JPH0371411A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、薄膜磁気ヘッドに係り、特に、磁気ギャップ
深さ、および、磁気ギャップ長さを高精度に形成するこ
とができる薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。

〔従来の技術〕

薄膜磁気ヘッドは磁気ディスク装置等の磁気記録装置の
記録再生ヘッドとして多用されている。

第２図は、代表的な薄膜磁気ヘッドの先端部の断面図で
ある。セラミックス等の基板兼スライダ材１と、その上
に被着されたＡＱｚＯａ等の絶縁材２上に、下部磁性体
３．ギャップ材４．導体コイル５、および、導体コイル
５と磁性体間を絶縁分離する層間絶縁膜６．上部磁性体
７を積層して、トランスデユーサ部を形成し、その上に
ＡＱｘＯｓ等の保護層８を形成した構造である。このよ
うな薄膜磁気ヘッドを製造する七で、ギャップ深さ、及
び、ギャップ長を高精度に加工することが、良好な記録
、再生を得るために重要である。第３図はめつき法で導
体コイルを作製する工程図である。

基板１上に絶縁材、下部磁性体３．ギャップ材４、第一
層絶縁膜６′を形成する（工程（ａ））。

この工程でギャップ材４の膜厚が磁気ギャップ長となる
。また、第一層絶縁膜の先端Ｆが磁気ギャップ深さを決
める位置となる。すなわち、磁気ギャップ深さは磁気ヘ
ッド先端からＦまでの距離である。磁気ギャップ深さは
ヘッド先端部より研削して所定寸法を得るので、絶縁膜
先端Ｆの位置のばらつきが、磁気ギャップ深さ寸法精度
のばらつきとなるので、このＦの位置決めが非常に重要
である。（ｂ）工程でめっきの下地膜の導電膜９を形成
する。（Ｃ）工程でフレームめっき法を用いて導体コイ
ル５を形成し、（ｄ）工程で、導体コイル以外の不要部
分の導電膜９を、スパッタエツチング、あるいは、イオ
ンミリングで除去し、導体コイルが出来る。

〔発明が解決しようとする課題〕

第３図（ｄ）工程の導電膜をスパッタエツチング、ある
いは、イオンミリングで除去する際、導電膜下部のギャ
ップ材４、および、絶縁膜先端部も削られるので、この
導電膜除去工程がギャップ長、ギャップ深さをばらつか
せる原因となっている。このため、従来の磁気ヘッドの
製造ではギャップ材形成時に、あらかじめ、スパッタエ
ツチング、あるいは、イオンミリング等でエツチングさ
れるエツチング量を推定し、そのエツチング量だけプラ
スしてギャップ材を形成しておきスパッタエツチング、
あるいは、イオンミリング等でエツチングされた後、所
定のギャップ膜厚（ギャップ長）になる様にする方法、
また、特開昭６２−７１００７号公報にはギャップ層上
のギャップ部上にレジストの保護層を形成し、その上に
導電膜を形成することによりコイルめっき後、導電膜を
スパッタエツチング、あるいは、イオンミリングで除去
する際、ギャップ層をレジストの保護層で保護し、ギャ
ップ膜厚の減少を防止する方法が記載されている。しか
し、前述の従来技術であるエツチング量だけプラスして
形成する方法は、ギャップ深さに影響を及ぼす絶縁膜の
先端のエツチングによるばらつきの防止の点に考慮がさ
れていない。また、スパッタエツチング、あるいは、イ
オンミリングのエツチング量にはばらつきが大きく、エ
ツチング量の正確な推量は難しく、ギャップ膜厚（ギャ
ップ長）の高精度の形成は困難である。また、特開昭６
２−７１００７号公報に記載のようにギャップ部上にレ
ジスト保護層を設ける方法は、ギャップ長、及び、ギャ
ップ深さの管理には有効であるが、ホトレジスト上にめ
っき用の導電膜を形成する場合の問題について考慮がさ
れておらずレジスト上に導電膜を形成するには、ホトレ
ジストを湿式法で除去することを考慮すると導電膜は１
００〜１２０℃以下の低温で形成する必要があるが、低
温で導電膜を形成すると、絶縁膜、及び、ギャップ材等
との密着力が低く、磁気ヘッド製造プロセス中に導電膜
がはくすする。また、低温で形成した銅等の導電膜の比
抵抗は大きく、結晶粒が不揃いのため、めつき膜厚の異
常が生じるという問題があった。

本発明は、導電膜の密着性、及び、導体コイルの形成に
影響を与えることなく、磁気ギャップ長。

磁気ギャップ深さを高精度に形成することが出来る薄膜
磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するために、めっきコイル形成後の導電
膜除去工程前にギャップ部、及び、磁気ギャップ深さを
決める絶縁膜の先端部の導電膜上にレジスト保護膜を形
成し、スパッタエツチング、あるいは、イオンミリング
で、導体コイル間、及び、レジスト保護層下以外の導電
膜を除去後、レジスト保護層下の絶縁膜を湿式法のエツ
チングにより除去するようにしたものである。

〔作用〕

ギャップ部及びギャップ深さを決める絶縁膜の先端部へ
のスパッタエツチング、及び、イオンミリングのエツチ
ングに対する保護膜はコイルめっき終了後のめつき下地
膜の導電膜除去前に、凛電膜上に形成するので、コイル
めっきまでは従来法と同じなので、導電膜の密着性、及
び、めつき膜厚分布等のめつき工程には影響を及ぼさな
い、また、ギャップ部、及び、絶縁膜先端部の保護膜を
形成した部分以外の導電膜はスパッタエッチ、及び、イ
オンミリング等で除去するので、導体コイル間等、狭い
間隙の導電膜も確実に除去できる。

