JP4071787B2 - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、凹凸パターンの記録層を有する磁気記録媒体の製造方法に関する。

従来、ハードディスク等の磁気記録媒体は、記録層を構成する磁性粒子の微細化、材料の変更、ヘッド加工の微細化等の改良により著しい面記録密度の向上が図られており、今後も一層の面記録密度の向上が期待されているが、ヘッドの加工限界、磁界の広がりに起因する、記録対象のトラックに隣りあう他のトラックへの誤った情報の記録やクロストーク等の問題が顕在化し、従来の改良手法による面記録密度の向上は限界にきている。

これに対し、一層の面記録密度の向上を実現可能である磁気記録媒体の候補として、記録層を所定の凹凸パターンで形成し、凹凸パターンの凸部として記録要素を形成したディスクリートトラックメディアやパターンドメディアが提案されている。

一方、ハードディスク等の磁気記録媒体は、表面の凹凸が大きいとヘッドスライダの浮上高さが不安定になるという問題があるため、記録要素の間の凹部を充填材で充填し、記録層の表面を平坦化した磁気記録媒体が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

凹凸パターンの記録層の凹部を充填材で充填し、記録層の表面を平坦化する手法としては、リフトオフ法を利用する手法が知られている。その一例を以下に示す。まず、基板上に一様に連続記録層及びレジスト材を形成してから、露光／現像により凹凸パターンの凹部に相当する部分のレジスト材を除去し、連続記録層における凸部に相当する部分だけをレジスト材で被覆する。この状態で、連続記録層の露出した部分をエッチングし、凹凸パターンの記録層を形成する。更に、記録層及びレジスト材の上に充填材を成膜して記録層の凹部を充填材で充填する。尚、充填材は、凹凸パターンの記録層に倣って凹凸パターンで形成され、レジスト材の上にも堆積する。最後に、有機溶剤によりレジスト層を溶解させてレジスト材と共にレジスト材の上の充填材を除去する。これにより充填材が凹部だけに残存し、表面が平坦化される（例えば、特許文献２、３参照）。

特開２０００−１９５０４２号公報 特公平５−２２２９１号公報 特開２００１−１１００５０号公報

しかしながら、充填材はレジスト材の側面にも成膜され、この部分が凹部内の充填材と一体化した状態でレジスト材の除去後も残存してしまうことがある。即ち、充填材は凹凸パターンの凹部を充填するだけでなく、凹部の端部近傍において突起を形成してしまうことがあり、表面が充分に平坦化されないという問題がある。

尚、レジスト材を過度に厚く形成すれば、レジスト材の側面の根元部分に充填材が成膜されにくくなるので、突起の形成を抑制しうるが、レジスト材を過度に厚く形成すると、露光／現像により凹凸パターンに加工されたレジスト層の凸部が倒壊しやすくなったり、記録層の加工精度が低下するという問題がある。

本発明は、以上の問題に鑑みてなされたものであって、凹凸パターンの記録層を有し、表面が充分に平坦な磁気記録媒体を製造することができる磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。

本発明では、記録層の凸部の上に暫定下地材が形成された被加工体の上に充填材を成膜して凹部を充填してから、凸部を凹部よりも選択的に速く除去する傾向があるドライエッチング法を用いて余剰の充填材を除去することで、暫定下地材の側面を被覆する充填材を効率良く除去できる。更に、暫定下地材に対するエッチングレートが充填材に対するエッチングレートよりも高いエッチング法を用いることで、暫定下地材を選択的に除去し、表面を平坦化できる。

この暫定下地材を選択的に除去するエッチング法は、暫定下地材と化学的に反応して暫定下地材を除去する性質を有する反応ガスを用いるドライエッチング法であることが好ましい。このように、余剰の充填材の除去及び平坦化（暫定下地材の除去）をいずれもドライエッチングで行うことで、ドライプロセス及びウェットプロセスを併用する場合に対し、生産効率を著しく向上させることができる。

又、暫定下地材に対するエッチングレートが充填材に対するエッチングレートよりも高いドライエッチング法により余剰の充填材及び暫定下地材を一工程で除去してもよい。このように一工程で表面を平坦化することで、生産効率を一層向上させることができる。

尚、発明者は本発明に想到する過程で当初、凹凸パターンの記録層に倣って凹凸パターンで成膜される充填材の余剰部分を、凸部を凹部よりも選択的に速く除去する傾向があるイオンビームエッチングのようなドライエッチングで除去するだけで、表面を平坦化できると考え、この手法を実際に試みた。

しかしながら、余剰の充填材をイオンビームエッチングで除去するだけでは、所望のレベルまで充分に表面の段差を低減することは困難であった。その理由は、概ね以下のように考えられる。

ドライエッチングは、表面の凸部を凹部よりも選択的に速く除去する傾向があるが、凸部でもその幅に差があるとエッチングレートに差が生じ、幅が広い凸部よりも幅が狭い凸部を速く除去する。ここで、凸部の幅とは、凸部の上部近傍における高さ方向と略直角な方向の幅のうち、最小の幅という意義で用いる。

磁気記録媒体はデータ領域とサーボ領域とに区分けして使用され、ディスクリートトラックメディアやパターンドメディア等の凹凸パターンの記録層を有する磁気記録媒体は、記録層の凹凸パターンがデータ領域内では概ね一定であっても、データ領域の凹凸パターンとサーボ領域の凹凸パターンは著しく異なる。又、サーボ領域内における記録層の凹凸パターンはサーボ情報パターンに対応した複雑なパターンになることが多い。このため、データ領域とサーボ領域との間や、サーボ領域内で表面粗さに差が生じたり、段差が生じると考えられる。

これに対し、凹部が充填材で構成され、凸部が暫定下地材で構成された被加工体を用意し、暫定下地材に対するエッチングレートが、凹部を構成する充填材に対するエッチングレートよりも高いドライエッチング法で暫定下地材を除去すれば、凹部の加工を抑制しつつ、暫定下地材で構成された総ての凸部を、その幅に拘わらず短時間で除去できるので、表面粗さに差が生じたり、段差が生じることを防止できる。

