JPH0810481B2 - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPH0810481B2 JPH0810481B2 JP10220987A JP10220987A JPH0810481B2 JP H0810481 B2 JPH0810481 B2 JP H0810481B2 JP 10220987 A JP10220987 A JP 10220987A JP 10220987 A JP10220987 A JP 10220987A JP H0810481 B2 JPH0810481 B2 JP H0810481B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は磁気記録再生装置に使用する薄膜磁気ヘッド
の製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものである。
従来の技術 近年、磁気記録分野において、高記録密度化に伴い、
狭トラック，マルチトラック化された薄膜磁気ヘッドが
必要となってきている。
狭トラック，マルチトラック化された薄膜磁気ヘッドが
必要となってきている。
この薄膜磁気ヘッドの最も重要な製造プロセスとして
磁気コアの形成があり、この磁気コアの磁気能率を高め
るためには単に透磁率を大きくするだけではなく、磁気
コアを磁束の流れやすい形状に加工する必要がある。そ
のためには （１）磁気空隙部から薄膜コイル上の絶縁層に至る中間
絶縁層を傾斜させる、 （２）薄膜コイル上に形成した凹凸を平坦化するという
２つの加工が必要となる。第４図に従来の薄膜磁気ヘッ
ドの平面図、第５図に第４図のＡ−Ａ′線断面図を用い
て従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す。
磁気コアの形成があり、この磁気コアの磁気能率を高め
るためには単に透磁率を大きくするだけではなく、磁気
コアを磁束の流れやすい形状に加工する必要がある。そ
のためには （１）磁気空隙部から薄膜コイル上の絶縁層に至る中間
絶縁層を傾斜させる、 （２）薄膜コイル上に形成した凹凸を平坦化するという
２つの加工が必要となる。第４図に従来の薄膜磁気ヘッ
ドの平面図、第５図に第４図のＡ−Ａ′線断面図を用い
て従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す。
第４図，第５図において、１は磁性基板、２は第１の
絶縁層、３は薄膜コイル、４は第２の絶縁層、15は第１
のホトレジスト、16は第２のホトレジスト、６は磁気空
隙部絶縁層、７は磁気コア、８は磁気空隙部である。
絶縁層、３は薄膜コイル、４は第２の絶縁層、15は第１
のホトレジスト、16は第２のホトレジスト、６は磁気空
隙部絶縁層、７は磁気コア、８は磁気空隙部である。
次に製造プロセスについて説明する。第５図ａは磁性
基板１上に第１の絶縁層を形成したプロセスを示す。次
に第５図ｂに示すように第１の絶縁層２上に薄膜コイル
３をケミカルエッチング法等で微細パターン加工し、形
成する。その後、第５図ｃに示すように第２の絶縁層４
を形成する。このとき第２の絶縁層４には、薄膜コイル
３の凹凸がそのまま転写されている。第５図ｄは第２の
絶縁層２の凹凸の段差を縮少（平坦化）せしめるため、
第１のホトレジスト15をスピンコートで平坦塗布を行っ
た様子を示す。第５図ｅは第２の絶縁層４と第１のホト
レジスト15をイオンビームエッチング法などを用いて等
しいエッチングレートでエッチングを行ったものを示
す。第５図ｆは、磁気空隙部８及び基板１と磁気コア７
を磁気的に結合するために不必要な第１の絶縁層２と第
２の絶縁層４を除去するために必要なエッチングを行う
ためのパターンを施した第２のホトレジスト16の様子を
示し、第５図ｇに示すように磁気空隙部８から薄膜コイ
ル３上の第２の絶縁層４へ至る中間絶縁層を傾斜させる
ようにエッチングを行い、その後、第２のホトレジスト
16を除去した後、第４図ｈに示すように磁気空隙部絶縁
層６を形成し、磁気コア７を形成する。
基板１上に第１の絶縁層を形成したプロセスを示す。次
に第５図ｂに示すように第１の絶縁層２上に薄膜コイル
３をケミカルエッチング法等で微細パターン加工し、形
成する。その後、第５図ｃに示すように第２の絶縁層４
を形成する。このとき第２の絶縁層４には、薄膜コイル
３の凹凸がそのまま転写されている。第５図ｄは第２の
