JPS6175508A - 薄膜コイル - Google Patents
薄膜コイルInfo
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- JPS6175508A JPS6175508A JP19893784A JP19893784A JPS6175508A JP S6175508 A JPS6175508 A JP S6175508A JP 19893784 A JP19893784 A JP 19893784A JP 19893784 A JP19893784 A JP 19893784A JP S6175508 A JPS6175508 A JP S6175508A
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- Japan
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- coil
- conductor layer
- thin film
- pattern
- layer pattern
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
- H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
- H01F41/041—Printed circuit coils
- H01F41/042—Printed circuit coils by thin film techniques
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘッド等の多巻きコイルに関するもの
である。
である。
最近、磁気ヘッドは小型化、高精度化が要求され、また
高密度記録できること、および量産性に冨むことが望ま
れている。このような要望を充たす磁気ヘッドとして薄
膜磁気ヘッドが提案されている。この薄膜磁気ヘッドに
ついて第１２図ｔａ）の平面図、！８１２図（ａｌをＢ
−Ｂ’線に沿って切断した第１３図の要部断面図を用い
て説明する。
高密度記録できること、および量産性に冨むことが望ま
れている。このような要望を充たす磁気ヘッドとして薄
膜磁気ヘッドが提案されている。この薄膜磁気ヘッドに
ついて第１２図ｔａ）の平面図、！８１２図（ａｌをＢ
−Ｂ’線に沿って切断した第１３図の要部断面図を用い
て説明する。
図示するようにこのような薄膜磁気ヘッドに於いては、
フォトセラムよりなる絶縁性基板１上には、Ｎｉ−Ｆｅ
よりなる下部磁性層２が形成され、その上に、二酸化シ
リコン膜等よりなるギャップ層３が形成され、その上に
は樹脂絶縁膜４を介して導体層コイル５が多巻き状とな
って形成され、更にぞのＬに樹脂絶縁膜６を介して」二
部磁性Ｎ７が形成されている。
フォトセラムよりなる絶縁性基板１上には、Ｎｉ−Ｆｅ
よりなる下部磁性層２が形成され、その上に、二酸化シ
リコン膜等よりなるギャップ層３が形成され、その上に
は樹脂絶縁膜４を介して導体層コイル５が多巻き状とな
って形成され、更にぞのＬに樹脂絶縁膜６を介して」二
部磁性Ｎ７が形成されている。
このような導体層コイル５の一端部は下部磁性層２と接
続され、他端部は薄膜磁気ヘッドより外部へ導出される
ようになっており、このような薄膜コイルは出来るだし
Ｊ高密度に、かつ製造工数を短縮した状態で形成するこ
とが望まれている。
続され、他端部は薄膜磁気ヘッドより外部へ導出される
ようになっており、このような薄膜コイルは出来るだし
Ｊ高密度に、かつ製造工数を短縮した状態で形成するこ
とが望まれている。
このような薄膜コ・イルを形成するには、従来よりエツ
チング法、およびマスク蒸着法が一般に用いられている
。前ｔｔの方法では、基板上にコイルとなる導体層や絶
縁層の薄膜を蒸着またはスパッタ法で形成した後、ホト
リソグラフィ法を用いてこれ等の薄膜を所定のパターン
に形成するものであり、またマスク蒸着法は、基板」二
に形成すべき薄膜コイルのパターンが形成されているマ
スクを用いて、基板上に所定パターンの薄膜コイルとな
る導体層、および絶縁層の薄膜を蒸着形成するものであ
る。
チング法、およびマスク蒸着法が一般に用いられている
