９ＡとＢに示したように、前記フ
ォトレジスト６に覆われていない金属マスク層７の一部
位をエッチングする。さらに、図１０のＡとＢに示した
ように、イオンビームにより、前記フォトレジスト６を
除去すると同時に、前記金属マスク層７に覆われていな
いその下部積層を絶縁膜２の直前までエッチングする。
ォトレジスト６に覆われていない金属マスク層７の一部
位をエッチングする。さらに、図１０のＡとＢに示した
ように、イオンビームにより、前記フォトレジスト６を
除去すると同時に、前記金属マスク層７に覆われていな
いその下部積層を絶縁膜２の直前までエッチングする。
【００１０】最後に、図１１のＡとＢに示したように、
前記金属マスク層７を除去し、目的とする薄膜磁気ヘッ
ドを得る。以上のような金属マスクを用いた乾式法には
次の欠点がある。まず、実験によると、イオンビームの
進行角が１５゜程の時には図１２Ａのように上部磁極膜
５が梯形になり、４５゜程の時には図１２Ｂのように上
部磁極膜５’の下部に未エッチング部分５ａが生じる。
８５゜程の時には、図１２Ｃのように、上部磁極膜５”
が長方形になり、また未エッチング部分５ａ”が小さく
なるが、上部磁極膜５”の上部両縁５ｂが崩れ壊れる現
象が生じ、エッチングの時に一旦離脱した粒子５ｃが再
び上部磁極膜５”の表面に付着する等の新たな問題が発
生する。結果的に、完成された薄膜磁気ヘッドの不良率
を低めることが不可能で、しかも製品間の性能差を小さ
くできなくなる。
前記金属マスク層７を除去し、目的とする薄膜磁気ヘッ
ドを得る。以上のような金属マスクを用いた乾式法には
次の欠点がある。まず、実験によると、イオンビームの
進行角が１５゜程の時には図１２Ａのように上部磁極膜
５が梯形になり、４５゜程の時には図１２Ｂのように上
部磁極膜５’の下部に未エッチング部分５ａが生じる。
８５゜程の時には、図１２Ｃのように、上部磁極膜５”
が長方形になり、また未エッチング部分５ａ”が小さく
なるが、上部磁極膜５”の上部両縁５ｂが崩れ壊れる現
象が生じ、エッチングの時に一旦離脱した粒子５ｃが再
び上部磁極膜５”の表面に付着する等の新たな問題が発
生する。結果的に、完成された薄膜磁気ヘッドの不良率
を低めることが不可能で、しかも製品間の性能差を小さ
くできなくなる。
【００１１】またこの方法では、上部磁極膜について選
択範囲が狭く限定された素材の金属マスク層を使うべき
であり、結果的にこの方法は素材の選択において制約を
伴うことになる。また金属マスク層の蒸着条件及び表面
酸化状態そして形の変化により上部磁極層のエッチング
状態が極めて鋭敏に変化するので、困難な条件設定が要
求される。
択範囲が狭く限定された素材の金属マスク層を使うべき
であり、結果的にこの方法は素材の選択において制約を
伴うことになる。また金属マスク層の蒸着条件及び表面
酸化状態そして形の変化により上部磁極層のエッチング
状態が極めて鋭敏に変化するので、困難な条件設定が要
求される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、完成
された薄膜磁気ヘッドの不良率を低め、製品間の性能差
を小さくでき、素材の選択範囲が広く、しかも条件設定
の容易な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにあ
る。
された薄膜磁気ヘッドの不良率を低め、製品間の性能差
を小さくでき、素材の選択範囲が広く、しかも条件設定
の容易な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにあ
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
の製造方法は、下部磁極層の上に形成されたエッチング
対象の磁気形成層に上部磁極層を形成する段階と、前記
上部磁極層の上に金属性種子層を形成する段階と、前記
種子層の上に上部磁極層の目的とするパターンに対応す
る開口部を持つ絶縁層を形成する段階と、鍍金法により
前記種子層の露出面に金属マスク層を形成する段階と、
前記絶縁層を除去して前記金属マスク層に覆われていな
い磁気形成層の露出部位を所定深さでエッチングする段
階とを含む。
の製造方法は、下部磁極層の上に形成されたエッチング
対象の磁気形成層に上部磁極層を形成する段階と、前記
上部磁極層の上に金属性種子層を形成する段階と、前記
種子層の上に上部磁極層の目的とするパターンに対応す
る開口部を持つ絶縁層を形成する段階と、鍍金法により
前記種子層の露出面に金属マスク層を形成する段階と、
前記絶縁層を除去して前記金属マスク層に覆われていな
