JPS6175509A - 薄膜コイル - Google Patents
薄膜コイルInfo
- Publication number
- JPS6175509A JPS6175509A JP19893884A JP19893884A JPS6175509A JP S6175509 A JPS6175509 A JP S6175509A JP 19893884 A JP19893884 A JP 19893884A JP 19893884 A JP19893884 A JP 19893884A JP S6175509 A JPS6175509 A JP S6175509A
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- JP
- Japan
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- coil
- thin film
- mask
- mask pattern
- insulation film
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
- H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
- H01F41/041—Printed circuit coils
- H01F41/042—Printed circuit coils by thin film techniques
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
、 〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘッド等の多巻きコイルに関するもの
である。
である。
最近、磁気ヘッドは小型化、高精度化が要求され、また
高密度記録できること、および量産性に富むことが望ま
れている。このような要望を充たす磁気ヘッドとして薄
膜磁気ヘッドが提案されている。この薄膜磁気ヘッドに
ついて第１５図の平面図、第１５図をＢ−Ｂ：線に沿っ
て切断した第１６図の要部断面図を用いて説明する。
高密度記録できること、および量産性に富むことが望ま
れている。このような要望を充たす磁気ヘッドとして薄
膜磁気ヘッドが提案されている。この薄膜磁気ヘッドに
ついて第１５図の平面図、第１５図をＢ−Ｂ：線に沿っ
て切断した第１６図の要部断面図を用いて説明する。
図示するようにこのような薄膜磁気ヘッドに於いては、
フォトセラムよりなる絶縁性基板１上には、Ｎｉ−Ｆｅ
よりなる下部磁性層２が形成され、その−ヒに、二酸化
シリコン膜等よりなるギャップ層３が形成され、その」
二には樹脂絶縁膜４を介して導体層コイル５が多巻き状
となって形成され、更にその上に樹脂絶縁膜６を介して
上部磁性層７が形成されている。
フォトセラムよりなる絶縁性基板１上には、Ｎｉ−Ｆｅ
よりなる下部磁性層２が形成され、その−ヒに、二酸化
シリコン膜等よりなるギャップ層３が形成され、その」
二には樹脂絶縁膜４を介して導体層コイル５が多巻き状
となって形成され、更にその上に樹脂絶縁膜６を介して
上部磁性層７が形成されている。
このような導体層コイル５の一端部は下部磁性層２と接
続され、他端部は薄膜磁気ヘッドより外部へ導出される
ようになっており、このような薄膜コイルは出来るだけ
高密度に、かつ製造工数を短縮した状態で形成すること
が望まれている。
続され、他端部は薄膜磁気ヘッドより外部へ導出される
ようになっており、このような薄膜コイルは出来るだけ
高密度に、かつ製造工数を短縮した状態で形成すること
が望まれている。
このような薄膜コイルを形成するには、従来よりエツチ
ング法、およびマスク蒸着法が一般に用いられている。
ング法、およびマスク蒸着法が一般に用いられている。
前者の方法では、基板上にコイルとなる導体層や絶縁層
の薄膜を蒸着またはスパッタ法で形成した後、ホ１−リ
ソグラフィ法を用いてこれらの薄膜を所定のパターンに
形成するものであり、またマスク蒸着法は、基板上に形
成すべき薄膜コイルのパターンが形成されているマスク
