JPS5880121A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS5880121A JPS5880121A JP17876281A JP17876281A JPS5880121A JP S5880121 A JPS5880121 A JP S5880121A JP 17876281 A JP17876281 A JP 17876281A JP 17876281 A JP17876281 A JP 17876281A JP S5880121 A JPS5880121 A JP S5880121A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coil
- film
- thin film
- external terminal
- magnetic head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は#躾磁気ヘッドの製造方法の改良に関するもの
である。
である。
最近ブロック状の磁性体材料を用いた在来型の磁気ヘッ
ドに代って前記磁性体材料を蒸着等の操作により積層し
て形成した薄膜磁気へ、ドが開発されている。
ドに代って前記磁性体材料を蒸着等の操作により積層し
て形成した薄膜磁気へ、ドが開発されている。
この薄膜磁気ヘッドは在来型の磁気ヘッドに比し真空蒸
着等の技術を用いて、磁場や磁束を形成パ するi導体
層や導電体よりなる薄膜のコイルを一体構造として^精
度に製造し得るので、形成される磁気ヘッドの特性が向
上し、また安価なものが得られる等利点が多い。
着等の技術を用いて、磁場や磁束を形成パ するi導体
層や導電体よりなる薄膜のコイルを一体構造として^精
度に製造し得るので、形成される磁気ヘッドの特性が向
上し、また安価なものが得られる等利点が多い。
このような#膜磁気ヘッドの製造法について第1図の斜
視図を用!〜て説明する。
視図を用!〜て説明する。
まず第1図に示すように、例えばセラミックのような絶
縁性基板l上にニッケルー鉄(Ni Fe)合金よりな
る磁性体層を蒸着等をこよって形成したのちホトリソグ
ラフィ法によって所定のパターンに形成して磁極となる
第1の磁性体層2を形成する。
縁性基板l上にニッケルー鉄(Ni Fe)合金よりな
る磁性体層を蒸着等をこよって形成したのちホトリソグ
ラフィ法によって所定のパターンに形成して磁極となる
第1の磁性体層2を形成する。
その11該基板上に一酸化硅素(Sin)やあるいは二
酸化硅素(St 01)を所定の厚さで蒸着等によって
形成したのち、ホトリソグラフィ法を用いて所定のパタ
ーンに成形して、所定厚さのギャップ層3を形成する。
酸化硅素(St 01)を所定の厚さで蒸着等によって
形成したのち、ホトリソグラフィ法を用いて所定のパタ
ーンに成形して、所定厚さのギャップ層3を形成する。
その後Si OH膜のような絶縁膜を基板上に形成して
から該絶縁膜上に蒸着法等によってアルミニウム(At
)あるいは銅(CΦの導体層を形成し所定のパターンに
2.オトエクチし渦巻状に基板上に巻き上げるようにし
てコイル4を形成する。
から該絶縁膜上に蒸着法等によってアルミニウム(At
)あるいは銅(CΦの導体層を形成し所定のパターンに
2.オトエクチし渦巻状に基板上に巻き上げるようにし
てコイル4を形成する。
その後見にSin、膜を蒸着等によって形成したのち、
ニッケルー鉄合金よりなる磁性体層を所定の厚さに成膜
したのちホトリソグラフィ法を用いて所定のパター刈こ
形成し、#I2の磁性体Jl15を形成する。
ニッケルー鉄合金よりなる磁性体層を所定の厚さに成膜
したのちホトリソグラフィ法を用いて所定のパター刈こ
形成し、#I2の磁性体Jl15を形成する。
その後、該磁性体層を保護するために5i02ji或は
A4へ躾を形成したのち、前記コイル4の端部と該コイ
ルを外部回路に接続させるための外部端子6と接a&と
るようにする。
A4へ躾を形成したのち、前記コイル4の端部と該コイ
ルを外部回路に接続させるための外部端子6と接a&と
るようにする。
そのため、外部端子の窓開きされた接続孔7の下部のS
i0g膜を弗化水素酸(HF)等によってエツチングし
てコイルの導体層の端部を露出させたのち、該コイルの
端部と外部端子の接続孔7の部分に導体薄膜を形成して
所定のパターン・こなるようフオトエクチして接続する
よ知こしていた。
i0g膜を弗化水素酸(HF)等によってエツチングし
てコイルの導体層の端部を露出させたのち、該コイルの
端部と外部端子の接続孔7の部分に導体薄膜を形成して
所定のパターン・こなるようフオトエクチして接続する
よ知こしていた。
ところで前述した接続孔7の下部の5i02膜をHFを
用いてエツチングして導体層のコイルの端部を露出させ
た際に、該コイルの4郡の露出した表面が酸化されて金
属の酸化層が形成され、そのため導体薄膜によってコイ
ルの端部と外部端子を接続させる際に前記コイルの端部
表面に形成されている酸化層により、充分接−されずに
接触不良をおこす欠点を生じる。そこで従来は外部端子
とコイルの端部とを接続させてから外部端子に高電圧を
印加して前記外部端子とコイルの端部との接触の不充分
でない1処で抵抗が^くなるのを利用し、その部分で熱
な発生させてこの熱・こよって外部端子とコイルの端部
の一部を溶解せしめて接続していたー しかし、このような方法であめイルは非常にfJIL細
なパターン形状な呈しているため、高電圧を印加した際
コイルの一部が溶断するといった不都合を生じる。
用いてエツチングして導体層のコイルの端部を露出させ
た際に、該コイルの4郡の露出した表面が酸化されて金
属の酸化層が形成され、そのため導体薄膜によってコイ
ルの端部と外部端子を接続させる際に前記コイルの端部
表面に形成されている酸化層により、充分接−されずに
接触不良をおこす欠点を生じる。そこで従来は外部端子
とコイルの端部とを接続させてから外部端子に高電圧を
印加して前記外部端子とコイルの端部との接触の不充分
でない1処で抵抗が^くなるのを利用し、その部分で熱
な発生させてこの熱・こよって外部端子とコイルの端部
の一部を溶解せしめて接続していたー しかし、このような方法であめイルは非常にfJIL細
なパターン形状な呈しているため、高電圧を印加した際
コイルの一部が溶断するといった不都合を生じる。
本発明は上述した欠点を除去するような#農磁気ヘッド
の製造方法の提供を目的とするものである。
の製造方法の提供を目的とするものである。
かかる目的を達成するための#膜磁気ヘッドの製造方法
は1.絶縁体基板上に所定パターンの第1の磁性体層を
形成し、該磁性体層上に絶縁膜を介して渦巻状に導電性
のコイルを積層して形成し、 ′該積層形成したコイル
上に1s2の磁性体層を形成し、前記第1の磁性体層の
端部と第2の磁性体層との端部の間に所定の寸法のギャ
ップを非磁性体で形成し、前記コイルの端部上に形成さ
れている絶縁膜を除去し、該コイルの端部と外部端子と
を接続して形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法において
、前記コイVの端部上の絶縁膜を除去して接続用孔を形
成してから該コイルの4部の表面をあらかじめエツチン
グしてから外部端子或いは観のコイル等の導体層と接続
することを特徴とするものである。
は1.絶縁体基板上に所定パターンの第1の磁性体層を
形成し、該磁性体層上に絶縁膜を介して渦巻状に導電性
のコイルを積層して形成し、 ′該積層形成したコイル
上に1s2の磁性体層を形成し、前記第1の磁性体層の
端部と第2の磁性体層との端部の間に所定の寸法のギャ
ップを非磁性体で形成し、前記コイルの端部上に形成さ
れている絶縁膜を除去し、該コイルの端部と外部端子と
を接続して形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法において
、前記コイVの端部上の絶縁膜を除去して接続用孔を形
成してから該コイルの4部の表面をあらかじめエツチン
グしてから外部端子或いは観のコイル等の導体層と接続
することを特徴とするものである。
以下図面を用いながら本発明の一実施例につき詳細に説
明する。
明する。
第一2wJより*[Iまでは本発明の雌展磁気ヘッドの
製造方法の工程を示す断−図である。
製造方法の工程を示す断−図である。
第2図は、例えばCuよりなる導体層のコイル4が丁度
第1図に示す外部端子6の接続孔7の下部まで渦巻状に
形成されて延びてきた状態において、ぞのh−x’線に
沿ったl1jr#図を示すものとする。肖、第2図にお
いて11はセラミック等よりなる絶縁基板、臣は5i0
1等の絶縁膜である。この5iOJJII上にホトレジ
スト膜を塗布したのち、該ホトレジスト族をホトリソグ
ラフィ法を用いて所定のパターンに窓開きしたのち、該
ホトレジスト族をマスクとしてIFを用いて第3図のよ
うに510、膜12を窓開きして接続用孔口を形成する
。その後希硫酸(H2BO3)を用いてコイル4の表面
をαの金属光沢が表われるまでエツチングしてコイル表
面に付着している金属の酸化層をrIIk失する。
第1図に示す外部端子6の接続孔7の下部まで渦巻状に
形成されて延びてきた状態において、ぞのh−x’線に
沿ったl1jr#図を示すものとする。肖、第2図にお
いて11はセラミック等よりなる絶縁基板、臣は5i0
1等の絶縁膜である。この5iOJJII上にホトレジ
スト膜を塗布したのち、該ホトレジスト族をホトリソグ