い磁気形成層の露出部位を所定深さでエッチングする段
階とを含む。
【００１４】本発明による別の薄膜磁気ヘッドの製造方
法は、下部磁極層の上に磁気ギャップを備えるための絶
縁層を形成する段階と、前記絶縁層の上に磁気コイルを
含む磁気形成層を形成する段階と、前記磁気形成層の上
に上部磁極層を形成する段階と、金属性種子層を前記上
部磁極層の上に形成する段階と、前記種子層の上に上部
磁極層の目的とするパターンに対応する開口部を持つ所
定パターンのフォトレジスト層を形成する段階と、前記
フォトレジスト層に覆われていない前記種子層の露出面
に鍍金法により金属マスク層を形成する段階と、前記フ
ォトレジスト層を除去する段階と、前記金属マスク層に
覆われていないその下部積層の一部位をエッチングし前
記金属マスク層の下部に目的とする形状の上部磁極層を
形成する段階と、前記種子層と金属マスク層を除去する
段階とを含む。
法は、下部磁極層の上に磁気ギャップを備えるための絶
縁層を形成する段階と、前記絶縁層の上に磁気コイルを
含む磁気形成層を形成する段階と、前記磁気形成層の上
に上部磁極層を形成する段階と、金属性種子層を前記上
部磁極層の上に形成する段階と、前記種子層の上に上部
磁極層の目的とするパターンに対応する開口部を持つ所
定パターンのフォトレジスト層を形成する段階と、前記
フォトレジスト層に覆われていない前記種子層の露出面
に鍍金法により金属マスク層を形成する段階と、前記フ
ォトレジスト層を除去する段階と、前記金属マスク層に
覆われていないその下部積層の一部位をエッチングし前
記金属マスク層の下部に目的とする形状の上部磁極層を
形成する段階と、前記種子層と金属マスク層を除去する
段階とを含む。
【００１５】なお、前記種子層は、Ｃｕを少なくとも主
成分とする金属製であることが好ましい。また、前記種
子層は、１００乃至２０００Åの厚さで形成されること
が好ましい。前記金属マスク層は、ＣｒまたはＣｕを含
む金属製であることが好ましい。
成分とする金属製であることが好ましい。また、前記種
子層は、１００乃至２０００Åの厚さで形成されること
が好ましい。前記金属マスク層は、ＣｒまたはＣｕを含
む金属製であることが好ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】この実施の形態では、まず既存の
方法により、磁気記録に必要な漏れ磁界を形成するため
のギャップを設けるために、Ｎｉ−Ｆｅ，ＦｅＮ系素材
よりなる下部磁極層の上に、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 など
の非磁性の絶縁層を形成する。その上に、記録電流印加
用コイルが埋設されている上下平坦化層を形成する。平
坦化層を形成するに際には、まず合成樹脂で下部平坦化
層を形成し、その上にＣｕなどの素材よりなるコイルを
配置し、その上に再び合成樹脂で上部平坦化層を形成す
ることにより、コイルが平坦化層に埋没した形態になる
ようにする。前記平坦化層の上には、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｆｅ
Ｎ系素材で上部磁極層を蒸着法により形成する。
方法により、磁気記録に必要な漏れ磁界を形成するため
のギャップを設けるために、Ｎｉ−Ｆｅ，ＦｅＮ系素材
よりなる下部磁極層の上に、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 など
の非磁性の絶縁層を形成する。その上に、記録電流印加
用コイルが埋設されている上下平坦化層を形成する。平
坦化層を形成するに際には、まず合成樹脂で下部平坦化
層を形成し、その上にＣｕなどの素材よりなるコイルを
配置し、その上に再び合成樹脂で上部平坦化層を形成す
ることにより、コイルが平坦化層に埋没した形態になる
ようにする。前記平坦化層の上には、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｆｅ
Ｎ系素材で上部磁極層を蒸着法により形成する。
【００１７】そして前記上部磁極層の上には、Ｃｒなど
の素材よりなる鍍金種子層を、一般的な蒸着法により１
００乃至２０００Å程の厚さで形成する。そして、鍍金
種子層の上に、鍍金のための開口を持つフォトレジスト
層を形成する。続いて、鍍金法により前記開口を通じて
前記種子層に、Ｃｒ，Ｃｕなどの金属で所定厚さの金属
マスク層を形成する。金属マスク層が形成された後、ア
セトンなどの溶剤でフォトレジスト層を除去し、通常の
方法にしたがって前記磁気形成層をエッチングし、目的
とする形態の磁気ヘッドを得る。なお、残留する金属マ