を用いて、基板上に所定パターンの薄膜コイルとなる導
体層、および絶縁層の薄膜を蒸着形成するものである。
の薄膜を蒸着またはスパッタ法で形成した後、ホ１−リ
ソグラフィ法を用いてこれらの薄膜を所定のパターンに
形成するものであり、またマスク蒸着法は、基板上に形
成すべき薄膜コイルのパターンが形成されているマスク
を用いて、基板上に所定パターンの薄膜コイルとなる導
体層、および絶縁層の薄膜を蒸着形成するものである。
前者のエツチング法は極めて微細なパターンが形成でき
、高密度な多巻きコイルを形成できるが、第１層のＭ膜
コイルを形成した後、その」二に絶縁膜を介して第２層
の薄膜コイルを形成する際、絶縁膜に段差を生じ易いた
め、多層化が困難であるといった問題点を生じる。
、高密度な多巻きコイルを形成できるが、第１層のＭ膜
コイルを形成した後、その」二に絶縁膜を介して第２層
の薄膜コイルを形成する際、絶縁膜に段差を生じ易いた
め、多層化が困難であるといった問題点を生じる。
後者のマスク蒸着法では、蒸着パターンの周辺部がなだ
らかに形成されるため、多層化が容易で、同一の薄膜パ
ターン形成工程を繰り返すことで容易に多巻きのコイル
を得ることができる。然し、現状では精密なマスクパタ
ーンは得！＜ 、簡単なコイルパターンを用いて、多数
回の蒸着工程を用いて多巻きコイルを形成しているのが
現状である。
らかに形成されるため、多層化が容易で、同一の薄膜パ
ターン形成工程を繰り返すことで容易に多巻きのコイル
を得ることができる。然し、現状では精密なマスクパタ
ーンは得！＜ 、簡単なコイルパターンを用いて、多数
回の蒸着工程を用いて多巻きコイルを形成しているのが
現状である。
このような従来のマスク蒸着法によって多巻きコイルを
形成する際の状態を第１７図＋ａｌより第２２図（ａ）
までの蒸着工程順序と、第１７図ｆｈ）より第２２図（
ｂｌまでの各蒸着工程に対応したマスクパターン図を用
いて説明する。
形成する際の状態を第１７図＋ａｌより第２２図（ａ）
までの蒸着工程順序と、第１７図ｆｈ）より第２２図（
ｂｌまでの各蒸着工程に対応したマスクパターン図を用
いて説明する。
まず第］工程として第１７図山）に示し、かつ開口部１
）八を有するマスク１）を用いて、第１７図ｔａ＋に示
す銅、アルミニウム合金よりなる直線状の導体層パター
ン１２を、薄膜コイルの端子として、基板上の絶縁膜を
介して所定の位置にマスク蒸着法により形成する。
）八を有するマスク１）を用いて、第１７図ｔａ＋に示
す銅、アルミニウム合金よりなる直線状の導体層パター
ン１２を、薄膜コイルの端子として、基板上の絶縁膜を
介して所定の位置にマスク蒸着法により形成する。
更に第■工程として第１８図（ｈｌに示し、がっ開口部
１３＾を有するマスク１３を用いて前記端子のパターン
１２の一端部に接続するようにして、第１８図（ａｌに
示すようなコイル導体層パターン１４を形成する。
１３＾を有するマスク１３を用いて前記端子のパターン
１２の一端部に接続するようにして、第１８図（ａｌに
示すようなコイル導体層パターン１４を形成する。
更に第■工程として第１９図（ｈ）に示し、かつ開口部
１５八を有するマスク］５を用いて、第１９図（８ンに
示すように前記コイル導体層パターン１４の先端部Ａが
現れるようにして一酸化シリコン膜（ＳｊＯ）よりなる
絶縁膜１６を蒸着により形成する。
１５八を有するマスク］５を用いて、第１９図（８ンに
示すように前記コイル導体層パターン１４の先端部Ａが
現れるようにして一酸化シリコン膜（ＳｊＯ）よりなる
絶縁膜１６を蒸着により形成する。
更に第■工程として第２０図（ｂｌに示し、かつ開口部
１７八を有するマスク１７を用いて、第２０図（ａ）に
示すような導体層パターン１８を前記した導体層パター
ン１４の先端部へに接続するようにして蒸着により形成
する。
１７八を有するマスク１７を用いて、第２０図（ａ）に
示すような導体層パターン１８を前記した導体層パター
ン１４の先端部へに接続するようにして蒸着により形成
する。
更に第Ｖ工程として第２１図（ｂ）に示し、開口部１９
八を有するマスク１９を用いて、第２１図（ａ）に示す
ように前記導体層パターン１８の上にＳｊＯ膜よりなる
絶縁膜２０を蒸着により形成する。