ラフィ法を用いて所定のパターンに窓開きしたのち、該
ホトレジスト族をマスクとしてIFを用いて第3図のよ
うに510、膜12を窓開きして接続用孔口を形成する
。その後希硫酸(H2BO3)を用いてコイル4の表面
をαの金属光沢が表われるまでエツチングしてコイル表
面に付着している金属の酸化層をrIIk失する。
その後第4図に示すように蒸着またはメッキなどの方法
を用いて外部端子と接続するためのCU層14を形成す
る。そしてこのCu層を介して外部端子と接続する。
を用いて外部端子と接続するためのCU層14を形成す
る。そしてこのCu層を介して外部端子と接続する。
このようにすれば、コイルの等体層の表面が酸化膜の存
在しない状態で形成されているので、蒸着またはメッキ
によって外部端子と接続する金属層がコイル、に充分接
続されるので、接続不良の生じない高信頼度の薄膜磁気
へ、ドが得られる利点を生じる。この他、コイルの材料
がアルミニウム(At)の時は希硫酸エツチング液の代
わりに希りん酸を(H3PQ)を用いてコイルの端部表
面をエツチングしてもよい。
在しない状態で形成されているので、蒸着またはメッキ
によって外部端子と接続する金属層がコイル、に充分接
続されるので、接続不良の生じない高信頼度の薄膜磁気
へ、ドが得られる利点を生じる。この他、コイルの材料
がアルミニウム(At)の時は希硫酸エツチング液の代
わりに希りん酸を(H3PQ)を用いてコイルの端部表
面をエツチングしてもよい。
またこの方法は、他の薄膜導体間の接続の際に用いるこ
とにより良好な接続性が得られることは明らかである。
とにより良好な接続性が得られることは明らかである。
1111は薄膜磁気ヘッドの斜視図、第2図より第4図
までは本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施例を
示すsin図である。
までは本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施例を
示すsin図である。
Claims (1)
- 絶縁体基板上に所定パターンの第1の磁性体層を形成し
1.該磁性体層上に絶縁膜を介して渦巻状に導電性のコ
イルを積層して形成し、該積層形成したコイル上に第2
の磁性体層を形成し、前記第1の磁性体層の端部と第2
の磁性体層との端部の間に所定寸法のギャップを非磁性
体で形成し、前記コイルの端部上に形成さhている絶縁
膜を除去し、該コイルの端部と外部端子とを接続して形
成する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、I11記コ
イルの端部上のIIl!i縁展を除去して接続用孔を形
成後、該コイルの端部の表面をあらかじめエツチングし
てから外部端子或は他のコイルなど導体層と接続するこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17876281A JPS5880121A (ja) | 1981-11-06 | 1981-11-06 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17876281A JPS5880121A (ja) | 1981-11-06 | 1981-11-06 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5880121A true JPS5880121A (ja) | 1983-05-14 |
Family
ID=16054159
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17876281A Pending JPS5880121A (ja) | 1981-11-06 | 1981-11-06 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5880121A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04206011A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
-
1981
- 1981-11-06 JP JP17876281A patent/JPS5880121A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04206011A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
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