絶縁層２の凹凸の段差を縮少（平坦化）せしめるため、
第１のホトレジスト15をスピンコートで平坦塗布を行っ
た様子を示す。第５図ｅは第２の絶縁層４と第１のホト
レジスト15をイオンビームエッチング法などを用いて等
しいエッチングレートでエッチングを行ったものを示
す。第５図ｆは、磁気空隙部８及び基板１と磁気コア７
を磁気的に結合するために不必要な第１の絶縁層２と第
２の絶縁層４を除去するために必要なエッチングを行う
ためのパターンを施した第２のホトレジスト16の様子を
示し、第５図ｇに示すように磁気空隙部８から薄膜コイ
ル３上の第２の絶縁層４へ至る中間絶縁層を傾斜させる
ようにエッチングを行い、その後、第２のホトレジスト
16を除去した後、第４図ｈに示すように磁気空隙部絶縁
層６を形成し、磁気コア７を形成する。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上記のような薄膜磁気ヘッドの製造プ
ロセスでは第２の絶縁層４を平坦化を行うために塗布す
る第１のホトレジスト15は薄膜コイル３によって生ずる
段差を０とするように塗布されなければならない。この
ような第１のホトレジスト15の塗布は困難である。従っ
て、第１のホトレジスト15の塗布後の段差は、第５図ｅ
に示されるように、第２の絶縁層４と第１のホトレジス
ト15のエッチングレートが等しい条件でエッチングされ
た後、第２の絶縁層４に転写されるため、第２の絶縁層
４上に形成される磁気コア７も段差をもった凹凸形状と
なり、透磁率の劣化を招き記録再生効率の劣化を招く。
ロセスでは第２の絶縁層４を平坦化を行うために塗布す
る第１のホトレジスト15は薄膜コイル３によって生ずる
段差を０とするように塗布されなければならない。この
ような第１のホトレジスト15の塗布は困難である。従っ
て、第１のホトレジスト15の塗布後の段差は、第５図ｅ
に示されるように、第２の絶縁層４と第１のホトレジス
ト15のエッチングレートが等しい条件でエッチングされ
た後、第２の絶縁層４に転写されるため、第２の絶縁層
４上に形成される磁気コア７も段差をもった凹凸形状と
なり、透磁率の劣化を招き記録再生効率の劣化を招く。
また、平坦化加工と磁気空隙部から薄膜コイル３上の
第２の絶縁層４に至る中間絶縁層を傾斜させる加工プロ
セスが各々存在するため、製造プロセスを複雑にし、薄
膜磁気ヘッドの製造コストを増加させる要因ともなって
いた。
第２の絶縁層４に至る中間絶縁層を傾斜させる加工プロ
セスが各々存在するため、製造プロセスを複雑にし、薄
膜磁気ヘッドの製造コストを増加させる要因ともなって
いた。
本発明は上記問題点に鑑み、磁気コア７の凹凸を解消
し、即ち、第２の絶縁層４の凹凸を解消する平坦化加工
を行い、この平坦化加工と同時に磁気空隙部から薄膜コ
イル上の第２の絶縁層へ至る中間絶縁層の傾斜加工を行
うことによって、磁気コアの特性を向上させ、かつ製造
コストを低減する薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する
ものである。
し、即ち、第２の絶縁層４の凹凸を解消する平坦化加工
を行い、この平坦化加工と同時に磁気空隙部から薄膜コ
イル上の第２の絶縁層へ至る中間絶縁層の傾斜加工を行
うことによって、磁気コアの特性を向上させ、かつ製造
コストを低減する薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する
ものである。
問題点を解決するための手段 上記目的を達するため、本発明の薄膜磁気ヘッドの製
造方法は、平坦化加工及び磁気空隙部から薄膜コイル上
の絶縁層に至る中間絶縁層の傾斜加工を同時に行うもの
である。
造方法は、平坦化加工及び磁気空隙部から薄膜コイル上
の絶縁層に至る中間絶縁層の傾斜加工を同時に行うもの
である。
作用 この製造方法によりエッチング後の薄膜コイル上に形
成された絶縁層は平坦化され、中間絶縁層は最適な傾斜
角度に加工されるため、磁気コアは凹凸がなく、また、
磁気空隙部から薄膜コイルの上部へ至る部分も傾斜をも
って形成されるため段差がない。従って、磁気コア中を
磁束は容易に流れることができ、透磁率の劣化を防ぐこ
とができ記録再生特性を向上させる。そして、平坦化加
工と傾斜加工を同時に行うため、製造プロセスを簡略化
でき、製造コストを低減することができる。
成された絶縁層は平坦化され、中間絶縁層は最適な傾斜
