JPS5960721A - 薄膜型磁気ヘツド - Google Patents
薄膜型磁気ヘツドInfo
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- JPS5960721A JPS5960721A JP17123582A JP17123582A JPS5960721A JP S5960721 A JPS5960721 A JP S5960721A JP 17123582 A JP17123582 A JP 17123582A JP 17123582 A JP17123582 A JP 17123582A JP S5960721 A JPS5960721 A JP S5960721A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- film
- films
- nonmagnetic
- plated
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3143—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding
- G11B5/3146—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding magnetic layers
- G11B5/3153—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding magnetic layers including at least one magnetic thin film coupled by interfacing to the basic magnetic thin film structure
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）発明の技術分野
本発明は、磁気記録装置に係り、とくに多ＪＦｆ ’ｆ
ｉｔ’を性膜を用いる薄膜型磁気−・ノドに関する。
ｉｔ’を性膜を用いる薄膜型磁気−・ノドに関する。
（ｂ）技術の背景
薄膜型磁気ヘッドは、磁気記録装置に対する高記録密度
化の要請に応えることのできる有力な手段として、種々
の方式のものが開発されつつある。
化の要請に応えることのできる有力な手段として、種々
の方式のものが開発されつつある。
電磁誘導型の薄膜型磁気−・・ノドは、基板」二に磁気
コア、誘導コイル等をすべて薄膜化して形成するもので
あって、ｆｌ密の積層コア型の磁気へ・ノｌ！に比し、
高記録密度−の対応はもちろんのこと、量産性が高く、
低コストである点においてもすぐれている。
コア、誘導コイル等をすべて薄膜化して形成するもので
あって、ｆｌ密の積層コア型の磁気へ・ノｌ！に比し、
高記録密度−の対応はもちろんのこと、量産性が高く、
低コストである点においてもすぐれている。
（ｃ）従来技術と問題点
電磁誘導型の薄膜型磁気ヘッドの構造の１例を第１図に
示す。
示す。
同図において、２つの磁気コア１および２と誘導コイル
３ば絶縁性基板４上に薄膜状態で形成されている。該磁
気コア１および２は一端においては、絶縁Ｎ５を介して
コアギャンプｇの距離を以て正対し、他端においては、
磁気的に接合されている。
３ば絶縁性基板４上に薄膜状態で形成されている。該磁
気コア１および２は一端においては、絶縁Ｎ５を介して
コアギャンプｇの距離を以て正対し、他端においては、
磁気的に接合されている。
該磁気コア１および２は、その磁化容易軸がコア幅（第
１図Ｗ）に平行な方向に揃うように、磁場中で成膜され
る。しかし、該磁化容易軸は反磁界の作用によって上記
平行方向とずれ、とくに幅の狭くなったコア先端部にお
いては、上記平行方向と垂直な方向に向く。このために
、該磁気コアを、きわめて薄い（例えば０．０１〜０．
０５１／ ｍ ）非磁性膜を介して接する多Ｎ磁性膜状
に形成することが行われる。これによって各磁性膜間に
おいて前配圧ωり界は相互に打ち消し合い、その結果、
磁気二ｌア全面にわたって磁化容易軸を所期の方向に揃
えることができる。
１図Ｗ）に平行な方向に揃うように、磁場中で成膜され
る。しかし、該磁化容易軸は反磁界の作用によって上記
平行方向とずれ、とくに幅の狭くなったコア先端部にお
いては、上記平行方向と垂直な方向に向く。このために
、該磁気コアを、きわめて薄い（例えば０．０１〜０．
０５１／ ｍ ）非磁性膜を介して接する多Ｎ磁性膜状
に形成することが行われる。これによって各磁性膜間に
おいて前配圧ωり界は相互に打ち消し合い、その結果、
磁気二ｌア全面にわたって磁化容易軸を所期の方向に揃
えることができる。
