JPS583124A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS583124A JPS583124A JP10196981A JP10196981A JPS583124A JP S583124 A JPS583124 A JP S583124A JP 10196981 A JP10196981 A JP 10196981A JP 10196981 A JP10196981 A JP 10196981A JP S583124 A JPS583124 A JP S583124A
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- coil
- magnetic
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- magnetic head
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜磁気ヘッドの製造方法の改良に関最近ブロ
ック状の磁性体材料を用いた在来型磁気ヘッドに代って
前記磁性体材料を蒸着等の操作により薄層にして形成し
た薄膜磁気ヘッドが開発されている。
ック状の磁性体材料を用いた在来型磁気ヘッドに代って
前記磁性体材料を蒸着等の操作により薄層にして形成し
た薄膜磁気ヘッドが開発されている。
この薄膜磁気ヘッドは在来型の磁気ヘッドに比し真空蒸
着等の技術を用いて容易に一体構造として高精度に製造
し得るので、形成される磁気ヘッドの特性が向上しまた
安価なものが得られる利点がある。
着等の技術を用いて容易に一体構造として高精度に製造
し得るので、形成される磁気ヘッドの特性が向上しまた
安価なものが得られる利点がある。
このような薄膜磁気ヘッドの構造について第１図の斜視
図を用いて説明する。
図を用いて説明する。
第１図において、ｌはフェライトよシなる磁性体基板で
該基板上には一酸化シリコン（Ｓｉ、０ ）や二酸化シ
リコン（Ｓｌ、０２）等よりなる絶縁膜を介してテープ
やディスク等の媒体よ多情報を取り出したシ、あるいは
該媒体に情報を付与するためのアルミニウム（ＡＡ’）
等の導体層よりなるコイ／ｖ２が巻き上げられて形成さ
れている。ここで勿論多数の導体層間には絶縁膜として
の８１０や５１０２膜５ｉ０２等の膜を介して磁性体層
８が所定のパターンで形成され、この磁性体層８と下部
の磁性体基板１の間にはもれ磁束を形成するためのＳｉ
Ｏや５ｉ−０２等の膜によってギャップ層４が形成され
ている〇一方このコイルの端部には外部回路と接続する
だめのクロム（Ｏｒ）−鉄ニツケ）ｖ（Ｎｉ、Ｆｅ ）
−金（Ａｕ）の三層構造の導体層よりなる端子処理層が
前記コイルの端子上に形成されている。図で５゜６はこ
のような端子処理層が形成されている部分を示している
。このようにしたのち前記基板１を所定の大きさに切り
出して薄膜磁気ヘッドとする。
該基板上には一酸化シリコン（Ｓｉ、０ ）や二酸化シ
リコン（Ｓｌ、０２）等よりなる絶縁膜を介してテープ
やディスク等の媒体よ多情報を取り出したシ、あるいは
該媒体に情報を付与するためのアルミニウム（ＡＡ’）
等の導体層よりなるコイ／ｖ２が巻き上げられて形成さ
れている。ここで勿論多数の導体層間には絶縁膜として
の８１０や５１０２膜５ｉ０２等の膜を介して磁性体層
８が所定のパターンで形成され、この磁性体層８と下部
の磁性体基板１の間にはもれ磁束を形成するためのＳｉ
Ｏや５ｉ−０２等の膜によってギャップ層４が形成され
ている〇一方このコイルの端部には外部回路と接続する
だめのクロム（Ｏｒ）−鉄ニツケ）ｖ（Ｎｉ、Ｆｅ ）
−金（Ａｕ）の三層構造の導体層よりなる端子処理層が
前記コイルの端子上に形成されている。図で５゜６はこ
のような端子処理層が形成されている部分を示している
。このようにしたのち前記基板１を所定の大きさに切り
出して薄膜磁気ヘッドとする。
このような薄膜磁気ヘッドの端部Ａ、Ｂに矢印Ｃ方向に
稼動するように磁気テープ等の媒体を接触させ、前記形
成したギャップ層によって形成されるもれ磁束を利用し
て磁気テープのような媒体に情報を書き込んだり該テー
プよシ情報を読み出したりするものである。
稼動するように磁気テープ等の媒体を接触させ、前記形
成したギャップ層によって形成されるもれ磁束を利用し
て磁気テープのような媒体に情報を書き込んだり該テー