八を有するマスク１９を用いて、第２１図（ａ）に示す
ように前記導体層パターン１８の上にＳｊＯ膜よりなる
絶縁膜２０を蒸着により形成する。
これで１ターンのコイルが完成するが、以後第■工程よ
／Ｊ第Ｖ工程を多数回繰り返すことで多巻きコイルを形
成できる。更に最後に、第■工程に続いて（第Ｖ工程を
省略した状態で）第■工程として第２２図（ｂｌに示し
、かつ開口部２ＬＡを有するマスク２１を用いて、第２
２図＋ａ）に示すようにコイル端子層２２を導体層によ
り形成して薄膜コイルが完成する。
／Ｊ第Ｖ工程を多数回繰り返すことで多巻きコイルを形
成できる。更に最後に、第■工程に続いて（第Ｖ工程を
省略した状態で）第■工程として第２２図（ｂｌに示し
、かつ開口部２ＬＡを有するマスク２１を用いて、第２
２図＋ａ）に示すようにコイル端子層２２を導体層によ
り形成して薄膜コイルが完成する。
このようにマスク蒸着法による従来の薄膜コイルテハ、
１ターンの薄膜コイルを形成するのに、第■工程より第
Ｖ工程まで、コイル導体層形成工程、および絶縁膜形成
工程をそれぞれ２工程必要とし、都合４工程が必要とな
り、例えば４ターンの多巻きコイルを形成するには、１
６エ程を必要とする。そのため多巻き薄膜コイルを形成
するための工数がかかり過ぎ、高密度に薄膜コイルを基
板」二に形成するのは困難であった。
１ターンの薄膜コイルを形成するのに、第■工程より第
Ｖ工程まで、コイル導体層形成工程、および絶縁膜形成
工程をそれぞれ２工程必要とし、都合４工程が必要とな
り、例えば４ターンの多巻きコイルを形成するには、１
６エ程を必要とする。そのため多巻き薄膜コイルを形成
するための工数がかかり過ぎ、高密度に薄膜コイルを基
板」二に形成するのは困難であった。
上記問題点は、中心より外部に向かって旋回する方向が
それぞれ異なる一対の導体層よりなる螺旋状コイルを、
絶縁膜を介して積層形成し、前記一対の螺旋状コイルの
それぞれの一端部を接続して多巻き状とした本発明の薄
膜コイルにより解決□ される。
それぞれ異なる一対の導体層よりなる螺旋状コイルを、
絶縁膜を介して積層形成し、前記一対の螺旋状コイルの
それぞれの一端部を接続して多巻き状とした本発明の薄
膜コイルにより解決□ される。
即ち本発明の薄膜コイルは、中心より外部に向かって旋
回する方向が互いに異なる一対の導体層よりなるコイル
を絶縁膜を介して積層形成し、これらの導体層コイルの
一端部を接続して多巻き状となし、これら組となった一
対のコイルを多数積層形成して、工程を簡略化して多巻
き状の薄膜コイルを得るようにしたものである。
回する方向が互いに異なる一対の導体層よりなるコイル
を絶縁膜を介して積層形成し、これらの導体層コイルの
一端部を接続して多巻き状となし、これら組となった一
対のコイルを多数積層形成して、工程を簡略化して多巻
き状の薄膜コイルを得るようにしたものである。
以下図面を用いながら本発明の一実施例につき詳細に説
明する。
明する。
第１図乃至第７図は、本発明の薄膜コイルを形成するた
めの蒸着用マスクパターンを示す平面図で、第８図（８
１乃至第１３図（ａ）は、本発明の薄膜コイルの形成工
程を示す平面図で、第８図（ｂ）より第１３図（ｂｌま
では上記各平面図を１）−Ｄ ’線に沿って切断した断
面図であり、更に第１４図は本発明の薄膜コイルに最終
的に端子層を形成した平面図である。
めの蒸着用マスクパターンを示す平面図で、第８図（８
１乃至第１３図（ａ）は、本発明の薄膜コイルの形成工
程を示す平面図で、第８図（ｂ）より第１３図（ｂｌま
では上記各平面図を１）−Ｄ ’線に沿って切断した断
面図であり、更に第１４図は本発明の薄膜コイルに最終
的に端子層を形成した平面図である。
まず第１図ｆａｔに示すように開口部３１が形成されて
いる接続端子形成用のマスクパターン３２と、第２図に
示すように開口部３３が所定のパターンに形成されてい
るコイル導体層形成用マスクパターン３４を用意する。
いる接続端子形成用のマスクパターン３２と、第２図に
示すように開口部３３が所定のパターンに形成されてい
るコイル導体層形成用マスクパターン３４を用意する。
このマスクパターン３２．３４を用いて第８図（ａｌ、