ところで、上記磁性膜の成膜方法としてメッキ法を用い
ると、磁気特性のよい磁性膜が得られやすい。しかしな
がら、上記のような厚さの非磁性膜をメッキ法により形
成することは、膜厚制御およびその分布に関する成膜技
術の点から容易でないために、従来は蒸着あるいはスパ
ッタリング等の方法に頼らざるを得す、該磁気−・ソＩ
Ｘの製造」二程が複雑になり、コスト高になる欠点があ
った。
ると、磁気特性のよい磁性膜が得られやすい。しかしな
がら、上記のような厚さの非磁性膜をメッキ法により形
成することは、膜厚制御およびその分布に関する成膜技
術の点から容易でないために、従来は蒸着あるいはスパ
ッタリング等の方法に頼らざるを得す、該磁気−・ソＩ
Ｘの製造」二程が複雑になり、コスト高になる欠点があ
った。
（ｄ）発明の目的
本発明は、共にメッキ法によって形成された磁性膜およ
び非磁性膜を用いることが可能な、新規な構造を有する
薄膜型磁気ヘッドを提供することを目的とする。
び非磁性膜を用いることが可能な、新規な構造を有する
薄膜型磁気ヘッドを提供することを目的とする。
（ｅ）発明の構成
本発明は、磁性膜と非磁性膜とを交互に積層して形成さ
れた多層磁性膜を用いる薄膜型磁気ヘッドにおいて、該
多層磁性膜の側端部に磁気シャンＣｆ＞発明の実施例 以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
れた多層磁性膜を用いる薄膜型磁気ヘッドにおいて、該
多層磁性膜の側端部に磁気シャンＣｆ＞発明の実施例 以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
以下の図面において第１図と同じものには同一符号を付
しである。
しである。
第２図は本発明の′Ｍ薄膜型磁気ヘッド用いられる多層
磁性膜の構造を示す模式図であり、（Ａ）は平面図、（
Ｂ）は（Ａ）のＸ−Ｘ断面図である。
磁性膜の構造を示す模式図であり、（Ａ）は平面図、（
Ｂ）は（Ａ）のＸ−Ｘ断面図である。
同図に示すように、本発明の多層磁性膜においては、パ
ーマロイ等から成る例えば４ｒＶＩの磁性膜１１〜１４
と、例えば銅から成る非磁性膜２１〜２３とが交互に積
層されており、かつ該成層された層の側端部には磁気シ
ャント層３１および３２が設けられている。
ーマロイ等から成る例えば４ｒＶＩの磁性膜１１〜１４
と、例えば銅から成る非磁性膜２１〜２３とが交互に積
層されており、かつ該成層された層の側端部には磁気シ
ャント層３１および３２が設けられている。
ところで、本発明におけるように、磁気シャント層３１
および３２を設けない従来の多層磁性膜の場合、非磁性
膜２１〜２３の厚さを決定する要因となるのは、各磁性
膜間に働く静磁相互作用と交換相互作用と呼ばれる磁気
的相互作用である。
および３２を設けない従来の多層磁性膜の場合、非磁性
膜２１〜２３の厚さを決定する要因となるのは、各磁性
膜間に働く静磁相互作用と交換相互作用と呼ばれる磁気
的相互作用である。
前者は磁性膜間に磁気的結合回路を形成しょうとする相
互作用であり、前記の反磁界の打も消し合いはこの相互
作用による。したがって、これを効果的にするためには
、各非磁性膜の厚ざを小さくするほどよい。一方、後者
は磁性膜を構成する原子が相互にスピンを揃えようとす
る相互作用であり、各非磁性膜の厚さが小さくなるほど
強＜ （＠Ｊき、非磁性膜を極端に薄（した場合には、
多層化された磁性膜は見掛上、連続した磁性膜となるた
めに、前記反磁界を打ち消す効果が失われる。
互作用であり、前記の反磁界の打も消し合いはこの相互
作用による。したがって、これを効果的にするためには
、各非磁性膜の厚ざを小さくするほどよい。一方、後者
は磁性膜を構成する原子が相互にスピンを揃えようとす
る相互作用であり、各非磁性膜の厚さが小さくなるほど
強＜ （＠Ｊき、非磁性膜を極端に薄（した場合には、
多層化された磁性膜は見掛上、連続した磁性膜となるた
めに、前記反磁界を打ち消す効果が失われる。
以上の理由から、非磁性膜の厚さは、上記交換相互作用
が顕著に現れない程度の値に留めることが必要となる。
が顕著に現れない程度の値に留めることが必要となる。
このようにして決められる非磁性膜の実用的な厚さは、
磁性膜としてパーマロイを用いる場合には、０．０１〜
０．０５μｍとなるのである。
磁性膜としてパーマロイを用いる場合には、０．０１〜
０．０５μｍとなるのである。
しかし、本発明の場合には、前記磁気シャント層を設り
ることにより各磁性膜相互間には環流磁気回路が形成さ
れるために非磁性膜を薄＜シたと等価となり、各磁性膜
間におりる前記反磁界の打ち消し合い効果が充分大きく
なり、前記のように、磁性膜先α１１４部において磁化
容易軸がコア幅と垂直に向く現象は生じなくなる。