即ち、次のような本発明により、上記目的を達成することができる。

（１）基板の上に所定の凹凸パターンで形成された記録層及び該記録層の少なくとも凸部の上に形成された暫定下地材を有してなる被加工体を作製する被加工体作製工程と、前記被加工体の上に前記暫定下地材と異なる充填材を成膜して前記凹凸パターンの凹部を充填する充填材成膜工程と、前記記録層の凸部の上に形成された前記暫定下地材の少なくとも側面が露出するように、前記充填材のうち前記記録層の凸部の上面よりも前記基板と反対側に形成された余剰部分の少なくとも一部をドライエッチング法により除去する充填材除去工程と、前記暫定下地材に対するエッチングレートが前記充填材に対するエッチングレートよりも高いエッチング法により前記暫定下地材を除去して表面を平坦化する平坦化工程と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

（２） （１）において、前記平坦化工程におけるエッチング法は、前記暫定下地材と化学的に反応して該暫定下地材を除去する性質を有する反応ガスを用いるドライエッチング法であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

（３） （１）又は（２）において、前記充填材除去工程において、前記被加工体の表面の法線に対し傾斜した方向から該被加工体に加工用ガスを照射することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

（４） （１）乃至（３）のいずれかにおいて、前記充填材除去工程において、前記暫定下地材に対するエッチングレートが前記充填材に対するエッチングレートと同等、又はこれよりも低いドライエッチング法を用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

（５） （１）乃至（３）のいずれかにおいて、前記充填材除去工程において、前記暫定下地材に対するエッチングレートが前記充填材に対するエッチングレートよりも高いドライエッチング法を用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

（６） （５）において、前記被加工体作製工程において、前記充填材除去工程のドライエッチングに対するエッチングレートが前記暫定下地材のエッチングレートよりも低い充填材除去工程用ストップ膜を前記暫定下地材及び前記記録層の間に形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

（７） （４）乃至（６）のいずれかにおいて、前記充填材除去工程において、前記充填材及び前記暫定下地材の一方と選択的に化学的に反応してこれを除去する性質を有する反応ガスを用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

（８） （４）乃至（７）のいずれかにおいて、前記充填材除去工程において、イオンビームエッチングを用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

（９） （１）乃至（８）のいずれかにおいて、前記被加工体作製工程において、前記平坦化工程のエッチングに対するエッチングレートが前記暫定下地材のエッチングレートよりも低い平坦化工程用ストップ膜を前記暫定下地材及び前記記録層の間に形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

（１０） （１）乃至（９）のいずれかにおいて、前記被加工体作製工程において、前記基板の上に形成された連続記録層における前記凹凸パターンの凸部に相当する部分をマスク層で被覆し、前記連続記録層における前記マスクから露出した部分をエッチング法により除去して前記凹凸パターンの記録層を形成し、該記録層の凸部の上に残存する前記マスク層を前記暫定下地材の少なくとも一部として用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

（１１）基板の上に所定の凹凸パターンで形成された記録層及び該記録層の少なくとも凸部の上に形成された暫定下地材を有してなる被加工体を作製する被加工体作製工程と、前記被加工体の上に前記暫定下地材と異なる充填材を成膜して前記凹凸パターンの凹部を充填する充填材成膜工程と、前記暫定下地材に対するエッチングレートが前記充填材に対するエッチングレートよりも高いドライエッチング法により、前記充填材のうち前記記録層の凸部の上面よりも前記基板と反対側に形成された余剰部分及び前記暫定下地材を除去して表面を平坦化する平坦化工程と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

（１２） （１１）において、前記平坦化工程において、前記暫定下地材と化学的に反応して該暫定下地材を除去する性質を有する反応ガスを用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

（１３） （１１）又は（１２）において、前記被加工体作製工程において、前記平坦化工程のドライエッチングに対するエッチングレートが前記暫定下地材のエッチングレートよりも低い坦化工程用ストップ膜を前記暫定下地材及び前記記録層の間に形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

（１４） （１１）乃至（１３）のいずれかにおいて、前記平坦化工程において、前記被加工体の表面の法線に対し傾斜した方向から該被加工体に加工用ガスを照射することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

（１５） （１１）乃至（１４）のいずれかにおいて、前記被加工体作製工程において、前記基板の上に形成された連続記録層における前記凹凸パターンの凸部に相当する部分をマスク層で被覆し、前記連続記録層における前記マスクから露出した部分をエッチング法により除去して前記凹凸パターンの記録層を形成し、該記録層の凸部の上に残存する前記マスク層を前記暫定下地材の少なくとも一部として用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

尚、本出願において、「凹凸パターンで形成された記録層」とは、連続記録層が所定のパターンで分割された多数の記録要素で構成される記録層の他、連続記録層が所定のパターンで部分的に分割して形成され、一部が連続する記録要素で構成される記録層、又、例えば螺旋状の渦巻き形状の記録層のように、基板上の一部に連続して形成される記録層、凸部及び凹部双方が形成された連続した記録層も含む意義で用いることとする。

又、本出願において「エッチングレート」という用語は、単位時間当たりの加工量という意義で用いることとする。

又、本出願において「磁気記録媒体」という用語は、情報の記録、読み取りに磁気のみを用いるハードディスク、フロッピー（登録商標）ディスク、磁気テープ等に限定されず、磁気と光を併用するＭＯ（Ｍａｇｎｅｔｏ Ｏｐｔｉｃａｌ）等の光磁気記録媒体、磁気と熱を併用する熱アシスト型の記録媒体も含む意義で用いることとする。

又、本出願において「イオンビームエッチング」という用語は、例えばイオンミリング等の、イオン化したガスを被加工体に照射して加工対象物を除去する加工方法の総称という意義で用いることとする。

本発明によれば、凹凸パターンの記録層を有し、表面が充分に平坦な磁気記録媒体を製造することができる。

以下、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。

本発明の第１実施形態は、基板１２上に連続記録層２０等を形成してなる図１に示されるような被加工体１０の加工出発体に加工を施すことにより、連続記録層２０を図２に示されるように多数の記録要素３２Ａ（記録層の凸部）に分割して所定の凹凸パターンの記録層３２を形成すると共に記録要素３２Ａの間の凹部（凹凸パターンの凹部）３４に充填材３６を充填して表面を平坦化し、磁気記録媒体３０を製造する方法に関するものであり、余剰の充填材３６を除去する工程及び表面を平坦化する工程に特徴を有している。他の工程については本第１実施形態の理解のために特に重要とは思われないため説明を適宜省略することとする。

被加工体１０の加工出発体は、図１に示されるように、基板１２上に、下地層１４、反強磁性層１５、軟磁性層１６、配向層１８、連続記録層２０、ストップ膜３５、第１のマスク層（暫定下地材）２２、第２のマスク層２４、レジスト層２６がこの順で形成された構成である。

基板１２の材料は、ガラス、Ａｌ_２Ｏ_３（アルミナ）等である。下地層１４は、厚さが２〜４０ｎｍで、材料はＴａ等である。反強磁性層１５は、厚さが５〜５０ｎｍで、材料はＰｔＭｎ合金、ＲｕＭｎ合金等である。軟磁性層１６は、厚さが５０〜３００ｎｍで、材料はＦｅ（鉄）合金又はＣｏ（コバルト）合金である。配向層１８は、厚さが２〜４０ｎｍで、材料は非磁性のＣｏＣｒ合金、Ｔｉ、Ｒｕ、ＲｕとＴａの積層体、ＭｇＯ等である。

連続記録層２０は、厚さが５〜３０ｎｍで、材料はＣｏＣｒ（コバルト−クロム）合金である。

第１のマスク層２２は、厚さが３〜５０ｎｍで、材料はＣ（炭素）である。第１のマスク層２２は、後述する平坦化工程（Ｓ１０８）において選択的に短時間で除去される暫定下地材を兼ねている。

第２のマスク層２４は、厚さが３〜３０ｎｍで、材料はＮｉ（ニッケル）である。レジスト層２６は、厚さが３０〜３００ｎｍで、材料はネガ型レジスト（ＮＥＢ２２Ａ 住友化学工業株式会社製）である。

ストップ膜３５は、厚さが１〜１０ｎｍで、材料はＴａ（タンタル）である。Ｔａは、加工用ガスとしてＡｒ（アルゴン）ガスを用いるイオンビームエッチングに対するエッチングレートが、Ａｒガスの入射角が高角度（９０°近傍）ではＣ（第１のマスク層２２）のエッチングレートよりも高いが、Ａｒガスの入射角が低角度（−１０〜１５°程度）ではＣ（第１のマスク層２２＝暫定下地材）のエッチングレートよりも低いので、後述する充填材除去工程（Ｓ１０６）においてストップ膜として機能する。又、Ｔａは、加工用ガスとしてＯ_２（酸素）又はＯ_３（オゾン）ガスを用いるドライエッチングに対するエッチングレートが、Ｃのエッチングレートよりも低いので、後述する平坦化工程（Ｓ１０８）においてもストップ膜として機能する。即ち、ストップ膜３５は、充填材除去工程用ストップ膜と平坦化工程用ストップ膜とを兼ねている。

尚、本出願において「入射角」とは、被加工体の表面に対する入射角度であって、被加工体の表面とイオンビームの中心軸とが形成する角度という意義で用いることとする。例えば、イオンビームの中心軸が被加工体の表面と平行である場合、入射角は０°である。

磁気記録媒体３０は、垂直記録型のディスクリートトラックタイプの磁気ディスクで、記録層３２は、前記連続記録層２０が径方向に微細な間隔で多数の同心円弧状の記録要素３２Ａに分割された凹凸パターン形状とされている。記録要素３２Ａの上にはストップ膜３５が形成されている。又、ストップ膜３５及び充填材３６上には保護層３８、潤滑層４０がこの順で形成されている。尚、磁気記録媒体３０はサーボ領域において、記録層３２が所定のサーボパターンで形成されている。

充填材３６の材料は、非磁性材料であるＳｉＯ_２（二酸化ケイ素）である。

保護層３８の材料は、ダイヤモンドライクカーボンと呼称される硬質炭素膜である。尚、本明細書において「ダイヤモンドライクカーボン（以下、「ＤＬＣ」という）」という用語は、炭素を主成分とし、アモルファス構造であって、ビッカース硬度測定で２×１０^９〜８×１０^１０Ｐａ程度の硬さを示す材料という意義で用いることとする。潤滑層４０の材料はＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）である。

次に、図３に示すフローチャートに沿って、被加工体１０の加工方法について説明する。

まず、被加工体作製工程を実行する（Ｓ１０２）。具体的には、図１に示される被加工体１０の加工出発体を加工し、凹凸パターンで形成された記録層３２及び記録層３２の凸部である記録要素３２Ａの上に形成された第１のマスク層２２（暫定下地材）を有してなる被加工体１０を作製する。この加工出発体は基板１２の上に、下地層１４、反強磁性層１５、軟磁性層１６、配向層１８、連続記録層２０、ストップ膜３５、第１のマスク層２２、第２のマスク層２４をこの順でスパッタリング法により形成し、更にレジスト層２６をスピンコート法で塗布することにより得られる。尚、ディッピング法によりレジスト層２６を塗布してもよい。

この被加工体１０の加工出発体のレジスト層２６に転写装置（図示省略）を用いて、図４に示されるようにコンタクトホールを含む所定のサーボパターン及びトラックパターンに相当する凹凸パターンをナノ・インプリント法により転写し、Ｏ_２又はＯ_３ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングにより、凹部底部のレジスト層２６を除去する。尚、レジスト層２６を露光・現像して、凹凸パターンを形成してもよい。

次に、Ａｒガスを用いたイオンビームエッチング（入射角約９０°）により、凹部底部の第２のマスク層２４を除去する。更に、Ｏ_２又はＯ_３ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、凹部底部の第１のマスク層２２を除去する。更に、Ａｒガスを用いたイオンビームエッチングにより、凹部底部のストップ膜３５及び連続記録層２０を除去し、連続記録層２０を多数の記録要素３２Ａに分割する。この際、記録要素３２Ａの上に第１のマスク層２２を暫定下地材として残存させる。これにより、図５に示されるように、凹凸パターンで形成された記録層３２及び記録層３２の凸部である記録要素３２Ａの上に形成された第１のマスク層２２（暫定下地材）を有してなる被加工体１０が得られる。

次に、充填材成膜工程を実行する（Ｓ１０４）。具体的には、バイアススパッタリング法により被加工体１０の表面に充填材３６を成膜する。ＳｉＯ_２の粒子は被加工体１０の表面に一様に堆積しようとするので、表面が凹凸形状となるが、被加工体１０にバイアス電圧を印加することにより、スパッタリングガスは被加工体１０の方向に付勢されて堆積済みのＳｉＯ_２に衝突し、堆積済みのＳｉＯ_２の一部をエッチングする。このエッチング作用は、堆積済みのＳｉＯ_２のうち、突出した部分を他部よりも早く選択的に除去する傾向があるので、表面の凹凸がある程度均される。成膜作用がエッチング作用を上回ることで表面の凹凸が抑制されつつ成膜が進行する。

これにより、図６に示されるように、表面の凹凸がある程度抑制された形状で充填材３６が記録層３２を覆うように成膜され、凹部３４に充填材３６が充填される。尚、図６は本第１実施形態の理解のため、凹凸形状を実際よりも強調して描いている。

次に、充填材除去工程を実行する（Ｓ１０６）。具体的には、Ａｒガスを用いたイオンビームエッチングにより、入射角２°でＡｒガスを照射し、図７に示されるように、第１のマスク層（暫定下地材）２２の少なくとも側面が露出するように、充填材３６のうち記録要素３２Ａの上面よりも基板１２と反対側に形成された余剰部分を除去する。

ドライエッチング法は、凸部を凹部よりも選択的に速く除去する傾向があるので、第１のマスク層（暫定下地材）２２の側面を被覆する充填材３６を効率良く除去できる。特にイオンビームエッチング（反応性イオンビームエッチングを含む）は凸部を凹部よりも選択的に速く除去する傾向が強いため、平坦化効果が高い。更に、イオンビームエッチングの加工用ガスとしてＡｒガスのような不活性ガスを用いると、異方性エッチング効果が高くなるため、凸部を凹部よりも速く除去する傾向が強まり、平坦化効果を一層高めることができる。

尚、Ａｒガスの入射角は必ずしも２°に限定されないが、図７中に矢印で示されるように、被加工体１０の表面の法線に対して傾斜した方向から被加工体１０にＡｒガスを照射することが好ましい。具体的にはＡｒガスの入射角は表面に対して−１０〜１５°の範囲とすることが好ましい。このようにすることで、凸部を凹部よりも速く除去する傾向を強め、第１のマスク層２２の側面に成膜された充填材３６に対するエッチングレートを高めることができ、又、平坦化効果を高めることができる。

凹部３４における充填材３６の上面の高さと、ストップ膜３５の上面の高さと、がほぼ一致したところでイオンビームエッチングを停止する。これにより、図７に示されるように、記録要素３２Ａの上の余剰の充填材３６は概ね除去される。又、第１のマスク層２２は端部が他部よりも速く除去されるが、ストップ膜３５を完全に被覆した状態でストップ膜３５上に残存する。従って、記録要素３２は、第１のマスク層２２によりイオンビームエッチングから保護される。尚、万が一、第１のマスク層２２の端部がストップ膜３５の上面まで除去されても、記録要素３２Ａは、ストップ膜３５によりイオンビームエッチングから保護される。

このように、凹部３４における充填材３６の上面の高さと、ストップ膜３５の上面の高さと、がほぼ一致したところで、第１のマスク層２２が、ストップ膜３５を完全に被覆した状態で残存する理由は、Ａｒガスを用いたイオンビームエッチングに対する、Ｃ（第１のマスク層２２＝暫定下地材）のエッチングレートがＳｉＯ_２（充填材３６）のエッチングレートよりも低いためである。これに対し、加工用ガスとして、Ｃと化学的に反応してＣを除去する性質を有する反応ガスを用いることで、両者のエッチングレートを等しくしたり、逆転させることが可能である。例えば、加工用ガスとして、ＡｒガスとＯ_２又はＯ_３ガスの混合ガスを用い、これらの流量比を調整することにより、両者のエッチングレートを等しくしたり、逆転させることが可能である。

Ｃ（第１のマスク層２２＝暫定下地材）に対するエッチングレートを、ＳｉＯ_２（充填材３６）に対するエッチングレートよりも高くした場合、図８に示されるように、凹部３４における充填材３６の上面の高さと、ストップ膜３５の上面の高さと、がほぼ一致したところで、第１のマスク層２２の端部の近傍の部分は、ストップ膜３５の上面まで除去される。このようにすることで、第１のマスク層２２の側面を被覆していた充填材３６が確実に除去されるので、高精度の平坦化を実現できる。

このように、第１のマスク層２２＝暫定下地材に対するエッチングレートを、充填材３６に対するエッチングレートよりも高くする場合、記録要素３２Ａをエッチングから保護するためには、本第１実施形態のように、記録要素３２Ａの上面をストップ膜３５で被覆しておくことが特に好ましい。

又、この場合、充填材除去工程（Ｓ１０６）のドライエッチングに対するストップ膜３５のエッチングレートが充填材３６のエッチングレートよりも低ければ、充填材除去工程（Ｓ１０６）におけるエッチングの停止の制御が容易となり、加工精度が向上するので、より好ましい。本第１実施形態では、ストップ膜３５の材料がＴａ、充填材３６の材料がＳｉＯ_２であり、充填材除去工程（Ｓ１０６）のドライエッチングに対するＴａのエッチングレートはＳｉＯ_２のエッチングレートよりも低いので、この条件を満たしている。

又、両者のエッチングレートを等しくした場合、図９に示されるように、凹部３４における充填材３６の上面の高さと、ストップ膜３５の上面の高さと、がほぼ一致したところで、第１のマスク層２２は、ストップ膜３５を完全に被覆した状態で、且つ、端部の厚さがほぼ０となるように、ストップ膜３５の上に残存する。このようにすることで、第１のマスク層２２の側面を被覆していた充填材３６が確実に除去され、且つ、記録要素３２をイオンビームエッチングから保護できる。

次に、平坦化工程を実行する（Ｓ１０８）。具体的には、ＳｉＯ_２（充填材３６）に対するエッチングレートよりもＣ（第１のマスク層２２＝暫定下地材）に対するエッチングレートが高いエッチング法により、図１０に示されるように、第１のマスク層２２を除去して表面を平坦化する。例えば、Ｏ_２又はＯ_３ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングを用いることができる。

これにより、凹部を構成する充填材３６の加工を抑制しつつ、凸部を構成する第１のマスク層２２が迅速に除去される。凸部を構成する第１のマスク層は、その幅により一時的にエッチングレートの差が生じうるが、短時間で総ての第１のマスク層が除去される。尚、充填材除去工程（Ｓ１０６）後、第１のマスク層２２の上に余剰の充填材３６の一部が残存することがあるが、これも第１のマスク層２２と共に除去される。又、ストップ膜３５及び凹部３４を充填する充填材３６は、第１のマスク層２２よりも平坦化工程（Ｓ１０８）におけるエッチングレートが低いので、これらの上面の高さはほぼ一致した状態に保持される。即ち、表面が平坦化される。尚、記録要素３２Ａは、ストップ膜３５により、エッチングから保護される。