および第８図（ｂ）に示すホトセラム等よりなる基板３
５上に５ｉ０２膜３６を介して、銅とアルミニウムから
なる端子層３７とコイル導体Ｎ３Ｂを形成する。なお、
基板３５の絶縁性が充分な時は５ｉ０２ＩＩ！３６を省
くことができる。
および第８図（ｂ）に示すホトセラム等よりなる基板３
５上に５ｉ０２膜３６を介して、銅とアルミニウムから
なる端子層３７とコイル導体Ｎ３Ｂを形成する。なお、
基板３５の絶縁性が充分な時は５ｉ０２ＩＩ！３６を省
くことができる。
次いで第３図に示すように開口部３９を有する絶縁膜形
成用マスクパターン４ｏを用い、基板上に第９図（ａｌ
、および第９図ｆｈｌに示すようにＳｉＯ膜よりなる絶
縁膜４１を蒸着により被着形成する。
成用マスクパターン４ｏを用い、基板上に第９図（ａｌ
、および第９図ｆｈｌに示すようにＳｉＯ膜よりなる絶
縁膜４１を蒸着により被着形成する。
更に第４図に示すように開口部４２を有する絶縁膜形成
用マスクパターン４３を用いて第１０図ｆａ）および第
１０図（ｂｌに示すように基板上にＳｉＯ膜よりなる絶
縁膜４４を蒸着により形成する。この時、コイル導体層
３８の一端部Ｅは、中央部より外部に向がって旋回する
方向が異なるコイル導体層と接続を採るために絶縁膜４
１．４４によって被覆されないようにしておく。
用マスクパターン４３を用いて第１０図ｆａ）および第
１０図（ｂｌに示すように基板上にＳｉＯ膜よりなる絶
縁膜４４を蒸着により形成する。この時、コイル導体層
３８の一端部Ｅは、中央部より外部に向がって旋回する
方向が異なるコイル導体層と接続を採るために絶縁膜４
１．４４によって被覆されないようにしておく。
次いで第５図に示すように開口部４５を有するマスクパ
ターン４６を用いて、蒸着により第１）図（ａｌ、およ
び第１）図（ｂｌに示すように基板上にコイル導体層パ
ターン４７を積層形成する。
ターン４６を用いて、蒸着により第１）図（ａｌ、およ
び第１）図（ｂｌに示すように基板上にコイル導体層パ
ターン４７を積層形成する。
更に第６図に示すように開口部４日を有する絶縁膜形成
用マスクパターン４９を用いて、蒸着により第１２図（
ａ）、および第１２図（ｂｌに示すようにＳｉＯ膜より
なる絶縁膜４９を形成する。
用マスクパターン４９を用いて、蒸着により第１２図（
ａ）、および第１２図（ｂｌに示すようにＳｉＯ膜より
なる絶縁膜４９を形成する。
次いで第７図に示すように開口部５０を有するマスクパ
ターン５１を用いて基板上に第１３図（ａ）、および第
１３図（ｂｌに示すように５ｉ０膜よりなる絶縁膜５２
を形成する。ここでコイル導体層４７の一端部Ｆは絶縁
膜５２によって被覆されない状態として、この上に第３
層目のコイル導体層を接続するようにする。
ターン５１を用いて基板上に第１３図（ａ）、および第
１３図（ｂｌに示すように５ｉ０膜よりなる絶縁膜５２
を形成する。ここでコイル導体層４７の一端部Ｆは絶縁
膜５２によって被覆されない状態として、この上に第３
層目のコイル導体層を接続するようにする。
このようにすれば、４ターンの薄膜コイルを形成するの
に、第２図乃至第７図の６種類のマスクパターンを用い
て６エ程により形成できるので、従来１ターンの薄膜コ
イルを得るために４工程を必要とした場合に比して大幅
にコイル形成のための工程数が短縮された薄膜コイルが
得られる。
に、第２図乃至第７図の６種類のマスクパターンを用い
て６エ程により形成できるので、従来１ターンの薄膜コ
イルを得るために４工程を必要とした場合に比して大幅
にコイル形成のための工程数が短縮された薄膜コイルが
得られる。
また外部へ導出するための端子層５３はコイル導体層パ
ターン４７を形成した後に、第１図（ｂ）に示すように
開口部３１“が形成されているマスクパターン３２°を
用いて蒸着により形成すれば良い。また端子ｉ３７．５
３はマスク蒸着法以外の形成法でも容易に行えることは
言うまでもない。
ターン４７を形成した後に、第１図（ｂ）に示すように
開口部３１“が形成されているマスクパターン３２°を
用いて蒸着により形成すれば良い。また端子ｉ３７．５
３はマスク蒸着法以外の形成法でも容易に行えることは
言うまでもない。
更にこれら一対の導体層コイルパターン３８．４７を絶
