JP2658571B2 - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JP2658571B2 JP2658571B2 JP2337971A JP33797190A JP2658571B2 JP 2658571 B2 JP2658571 B2 JP 2658571B2 JP 2337971 A JP2337971 A JP 2337971A JP 33797190 A JP33797190 A JP 33797190A JP 2658571 B2 JP2658571 B2 JP 2658571B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、磁気記録再生装置に使用する薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法に関する。
ドの製造方法に関する。
従来の技術 近年、磁気記録分野において、高記録密度化に伴い、
狭トラック，マルチトラック化された薄膜磁気ヘッドが
必要となっている。
狭トラック，マルチトラック化された薄膜磁気ヘッドが
必要となっている。
第３図に従来の磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘ
ッドの平面図を示し、第４図に従来の薄膜磁気ヘッドの
製造方法を示す。第４図において、（Ａ）から（Ｄ）を
付したものは第３図のＣ−Ｃ′線断面矢視図、第４図に
おいて、（Ｅ）から（Ｈ）を付したものは第３図のＤ−
Ｄ′線断面矢視図を示している。
ッドの平面図を示し、第４図に従来の薄膜磁気ヘッドの
製造方法を示す。第４図において、（Ａ）から（Ｄ）を
付したものは第３図のＣ−Ｃ′線断面矢視図、第４図に
おいて、（Ｅ）から（Ｈ）を付したものは第３図のＤ−
Ｄ′線断面矢視図を示している。
次に製造方法について説明する。
第４図（Ａ）および（Ｅ）に示すように、磁性基板41
上に第１の絶縁層42、バイアス層43、第２の絶縁層44を
順次形成する。次に第４図（Ｂ）のように磁気抵抗効果
素子45をパーマロイで形成し、第３図に示すリード層46
を形成し、さらに第４図（Ｂ）のように前部ギャップ部
47を形成する。次に第４図（Ｃ）および（Ｇ）のように
ギャップ層48を形成し、第４図（Ｃ）のように後部ギャ
ップ部49を形成し、上部磁気層50を形成する。
上に第１の絶縁層42、バイアス層43、第２の絶縁層44を
順次形成する。次に第４図（Ｂ）のように磁気抵抗効果
素子45をパーマロイで形成し、第３図に示すリード層46
を形成し、さらに第４図（Ｂ）のように前部ギャップ部
47を形成する。次に第４図（Ｃ）および（Ｇ）のように
ギャップ層48を形成し、第４図（Ｃ）のように後部ギャ
ップ部49を形成し、上部磁気層50を形成する。
その後、第３図および第４図（Ｈ）のように端子取り
出し部51を形成し、第４図（Ｄ）および（Ｈ）のように
保護層52を端子取り出し部51には形成しないようにマス
クスパッタ、マスク蒸着などの方法で形成する。このと
き、保護層52の表面はバイアス層43、リード部46、上部
磁性層50などの凹凸がそのまま転写されており、凹凸が
ある状態で保護基板を接着すると接着層の厚みが大きく
なり、テープ摺動面を研磨する際チッピング等を生じる
ため、これを防止する目的で保護層52の表面をラップし
平坦にする。そして保護基板（図示せず）を接着し、テ
ープ摺動面を所定の形状に加工し、チップ化し、端子取
り出し部からワイヤボンディングなどの方法で外部回路
と接続する。
出し部51を形成し、第４図（Ｄ）および（Ｈ）のように
保護層52を端子取り出し部51には形成しないようにマス
クスパッタ、マスク蒸着などの方法で形成する。このと
き、保護層52の表面はバイアス層43、リード部46、上部
磁性層50などの凹凸がそのまま転写されており、凹凸が
ある状態で保護基板を接着すると接着層の厚みが大きく
なり、テープ摺動面を研磨する際チッピング等を生じる
ため、これを防止する目的で保護層52の表面をラップし
平坦にする。そして保護基板（図示せず）を接着し、テ
ープ摺動面を所定の形状に加工し、チップ化し、端子取
り出し部からワイヤボンディングなどの方法で外部回路
と接続する。
発明が解決しようとする課題 上記のような薄膜磁気ヘッドの製造方法では、保護層
52の表面の平坦化ラップ時に、端子取り出し部51で、リ
ード層46、バイアス層43が露出しているため、この部分
も研磨され、リード層46およびバイアス層43の露出部分
が消失する場合があり、外部回路との接続ができなくな
るという問題点があった。
52の表面の平坦化ラップ時に、端子取り出し部51で、リ
ード層46、バイアス層43が露出しているため、この部分
も研磨され、リード層46およびバイアス層43の露出部分
が消失する場合があり、外部回路との接続ができなくな
るという問題点があった。
したがって、保護層52のラップ時に端子取り出し部51
のバイアス層43、リード層46が露出しないようにするた
め、端子取り出し部51を保護層52のラップ終了後に保護
層52をエッチングし、端子取り出し部51を形成する工程
が考えられる。しかしながら、このような工程で保護層