角度に加工されるため、磁気コアは凹凸がなく、また、
磁気空隙部から薄膜コイルの上部へ至る部分も傾斜をも
って形成されるため段差がない。従って、磁気コア中を
磁束は容易に流れることができ、透磁率の劣化を防ぐこ
とができ記録再生特性を向上させる。そして、平坦化加
工と傾斜加工を同時に行うため、製造プロセスを簡略化
でき、製造コストを低減することができる。
実施例 以下に本発明における一実施例について説明する。
第１図は本発明による薄膜磁気ヘッドの製造プロセス
を示したものである。第４図と同様のものには同一番号
を付し、説明を省略する。５はホトレジストである。
を示したものである。第４図と同様のものには同一番号
を付し、説明を省略する。５はホトレジストである。
次に製造プロセスについて説明する。第１図ａは磁性
基板１（Ni−Znフェライト）上に第１の絶縁層２（SiO2
薄膜）が形成された後、薄膜コイル３がケミカルエッチ
ング法等で所定の形状にパターニングされたものを示し
ている。第１図ｂは薄膜コイル３上に第２の絶縁層４
（SiO2薄膜）が形成された様子を示している。このとき
第２の絶縁層４には薄膜コイル３の凹凸がそのまま転写
されている。第１図ｃは、第２の絶縁層４を平坦化する
ためのホトレジスト５を塗布し、その後、磁気空隙部８
及び基板１と磁気コア７を磁気的に係合させるため不必
要な第１の絶縁層２、第２の絶縁層４を除去するために
必要なエッチングを行うためのパターンをホトレジスト
５に形成した様子を示す。このホトレジスト５は後で詳
細に説明するが、所定の厚みと段差を有している。
基板１（Ni−Znフェライト）上に第１の絶縁層２（SiO2
薄膜）が形成された後、薄膜コイル３がケミカルエッチ
ング法等で所定の形状にパターニングされたものを示し
ている。第１図ｂは薄膜コイル３上に第２の絶縁層４
（SiO2薄膜）が形成された様子を示している。このとき
第２の絶縁層４には薄膜コイル３の凹凸がそのまま転写
されている。第１図ｃは、第２の絶縁層４を平坦化する
ためのホトレジスト５を塗布し、その後、磁気空隙部８
及び基板１と磁気コア７を磁気的に係合させるため不必
要な第１の絶縁層２、第２の絶縁層４を除去するために
必要なエッチングを行うためのパターンをホトレジスト
５に形成した様子を示す。このホトレジスト５は後で詳
細に説明するが、所定の厚みと段差を有している。
次に第１図ｄに示すように磁気空隙部８から薄膜コイ
ル３上の第２の絶縁層４へ至る中間絶縁層を最適角度に
傾斜加工させる方法としてイオンビームを用いたイオン
ビームエッチング法を使用した。この方法は加速された
Arイオンをエッチング処理すべき試料に衝突させること
によりエッチングを行うもので、試料に対するイオン入
射角度を制御することによってそのエッチング断面形状
（傾斜角度）を自由に制御できる特徴を有している。こ
の後、第１図ｅに示すように磁気空隙部絶縁層６をSiO2
薄膜で形成し、磁気コア７をセンダスト薄膜で形成す
る。
ル３上の第２の絶縁層４へ至る中間絶縁層を最適角度に
傾斜加工させる方法としてイオンビームを用いたイオン
ビームエッチング法を使用した。この方法は加速された
Arイオンをエッチング処理すべき試料に衝突させること
によりエッチングを行うもので、試料に対するイオン入
射角度を制御することによってそのエッチング断面形状
（傾斜角度）を自由に制御できる特徴を有している。こ
の後、第１図ｅに示すように磁気空隙部絶縁層６をSiO2
薄膜で形成し、磁気コア７をセンダスト薄膜で形成す
る。
前述したように、ホトレジスト５は所定の段差と厚み
を有している。この理由を以下に第２図を用いて説明す
る。第２図は第１図におけるプロセスｃからｄへ至る加
工、即ち、平坦化加工及び中間絶縁層の傾斜加工を詳細
に示したものである。（以後、第２図で示されるプロセ
スを平坦化空隙部傾斜加工と呼ぶ。）第２図において第
１図と同一のものには同一番号を付し、説明を省略す
る。また、ホトレジスト５の段差をRC、厚みをＨ、第２
の絶縁層４の段差をＳ、第１の絶縁層２と第２の絶縁層
４の厚みの和をＬとし、Ａ−Ａ′線はホトレジスト５の
凸部の先端を示し、Ｂ−Ｂ′線は第２の絶縁層４の凸部
の先端を示し、Ｃ−Ｃ′線は第２の絶縁層４の凹部の底
部を示す。
を有している。この理由を以下に第２図を用いて説明す
る。第２図は第１図におけるプロセスｃからｄへ至る加
工、即ち、平坦化加工及び中間絶縁層の傾斜加工を詳細
に示したものである。（以後、第２図で示されるプロセ
スを平坦化空隙部傾斜加工と呼ぶ。）第２図において第
１図と同一のものには同一番号を付し、説明を省略す
る。また、ホトレジスト５の段差をRC、厚みをＨ、第２
の絶縁層４の段差をＳ、第１の絶縁層２と第２の絶縁層
４の厚みの和をＬとし、Ａ−Ａ′線はホトレジスト５の
凸部の先端を示し、Ｂ−Ｂ′線は第２の絶縁層４の凸部
の先端を示し、Ｃ−Ｃ′線は第２の絶縁層４の凹部の底
部を示す。
この加工時のイオンビームエッチング条件は、中間絶
縁層の傾斜角度を最適に加工する第１の絶縁層２および
第２の絶縁層４のエッチング条件で行う。このとき、第
１の絶縁層２および第２の絶縁層４のエッチングレート
をrSとし、ホトレジスト５のエッチングレートをrOとす
る。第２図ａにおいて、前記エッチングレートでエッチ
ングを開始する。第２図ｂはエッチング面がＡ−Ａ′線
よりＢ−Ｂ′線へ移行した時の様子を示している。この
時、薄膜コイル３上のホトレジスト５は（Ｈ＋RC−Ｓ）
だけエッチングされており、これに要した時間をt1とす
ると、 rot1＝Ｈ＋RC−Ｓ ………（１） よりt1は t1＝（Ｈ＋RC−Ｓ）/rO ……（２） となる。さらにエッチングを進行させ、エッチング面が
Ｃ−Ｃ′線に達した時、エッチングを終了する。第２図
ｂから第２図ｃへ移行するまでの時間をt2とする。この
時、薄膜コイル３上の第２の絶縁層４はＳだけエッチン
グされ薄膜コイル３の間に残されたホトレジスト５は
（Ｓ−RC）だけエッチングされる。従って rSt2＝Ｓ …………（３） rOT2＝Ｓ−RC …………（４） となる。（３）式，（４）式よりt2を消去し、RCについ
て解くと、 となる。よって、第２図ａの平坦化加工前のホトレジス
ト５の段差RCは（５）式を満たすような値としておけ
ば、薄膜コイル３上の第２の絶縁層４は完全な平坦化が
できる。
縁層の傾斜角度を最適に加工する第１の絶縁層２および
第２の絶縁層４のエッチング条件で行う。このとき、第
１の絶縁層２および第２の絶縁層４のエッチングレート
をrSとし、ホトレジスト５のエッチングレートをrOとす
る。第２図ａにおいて、前記エッチングレートでエッチ
ングを開始する。第２図ｂはエッチング面がＡ−Ａ′線
よりＢ−Ｂ′線へ移行した時の様子を示している。この
時、薄膜コイル３上のホトレジスト５は（Ｈ＋RC−Ｓ）
だけエッチングされており、これに要した時間をt1とす
ると、 rot1＝Ｈ＋RC−Ｓ ………（１） よりt1は t1＝（Ｈ＋RC−Ｓ）/rO ……（２） となる。さらにエッチングを進行させ、エッチング面が
Ｃ−Ｃ′線に達した時、エッチングを終了する。第２図
ｂから第２図ｃへ移行するまでの時間をt2とする。この
時、薄膜コイル３上の第２の絶縁層４はＳだけエッチン
グされ薄膜コイル３の間に残されたホトレジスト５は
（Ｓ−RC）だけエッチングされる。従って rSt2＝Ｓ …………（３） rOT2＝Ｓ−RC …………（４） となる。（３）式，（４）式よりt2を消去し、RCについ
て解くと、 となる。よって、第２図ａの平坦化加工前のホトレジス
ト５の段差RCは（５）式を満たすような値としておけ
ば、薄膜コイル３上の第２の絶縁層４は完全な平坦化が
できる。
一方、磁気空隙部８の第1,第２絶縁層2,4は、プロセ
スが第２図ａからｃへ進行する時間（t1＋t2）の間に絶
縁層をＬだけエッチングする必要があることから rS（t1＋t2）＝Ｌ …………（６） となる。（２）式，（４）式，（６）式よりt1,t2を消
去すると 即ち、 従って、ホトレジスト５の厚みＨを（８）式を満たす
ようにすれば、平坦化加工を行うと同時に磁気空隙部８
が形成される。
スが第２図ａからｃへ進行する時間（t1＋t2）の間に絶
縁層をＬだけエッチングする必要があることから rS（t1＋t2）＝Ｌ …………（６） となる。（２）式，（４）式，（６）式よりt1,t2を消
去すると 即ち、 従って、ホトレジスト５の厚みＨを（８）式を満たす
ようにすれば、平坦化加工を行うと同時に磁気空隙部８
が形成される。
本実施例において中間絶縁層の傾斜角度を45゜とする
ため、イオンビーム入射角度を45゜とした時にはエッチ
ングレート比rO/rSは第３図から0.78となる。第２の絶
縁層４の段差Ｓを２μｍ、第１の絶縁層２と第２の絶縁
層４の厚みの和Ｌを３μｍと設定しているので（８）
式，（５）式よりホトレジスト５の厚みＨは2.3μｍ、
段差RCは0.33μｍにしなければならない。このようなホ
トレジスト５の塗布は、ホトレジスト５塗布時のスピン
コート回転数、ホトレジスト５の粘度を制御することに
よって行った。本実施例ではホトレジスト５にゴム環化
系ホトレジストを用い、スピンコート回転数を3000rp
m、粘度を120cpとすることによって所定の膜厚と段差を
得た。
ため、イオンビーム入射角度を45゜とした時にはエッチ
ングレート比rO/rSは第３図から0.78となる。第２の絶
縁層４の段差Ｓを２μｍ、第１の絶縁層２と第２の絶縁
層４の厚みの和Ｌを３μｍと設定しているので（８）
式，（５）式よりホトレジスト５の厚みＨは2.3μｍ、
段差RCは0.33μｍにしなければならない。このようなホ
トレジスト５の塗布は、ホトレジスト５塗布時のスピン
コート回転数、ホトレジスト５の粘度を制御することに
よって行った。本実施例ではホトレジスト５にゴム環化
系ホトレジストを用い、スピンコート回転数を3000rp
m、粘度を120cpとすることによって所定の膜厚と段差を
得た。
上記のような手法により中間絶縁層の傾斜角度を45
゜、平坦化後の第２の絶縁層４の段差を0.1μｍ以下に
した。
゜、平坦化後の第２の絶縁層４の段差を0.1μｍ以下に
した。
本実施例においては平坦化空隙部傾斜加工後に磁気空
隙部絶縁層６を形成していたが、平坦化空隙部傾斜加工
の際に、磁気空隙部８となる部分の第１および第２の絶
縁層2,4の一部を残してエッチングし、このエッチング
残り厚みが磁気空隙部絶縁層６と同じ厚みｇとなるよう
にホトレジスト５の厚みＨを設定することも可能であ
る。この場合、ホトレジスト５の厚みＨは（８）式のか
わりに次式 を用いればよい。
隙部絶縁層６を形成していたが、平坦化空隙部傾斜加工
の際に、磁気空隙部８となる部分の第１および第２の絶
縁層2,4の一部を残してエッチングし、このエッチング
残り厚みが磁気空隙部絶縁層６と同じ厚みｇとなるよう
にホトレジスト５の厚みＨを設定することも可能であ
る。この場合、ホトレジスト５の厚みＨは（８）式のか
わりに次式 を用いればよい。
発明の効果 以上のように本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法によ
れば、例えば薄膜コイル上の絶縁層に生じた段差をホト
レジストを所定の厚みＨ及び段差RS即ち rS;磁気空隙部から薄膜コイル上の絶縁層へ至る中間絶
縁層を最適角度にエッチングする条件下での絶縁層エッ
チングレート rO;上記エッチング条件下におけるホトレジストのエッ
チングレート S;薄膜コイル上に形成された絶縁層の段差 L;磁気空隙部においてエッチングされる絶縁層の厚み で塗布し平坦化空隙部加工を行なうことにより、このプ
ロセス後に形成される磁気コアの形状に段差等が生ずる
ことがないため、磁束が流れやすくなり記録再生効率を
著しく向上させることができる。また、平坦化と磁気空
隙部は同時に形成，加工できるため、製造プロセスが大
幅に簡略化され、製造コストを低減できるので安価に磁
気記録再生効率に優れた薄膜磁気ヘッドを提供すること
ができるという効果を有する。
れば、例えば薄膜コイル上の絶縁層に生じた段差をホト
レジストを所定の厚みＨ及び段差RS即ち rS;磁気空隙部から薄膜コイル上の絶縁層へ至る中間絶
縁層を最適角度にエッチングする条件下での絶縁層エッ
チングレート rO;上記エッチング条件下におけるホトレジストのエッ
チングレート S;薄膜コイル上に形成された絶縁層の段差 L;磁気空隙部においてエッチングされる絶縁層の厚み で塗布し平坦化空隙部加工を行なうことにより、このプ
ロセス後に形成される磁気コアの形状に段差等が生ずる
ことがないため、磁束が流れやすくなり記録再生効率を
著しく向上させることができる。また、平坦化と磁気空
隙部は同時に形成，加工できるため、製造プロセスが大
幅に簡略化され、製造コストを低減できるので安価に磁
気記録再生効率に優れた薄膜磁気ヘッドを提供すること
ができるという効果を有する。
第１図は本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの製
造方法を示す模式図、第２図は本発明の一実施例におけ
る平坦化空隙部加工の模式図、第３図はイオンビームエ
ッチング法によるイオンビーム入射角度とエッチングレ
ート比を示す特性図、第４図は従来の薄膜磁気ヘッドの
平面図、第５図は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示