縁膜を介して積層形成することで、更に多層構造の薄膜
コイルが容易に得られるす 〔発明の効果〕 以上述べたように本発明の薄膜コイルによれば、簡単な
工程で、高精度に形成された薄膜コイルが得られ、この
ような薄膜コイルを薄膜磁気ヘッドの製造や、光磁気デ
ィスクのバイアス磁界発生用コイルとして利用すれば、
益する処、極めて大である。
縁膜を介して積層形成することで、更に多層構造の薄膜
コイルが容易に得られるす 〔発明の効果〕 以上述べたように本発明の薄膜コイルによれば、簡単な
工程で、高精度に形成された薄膜コイルが得られ、この
ような薄膜コイルを薄膜磁気ヘッドの製造や、光磁気デ
ィスクのバイアス磁界発生用コイルとして利用すれば、
益する処、極めて大である。
第１図ｆａｌ、第１図（ｂ）、第２図乃至第７図は、本
発明の薄膜コイルを形成するための蒸着用マスクパター
ンを示す平面図、 第８図（Ｉｌｌ乃至第１３図＋ａ）は、本発明の薄膜コ
イルの形成工程を示す平面図、 第８図（ｈ）乃至第１３図（ｂｌは上記各平面図をＤ−
Ｄ ’線に沿って切断した断面図、 第１４図は本発明の薄膜コイルに端子部を接続して形成
した平面図、 第１５図は薄膜磁気ヘッドの一般的な平面図、第１６図
は第１４図をＢ−Ｂ ’線に沿って切断した断面図、 第１７図ｉａ）乃至第２２図Ｔａ）は、従来の薄膜コイ
ルの形成工程を示す平面図、 第１７図（１））乃至第２２図（ｂｌは、従来の薄膜コ
イルを形成するための蒸着用マスクパターンを示す平面
図である。 図に於いて、３１．３１ ’、３３．３９，４２，４
５．４８．５０は開口部、３２．３２ ’、３４，４
０，４３，４６，４９．５１はマスクパターン、３５は
基板、３６，４１，４４，４９．５２は絶縁膜、３８．
４７はコイル導体層、３７ 、５３は端子層、Ｅ、Ｆは
コイル導体層の先端部を示す。 三１） 綻にネＳＩＴ 正 書（方力■計ロ６０年
５月３７日 １、事件の表示 昭和５９年特許廓第１９８９３８号 ２、発明の名称 薄膜コイル ３、補正をする考 事件との関係 特許用１筑尺 住所 神奈川県用１碕市中原区上小田中１０１５番地（
５２２）名称富士通株式会社 ５、 ？１）ｉｉＦ（ｉｉ７″＃ＯＦ］イ１° ’ｌ
Ｉｉ’１ｍ６０年１月２９ＦＩ （ＲａＸ：）ｌ、７
、７ｉｉ″Ｅ（ＤＭｕ ヶ１□、。よお。 （１）本願明細書第１０頁第１７行〜２０行の「第８図
ｔａ＞乃至第１３図（ａｌ・・・切断した断面図、」を
［第８図乃至第１３図の（ａ）は本発明の薄膜コイルの
形成工程を示す平面図、山）は上記各平面図をＩ）−Ｄ
′線に沿って切断した断面図、」に補正する。 （２）本願明細書第１）頁第６行〜１０行の「第１７図
（ａｌ乃至第２２図（ａｌは・・・平面図である。」を
［第１７図乃至第２２図の（ａｌは従来の薄膜コイルの
形成工程を示す平面図、■）は従来の薄膜コイルを形成
するための蒸着用マスクパターンを示す平面図である。 」に補正する。 以上
発明の薄膜コイルを形成するための蒸着用マスクパター
ンを示す平面図、 第８図（Ｉｌｌ乃至第１３図＋ａ）は、本発明の薄膜コ
イルの形成工程を示す平面図、 第８図（ｈ）乃至第１３図（ｂｌは上記各平面図をＤ−
Ｄ ’線に沿って切断した断面図、 第１４図は本発明の薄膜コイルに端子部を接続して形成
した平面図、 第１５図は薄膜磁気ヘッドの一般的な平面図、第１６図
は第１４図をＢ−Ｂ ’線に沿って切断した断面図、 第１７図ｉａ）乃至第２２図Ｔａ）は、従来の薄膜コイ
ルの形成工程を示す平面図、 第１７図（１））乃至第２２図（ｂｌは、従来の薄膜コ
イルを形成するための蒸着用マスクパターンを示す平面
図である。 図に於いて、３１．３１ ’、３３．３９，４２，４
５．４８．５０は開口部、３２．３２ ’、３４，４
０，４３，４６，４９．５１はマスクパターン、３５は
基板、３６，４１，４４，４９．５２は絶縁膜、３８．
４７はコイル導体層、３７ 、５３は端子層、Ｅ、Ｆは
コイル導体層の先端部を示す。 三１） 綻にネＳＩＴ 正 書（方力■計ロ６０年
５月３７日 １、事件の表示 昭和５９年特許廓第１９８９３８号 ２、発明の名称 薄膜コイル ３、補正をする考 事件との関係 特許用１筑尺 住所 神奈川県用１碕市中原区上小田中１０１５番地（