また、ギャップ部、及び、ギャップ深さを決める絶縁膜
の先端は保護膜でカバーされているので、イオンミリン
グ、及び、スパッタエツチングの時にエツチングされな
い、この保護膜下の導電膜は。

保護膜をばくり後、ウェットエツチング法の湿式法でエ
ツチング除去すれば、湿式法のエツチングは、スパッタ
エツチング、及び、イオンミリングのような物理的エツ
チングと異なるため導電膜のみ選択的にエツチングする
ことができるのでギャップ材、及び、絶縁膜をエツチン
グしないで除去できるので、ギャップ材の膜厚、及び、
絶縁膜の先端位置は変化しない。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を第１５図により説明する（ａ
）工程において、基板上にＡＭｚＯａ膜からなる絶縁材
、下部磁性体３．ギャップ材４．ホトレジストを熱硬化
して第一層絶縁膜６′を形成し、その上にめっき下地膜
の導電膜９を堆積し、ホトレジストを用いたフレームめ
っき法により導体コイル５を形成する。導電膜はスパッ
タリング法でクロームヒ銅の二層膜を形成した。導体コ
イル５は銅である。次に、ギャップ部、及び、絶縁膜先
端の導電膜９上に保護膜１０をレジストで形成する。次
いで、（ｃ）工程でＡｒガスを用いたイオンミリング法
で導電膜を除去する。（ｄ）工程で保護膜のホトレジス
トをレジストばくり液を用いて除去した後、ギャップ部
の導電膜９をウェブ１−エツチングで除去する際に、導
電膜９と導体コイル５がどちらも同じ材質（銅）である
ため、導体コイルもエツチングされるので、本実施例で
はホトレジストで導体コイル保護膜兼第二層絶縁膜６′
で形成し、（ｅ）工程で、ギャップ部、及び、絶縁膜先
端部の導電膜を、硝酸第二セリウムアンモニウム水溶液
を用いて除去した。硝酸第二セリウムアンモニウム水溶
液は導電膜のクローム、及び、銅はエツチングするが、
ギャップ材のＡｌ１１２０３、ホトレジスト硬化膜はエ
ツチングしない。本実施例ではコイル−層の場合につい
て説明したが、多層コイルの場合には本実施例の方法を
繰り返せばよい。また、多層コイルの場合には、第一層
コイル形成時に（８）工程の導電膜除去を行なわず、第
二層以降のコイル形成時には、このギャップ部、及び、
絶縁膜先端部に残った導電膜をイオンミリング、及び、
スパッタエツチングで導電膜を除去する際のギャップ部
、及び、絶縁膜先端の保護膜として用いてもよい。

〔発明の効果〕

本発明によれば、コイル作製時の導電膜を除去する工程
において、ギャップ部、及び、ギャップ深さを決める絶
縁膜の先端部の導電膜はウェットエツチングで除去し、
他の部分はスパッタエツチング、あるいは、イオンミリ
ングにより除去するので、コイル間の導電膜は確実に除
去され、しかも、ギャップ材、及び、絶縁膜の先端部は
削られないので、ギャップ材形成時のギャップ膜厚が変
化せず、高精度のギャップ長（膜厚）が得られる。

また、第一絶縁膜形成時に決められた絶縁膜の先端位置
が動かないので、ギャップ深さ加工において、ギャップ
深さを高精度に加工出来る。このため、ギャップ長、ギ
ャップ深さの寸法精度の向上ができるので、薄膜磁気ヘ
ッドの記録、再生特性の向上、および、薄膜磁気ヘッド
素子間の特性ばらつきが大幅に低減できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例の薄膜磁気ヘッドの工程図、第
２図は薄膜磁気ヘッドの断面図、第３図は従来法の導体
コイル形成工程図である。 １・・・基板、２・・・絶縁材、３・・・下部磁性体、
４・・・ギャップ材、５・・・導体コイル、６．６’　
、６’・・・絶縁膜、７・・・上部磁性体、８・・・保
護層、９・・・導電膜、第 １ 図 第 図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上に下部磁性体、ギャップ材、層間絶縁膜、導
   体コイル、上部磁性体及び保護膜を、順次、形成する薄
   膜磁気ヘッドの製造方法において、前記導体コイルのめ
   つき用導電膜の除去を、ギャップ部及びギャップ深さを
   決める絶縁膜の先端部の導電膜は湿式エッチング法、そ
   れ以外の部分はスパッタエッチングおよびイオンミリン
   グで除去することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方
   法。 ２、請求項１の導電膜の除去が（ａ）ギャップ部、及び
   、絶縁膜の先端部の導電膜上にホトレジストの保護膜を
   形成する工程、（ｂ）前記保護層下の前記導電膜以外の
   前記導電膜をイオンミリングもしくはスパッタエッチン
   グで除去する工程、（ｃ）前記保護膜のレジストを除去
   する工程、（ｄ）前記導体コイル上にコイル保護膜を形
   成する工程、（ｅ）前記ギャップ部及び前記絶縁膜の先
   端部の前記導電膜を湿式エッチングで除去する工程から
   なる薄膜磁気ヘッドの製造方法。