このように、第１のマスク層２２は暫定下地材を兼ねており、平坦化工程（Ｓ１０８）において、凸部を構成する第１のマスク層２２（暫定下地材）はその幅に拘わらず選択的に短時間で除去されるので、表面粗さに差が生じたり、段差が生じることを防止できる。

次に、ＣＶＤ法により記録要素３２Ａ及び充填材３６の上面に１〜５ｎｍの厚さでＤＬＣの保護層３８を形成し、更に、ディッピング法により保護層３８の上に１〜２ｎｍの厚さでＰＦＰＥの潤滑層４０を塗布する（Ｓ１１０）。これにより、前記図２に示される磁気記録媒体３０が完成する。

以上説明したように、充填材成膜工程(Ｓ１０４)において充填材３６が第１のマスク層（暫定下地材）２２の側面に成膜されても、この部分は、凸部を凹部よりも選択的に速く除去する傾向があるドライエッチング法により充填材除去工程(Ｓ１０６)において除去される。又、暫定下地材を兼ねる第１のマスク層２２やこの上に残存する余剰の充填材３６の一部は、第１のマスク層（暫定下地材）２２に対するエッチングレートが充填材３６に対するエッチングレートよりも高いエッチング法により、平坦化工程（Ｓ１０８）において選択的に除去され、表面が平坦化される。このように（記録要素３２Ａの上の）ストップ膜３５及び充填材３６の表面を確実に平坦化してから保護層３８、潤滑層４０を形成するので、磁気記録媒体３０は、表面が充分に平坦であり、良好なヘッド浮上特性が確実に得られる。

又、平坦化工程（Ｓ１０８）において、第１のマスク層２２を選択的に除去するエッチング法は、第１のマスク層２２と化学的に反応して第１のマスク層２２を除去する性質を有する反応ガスを用いるドライエッチング法であり、充填材除去工程(Ｓ１０６)、平坦化工程（Ｓ１０８）のいずれにおいてもドライエッチングを用いているので、ドライプロセス及びウェットプロセスを併用する場合よりも生産効率が良い。

又、記録要素３２Ａ上にストップ膜３５を形成しているので、充填材除去工程（Ｓ１０６）や平坦化工程（Ｓ１０８）において記録要素３２Ａがエッチングされることがなく、磁気特性が悪化することがない。即ち、磁気記録媒体３０は記録・再生精度が良い。

更に、記録要素３２Ａ上にストップ膜３５を形成しているので、平坦化工程（Ｓ１０８）において記録要素３２Ａをエッチングすることなくストップ膜３５の上の充填材３６を確実に除去することができ、この点でも磁気記録媒体３０は記録・再生精度が良い。

ストップ膜３５は平坦化工程（Ｓ１０８）のエッチングに対するエッチングレートが低いので、それだけ膜厚を薄くすることができ、記録要素３２Ａ上にストップ膜３５が残存しても記録・再生精度に及ぼす影響は小さい。

尚、本第１実施形態において、充填材除去工程（Ｓ１０６）において、ＡｒガスやＡｒとＯ_２又はＯ_３の混合ガスを用いたイオンビームエッチングを採用しているが、Ｋｒ（クリプトン）、Ｘｅ（キセノン）等の他の希ガスを用いたイオンビームエッチングを採用してもよく、更に、例えばＳＦ_６、ＣＦ_４（４フッ化炭素）、Ｃ_２Ｆ_６（６フッ化エタン）等のハロゲン系の反応ガスを用いた反応性イオンビームエッチング、反応ガスと不活性ガスとの混合ガスを用いた反応性イオンビームエッチング等の他のドライエッチングを採用してもよい。

第１のマスク層２２に対するエッチングレートが充填材３６に対するエッチングレートよりも高い、充填材除去工程（Ｓ１０６）のドライエッチング方法、充填材３６、第１のマスク層２２の材料の組合わせとしては、表１の組み合わせを挙げることができる。

一方、第１のマスク層２２に対するエッチングレートが充填材３６に対するエッチングレートよりも低い、充填材除去工程（Ｓ１０６）のドライエッチング方法、充填材３６、第１のマスク層２２の材料の組合わせとしては、下記表２の組み合わせを挙げることができる。

尚、表１、表２では、加工用ガスを１種類単独で用いる例を示しているが、加工用ガスの入射角を調整したり、酸素系ガスやハロゲンガスのような反応ガスと、不活性ガスとの混合ガスを用い、混合比を調整することで、エッチングレートの調整や、第１のマスク層２２に対するエッチングレートと、充填材３６に対するエッチングレートの大小関係の調整が可能であり、第１のマスク層２２に対するエッチングレートと、充填材３６に対するエッチングレートと、をほぼ等しくすることも可能である。

又、本第１実施形態において、充填材３６の材料はＳｉＯ_２、第１のマスク層（暫定下地材）２２の材料はＣであり、又、平坦化工程（Ｓ１０８）は、Ｏ_２又はＯ_３ガスを反応ガスとし、第１のマスク層２２に対するエッチングレートが充填材３６に対するエッチングレートよりも高い反応性イオンエッチングを用いているが、第１のマスク層２２に対するエッチングレートが充填材３６に対するエッチングレートよりも高い組合わせを選択すれば、充填材３６の材料、第１のマスク層（暫定下地材）２２の材料、エッチングの種類は特に限定されない。例えば、充填材３６の材料として、他の酸化物、ＴｉＮ（酸化チタン）等の窒化物、Ｔａ（タンタル）、ＴａＳｉ、Ｓｉ等の他の非磁性材料を用いてもよい。又、用途に応じて、充填材３６の材料として軟磁性材料等を用いてもよい。又、第１のマスク層（暫定下地材）２２の材料としては金属材料や、フォトレジスト材料等を用いてもよい。又、エッチングの種類としては、反応ガスとしてハロゲン系ガスを用いるドライエッチングや、ウェットエッチングを用いてもよい。充填材３６、第１のマスク層２２の材料、平坦化工程（Ｓ１０８）のドライエッチング方法として好ましい組合わせの例を上記表１及び表２に併記する。

次に、本発明の第２実施形態について説明する。

図１１のフローチャートに示されるように、本第２実施形態は、前記第１実施形態が、余剰の充填材３６、第１のマスク層２２（暫定下地材）を充填材除去工程（Ｓ１０６）、平坦化工程（Ｓ１０８）の２工程で除去しているのに対し、平坦化工程（Ｓ２０２）だけで余剰の充填材３６、被覆材４２を除去するようにしたことを特徴としている。他の工程については前記第１実施形態と同様であるので説明を省略する。

本第２実施形態の平坦化工程（Ｓ２０２）では、前記図６に示されるように、充填材３６が成膜されて凹部３４が充填された状態で、第１のマスク層（暫定下地材）２２と化学的に反応して第１のマスク層を除去する性質を有する反応ガスを用い、第１のマスク層２２に対するエッチングレートが充填材３６に対するエッチングレートよりも高いドライエッチング法により、充填材３６の余剰部分及び第１のマスク層２２を除去して表面を平坦化する。

このようなドライエッチング法としては、例えば、加工用ガスとして、ＡｒガスとＯ_２又はＯ_３ガスの混合ガスを用いる反応性イオンビームエッチングを挙げることができる。混合ガスの流量比を調整することにより、充填材３６、第１のマスク層２２のエッチングレートを調節することができる。具体的には、ＡｒガスとＯ_２ガスとの比率を３（Ａｒ）：２（Ｏ_２）程度、又はこれよりもＯ_２の比率を高めることで、ＳｉＯ_２に対するエッチングレートよりもＣに対するエッチングレートを高めることができる。尚、加工用ガスの入射角により、エッチングレートは若干変動する。

凹部３４における充填材３６の上面の高さと、ストップ膜３５の上面の高さと、がほぼ一致したところでドライエッチングを停止する。これにより、前記図１０に示されるように、記録要素３２Ａの上の余剰の充填材３６及び第１のマスク層（暫定下地材）２２は完全に除去され、表面が平坦化される。

尚、記録要素３２Ａの上の第１のマスク層（暫定下地材）２２が完全に除去されてから微小時間内に、凹部を充填する充填材３６の上面がストップ膜３５の上面とほぼ一致するように、記録要素３２Ａの上に残存させる第１のマスク層（暫定下地材）２２の厚さ及び充填材３６の成膜厚さを予め調整しておく。

平坦化工程（Ｓ２０２）のドライエッチングに対するストップ膜３５のエッチングレートが、充填材３６のエッチングレートよりも低ければ、凹部を充填する充填材３６の上面とストップ膜３５の上面とがほぼ一致するように制御することが容易である。本第２実施形態では、ストップ膜３５の材料がＴａ、充填材３６の材料がＳｉＯ_２であり、平坦化工程（Ｓ２０２）のドライエッチングに対するＴａのエッチングレートはＳｉＯ_２のエッチングレートよりも低いので、この条件を満たしている。

このように、平坦化工程（Ｓ２０２）において、凸部を凹部よりも選択的に速く除去する傾向があるドライエッチング法を用いているので、第１のマスク層（暫定下地材）２２の側面を被覆する充填材３６を効率良く除去できる。又、第１のマスク層２２に対するエッチングレートが高いドライエッチング法を用いることで、記録要素３２Ａの上の第１のマスク層２２は迅速に除去される。凸部を構成する第１のマスク層２２は、その幅により一時的にエッチングレートの差が生じうるが、短時間で総ての第１のマスク層２２が除去される。又、ストップ膜３５は、第１のマスク層２２よりも平坦化工程（Ｓ２０２）におけるエッチングレートが低いので、ストップ膜３５の加工を抑制することができる。このように、第１のマスク層２２及び余剰の充填材３６を一工程で除去して表面を平坦化できるので、生産効率の一層の向上を図ることができる。

尚、本第２実施形態において、充填材３６の材料はＳｉＯ_２、第１のマスク層（暫定下地材）２２の材料はＣであり、又、平坦化工程（Ｓ２０２）は、充填材３６に対するエッチングレートよりも第１のマスク層２２に対するエッチングレートが高く、Ｏ_２又はＯ_３を含む加工用ガスを用いる反応性イオンビームエッチングを採用しているが、充填材３６に対するエッチングレートよりも第１のマスク層２２に対するエッチングレートが高い組合わせを選択すれば、充填材３６の材料、第１のマスク層２２の材料、平坦化工程（Ｓ２０２）のドライエッチング方法は特に限定されない。好ましい組合わせの例としては、表３の組合わせを挙げることができる。

尚、表３では、１種類の加工用ガスを単独で用いる例を示しているが、上記第２実施形態のように、第１のマスク層２２に対するエッチングレートと充填材３６に対するエッチングレートとの大小関係が逆転しない範囲で、酸素系ガスやハロゲン系ガスのような反応ガスと不活性ガスとの混合ガスを用いてもよい。

又、前記第１実施形態の充填材除去工程（Ｓ１０６）や前記第２実施形態の平坦化工程（Ｓ２０２）の途中で加工用ガスの種類を変更してもよい。例えば、第１の実施形態の充填材除去工程（Ｓ１０６）又は第２実施形態の平坦化工程（Ｓ２０２）を２つの工程に分けて、最初の工程では加工用ガスとしてＡｒガス等の不活性ガスを用いて暫定下地材に対するエッチングレートが充填材に対するエッチングレートと同等、又はこれよりも低くなるようにし、次の工程でＡｒガスとＯ_２、Ｏ_３ガス等の暫定下地材と化学的に反応するガスとの混合ガスを用いて暫定下地材に対するエッチングレートが充填材に対するエッチングレートよりも高くなるようにしてもよい。又、第１実施形態の充填材除去工程（Ｓ１０６）や第２実施形態の平坦化工程（Ｓ２０２）で加工用ガスとして複数のガスからなる混合ガスを用い、これらの工程の途中で混合ガスの比率を徐々に変えていくようにしてもよい。例えば、これらの工程において加工用ガスとして不活性ガスとＯ_２又はＯ_３ガスとの混合ガスを用い、Ｏ_２又はＯ_３ガスの流量比を徐々に高めていくようにしてもよい。

又、前記第１及び第２実施形態において、ストップ膜３５の材料はＴａであるが、充填材除去工程（Ｓ１０６）、平坦化工程（Ｓ１０８、Ｓ２０２）におけるエッチングレートが低い材料であれば、ストップ膜３５の材料として他の非磁性材を用いてもよい。

又、前記第１実施形態において、ストップ膜３５は、充填材除去工程用ストップ膜と平坦化工程用ストップ膜とを兼ねているが、充填材除去工程用ストップ膜と平坦化工程用ストップ膜とを別々に形成してもよい。

尚、前記第１実施形態において、充填材除去工程（Ｓ１０６）、平坦化工程（Ｓ１０８）のいずれか一方だけにおいてエッチングによる記録層３２のダメージが問題とされ、他方ではエッチングによる記録層３２のダメージが問題とされない場合には、エッチングによる記録層３２のダメージが問題とされる工程のエッチングだけに対してエッチングレートが低い材料をストップ膜３５の材料として用いてもよい。

又、第１のマスク層２２により、記録要素３２Ａをエッチングから充分に保護できる場合や、記録要素３２Ａがエッチングにより受ける影響が充分に小さければ、ストップ膜３５は省略してもよい。この場合、凹部を充填する充填材３６の上面と、記録要素３２Ａの上面と、が一致するように余剰の充填材３６を除去すればよい。前記第２実施形態についても同様である。

又、前記第１及び第２実施形態において、連続記録層２０を記録層３２に加工する際、第１のマスク層２２を記録要素３２Ａの上に残存させ、暫定下地材として利用しているが、連続記録層２０を記録層３２に加工した後、図１２に示されるように、記録層３２の上に暫定下地層５０を成膜してもよい。尚、暫定下地層５０は凹部３４の底面及び側面にも成膜される。この場合、第１のマスク層２２の材料は、暫定下地層としての機能に特に制約されることなく記録層の加工に適したものを適宜選択することができる。尚、連続記録層２０を記録層３２に加工する際、第１のマスク層２２を記録要素３２Ａの上に残存させ、更にこの上に、暫定下地層５０を成膜してもよい。この場合、暫定下地層５０の材料は、平坦化工程（Ｓ１０８、Ｓ２０２）におけるエッチングレートが充填材３６よりも高い材料であれば、第１のマスク層２２と同じ材料でもよく、第１のマスク層２２と異なる材料でもよい。

又、前記第１及び第２実施形態において、第１のマスク層２２、第２のマスク層２４、レジスト層２６を連続記録層２０の上に形成し、４段階のドライエッチングで連続記録層２０を分割し、第１のマスク層２２が暫定下地層を兼ねているが、連続記録層２０を高精度で分割できれば、レジスト層、マスク層の材料、積層数、厚さ等は特に限定されない。例えば、第２のマスク層を省略してもよい。又、第２のマスク層及び第１のマスク層双方を省略してレジスト層を連続記録層上に直接形成し、レジスト層をマスク層として連続記録層を分割すると共に、レジスト層が暫定下地層を兼ねるようにしてもよい。

又、前記第１及び第２実施形態において、バイアススパッタリング法により充填材３６を成膜しているが、例えば、バイアスパワーを印加しないスパッタリング法や、ＣＶＤ法、ＩＢＤ法等の他の成膜手法を用いて、充填材３６を成膜してもよい。

又、前記第１実施形態では充填材成膜工程（Ｓ１０４）の直後に充填材除去工程（Ｓ１０６）を実行し、第２実施形態では充填材成膜工程（Ｓ１０４）の直後に平坦化工程（Ｓ２０２）を実行しているが、充填材３６を成膜した後、充填材３６の上に更に充填材３６とは材質が異なる被覆材を成膜してから充填材除去工程（Ｓ１０６）や平坦化工程（Ｓ２０２）を実行しても良い。この場合、充填材除去工程（Ｓ１０６）（第２実施形態では平坦化工程（Ｓ２０２））において被覆材に対するエッチングレートが充填材３６に対するエッチングレートよりも低くなるように被覆材の材料やエッチング法を選択することが好ましい。又、この場合、凹部３４を充填材３６と被覆材の両方で充填しても良い。例えば、充填材成膜工程（Ｓ１０４）において、凹部３４の深さよりもやや薄い膜厚で充填材３６を凹部３４内に成膜し、この上に被覆材を成膜することで凹部３４を充填材３６及び被覆材の両方で充填することができる。

又、前記第１及び第２実施形態において、連続記録層２０（記録要素３２Ａ）の材料はＣｏＣｒ合金であるが、例えば、鉄族元素（Ｃｏ、Ｆｅ（鉄）、Ｎｉ）を含む他の合金、これらの積層体等の他の材料を用いてもよい。

又、前記第１及び第２実施形態において、連続記録層２０の下に下地層１４、反強磁性層１５、軟磁性層１６、配向層１８が形成されているが、連続記録層２０の下の層の構成は、磁気記録媒体の種類に応じて適宜変更すればよい。例えば、下地層１４、反強磁性層１５、軟磁性層１６、配向層１８のうち一又は二以上の層を省略してもよい。又、基板上に連続記録層を直接形成してもよい。

又、前記第１及び第２実施形態において、磁気記録媒体３０は記録層３２等が基板１２の片面だけに形成されているが、基板の両面に記録層を備える両面記録式の磁気記録媒体の製造にも、本発明は適用可能である。

又、前記第１及び第２実施形態において、磁気記録媒体３０は記録層３２がトラックの径方向に微細な間隔で分割された垂直記録型のディスクリートトラックタイプの磁気ディスクであるが、記録層がトラックの周方向（セクタの方向）に微細な間隔で分割された磁気ディスク、トラックの径方向及び周方向の両方向に微細な間隔で分割された磁気ディスク、凹凸パターンの連続した記録層を有するパーム(ＰＥＲＭ)タイプの磁気ディスク、記録層が螺旋形状をなす磁気ディスクの製造についても本発明は当然適用可能である。又、面内記録型の記録層を有する磁気記録媒体の製造に対しても本発明を適用可能である。又、ＭＯ等の光磁気ディスク、磁気と熱を併用する熱アシスト型の磁気ディスク、更に、磁気テープ等ディスク形状以外の他の凹凸パターンの記録層を有する磁気記録媒体の製造に対しても本発明を適用可能である。