す模式図である。 １……磁性基板、２……第１の絶縁層、３……薄膜コイ
ル、４……第２の絶縁層、５……ホトレジスト、６……
磁気空隙部絶縁層、７……磁気コア、８……磁気空隙
部。
造方法を示す模式図、第２図は本発明の一実施例におけ
る平坦化空隙部加工の模式図、第３図はイオンビームエ
ッチング法によるイオンビーム入射角度とエッチングレ
ート比を示す特性図、第４図は従来の薄膜磁気ヘッドの
平面図、第５図は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示
す模式図である。 １……磁性基板、２……第１の絶縁層、３……薄膜コイ
ル、４……第２の絶縁層、５……ホトレジスト、６……
磁気空隙部絶縁層、７……磁気コア、８……磁気空隙
部。
Claims (1)
- 【請求項１】磁性基板上に第１の絶縁層、薄膜コイル、
第２の絶縁層、薄膜磁気コアを順次形成する薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法であって、前記薄膜コイルの凹凸が転写
された前記第２の絶縁層の凹凸を平坦にする加工と、磁
気空隙部から前記薄膜コイル上の前記第２の絶縁層上に
至る中間絶縁層の傾斜部を形成する加工とを同時に行う
際に、中間絶縁層の傾斜を最適角度で加工する際の絶縁
層のエッチングレートrs、このときのホトレジストのエ
ッチングレートをr0、薄膜コイル上に形成された中間絶
縁層の段差をＳ、磁気空隙部においてエッチングされる
中間絶縁層の厚みをＬとした時に、ホトレジストの塗布
後の段差Rc、厚みＨを とするようなホトレジスト塗布条件によるホトレジスト
パターンを形成し、中間絶縁層を前記エッチングレート
rsでエッチングを行うことを特徴とする薄膜磁気ヘッド
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10220987A JPH0810481B2 (ja) | 1987-04-24 | 1987-04-24 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10220987A JPH0810481B2 (ja) | 1987-04-24 | 1987-04-24 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63268110A JPS63268110A (ja) | 1988-11-04 |
| JPH0810481B2 true JPH0810481B2 (ja) | 1996-01-31 |
Family
ID=14321270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10220987A Expired - Lifetime JPH0810481B2 (ja) | 1987-04-24 | 1987-04-24 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0810481B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5402293A (en) * | 1990-12-27 | 1995-03-28 | Sony Electronics Inc. | Magneto-optical head having a thin film coil recessed into a magnetic substrate |
| JPH06309610A (ja) * | 1993-04-28 | 1994-11-04 | Sony Corp | 磁気ヘッド |
| DE69527695T2 (de) * | 1994-12-05 | 2003-04-03 | Aiwa Co., Ltd. | Verfahren zur Herstellung einer flacheren Dünnfilm-Struktur |
-
1987
- 1987-04-24 JP JP10220987A patent/JPH0810481B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63268110A (ja) | 1988-11-04 |
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