。前ｔｔの方法では、基板上にコイルとなる導体層や絶
縁層の薄膜を蒸着またはスパッタ法で形成した後、ホト
リソグラフィ法を用いてこれ等の薄膜を所定のパターン
に形成するものであり、またマスク蒸着法は、基板」二
に形成すべき薄膜コイルのパターンが形成されているマ
スクを用いて、基板上に所定パターンの薄膜コイルとな
る導体層、および絶縁層の薄膜を蒸着形成するものであ
る。
前者のエツチング法は極めて微細なパターンが形成でき
、高密度な多巻きコイルを形成できるが、第１層の薄膜
コイルを形成した後、その上に絶縁膜を介して第２層の
薄膜コイルを形成する際、絶縁膜に段差を生じ易いため
、多層化が困狸であるといった問題点を生じる。
、高密度な多巻きコイルを形成できるが、第１層の薄膜
コイルを形成した後、その上に絶縁膜を介して第２層の
薄膜コイルを形成する際、絶縁膜に段差を生じ易いため
、多層化が困狸であるといった問題点を生じる。
後者のマスク蒸着法では、蒸着パターンの周辺部がなだ
らかになっている為、多層化が容易で、同一の薄膜パタ
ーン形成工程を繰り返すことで容易に多巻きのコイルを
得ることができる。然し、現状では精密なマスクパター
ンは得難＜、簡単なコイルパターンを用いて、多数回の
蒸着工程を用いて多巻きコイルを形成しているのが現状
である。
らかになっている為、多層化が容易で、同一の薄膜パタ
ーン形成工程を繰り返すことで容易に多巻きのコイルを
得ることができる。然し、現状では精密なマスクパター
ンは得難＜、簡単なコイルパターンを用いて、多数回の
蒸着工程を用いて多巻きコイルを形成しているのが現状
である。
このような従来のマスク蒸着法によって多巻きコイルを
形成する際の状態を第１４図（ａｌより第１９図ｆａ）
までの蒸着工程順序と、第１４図（ｂ）より第１９図Ｃ
ｂ）までの各蒸着工程に対応したマスクパターン図を用
いて説明する。
形成する際の状態を第１４図（ａｌより第１９図ｆａ）
までの蒸着工程順序と、第１４図（ｂ）より第１９図Ｃ
ｂ）までの各蒸着工程に対応したマスクパターン図を用
いて説明する。
まず第１工程として第１４図（ｂ）に示し、かつ開口部
１１八を有するマスク１１を用いて、第１４図（ａｌに
示す銅、アルミニウム合金よりなる直線状の導体層パタ
ーン１２を、薄膜コイルの端子として、基板上の絶縁膜
を介して所定の位置にマスク蒸着法により形成する。
１１八を有するマスク１１を用いて、第１４図（ａｌに
示す銅、アルミニウム合金よりなる直線状の導体層パタ
ーン１２を、薄膜コイルの端子として、基板上の絶縁膜
を介して所定の位置にマスク蒸着法により形成する。
更に第■工程として第１５図ｆｂｌに示し、かつ開口部
１３Ａを有するマスク１３を用いて前記端子のパターン
１２の一端部に接続するようにして、第１５図（ａ）に
示すようなコイル導体層パターン１４を形成する。
１３Ａを有するマスク１３を用いて前記端子のパターン
１２の一端部に接続するようにして、第１５図（ａ）に
示すようなコイル導体層パターン１４を形成する。
更に第■工程として第１６図ｆｂｌに示し、かつ開口部
１５八を有するマスク１５を用いて、第１６図ｆａ）に
示すように前記コイル導体層パターン１４°の先端部Ａ
が現れるようにして一酸化シリコン１１ｗ（Ｓｉｎ）よ
りなる絶縁膜１６を蒸着により形成する。
１５八を有するマスク１５を用いて、第１６図ｆａ）に
示すように前記コイル導体層パターン１４°の先端部Ａ
が現れるようにして一酸化シリコン１１ｗ（Ｓｉｎ）よ
りなる絶縁膜１６を蒸着により形成する。
更に第■工程として第１７図ｆｂ）に示し、かつ開口部
１７Ａを有するマスク１７を用いて、第１７図（ａｌに
示すような導体層パターン１８を前記した導体層パター
ン１４の先端部Ａに接続するようにして蒸着により形成
する。
１７Ａを有するマスク１７を用いて、第１７図（ａｌに
示すような導体層パターン１８を前記した導体層パター
ン１４の先端部Ａに接続するようにして蒸着により形成
する。
更に第■工程として第１８図（ｂ）に示し、開口部１９
八を有するマスク１９を用いて、第１８図（ａｌに示す
ように前記導体層パターン１８の上にＳｉｎ膜よりなる
絶縁膜２０を蒸着により形成する。
八を有するマスク１９を用いて、第１８図（ａｌに示す
ように前記導体層パターン１８の上にＳｉｎ膜よりなる
絶縁膜２０を蒸着により形成する。
これで１ターンのコイルが完成するが、以後第■工程よ
り第■工程を多数回繰り返すことで、多巻きコイを形成
できる。更に最後に第■工程に続いて（第■工程を省い
て）第■工程として第１９図（ｂｌに示し、かつ開口部
２１＾を有するマスク２１を用いて、第１９図（ａ）に
示すようにコイル端子層２２を導体層により形成して端
子つきの薄膜コイルが完成する。
り第■工程を多数回繰り返すことで、多巻きコイを形成
できる。更に最後に第■工程に続いて（第■工程を省い
て）第■工程として第１９図（ｂｌに示し、かつ開口部
２１＾を有するマスク２１を用いて、第１９図（ａ）に
示すようにコイル端子層２２を導体層により形成して端
子つきの薄膜コイルが完成する。
このように従来の薄膜コイルでは、１ターンの薄膜コイ
ルを形成するのに、第■工程より第■工程まで、コイル
導体層形成工程、および絶縁膜形成工程をそれぞれ２工
程必要とし、都合４工程が必要となり、例えば８クーン
の多巻きコイルを形成するには、３２工程を必要とする
。そのため多巻き薄膜コイルを形成するための工数がか
かり過ぎ、高密度に薄膜コイルを基板上に形成するのは
困難であった。
ルを形成するのに、第■工程より第■工程まで、コイル
導体層形成工程、および絶縁膜形成工程をそれぞれ２工
程必要とし、都合４工程が必要となり、例えば８クーン
の多巻きコイルを形成するには、３２工程を必要とする
。そのため多巻き薄膜コイルを形成するための工数がか
かり過ぎ、高密度に薄膜コイルを基板上に形成するのは
困難であった。
上記問題点は、基板上に管層が一周する途中で分断され
た形状の集まりから成る第１のコイル形成用導体層パタ
ーン群が形成され、前記第１の導体層パターンの空隙部
に位置する第２のコイル形成用導体層パターン群が、前
記第１の導体層パターン群の端部に接続され、前記第１
のコイル導体層パターン群と第２の導体層パターン群の
一部の−）＝に形成された絶縁膜を介して連続した螺旋
状パターンを（−Ｊ与する第３のコイル導体層パターン
群が、前記第１のコイル導体層パターン群と第２のコイ
ル導体層パターンＩＹの端部に接続され、前記第１、お
よび第２のコイル導体層パターン群と第３のコイル導体
層パターン群の一部が絶縁膜で被覆されている本発明の
薄膜コイルによって解決される。
た形状の集まりから成る第１のコイル形成用導体層パタ
ーン群が形成され、前記第１の導体層パターンの空隙部
に位置する第２のコイル形成用導体層パターン群が、前
記第１の導体層パターン群の端部に接続され、前記第１
のコイル導体層パターン群と第２の導体層パターン群の
一部の−）＝に形成された絶縁膜を介して連続した螺旋
状パターンを（−Ｊ与する第３のコイル導体層パターン
群が、前記第１のコイル導体層パターン群と第２のコイ
ル導体層パターンＩＹの端部に接続され、前記第１、お
よび第２のコイル導体層パターン群と第３のコイル導体
層パターン群の一部が絶縁膜で被覆されている本発明の
薄膜コイルによって解決される。
即ら本発明の薄膜コイルは、高密度なｗ：、旋状の多巻
きコイル形成用の蒸着用マスクパターンが、形成可能な
程度の低密度のパターンに分解され、このマスクパター
ンを用いてマスク蒸着の工程数を減少した状態で容易に
多巻きコイルが形成できるような構造になっている。
きコイル形成用の蒸着用マスクパターンが、形成可能な
程度の低密度のパターンに分解され、このマスクパター
ンを用いてマスク蒸着の工程数を減少した状態で容易に
多巻きコイルが形成できるような構造になっている。
以下図面を用いながら本発明の一実施例につき詳細に説
明する。
明する。
第１図より第５図までは、本発明の薄膜コイルを形成す
るための蒸着用マスクパターンを示す平面図で、第６図
（ａ）より第１０図（ａｌまで、及び第１１図は、本発
明の薄膜コイルの形成工程を示す平面図で、第６図（１
））より第１０図Ｔｂ）は上記各平面図を１）−Ｄ′線
に沿って切断した断面図である。まず第１図に示すよう
に開口部３１が所定のパターンに形成されているコイル
導体層形成用マスクパターン３２を用意する。このマス
クパターン３２を用いて第６図ｔａ＋、および第６図ｆ
ｂｌに示すホトセラム等よりなる基板３３上に５ｉ０２
等の絶縁層３４を介して銅、アルミニウム合金からなる
コイル導体層３５を形成する。なお、基板３３の絶縁性
が充分な場合は絶縁層３４の形成を省略することができ
る。
るための蒸着用マスクパターンを示す平面図で、第６図
（ａ）より第１０図（ａｌまで、及び第１１図は、本発
明の薄膜コイルの形成工程を示す平面図で、第６図（１
））より第１０図Ｔｂ）は上記各平面図を１）−Ｄ′線
に沿って切断した断面図である。まず第１図に示すよう
に開口部３１が所定のパターンに形成されているコイル
導体層形成用マスクパターン３２を用意する。このマス
クパターン３２を用いて第６図ｔａ＋、および第６図ｆ
ｂｌに示すホトセラム等よりなる基板３３上に５ｉ０２
等の絶縁層３４を介して銅、アルミニウム合金からなる
コイル導体層３５を形成する。なお、基板３３の絶縁性
が充分な場合は絶縁層３４の形成を省略することができ
る。
次いで第２図に示すように開口部３６を有するコイル導
体層形成用マスクパターン３７を用い、前記第６図ｆａ
ｌに示した導体層パターン３５の端部Ｅに接続するよう
にして、第７図（８１、および第７図ｆｂｌに示すよう
にコイル導体層パターン３Ｂをマスク蒸着により形成す
る。
体層形成用マスクパターン３７を用い、前記第６図ｆａ
ｌに示した導体層パターン３５の端部Ｅに接続するよう
にして、第７図（８１、および第７図ｆｂｌに示すよう
にコイル導体層パターン３Ｂをマスク蒸着により形成す
る。
更に第３図に示すように開口部３９を有する絶縁膜形成
用マスクパターン４０を用い、第８図ｆａ）、および第
８図（ｂｌに示すようにコイル導体層３８の端部Ｆの部
分と、コイル導体層３５とコイル導体Ｎ３８の一部分が
被覆されない状態でＳｉＯ膜よりなる絶縁ＨＪ４１を蒸
着により形成する。
用マスクパターン４０を用い、第８図ｆａ）、および第
８図（ｂｌに示すようにコイル導体層３８の端部Ｆの部
分と、コイル導体層３５とコイル導体Ｎ３８の一部分が
被覆されない状態でＳｉＯ膜よりなる絶縁ＨＪ４１を蒸
着により形成する。
更に第４図に示すような開口部４２を有するコイル導体
層形成用マスクパターン４３を用いて、第９図（８）、
および第９図（ｈ）に示すようにコイル導体層パターン
４４を形成して前記第８ｆｆｌ（ａｌに示したコイル導
体層パターン３８の先端部Ｆ、およびコイル導体層パタ
ーン３５の先端部Ｇと接続するようにする。
層形成用マスクパターン４３を用いて、第９図（８）、
および第９図（ｈ）に示すようにコイル導体層パターン
４４を形成して前記第８ｆｆｌ（ａｌに示したコイル導
体層パターン３８の先端部Ｆ、およびコイル導体層パタ
ーン３５の先端部Ｇと接続するようにする。
ここでコイル導体層パターン４４八は絶縁膜４１上に形
成される。
成される。
更に第５図に示すように開口部４５を有する絶縁膜形成
用マスクパターン４６を用いて、第１０図（ａｌおよび
第１０図Ｔｂ）に示すようにＳｉＯ膜よりなる絶縁膜４
７を形成する。
用マスクパターン４６を用いて、第１０図（ａｌおよび
第１０図Ｔｂ）に示すようにＳｉＯ膜よりなる絶縁膜４
７を形成する。
このようにすれば、コイル導体層の形成工程が３回で、
絶縁膜の形成工程が２回の計５回のマスク合わせの工程
で８ターンのコイル形成ができ、従来３２回のマスク合
わせが必要なコイルに比し大幅に工程数が減少した薄膜
コイルが形成できる。
絶縁膜の形成工程が２回の計５回のマスク合わせの工程
で８ターンのコイル形成ができ、従来３２回のマスク合
わせが必要なコイルに比し大幅に工程数が減少した薄膜
コイルが形成できる。
またコイル導体層４４への先端部Ｈは絶縁膜４７で被覆
されない状態と成っており、この上に前記した工程を繰
り返すと１６ターンの連続した多巻き薄膜コイルが形成
でき、これを繰り返して更に多くの巻数の形成が可能と
なる。
されない状態と成っており、この上に前記した工程を繰
り返すと１６ターンの連続した多巻き薄膜コイルが形成
でき、これを繰り返して更に多くの巻数の形成が可能と
なる。
また第１１図に示すように端子層４８の形成は、コイル
形成の以前にマスク蒸着法で行い、更に端子Ｎ４９の形
成はコイル形成工程の最後にコイル導体層パターン４４
の形成に続いて同様にマスク蒸着法で行うことで、コイ
ルへの端子接続が可能となる。
形成の以前にマスク蒸着法で行い、更に端子Ｎ４９の形