ることにより各磁性膜相互間には環流磁気回路が形成さ
れるために非磁性膜を薄＜シたと等価となり、各磁性膜
間におりる前記反磁界の打ち消し合い効果が充分大きく
なり、前記のように、磁性膜先α１１４部において磁化
容易軸がコア幅と垂直に向く現象は生じなくなる。
したがって、この場合には、非磁性膜の厚さに対し前述
のような制約はなく、メンキ技術上の管理の容易な範囲
内の値に選ぶことができる。
のような制約はなく、メンキ技術上の管理の容易な範囲
内の値に選ぶことができる。
上記のような磁気シャント層を有する多層磁性膜をメッ
キ法によって形成する１例を以下に述べる。
キ法によって形成する１例を以下に述べる。
第３図（Ａ）に示すように、例えばガラスあるいは樹脂
等の絶縁性基体４上に、メッキ電極となるメンキベース
１０として、例えばパーマロイを蒸着、スパッタリング
、イオンブレーティング等の方法によって約０．１μｍ
の厚さに成膜する。
等の絶縁性基体４上に、メッキ電極となるメンキベース
１０として、例えばパーマロイを蒸着、スパッタリング
、イオンブレーティング等の方法によって約０．１μｍ
の厚さに成膜する。
つぎに、絶縁性基体４の面に平行な磁場の下で、同図（
Ｂ）のようにメンキベース１０の上に全面に磁性膜１１
として、例えばパーマロイを約１μｍメッキし、引続き
この上に非磁性膜２１として銅、金、ニッケルー燐合金
、あるいはロジウム等のいずれかを約０．１μｍメッキ
する。同様の工程を繰り返して、磁性膜１２〜１４、非
磁性膜２２〜２３をメッキする。
Ｂ）のようにメンキベース１０の上に全面に磁性膜１１
として、例えばパーマロイを約１μｍメッキし、引続き
この上に非磁性膜２１として銅、金、ニッケルー燐合金
、あるいはロジウム等のいずれかを約０．１μｍメッキ
する。同様の工程を繰り返して、磁性膜１２〜１４、非
磁性膜２２〜２３をメッキする。
」二記多層膜上に所定パターンのフォトレジスト屓６を
形成し、該フォ１−レジスト層６が存在しない部分をイ
オンミルあるいはスパソターエソヂング等の方法により
除去し、同図（Ｃ）の状態の多層膜を得る。
形成し、該フォ１−レジスト層６が存在しない部分をイ
オンミルあるいはスパソターエソヂング等の方法により
除去し、同図（Ｃ）の状態の多層膜を得る。
つぎに、のフォトレジスト
状態で、多層膜が露出している側壁面に磁気シャント層
３１および３２として、例えばパーマロイをメッキし、
同図ＣＤ）の構造の多層膜を得る。この後、フォトレジ
スト層６をプラズマエツチング等の方法によって除去し
て第２図に示すよ・うな多層磁性膜が得られる。この場
合の該磁気シャント層３１および３２の厚さは、磁性膜
】】〜１４の厚さと同等ないしそれ以上の値とし、磁束
が充分通るようにする。
３１および３２として、例えばパーマロイをメッキし、
同図ＣＤ）の構造の多層膜を得る。この後、フォトレジ
スト層６をプラズマエツチング等の方法によって除去し
て第２図に示すよ・うな多層磁性膜が得られる。この場
合の該磁気シャント層３１および３２の厚さは、磁性膜
】】〜１４の厚さと同等ないしそれ以上の値とし、磁束
が充分通るようにする。
本発明の磁気ヘッドは、第１図に示した磁気コア１を上
記のようにして多層化して形成し、例えばフェノール系
樹脂を用いて、絶縁層５を、つぎにメッキ法により誘導
コイル３を形成した後、磁気コア２を前記と同様にして
多層化して形成してその基本部分が構成されるのである
。
記のようにして多層化して形成し、例えばフェノール系
樹脂を用いて、絶縁層５を、つぎにメッキ法により誘導
コイル３を形成した後、磁気コア２を前記と同様にして
多層化して形成してその基本部分が構成されるのである
。
なお、上記実施例においては、多層磁性膜の成膜をメッ
キ法によって行ったが、本発明は他の成膜方法、例えば
蒸着、スパッタリング等によっても実施可能であること
は明らかである。
キ法によって行ったが、本発明は他の成膜方法、例えば
蒸着、スパッタリング等によっても実施可能であること
は明らかである。
（ｇ）発明の効果
本発明によれば、多層磁性膜を用いる薄膜型磁気ヘッド
において、該多層磁性膜間に設けられる非磁性膜の厚さ
についての制約が除かれ、これによってメッキ法の適用
が可能となり、該ヘソｌ−の製造工程ならびにその管理
を容易化し、その結果、量産性およびコスト−性能比の
すぐれた薄膜型磁気へノドを提供できる効果がある。
において、該多層磁性膜間に設けられる非磁性膜の厚さ
についての制約が除かれ、これによってメッキ法の適用
が可能となり、該ヘソｌ−の製造工程ならびにその管理
を容易化し、その結果、量産性およびコスト−性能比の
すぐれた薄膜型磁気へノドを提供できる効果がある。
第１図は電磁誘導型の薄膜型磁気ヘッドの構造を示す図