プよシ情報を読み出したりするものである。
従来このような薄膜磁気ヘッドを製造する場合、全ての
工程をマスク蒸着で行うのが工程短縮の点で有利とされ
ていた。
工程をマスク蒸着で行うのが工程短縮の点で有利とされ
ていた。
この場合の従来の薄膜磁気ヘッドの製造工程図を第２（
Ａ）より第２（Ｊ）図までの図で示す。まず第２（８）
図に示すようにＡＩや銅（Ｃｕ）等の導電体層のマスク
蒸着により磁性体基板（図示せず）上に所定のパターン
でコイル引出し層１１を形成する。
Ａ）より第２（Ｊ）図までの図で示す。まず第２（８）
図に示すようにＡＩや銅（Ｃｕ）等の導電体層のマスク
蒸着により磁性体基板（図示せず）上に所定のパターン
でコイル引出し層１１を形成する。
その後第２＠のようにやはシ前記導電体層のマスク蒸着
によりコの字状のパターンのコイル１２を形成する。こ
こでコイ／Ｉ／１２は１Ｂの接合部でコイル引出し層１
１と接続している。その後第２（Ｃ）図に示すようにＳ
ｉＯや５ｉ０２等の絶縁体層をマスク蒸着により所定の
パターンに形成する。図の点線で示しだ１４の部分が絶
縁体層の部分である。その後第２（Ｄ）図に示すように
導電体層のマスク蒸着によシ所定のパターンのコイル１
６を形成する、ここで１６の部分がコイ／ｌ／１２との
接合部になる。
によりコの字状のパターンのコイル１２を形成する。こ
こでコイ／Ｉ／１２は１Ｂの接合部でコイル引出し層１
１と接続している。その後第２（Ｃ）図に示すようにＳ
ｉＯや５ｉ０２等の絶縁体層をマスク蒸着により所定の
パターンに形成する。図の点線で示しだ１４の部分が絶
縁体層の部分である。その後第２（Ｄ）図に示すように
導電体層のマスク蒸着によシ所定のパターンのコイル１
６を形成する、ここで１６の部分がコイ／ｌ／１２との
接合部になる。
その後第２（ト）図に示すようにＳｉＯあるいはＳｉ、
０２の絶縁体層をマスク蒸着により所定のパターンに形
成する図で点で示したパターン１７が前記絶縁体層のパ
ターンである。その後再び前述した第２（ト）図第２（
ｃ）図に示した工程を繰り返して基板上に２ターンの導
電体層のコイルが完成する。
０２の絶縁体層をマスク蒸着により所定のパターンに形
成する図で点で示したパターン１７が前記絶縁体層のパ
ターンである。その後再び前述した第２（ト）図第２（
ｃ）図に示した工程を繰り返して基板上に２ターンの導
電体層のコイルが完成する。
その後前述した工程を６回繰り返す事により基板上に１
０ターンの導電体層のコイルが完成する。
０ターンの導電体層のコイルが完成する。
その後第２（Ｐｉ図のように導電体層のコイル引き出し
層１８をマスク蒸着により形成する。その後第２（Ｇ）
図ノヨうにキャラ−ｆ層１９＋７） ５ｉｎ２． Ｓｉ
Ｏ等をマスク蒸着することで形成する。その後第２（ハ
）図で示すようにニッケル（Ｎ：ｌ）、鉄（Ｆｅ）合金
の磁性体層２０をマスク蒸着で形成したのち、第２（Ｉ
′）図で示すように該磁性体層をＳ’ＬＯ２のマスク蒸
着でパッシベーションする。第２（Ｉ）図の２１はこの
ようなパッシベーション膜である。その後端子処理層２
２をＡｕ等のマスク蒸着で形成する。
層１８をマスク蒸着により形成する。その後第２（Ｇ）
図ノヨうにキャラ−ｆ層１９＋７） ５ｉｎ２． Ｓｉ
Ｏ等をマスク蒸着することで形成する。その後第２（ハ
）図で示すようにニッケル（Ｎ：ｌ）、鉄（Ｆｅ）合金
の磁性体層２０をマスク蒸着で形成したのち、第２（Ｉ
′）図で示すように該磁性体層をＳ’ＬＯ２のマスク蒸
着でパッシベーションする。第２（Ｉ）図の２１はこの
ようなパッシベーション膜である。その後端子処理層２
２をＡｕ等のマスク蒸着で形成する。
このようにして第１図に示した磁気ヘッドが製造出来る
ととになるがこのようにして全工程をマスク蒸着で行う
ときに問題となるのが、第２＠図で示した磁性体層２０
の形成工程である。つまり磁性体層形成の際、磁気特性
の良好な蒸着条件は基板温度が約８００℃と高温度であ
るととが必要でめに磁性層の幅方向を容易軸にする誘導
磁気異方性を付与するために磁場中蒸着が必要不可欠と
なる。そのため上記の様な条件下でマスク蒸着を行う場
合、マスクと基板との位置合せ精度とマスクと基板との
間隔を精度良く制御するととが困難となり、そのため磁
性体層のパターンの位置精度が悪化しまたそのパターン
の周辺部が精度良く形成され難いといった欠点を生じる
。
ととになるがこのようにして全工程をマスク蒸着で行う
ときに問題となるのが、第２＠図で示した磁性体層２０
の形成工程である。つまり磁性体層形成の際、磁気特性
の良好な蒸着条件は基板温度が約８００℃と高温度であ
るととが必要でめに磁性層の幅方向を容易軸にする誘導
磁気異方性を付与するために磁場中蒸着が必要不可欠と
なる。そのため上記の様な条件下でマスク蒸着を行う場
合、マスクと基板との位置合せ精度とマスクと基板との
間隔を精度良く制御するととが困難となり、そのため磁
性体層のパターンの位置精度が悪化しまたそのパターン
の周辺部が精度良く形成され難いといった欠点を生じる
。
ところでフォトレジストを用いるフォトエツチング法で
全工程を行う場合第１図のようなコイル２を形成するの
は膨大な工数を必要とし現実的でないといった問題点が
ある。
全工程を行う場合第１図のようなコイル２を形成するの
は膨大な工数を必要とし現実的でないといった問題点が
ある。
本発明は上述した欠点を除去し、フォトエツチング法を
用いた場合工程に要する時間が、かかりすぎるコイルと
ギャップ層の２工程、またはコイル形成工程のみをマス
ク蒸着法で形成し、それ以降の工程をフォトエツチング
法を用いて形成し、もって工程を短縮して安価なかつ高
信頼度の薄膜磁気ヘッドを得ることを目的とするもので
ある。
用いた場合工程に要する時間が、かかりすぎるコイルと
ギャップ層の２工程、またはコイル形成工程のみをマス
ク蒸着法で形成し、それ以降の工程をフォトエツチング
法を用いて形成し、もって工程を短縮して安価なかつ高
信頼度の薄膜磁気ヘッドを得ることを目的とするもので
ある。
製造方法は、磁性体基板上に絶縁膜を介して順次情報を
媒体に伝達、あるいは媒体より取り出す導体層よりなる
コイルを巻き線状に巻き上げ該コイルの」二部に絶縁膜
を介して磁性体層を形成し、一方前記コイ／しと外部回
路とを接続するだめのコイル引き出し層と端子処理層か
らなる端子層を有し、更に前記磁性体基板、および最上
層の磁性体層と媒体間にもれ磁束を形成するだめのギャ
ップ層を形成してなる薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
て少なくとも前記コイル形成をマスクを用いた蒸着法に
よって形成し、少なくとも前記磁性体層の形成と端子処
理層の形成をフォトエツチング法を用いて形成すること
を特徴とするものである。
媒体に伝達、あるいは媒体より取り出す導体層よりなる
コイルを巻き線状に巻き上げ該コイルの」二部に絶縁膜
を介して磁性体層を形成し、一方前記コイ／しと外部回
路とを接続するだめのコイル引き出し層と端子処理層か
らなる端子層を有し、更に前記磁性体基板、および最上
層の磁性体層と媒体間にもれ磁束を形成するだめのギャ
ップ層を形成してなる薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
て少なくとも前記コイル形成をマスクを用いた蒸着法に
よって形成し、少なくとも前記磁性体層の形成と端子処
理層の形成をフォトエツチング法を用いて形成すること
を特徴とするものである。
以下図面を用いて本発明の一実施例につき図面を用いて
詳細に説明する。″ 第８図は本発明の方法によって形成した薄膜磁気ヘッド
の平面図で、第４図より第９図までは本発明の方法によ
って薄膜磁気ヘッドを形成する場合の工程を示す第８図
のｗｘｙｚ線に沿った断面図である。
詳細に説明する。″ 第８図は本発明の方法によって形成した薄膜磁気ヘッド
の平面図で、第４図より第９図までは本発明の方法によ
って薄膜磁気ヘッドを形成する場合の工程を示す第８図
のｗｘｙｚ線に沿った断面図である。
まず第８図、第４図に示すようにフェライトの様な磁性
体基板８１に５ｊ−００ような絶縁膜（図示せず）を介
してＡｌの導体層よりなるコイル８２Ａ。
体基板８１に５ｊ−００ような絶縁膜（図示せず）を介
してＡｌの導体層よりなるコイル８２Ａ。
３２Ｂを口の字形状パターンに蒸着マスクを用いた蒸着
法により積層して形成する。この場合ＡＩの導体層のコ
イ７しの間には勿論５ｉ−０の絶縁膜を形成する。そし
てコイルの第一層Ｂ２０のみ蒸着マスクを用いてあらか
じめ基板の周辺部にあとで端子層を形成するために引き
出してはく。
法により積層して形成する。この場合ＡＩの導体層のコ
イ７しの間には勿論５ｉ−０の絶縁膜を形成する。そし
てコイルの第一層Ｂ２０のみ蒸着マスクを用いてあらか
じめ基板の周辺部にあとで端子層を形成するために引き
出してはく。
その後第５図に示すように蒸着マスクを用いて蒸着法に
よってギャップ層形成用のＳｉＯ膜８Ｂを約１μｍの厚
さに前記コイルの１３２Ａの部分上に局部的に積層して
形成する。
よってギャップ層形成用のＳｉＯ膜８Ｂを約１μｍの厚
さに前記コイルの１３２Ａの部分上に局部的に積層して
形成する。
その後該基板全面に８１ Ｎ：ｌＦｅ合金の磁性体層の
薄膜８４を蒸着によって８μｍの厚さに積層して形成し
たのち該基板上にホトレジスト膜８５を全面に被着形成
する。
薄膜８４を蒸着によって８μｍの厚さに積層して形成し
たのち該基板上にホトレジスト膜８５を全面に被着形成
する。
その後該ホトレジスト膜を所定のパターンにホトリソグ
ラフィ法でエツチングしたのち該パターンニングされた
ホトレジスト膜をマスクとして前記磁性体層８４を所定
のパターンにイオンエッチが形成される。
ラフィ法でエツチングしたのち該パターンニングされた
ホトレジスト膜をマスクとして前記磁性体層８４を所定
のパターンにイオンエッチが形成される。
その後基板全面に前記磁性体層８４Ａおよびコイ／ｌ／
８２Ｂの酸化防止のだめ５ｉ０２膜８Ｇｆｌをヌパツタ
リング法により約１μｍの厚さに形成する。その後ホト
エツチング法を用いて該Ｓｉ、０２膜の端子接続層形成
予定部領域りをプラズマエツチングで除去する。第８図
、第８図はこのようにして形成された状態を示す。
８２Ｂの酸化防止のだめ５ｉ０２膜８Ｇｆｌをヌパツタ
リング法により約１μｍの厚さに形成する。その後ホト
エツチング法を用いて該Ｓｉ、０２膜の端子接続層形成
予定部領域りをプラズマエツチングで除去する。第８図
、第８図はこのようにして形成された状態を示す。
その後該基板上に端子処理層としての端子処理膜をＯｒ
を０．０５ μｍ 、 Ｎｉ、Ｆｅを０．５／ｚ？Ｆ！
、Ａｕを０．４μｍの厚さに順次積層して蒸着によって
形成したのち該基板上に全面にホトレジスト膜を被着し
、その後該ホトレジヌト膜を所定のパターンに成形する
。
を０．０５ μｍ 、 Ｎｉ、Ｆｅを０．５／ｚ？Ｆ！
、Ａｕを０．４μｍの厚さに順次積層して蒸着によって
形成したのち該基板上に全面にホトレジスト膜を被着し
、その後該ホトレジヌト膜を所定のパターンに成形する
。
その後該パターンニングされたホトレジスト膜をマスク
として下部の端子処理膜８層を化学エツチングして所定
のパターンに成形する。
として下部の端子処理膜８層を化学エツチングして所定
のパターンに成形する。
した５ｉ０２膜８６を勿論侵さない。第８図、第９図の
８７はこのようにして形成された端子処理膜を成形した
端子処理層である。
８７はこのようにして形成された端子処理膜を成形した
端子処理層である。
以上述べたように本発明の方法によりフォトエツチング
法で形成すれば工数が長くかかるコイル層が工数の短い
蒸着法によって形成され、かつ形状の精度を必要とする
上部の磁性体層がフォトエツチング法により精度良く形
成されているので信頼度の高い薄膜磁気ヘッドが低コス
トで得られる利点を生じる。
法で形成すれば工数が長くかかるコイル層が工数の短い
蒸着法によって形成され、かつ形状の精度を必要とする
上部の磁性体層がフォトエツチング法により精度良く形
成されているので信頼度の高い薄膜磁気ヘッドが低コス
トで得られる利点を生じる。
第１図は薄膜磁気ヘッドの斜視図、第２（８）〜第２（
、Ｔ）図は従来の薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す図、
第８図は本発明の方法によって形成した薄膜磁気ヘッド
の平面図、第４図より第９図までは本発明の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法の一実施例の工程の断面図である。 図において、ｌ、８１は磁性体基板、２．Ｅｌ。 １２、 ｌ ５． ８２Ａ、 ８２Ｂ、 ８２Ｃ
はコイル、８，２０゜によるギャップ層、５．６．２２
．８７は端子処理層、１１．１８ はコイル引き出し
層、ｔａ、ｔｅは接合部、１４．１７は絶縁膜、２１．
８６は８１０２のパツシベーシヨン膜、８５はホトレジ
スト膜、Ａ、Ｂは端部、Ｃは媒体移動方向を示す矢印、
Ｄは接続領域を示す。 １ （） ■ １
、Ｔ）図は従来の薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す図、
第８図は本発明の方法によって形成した薄膜磁気ヘッド
の平面図、第４図より第９図までは本発明の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法の一実施例の工程の断面図である。 図において、ｌ、８１は磁性体基板、２．Ｅｌ。 １２、 ｌ ５． ８２Ａ、 ８２Ｂ、 ８２Ｃ
はコイル、８，２０゜によるギャップ層、５．６．２２
．８７は端子処理層、１１．１８ はコイル引き出し
層、ｔａ、ｔｅは接合部、１４．１７は絶縁膜、２１．
８６は８１０２のパツシベーシヨン膜、８５はホトレジ
スト膜、Ａ、Ｂは端部、Ｃは媒体移動方向を示す矢印、
Ｄは接続領域を示す。 １ （） ■ １
Claims (1)
- 磁性体基板上に絶縁膜を介して順次情報を媒体に伝達あ
るいは媒体より取シ出す導体層よりなるコイルを巻き線
状に巻き上げ、該コイルの上部に絶縁膜を介して磁性体
層を形成し、一方前記コイルと外部回路とを接続するだ
めのコイル引き出し層と端子処理層からなる端子層を有
し、更に前記磁性体基板および最上層の磁性体層と媒体
間にもれ磁束を形成するためのギャップ層を形成してな
る薄膜磁気ヘッドの製造方法において、少なくとも前記
コイノ爾成をマスクを用いた蒸着法によって形成し、少
なくとも前記磁性体層の形成と端子処理層の形成をフォ
トエツチング法を用いて形成することを特徴とする薄膜
磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10196981A JPS583124A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10196981A JPS583124A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS583124A true JPS583124A (ja) | 1983-01-08 |
Family
ID=14314691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10196981A Pending JPS583124A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS583124A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04206011A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5333356A (en) * | 1976-09-10 | 1978-03-29 | Hitachi Ltd | Method of manufacturing multiple wound coils |
| JPS5381110A (en) * | 1976-12-25 | 1978-07-18 | Toshiba Corp | Manufacture of magnetic film head |
| JPS5620A (en) * | 1979-06-12 | 1981-01-06 | Fujitsu Ltd | Magnetic head |
-
1981
- 1981-06-29 JP JP10196981A patent/JPS583124A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5333356A (en) * | 1976-09-10 | 1978-03-29 | Hitachi Ltd | Method of manufacturing multiple wound coils |
| JPS5381110A (en) * | 1976-12-25 | 1978-07-18 | Toshiba Corp | Manufacture of magnetic film head |
| JPS5620A (en) * | 1979-06-12 | 1981-01-06 | Fujitsu Ltd | Magnetic head |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04206011A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
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