52をエッチングする際、保護層52は５〜10μｍ程度と厚
いため、エッチング時間がかかること、イオンビームエ
ッチング法ではオーバーエッチングで端子部の導体もエ
ッチングされてしまうことなどの理由で問題がある。
のバイアス層43、リード層46が露出しないようにするた
め、端子取り出し部51を保護層52のラップ終了後に保護
層52をエッチングし、端子取り出し部51を形成する工程
が考えられる。しかしながら、このような工程で保護層
52をエッチングする際、保護層52は５〜10μｍ程度と厚
いため、エッチング時間がかかること、イオンビームエ
ッチング法ではオーバーエッチングで端子部の導体もエ
ッチングされてしまうことなどの理由で問題がある。
さらに、上記した磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドは
再生専用のヘッドであり、記録および再生可能なヘッド
とするためには保護層52の上部に記録ヘッドを構成しな
ければならないが、記録ヘッド作製時に再生ヘッドの端
子取り出し部51のバイアス層43、リード層46を保護する
必要があった。
再生専用のヘッドであり、記録および再生可能なヘッド
とするためには保護層52の上部に記録ヘッドを構成しな
ければならないが、記録ヘッド作製時に再生ヘッドの端
子取り出し部51のバイアス層43、リード層46を保護する
必要があった。
本発明は上記問題を解決するもので、保護層の平坦化
ラップ時端子取り出し部のリード層およびバイアス層が
保護され、さらに端子部形成後、この上層に新たなヘッ
ドを形成する場合にも、下層の端子が保護されるように
することを目的とする。
ラップ時端子取り出し部のリード層およびバイアス層が
保護され、さらに端子部形成後、この上層に新たなヘッ
ドを形成する場合にも、下層の端子が保護されるように
することを目的とする。
課題を解決するための手段 この目的を達成するために、本発明の薄膜磁気ヘッド
の製造方法は、端子取り出し部を形成した後、上部磁性
層の形成と同時に端子取り出し部の上にも上部磁性層を
形成するものである。
の製造方法は、端子取り出し部を形成した後、上部磁性
層の形成と同時に端子取り出し部の上にも上部磁性層を
形成するものである。
作用 本発明は上記した製造方法により、端子部の導体を保
護することができ、保護層の平坦化ラップ時に端子取り
出し部のリード層、バイアス層が砥粒にさらされること
なく端子部を保護できる。
護することができ、保護層の平坦化ラップ時に端子取り
出し部のリード層、バイアス層が砥粒にさらされること
なく端子部を保護できる。
また、端子部形成後、この上部に新たなヘッドを形成
する際にも、下層のヘッド端子部を金属層で保護するこ
とができる。
する際にも、下層のヘッド端子部を金属層で保護するこ
とができる。
実施例 以下に本発明の第１の実施例の薄膜磁気ヘッドの製造
方法について図面を参照しながら説明する。
方法について図面を参照しながら説明する。
第１図は本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法によ
って作製した薄膜磁気ヘッドの平面図を、第２図
（Ａ），（Ｂ）は本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方
法について第１図Ａ−Ａ′断面図、第２図（Ｃ），
（Ｄ）は第１図Ｂ−Ｂ′断面図を用いて説明したもので
ある。
って作製した薄膜磁気ヘッドの平面図を、第２図
（Ａ），（Ｂ）は本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方
法について第１図Ａ−Ａ′断面図、第２図（Ｃ），
（Ｄ）は第１図Ｂ−Ｂ′断面図を用いて説明したもので
ある。
次に製造方法について説明する。
第２図（Ａ）に示すように磁性基板１上に第１の絶縁
層２を成膜し、バイアス層３を成膜、パターニングし、
第２の絶縁層を成膜し、磁気抵抗効果素子５を成膜、パ
ターニングした後、磁気抵抗効果素子５のリード層６成
膜、パターニングし、前記ギャップ部７を形成し、ギャ
ップ層８を成膜し、後部ギャップ部９を形成する。
層２を成膜し、バイアス層３を成膜、パターニングし、
第２の絶縁層を成膜し、磁気抵抗効果素子５を成膜、パ
ターニングした後、磁気抵抗効果素子５のリード層６成
膜、パターニングし、前記ギャップ部７を形成し、ギャ
ップ層８を成膜し、後部ギャップ部９を形成する。
その後、バイアス層３及びリード層６端子取り出し部
11を形成する（第２図（Ｃ））。なお、第２図（Ｃ）に
はバイアス層３の端子取り出し部のみを図示している。
11を形成する（第２図（Ｃ））。なお、第２図（Ｃ）に
はバイアス層３の端子取り出し部のみを図示している。
さらに第２図（Ｂ）のように上部磁性層10を成膜パタ
ーニングする。上部磁性層10にはパーマロイ合金膜を使
用した。
ーニングする。上部磁性層10にはパーマロイ合金膜を使
用した。
このとき、上部磁性層10は端子取り出し部11上にも同
時に成膜されており、上部磁性層10のパターニングと同
時に端子取り出し部11上の金属膜12としてパターニング
される。
時に成膜されており、上部磁性層10のパターニングと同
時に端子取り出し部11上の金属膜12としてパターニング