スク層は湿式法により除去することが望ましく、このと
きの溶剤としては例えばシアン化鉄系蝕刻液を使う。
の素材よりなる鍍金種子層を、一般的な蒸着法により１
００乃至２０００Å程の厚さで形成する。そして、鍍金
種子層の上に、鍍金のための開口を持つフォトレジスト
層を形成する。続いて、鍍金法により前記開口を通じて
前記種子層に、Ｃｒ，Ｃｕなどの金属で所定厚さの金属
マスク層を形成する。金属マスク層が形成された後、ア
セトンなどの溶剤でフォトレジスト層を除去し、通常の
方法にしたがって前記磁気形成層をエッチングし、目的
とする形態の磁気ヘッドを得る。なお、残留する金属マ
スク層は湿式法により除去することが望ましく、このと
きの溶剤としては例えばシアン化鉄系蝕刻液を使う。
【００１８】図１３Ａ乃至図１８Ｂは、上で説明した本
発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す工程図であ
り、各図面のＡは各段階での磁極先端部位の側断面図、
Ｂは正断面図である。図１３Ａ及び図１３Ｂに示すよう
に、まず既存の方法により、下部磁極層１０の上に絶縁
層２０、下部平坦化層３０、磁気コイル層４０、上部平
坦化層３０が順次積層されている磁気形成層を形成し、
前記磁気形成層の上に上部磁極層５０を蒸着法により形
成する。
発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す工程図であ
り、各図面のＡは各段階での磁極先端部位の側断面図、
Ｂは正断面図である。図１３Ａ及び図１３Ｂに示すよう
に、まず既存の方法により、下部磁極層１０の上に絶縁
層２０、下部平坦化層３０、磁気コイル層４０、上部平
坦化層３０が順次積層されている磁気形成層を形成し、
前記磁気形成層の上に上部磁極層５０を蒸着法により形
成する。
【００１９】次に、図１４Ａ及び図１４Ｂに示すよう
に、前記上部磁極層５０の上に、後続する鍍金過程で使
用される種子層８０を蒸着法により形成する。次に、図
１５Ａ及び図１５Ｂに示すように、前記種子層８０の上
に、前記上部磁極層５０の目的とするパターンに対応す
る開口部を持つフォトレジスト層６０を形成する。この
とき、フォトレジスト層６０は、後続する鍍金過程にお
ける非鍍金領域にのみ形成する。このためには、フォト
レジスト層６０を前記種子層８０の上に全面的に塗布し
た後、露光及び現像過程を実行するフォトリソグラフィ
法を用いる。
に、前記上部磁極層５０の上に、後続する鍍金過程で使
用される種子層８０を蒸着法により形成する。次に、図
１５Ａ及び図１５Ｂに示すように、前記種子層８０の上
に、前記上部磁極層５０の目的とするパターンに対応す
る開口部を持つフォトレジスト層６０を形成する。この
とき、フォトレジスト層６０は、後続する鍍金過程にお
ける非鍍金領域にのみ形成する。このためには、フォト
レジスト層６０を前記種子層８０の上に全面的に塗布し
た後、露光及び現像過程を実行するフォトリソグラフィ
法を用いる。
【００２０】図１６Ａ及び図１６Ｂに示すように、鍍金
法により、前記フォトレジスト層６０が形成されていな
い前記種子層８０の露出面に、金属マスク層９０を所定
厚さで形成し、これに続いてその両側のフォトレジスト
層６０を除去する。次に、図１７Ａ及び図１７Ｂに示す
ように、前記金属マスク層９０に覆われていない部位を
イオンビームエッチング法によりエッチングする。
法により、前記フォトレジスト層６０が形成されていな
い前記種子層８０の露出面に、金属マスク層９０を所定
厚さで形成し、これに続いてその両側のフォトレジスト
層６０を除去する。次に、図１７Ａ及び図１７Ｂに示す
ように、前記金属マスク層９０に覆われていない部位を
イオンビームエッチング法によりエッチングする。
【００２１】さらに、図１８Ａ及び図１８Ｂに示すよう
に、前記金属マスク層９０を除去して、目的とする磁気
ヘッドを得る。以上の実施例における特徴は、上部磁極
層を形成する場合において、金属マスクを鍍金法により
形成するということであるが、このためには、まず鍍金
のためのベース層である種子層を一般的な蒸着法で形成
し、そして目的とするパターンの金属マスクを得るため
にフォトレジスト層に金属マスクの形態に相応する開口
部を配置するようにする。
に、前記金属マスク層９０を除去して、目的とする磁気
ヘッドを得る。以上の実施例における特徴は、上部磁極
層を形成する場合において、金属マスクを鍍金法により
形成するということであるが、このためには、まず鍍金
のためのベース層である種子層を一般的な蒸着法で形成
し、そして目的とするパターンの金属マスクを得るため
にフォトレジスト層に金属マスクの形態に相応する開口
部を配置するようにする。
【００２２】これによって、磁極膜の上下部の差を縮め
ることができ、収率を向上させることができる。また、
マスクの制作のとき使われるフォトレジストの除去が容
易になる。さらに、マスクの制作が容易である。この実
施例によると、フォトレジスト層の形態により金属マス
ク層のパターンを容易に精密に変更でき、製品ごとの工
程上誤差による加工品の寸法偏差の発生を減らすことに
より、上部磁極層の再現性を極大化することができる。
結果的に、完成された薄膜磁気ヘッドの不良率の最少化
ができるばかりでなく、製品間の性能差を縮められる。
ることができ、収率を向上させることができる。また、
マスクの制作のとき使われるフォトレジストの除去が容
易になる。さらに、マスクの制作が容易である。この実
施例によると、フォトレジスト層の形態により金属マス
ク層のパターンを容易に精密に変更でき、製品ごとの工
程上誤差による加工品の寸法偏差の発生を減らすことに
より、上部磁極層の再現性を極大化することができる。
結果的に、完成された薄膜磁気ヘッドの不良率の最少化
ができるばかりでなく、製品間の性能差を縮められる。
【００２３】また、金属マスクを使えることになり、フ
ォトレジストのような相当な厚さを持つマスクによる影
効果を減らすことにより、上部磁極層の上下部幅の差異
を縮められる。また鍍金により金属マスクを形成できる
ので、金属マスクの素材を選択する上において制約が減
り、素材選択の自由が高まる。また高度化されたフォト
レジスト層の形成方法により金属マスク層を形成するの
で、微細な磁極層の幅の調節が可能となる。
ォトレジストのような相当な厚さを持つマスクによる影
効果を減らすことにより、上部磁極層の上下部幅の差異
を縮められる。また鍍金により金属マスクを形成できる
ので、金属マスクの素材を選択する上において制約が減
り、素材選択の自由が高まる。また高度化されたフォト
レジスト層の形成方法により金属マスク層を形成するの
で、微細な磁極層の幅の調節が可能となる。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、まず鍍金のためのベー
ス層である種子層を形成し、そして目的とするパターン
の金属マスクを得るために絶縁層に金属マスクの形態に
相応する開口部を形成するので、完成された薄膜磁気ヘ
ッドの不良率を低め、製品間の性能差を小さくでき、素
材の選択範囲が広く、しかも条件設定の容易な薄膜磁気
ヘッドの製造方法が実現できる。
ス層である種子層を形成し、そして目的とするパターン
の金属マスクを得るために絶縁層に金属マスクの形態に
相応する開口部を形成するので、完成された薄膜磁気ヘ
ッドの不良率を低め、製品間の性能差を小さくでき、素
材の選択範囲が広く、しかも条件設定の容易な薄膜磁気
ヘッドの製造方法が実現できる。
【図１】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す加工工
程図である。
程図である。
【図２】図１に続く製造方法を示す加工工程図である。
【図３】図２に続く製造方法を示す加工工程図である。
【図４】図３に続く製造方法を示す加工工程図である。
【図５】図１ないし図４に示す従来の製造方法によって
得られた上部磁極膜のエッチング状態を示す図面であ
る。
得られた上部磁極膜のエッチング状態を示す図面であ
る。
【図６】別の従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す加
工工程図である。
工工程図である。
【図７】図６に続く製造方法を示す加工工程図である。
【図８】図７に続く製造方法を示す加工工程図である。
【図９】図８に続く製造方法を示す加工工程図である。
【図１０】図９に続く製造方法を示す加工工程図であ
る。
る。
【図１１】図１０に続く製造方法を示す加工工程図であ
る。
る。
【図１２】図６ないし図１１に示す従来の製造方法によ
って得られた上部磁極膜のエッチング状態を示す図面で
ある。
って得られた上部磁極膜のエッチング状態を示す図面で
ある。
【図１３】本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法を示
す加工工程図である。
す加工工程図である。
【図１４】図１３に続く製造方法を示す加工工程図であ
る。
る。
【図１５】図１４に続く製造方法を示す加工工程図であ
る。
る。
【図１６】図１５に続く製造方法を示す加工工程図であ
る。
る。
【図１７】図１６に続く製造方法を示す加工工程図であ
る。
る。
【図１８】図１７に続く製造方法を示す加工工程図であ
る。
る。
【符号の説明】 １０ 下部磁極層 ２０ 絶縁層 ３０ 下部平坦化層 ４０ 磁気コイル層 ３０ 上部平坦化層 ５０ 上部磁極層 ６０ フォトレジスト層 ８０ 種子層 ９０ 金属マスク層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 クク−ヒュン スンウー 大韓民国，キュンキ−ド，スウォン−シテ ィ，ジャンアン−ク，ヨンム−ドン 233 −１，チョンウー ビラ ３ビー−101
Claims (8)
- 【請求項１】下部磁極層の上に形成されたエッチング対
象の磁気形成層に上部磁気層を形成する段階と、 前記上部磁極層に鍍金のための金属性種子層を形成する
段階と、 前記種子層の上に、上部磁極層の目的とするパターンに
対応する開口部を持つ絶縁層を形成する段階と、 鍍金法により前記種子層の露出面に金属マスク層を形成
する段階と、 前記絶縁層を除去して前記金属マスク層に覆われていな
い前記磁気形成層の露出部位を所定の深さでエッチング
する段階と、を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】前記種子層はＣｕを少なくとも主成分とす
る金属製である、請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法。 - 【請求項３】前記種子層は１００乃至２０００Åの厚さ
で形成される、請求項１または２に記載の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。 - 【請求項４】前記金属マスク層は、ＣｒまたはＣｕを含
む金属製である、請求項１乃至３のいずれかに記載の薄
膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項５】下部磁極層の上に磁気ギャップを備えるた
めの絶縁層を形成する段階と、 前記絶縁層の上に磁気コイルを含む磁気形成層を形成す
る段階と、 前記磁気形成層の上に上部磁極層を形成する段階と、 鍍金のための金属性種子層を前記上部磁極層の上に形成
する段階と、 前記種子層の上に、上部磁極層の目的とするパターンに
対応する開口部を持つフォトレジスト層を形成する段階
と、 前記フォトレジスト層に覆われていない前記種子層の露
出面に鍍金法により金属マスク層を形成する段階と、 前記フォトレジスト層を除去する段階と、 前記金属マスク層に覆われていない上部磁極層の一部位
をエッチングし、前記金属マスク層の下部に目的とする
形状の上部磁極層を残留させる段階と、 前記種子層と金属マスク層を除去する段階と、を含む薄
膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項６】前記種子層はＣｕを少なくとも主成分とす
る金属製である、請求項５に記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法。 - 【請求項７】前記種子層は１００乃至２０００Åの厚さ
で形成される、請求項５または６に記載の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。 - 【請求項８】前記金属マスク層は、ＣｒまたはＣｕを含
む金属製である、請求項５乃至７のいずれかに記載の薄
膜磁気ヘッドの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1995P13698 | 1995-05-29 | ||
| KR1019950013698A KR960042532A (ko) | 1995-05-29 | 1995-05-29 | 박막 자기 헤드의 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08329419A true JPH08329419A (ja) | 1996-12-13 |
Family
ID=19415766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8043467A Pending JPH08329419A (ja) | 1995-05-29 | 1996-02-29 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5695656A (ja) |
| JP (1) | JPH08329419A (ja) |