成はコイル形成工程の最後にコイル導体層パターン４４
の形成に続いて同様にマスク蒸着法で行うことで、コイ
ルへの端子接続が可能となる。
また端子！４８．４９の形成を通常のエツチング形成工
程で行っても良いことは熱論である。
程で行っても良いことは熱論である。
なお、コイルを多数回積層した場合は、端子層４９の形
成を、最」一層のコイル導体層パターン４４の形成後に
１回だけ行うことで多巻きコイルとの接続が可能となる
ことは云うまでもない。
成を、最」一層のコイル導体層パターン４４の形成後に
１回だけ行うことで多巻きコイルとの接続が可能となる
ことは云うまでもない。
なお、本実施例では管層形状を３種類のパターンに分割
して行っているが、その種類を増しても良いことは云う
までもない。然し、マスク数、工程数が共に増大し、か
つパターン形成がさして容易になるわけでないため、４
種類以上とする利点はない。２種類の場合はマスクの製
造が困難となるため、本実施例の３分割のマスクが最適
となる。
して行っているが、その種類を増しても良いことは云う
までもない。然し、マスク数、工程数が共に増大し、か
つパターン形成がさして容易になるわけでないため、４
種類以上とする利点はない。２種類の場合はマスクの製
造が困難となるため、本実施例の３分割のマスクが最適
となる。
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明の薄膜コイルによれば、簡単な
工程で、高精度に形成された巻き数の多い薄膜コイルが
得られ、このような薄膜コイルを薄膜磁気ヘッドの製造
や、光磁気ディスクのバイアス磁界発生用コイルとして
利用すれば、益する処極めて大である。
工程で、高精度に形成された巻き数の多い薄膜コイルが
得られ、このような薄膜コイルを薄膜磁気ヘッドの製造
や、光磁気ディスクのバイアス磁界発生用コイルとして
利用すれば、益する処極めて大である。
第１図乃至第５図は、本発明の薄膜コイルを形成するた
めの蒸着用マスクパターンを示す平面図、第６図（ａｌ
乃至第１０図１ａｌまでは、本発明の薄膜コイルの形成
工程を示す平面図、 第６図山）乃至第１０図（ｂｌは上記各平面図をＤ−Ｄ
’線に沿って切断した断面図、 第１１図は本発明の薄膜コイルへの端子形成工程を示す
平面図、 第１２図は薄膜磁気ヘッドの一般的な平面図、第１３図
は第１１１！ＩをＢ−Ｂ ’線に沿って切断した断面図
、。 第１４図（８１乃至第１９図（ａｌは、従来の薄膜コイ
ルの形成工程を示す平面図、 第１４図山）乃至第１９図（ｂｌは、従来の薄膜コイル
を形成するための蒸着用マスクパターンを示す平面図で
ある。 図に於いて、３１，３６，３９，４２．４５は開口部、
３２．３７゜４０．４３．４６はマスクパターン、３３
は基板、３４．４１．４７は絶縁膜、３５，３８，４４
，４４Ａは導体層、４８．４９は端子層、Ｅ、 Ｆ、
Ｇ、 Ｈは導体層の端部を示す。 第１０図（Ｑ） 特開昭６ｌ−７５５０８（６） 第１２図 手続？ｉｌｉ正書く方式） 昭和６０年 ５月３７日 １、事件の表示 昭和５９年特許願第１．９８９３７号 ２、発明の名称 薄膜コイル ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 神奈川県用崎市中原区上小田中１０１５番地（５
２２）名称富士通株式会社 ＋１１ 本願明細書第１２頁第３行〜６行の「第６図
（ａｌ乃至第１０図（ａｌ・・・切断した断面図、」を
「第６図乃至第１０図の（８１は本発明の薄膜コイルの
形成工程を示す平面図、（ｂｌは上記各平面図をＤ−Ｄ
“線に沿って切断した断面図、」に補正する。 （２）同頁第１２行〜第１６行の「第１４図（ａｌ乃至
第１９図（ａｌは・・・平面図である。」を、「第１４
図乃至第１９図の（ａ）は従来の薄膜コイルの形成工程
を示す平面図、（ｂｌは従来のｉ膜コイルを形成するた
めの蒸着用マスクパターンを示す平面図である。」に補
正する。 以上
めの蒸着用マスクパターンを示す平面図、第６図（ａｌ
乃至第１０図１ａｌまでは、本発明の薄膜コイルの形成
工程を示す平面図、 第６図山）乃至第１０図（ｂｌは上記各平面図をＤ−Ｄ
’線に沿って切断した断面図、 第１１図は本発明の薄膜コイルへの端子形成工程を示す
平面図、 第１２図は薄膜磁気ヘッドの一般的な平面図、第１３図
は第１１１！ＩをＢ−Ｂ ’線に沿って切断した断面図
、。 第１４図（８１乃至第１９図（ａｌは、従来の薄膜コイ
ルの形成工程を示す平面図、 第１４図山）乃至第１９図（ｂｌは、従来の薄膜コイル
を形成するための蒸着用マスクパターンを示す平面図で
ある。 図に於いて、３１，３６，３９，４２．４５は開口部、
３２．３７゜４０．４３．４６はマスクパターン、３３
は基板、３４．４１．４７は絶縁膜、３５，３８，４４
，４４Ａは導体層、４８．４９は端子層、Ｅ、 Ｆ、
Ｇ、 Ｈは導体層の端部を示す。 第１０図（Ｑ） 特開昭６ｌ−７５５０８（６） 第１２図 手続？ｉｌｉ正書く方式） 昭和６０年 ５月３７日 １、事件の表示 昭和５９年特許願第１．９８９３７号 ２、発明の名称 薄膜コイル ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 神奈川県用崎市中原区上小田中１０１５番地（５
２２）名称富士通株式会社 ＋１１ 本願明細書第１２頁第３行〜６行の「第６図
（ａｌ乃至第１０図（ａｌ・・・切断した断面図、」を
「第６図乃至第１０図の（８１は本発明の薄膜コイルの
形成工程を示す平面図、（ｂｌは上記各平面図をＤ−Ｄ
“線に沿って切断した断面図、」に補正する。 （２）同頁第１２行〜第１６行の「第１４図（ａｌ乃至
第１９図（ａｌは・・・平面図である。」を、「第１４
図乃至第１９図の（ａ）は従来の薄膜コイルの形成工程
を示す平面図、（ｂｌは従来のｉ膜コイルを形成するた
めの蒸着用マスクパターンを示す平面図である。」に補
正する。 以上
Claims (3)
- （１）基板上に螺旋が一周する途中で分断された形状の
集まりからなる第１のコイル形成用導体層パターン群が
形成され、前記第１の導体層パターンの空隙部に位置す
る第２のコイル形成用導体層パターン群が、前記第１の
導体層パターン群の端部に接続して形成され、前記第１
のコイル導体層パターン群と第２の導体層パターン群の
一部の上に絶縁膜が形成され、連続した螺旋状パターン
を付与する第３のコイル導体層パターン群が、前記第１
のコイル導体層パターン群と第２のコイル導体層パター
ン群の端部に接続されて成ることを特徴とする薄膜コイ
ル。 - （２）前記第１、および第２のコイル導体層パターン群
と第３のコイル導体層パターン群の一部が更に絶縁膜で
被覆されてなることを特徴とする特許請求の範囲第（１
）項に記載の薄膜コイル。 - （３）前記薄膜コイルの形成工程を繰り返して行い、多
層構造に積層形成されて多数回巻かれていることを特徴
とする特許請求の範囲第（１）項、または第（２）項に
記載の薄膜コイル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19893784A JPS6175508A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 薄膜コイル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19893784A JPS6175508A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 薄膜コイル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6175508A true JPS6175508A (ja) | 1986-04-17 |
Family
ID=16399447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19893784A Pending JPS6175508A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 薄膜コイル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6175508A (ja) |
-
1984
- 1984-09-20 JP JP19893784A patent/JPS6175508A/ja active Pending
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