される。
さらに保護層（図示せず）を端子取り出し部11上には
形成しないようにマスクスパッタ、マスク蒸着などの方
法で形成し、前記保護層の表面を平坦に加工した後、保
護基板（図示せず）を接着し、テープ摺動面を所定の形
状に加工し、チップ化し、端子取り出し部11の上に形成
された金属膜12からワイヤボンティングなどの方法で外
部回路と接続する。
形成しないようにマスクスパッタ、マスク蒸着などの方
法で形成し、前記保護層の表面を平坦に加工した後、保
護基板（図示せず）を接着し、テープ摺動面を所定の形
状に加工し、チップ化し、端子取り出し部11の上に形成
された金属膜12からワイヤボンティングなどの方法で外
部回路と接続する。
上記のような製造方法により、保護層の平坦化ラップ
時には端子取り出し部11のリード層６、バイアス層３は
金属膜12で保護されているため砥粒でこの金属膜12が研
磨されても、金属膜12を十分な厚みで形成すれば、金属
膜12の下のリード層6,バイアス層３を研磨し損傷させる
ことはない。
時には端子取り出し部11のリード層６、バイアス層３は
金属膜12で保護されているため砥粒でこの金属膜12が研
磨されても、金属膜12を十分な厚みで形成すれば、金属
膜12の下のリード層6,バイアス層３を研磨し損傷させる
ことはない。
さらに、記録も可能なヘッドとするため保護層13上に
記録ヘッドを構成するような場合、記録ヘッド作製時に
再生ヘッドの端子取り出し部11上に記録ヘッドを構成す
るための薄膜が形成されることになる。したがって、記
録ヘッドの作製工程中または作製工程後に再生ヘッドの
端子取り出し部11上の薄膜をエッチングする必要がある
が、イオンビーム等のエッチング方法により再生ヘッド
の端子取り出し部11上の薄膜をエッチングしても、再生
ヘッドの端子取り出し部11には金属膜12が形成されてい
るので、再生ヘッドの端子取り出し部11のリード層6,バ
イアス層３は損傷を受けることがない。そして、このよ
うに保護層13上に記録ヘッドを構成したとき、記録ヘッ
ドの端子取り出し部に再生ヘッド同様金属膜を形成する
ことにより、記録ヘッド上の保護層の平坦化ラップ時に
おける記録ヘッドおよび下層の再生ヘッドの端子取り出
し部を保護できる。
記録ヘッドを構成するような場合、記録ヘッド作製時に
再生ヘッドの端子取り出し部11上に記録ヘッドを構成す
るための薄膜が形成されることになる。したがって、記
録ヘッドの作製工程中または作製工程後に再生ヘッドの
端子取り出し部11上の薄膜をエッチングする必要がある
が、イオンビーム等のエッチング方法により再生ヘッド
の端子取り出し部11上の薄膜をエッチングしても、再生
ヘッドの端子取り出し部11には金属膜12が形成されてい
るので、再生ヘッドの端子取り出し部11のリード層6,バ
イアス層３は損傷を受けることがない。そして、このよ
うに保護層13上に記録ヘッドを構成したとき、記録ヘッ
ドの端子取り出し部に再生ヘッド同様金属膜を形成する
ことにより、記録ヘッド上の保護層の平坦化ラップ時に
おける記録ヘッドおよび下層の再生ヘッドの端子取り出
し部を保護できる。
なお、記録ヘッドは再生ヘッドの上に形成されるが、
記録ヘッドの端子取り出し部と再生ヘッドの端子取り出
し部は、上下に重ならないように平面的にはずれた位置
に形成する。
記録ヘッドの端子取り出し部と再生ヘッドの端子取り出
し部は、上下に重ならないように平面的にはずれた位置
に形成する。
また、下層の薄膜磁気ヘッドとして磁気抵抗効果素子
を用いた再生ヘッドを、上層の薄膜磁気ヘッドとして記
録ヘッドを構成したが、上層，下層の薄膜磁気ヘッドは
例えば、上下の磁性層と導電コイルを備えた磁気ヘッド
のように、どのような種類のヘッドの組合せでも同様の
効果が得られることは言うまでもない。
を用いた再生ヘッドを、上層の薄膜磁気ヘッドとして記
録ヘッドを構成したが、上層，下層の薄膜磁気ヘッドは
例えば、上下の磁性層と導電コイルを備えた磁気ヘッド
のように、どのような種類のヘッドの組合せでも同様の
効果が得られることは言うまでもない。
発明の効果 以上のように本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、保護層の平坦化ラップ時には端子取り出し部の導
体層は金属膜で保護されているため砥粒で研磨されるこ
とがない。
では、保護層の平坦化ラップ時には端子取り出し部の導
体層は金属膜で保護されているため砥粒で研磨されるこ
とがない。
一方、保護層上にさらに薄膜磁気ヘッドを構成するよ
うな場合、この上層の薄膜磁気ヘッドの作製工程中また
は作製工程後に下層の薄膜磁気ヘッドの端子取り出し部
上の薄膜をエッチングする必要があるが、下層の薄膜磁
気ヘッドの端子取り出し部には金属膜が形成されている
ので、下層の薄膜磁気ヘッドの端子取り出し部の導体層
はこのエッチング時に損傷を受けることがない。また、
上層の薄膜磁気ヘッドの端子取り出し部に下層の薄膜磁
気ヘッド同様金属膜を形成することにより、上層の薄膜
磁気ヘッド上の保護層の平坦化ラップ時における上層の
薄膜磁気ヘッドの端子取り出し部を保護できる。
うな場合、この上層の薄膜磁気ヘッドの作製工程中また
は作製工程後に下層の薄膜磁気ヘッドの端子取り出し部