、第２図は本発明に係る薄膜型磁気へノドに用いられる
多層磁性膜の構造を示す模式図、第３図は本発明に係る
多層磁性膜の製造工程の概要を説明するための図である
。 図において、１および２は磁気コア、３は誘導コイル、
４は絶縁性基体、５ば絶縁層、６ばフォトレジス１一層
、１０はメッキベース、ＩＩと１２と１３と１４は磁性
膜、２１と２２と２３は非磁性膜、３１と３２は磁気シ
ャンｌ一層である。 １１ 蔦 １ 図 第３図
、第２図は本発明に係る薄膜型磁気へノドに用いられる
多層磁性膜の構造を示す模式図、第３図は本発明に係る
多層磁性膜の製造工程の概要を説明するための図である
。 図において、１および２は磁気コア、３は誘導コイル、
４は絶縁性基体、５ば絶縁層、６ばフォトレジス１一層
、１０はメッキベース、ＩＩと１２と１３と１４は磁性
膜、２１と２２と２３は非磁性膜、３１と３２は磁気シ
ャンｌ一層である。 １１ 蔦 １ 図 第３図
Claims (1)
- 磁性膜と非磁性膜とを交互に積層して形成された多層磁
性膜を用いるｉＷ膜梨型磁気・ノドにおし）で、該多層
磁性膜の側端部に磁気シャンＩ一層を設はノこことを特
徴とする薄膜型ａ＋気ヘッド
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17123582A JPS5960721A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 薄膜型磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17123582A JPS5960721A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 薄膜型磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5960721A true JPS5960721A (ja) | 1984-04-06 |
Family
ID=15919546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17123582A Pending JPS5960721A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 薄膜型磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5960721A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6252710A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-07 | Nec Corp | 薄膜磁気ヘツド |
| EP0427171A2 (en) * | 1989-11-07 | 1991-05-15 | International Business Machines Corporation | Magnetic thin film structures |
-
1982
- 1982-09-30 JP JP17123582A patent/JPS5960721A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6252710A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-07 | Nec Corp | 薄膜磁気ヘツド |
| EP0427171A2 (en) * | 1989-11-07 | 1991-05-15 | International Business Machines Corporation | Magnetic thin film structures |
| EP0427171A3 (en) * | 1989-11-07 | 1991-10-30 | International Business Machines Corporation | Magnetic thin film structures and methods for forming same |
| US5331728A (en) * | 1989-11-07 | 1994-07-26 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating magnetic thin film structures with edge closure layers |
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