| KR (1) | KR960042532A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5874010A (en) * | 1996-07-17 | 1999-02-23 | Headway Technologies, Inc. | Pole trimming technique for high data rate thin film heads |
| JP2953401B2 (ja) * | 1996-10-04 | 1999-09-27 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法 |
| US6586049B2 (en) * | 1997-08-28 | 2003-07-01 | Tdk Corporation | Patterning method using mask and manufacturing method for composite type thin film magnetic head using the patterning method |
| US6445536B1 (en) * | 1998-08-27 | 2002-09-03 | Read-Rite Corporation | Dielectric stencil-defined write head for MR, GMR, and spin valve high density recording heads |
| US6385008B1 (en) * | 1999-12-16 | 2002-05-07 | International Business Machines Corporation | Reduction of magnetic side writing in thin film magnetic heads using negative profiled pole tips |
| US6859997B1 (en) | 2000-09-19 | 2005-03-01 | Western Digital (Fremont), Inc. | Method for manufacturing a magnetic write element |
| KR100407377B1 (ko) * | 2001-10-30 | 2003-11-28 | 전자부품연구원 | 마이크로 소자의 제조 방법 및 그를 성형하기 위한 금형의제조 방법 |
| US7183224B2 (en) * | 2003-07-30 | 2007-02-27 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Liftoff process for thin photoresist |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4912584A (en) * | 1988-03-09 | 1990-03-27 | Digital Equipment Corporation | Method for fabricating magnetic recording poles |
| US5200056A (en) * | 1990-02-15 | 1993-04-06 | Seagate Technology Inc. | Method for aligning pole tips in a thin film head |
| EP0635821A1 (en) * | 1993-07-22 | 1995-01-25 | International Business Machines Corporation | A process for the fabrication of thin film magnetic heads |
-
1995
- 1995-05-29 KR KR1019950013698A patent/KR960042532A/ko not_active Application Discontinuation
- 1995-12-14 US US08/572,716 patent/US5695656A/en not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-02-29 JP JP8043467A patent/JPH08329419A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960042532A (ko) | 1996-12-21 |
| US5695656A (en) | 1997-12-09 |
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