本発明は、例えば、ディスクリートトラックメディア、パターンドメディア等の凹凸パターンの記録層を有する磁気記録媒体を製造するために利用することができる。

本発明の第１実施形態に係る被加工体の加工出発体の構造を模式的に示す側断面図 同被加工体を加工して得られる磁気記録媒体の構造を模式的に示す側断面図 同磁気記録媒体の製造工程の概要を示すフローチャート 前記被加工体の出発体のレジスト層に転写された凹凸パターンを模式的に示す側断面図 連続記録層が分割された前記被加工体の形状を模式的に示す側断面図 充填材が成膜された前記被加工体の形状を模式的に示す側断面図 余剰の充填材の除去により第１のマスク層が露出した前記被加工体の形状を模式的に示す側断面図 余剰の充填材の除去により第１のマスク層が露出した前記被加工体の他の形状例を模式的に示す側断面図 余剰の充填材の除去により第１のマスク層が露出した前記被加工体の他の形状例を模式的に示す側断面図 充填材及びストップ膜の表面が平坦化された前記被加工体の形状を模式的に示す側断面図 本発明の第２実施形態に係る磁気記録媒体の製造工程の概要を示すフローチャート 本発明の実施形態に係る暫定下地材の他の形成例を模式的に示す側断面図

符号の説明

１０…被加工体
１２…基板
１４…下地層
１５…反強磁性層
１６…軟磁性層
１８…配向層
２０…連続記録層
２２…第１のマスク層（暫定下地材）
２４…第２のマスク層
２６…レジスト層
３０…磁気記録媒体
３２…記録層
３２Ａ…記録要素
３４…凹部
３５…ストップ膜
３６…充填材
３８…保護層
４０…潤滑層
５０…暫定下地材
Ｓ１０２…被加工体作製工程
Ｓ１０４…充填材成膜工程
Ｓ１０６…充填材除去工程
Ｓ１０８、Ｓ２０２…平坦化工程
Ｓ１１０…保護層、潤滑層形成工程

Claims (15)

1. 基板の上に所定の凹凸パターンで形成された記録層及び該記録層の少なくとも凸部の上に形成された暫定下地材を有してなる被加工体を作製する被加工体作製工程と、前記被加工体の上に前記暫定下地材と異なる充填材を成膜して前記凹凸パターンの凹部を充填する充填材成膜工程と、前記記録層の凸部の上に形成された前記暫定下地材の少なくとも側面が露出するように、前記充填材のうち前記記録層の凸部の上面よりも前記基板と反対側に形成された余剰部分の少なくとも一部をドライエッチング法により除去する充填材除去工程と、前記暫定下地材に対するエッチングレートが前記充填材に対するエッチングレートよりも高いエッチング法により前記暫定下地材を除去して表面を平坦化する平坦化工程と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
2. 請求項１において、
   前記平坦化工程におけるエッチング法は、前記暫定下地材と化学的に反応して該暫定下地材を除去する性質を有する反応ガスを用いるドライエッチング法であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
3. 請求項１又は２において、
   前記充填材除去工程において、前記被加工体の表面の法線に対し傾斜した方向から該被加工体に加工用ガスを照射することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
4. 請求項１乃至３のいずれかにおいて、
   前記充填材除去工程において、前記暫定下地材に対するエッチングレートが前記充填材に対するエッチングレートと同等、又はこれよりも低いドライエッチング法を用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
5. 請求項１乃至３のいずれかにおいて、
   前記充填材除去工程において、前記暫定下地材に対するエッチングレートが前記充填材に対するエッチングレートよりも高いドライエッチング法を用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
6. 請求項５において、
   前記被加工体作製工程において、前記充填材除去工程のドライエッチングに対するエッチングレートが前記暫定下地材のエッチングレートよりも低い充填材除去工程用ストップ膜を前記暫定下地材及び前記記録層の間に形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
7. 請求項４乃至６のいずれかにおいて、
   前記充填材除去工程において、前記充填材及び前記暫定下地材の一方と選択的に化学的に反応してこれを除去する性質を有する反応ガスを用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
8. 請求項４乃至７のいずれかにおいて、
   前記充填材除去工程において、イオンビームエッチングを用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
9. 請求項１乃至８のいずれかにおいて、
   前記被加工体作製工程において、前記平坦化工程のエッチングに対するエッチングレートが前記暫定下地材のエッチングレートよりも低い平坦化工程用ストップ膜を前記暫定下地材及び前記記録層の間に形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
10. 請求項１乃至９のいずれかにおいて、
    前記被加工体作製工程において、前記基板の上に形成された連続記録層における前記凹凸パターンの凸部に相当する部分をマスク層で被覆し、前記連続記録層における前記マスクから露出した部分をエッチング法により除去して前記凹凸パターンの記録層を形成し、該記録層の凸部の上に残存する前記マスク層を前記暫定下地材の少なくとも一部として用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
11. 基板の上に所定の凹凸パターンで形成された記録層及び該記録層の少なくとも凸部の上に形成された暫定下地材を有してなる被加工体を作製する被加工体作製工程と、前記被加工体の上に前記暫定下地材と異なる充填材を成膜して前記凹凸パターンの凹部を充填する充填材成膜工程と、前記暫定下地材に対するエッチングレートが前記充填材に対するエッチングレートよりも高いドライエッチング法により、前記充填材のうち前記記録層の凸部の上面よりも前記基板と反対側に形成された余剰部分及び前記暫定下地材を除去して表面を平坦化する平坦化工程と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
12. 請求項１１において、
    前記平坦化工程において、前記暫定下地材と化学的に反応して該暫定下地材を除去する性質を有する反応ガスを用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
13. 請求項１１又は１２において、
    前記被加工体作製工程において、前記平坦化工程のドライエッチングに対するエッチングレートが前記暫定下地材のエッチングレートよりも低い平坦化工程用ストップ膜を前記暫定下地材及び前記記録層の間に形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
14. 請求項１１乃至１３のいずれかにおいて、
    前記平坦化工程において、前記被加工体の表面の法線に対し傾斜した方向から該被加工体に加工用ガスを照射することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
15. 請求項１１乃至１４のいずれかにおいて、
    前記被加工体作製工程において、前記基板の上に形成された連続記録層における前記凹凸パターンの凸部に相当する部分をマスク層で被覆し、前記連続記録層における前記マスクから露出した部分をエッチング法により除去して前記凹凸パターンの記録層を形成し、該記録層の凸部の上に残存する前記マスク層を前記暫定下地材の少なくとも一部として用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

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