５２２）名称富士通株式会社 ５、 ？１）ｉｉＦ（ｉｉ７″＃ＯＦ］イ１° ’ｌ
Ｉｉ’１ｍ６０年１月２９ＦＩ （ＲａＸ：）ｌ、７
、７ｉｉ″Ｅ（ＤＭｕ ヶ１□、。よお。 （１）本願明細書第１０頁第１７行〜２０行の「第８図
ｔａ＞乃至第１３図（ａｌ・・・切断した断面図、」を
［第８図乃至第１３図の（ａ）は本発明の薄膜コイルの
形成工程を示す平面図、山）は上記各平面図をＩ）−Ｄ
′線に沿って切断した断面図、」に補正する。 （２）本願明細書第１）頁第６行〜１０行の「第１７図
（ａｌ乃至第２２図（ａｌは・・・平面図である。」を
［第１７図乃至第２２図の（ａｌは従来の薄膜コイルの
形成工程を示す平面図、■）は従来の薄膜コイルを形成
するための蒸着用マスクパターンを示す平面図である。 」に補正する。 以上
Claims (2)
- （１）中心より外部に向かって旋回する方向がそれぞれ
異なる一対の導体層よりなる螺旋状コイルを、絶縁膜を
介して積層形成し、前記一対の螺旋状コイルのそれぞれ
の一端部を接続して多巻き状としたことを特徴とする薄
膜コイル。 - （２）前記一対のコイルを多数回繰り返して基板上に積
層形成して多巻き化したことを特徴とする特許請求の範
囲第（１）項に記載の薄膜コイル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19893884A JPS6175509A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 薄膜コイル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19893884A JPS6175509A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 薄膜コイル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6175509A true JPS6175509A (ja) | 1986-04-17 |
Family
ID=16399463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19893884A Pending JPS6175509A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 薄膜コイル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6175509A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6459906A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Semiconductor Energy Lab | Manufacture of superconducting coil |
| JPS6459903A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Semiconductor Energy Lab | Superconducting coil |
-
1984
- 1984-09-20 JP JP19893884A patent/JPS6175509A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6459906A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Semiconductor Energy Lab | Manufacture of superconducting coil |
| JPS6459903A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Semiconductor Energy Lab | Superconducting coil |
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