上の薄膜をエッチングする必要があるが、下層の薄膜磁
気ヘッドの端子取り出し部には金属膜が形成されている
ので、下層の薄膜磁気ヘッドの端子取り出し部の導体層
はこのエッチング時に損傷を受けることがない。また、
上層の薄膜磁気ヘッドの端子取り出し部に下層の薄膜磁
気ヘッド同様金属膜を形成することにより、上層の薄膜
磁気ヘッド上の保護層の平坦化ラップ時における上層の
薄膜磁気ヘッドの端子取り出し部を保護できる。
さらに、金属膜の材料として上部磁性層と同じものを
用い、上部磁気層と同時に金属膜を形成しているため、
製造工程を短縮することができるという効果を有する。
用い、上部磁気層と同時に金属膜を形成しているため、
製造工程を短縮することができるという効果を有する。
第１図は本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法により作製
した薄膜磁気ヘッドの平面図、第２図（Ａ）〜（Ｄ）は
本発明の第１の実施例による薄膜磁気ヘッドの製造工程
断面図、第３図は従来の薄膜磁気ヘッドの平面図、第３
図は従来の薄膜磁気ヘッドの平面図、第４図（Ａ）〜
（Ｈ）は従来の薄膜磁気ヘッドの製造工程断面図であ
る。 １……磁性基板、５……磁気抵抗効果素子、10……上部
磁気層、11……端子取り出し部、12……金属膜。
した薄膜磁気ヘッドの平面図、第２図（Ａ）〜（Ｄ）は
本発明の第１の実施例による薄膜磁気ヘッドの製造工程
断面図、第３図は従来の薄膜磁気ヘッドの平面図、第３
図は従来の薄膜磁気ヘッドの平面図、第４図（Ａ）〜
（Ｈ）は従来の薄膜磁気ヘッドの製造工程断面図であ
る。 １……磁性基板、５……磁気抵抗効果素子、10……上部
磁気層、11……端子取り出し部、12……金属膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 永田 裕二 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭64−14710（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−80121（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−3124（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】下部磁性層と導電コイルと上部磁性層を有
する薄膜磁気ヘッドまたは磁気抵抗効果素子を有する薄
膜磁気ヘッドの製造方法であって、端子取り出し部を形
成した後、上部磁性層の形成と同時に端子取り出し部の
上にも前記上部磁性層を形成することを特徴とする薄膜
磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2337971A JP2658571B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2337971A JP2658571B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04206011A JPH04206011A (ja) | 1992-07-28 |
| JP2658571B2 true JP2658571B2 (ja) | 1997-09-30 |
Family
ID=18313720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2337971A Expired - Fee Related JP2658571B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2658571B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS583124A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS5880121A (ja) * | 1981-11-06 | 1983-05-14 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS6414710A (en) * | 1987-07-08 | 1989-01-18 | Mitsubishi Electric Corp | Production of thin film magnetic head |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2337971A patent/JP2658571B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04206011A (ja) | 1992-07-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080606 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090606 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |