JPH01169714A

JPH01169714A - 多素子薄膜磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH01169714A
Application number: JP32698587A
Authority: JP
Inventors: Yoshitsugu Miura; 義從三浦; Katsuo Konishi; 小西　捷雄; Masakatsu Saito; 斉藤　正勝
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1987-12-25
Filing date: 1987-12-25
Publication date: 1989-07-05

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、多素子薄膜磁気ヘッドの構造に係り、特に隣
接チャンネル間クロストークの低減化に関するものであ
る。

〔従来の技術〕

多素子薄膜磁気ヘッドの一例として、ビデオフロッピー
、あるいは電子スチルカメラ用の薄膜インラインデュア
ルギャップ磁気ヘッド（以下薄膜インラインヘッドと略
す。）がある。従来の薄膜インラインヘッドは、特開昭
６０−２５８７１８号公報に記載のような構成になって
いた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記従来技術においては、隣接磁気コア間の磁気抵抗に
ついて、充分に配慮がされておらず、隣接チャネル間ク
ロストークが大きいという問題があった。本発明の目的
は、薄膜インラインヘッドをはじめとする多素子薄膜磁
気ヘッドにおいて、隣接チャネル間クロストークを大巾
に低減することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的は、第１図に示したように、薄膜磁気コアを、
電導体で被覆することにより達成される。

第１図は本発明により成る薄膜インラインヘッド鳥観図
で、図中１は基板、２は媒体摺動面、３は磁気コアを被
覆する電導膜、４は上部磁気コア。

５は下部磁気コア、６は磁気ギャップ、７は上下部磁気
コアを磁気的に接続するコア接続部、８は駆動コイルで
ある。

〔作用〕

本発明の基本的動作について、第２図を用いて説明する
。第２図は薄膜インラインヘッドのコア形状を示したも
ので％　ａ　ｌ　ｂ１９　ｂ２の矢印はコア間磁気結合
を模式的に示したものである。

衆知の如く、隣接チャネル間クロストークは。

コア間の磁気結合により発生する。薄膜インラインヘッ
ドの場合、磁気結合の径路として、第２図に示した３種
のａｔ　ｂ、ｔ　ｂｚ径路を考える必要がある。

ａ径路は、上部磁気コア５．あるいは下部磁気コア４の
対向部間に発生する磁気結合に関するものであり、ｂ□
径路は上部磁気コア５の表面間に発生する磁気結合に関
するものである。なお、ｂ２径路は、同じく下部コア表
面間に発生する磁気結合に関するものである。

さて一般的に磁気結合の強さは、その径路に伴なう磁気
抵抗に逆比例することが知られている。

第２図において、対向部の摺動面に対して垂直方向の長
さをＱ、コア巾をＷ、コア間隙をｄ、コア厚をＬとする
と、各々の径路についての磁気抵抗は以下のようになる
。

ａ径路；□　　・・・・・・・・・・・・・・曲・・・
・（１）μ、−ＬｊＱ π 一般的な薄膜インラインヘッドにおいては、ａ七人、で
かつｗ／（ｄ／２）≧１０である。従って（１）と（２
）はほぼ同様の値となることがわかる。つまり隣接間ク
ロストークに対して、ａ。

ｂ□ｔ　ｂｚ径路を経る磁気結合が、はぼ同一の割合で
寄与している。

本発明は、前述した径路の磁気抵抗を増大させることに
より、隣接間クロストークを減少せしめｎとするもので
ある。本発明の特徴はコア間磁気抵抗増加法として、常
電導材料におけるうず電流効果、超電導材料におけるマ
イスナー効果を利用した点にある。いずれの効果も、各
々の材料で磁気コアを被覆した場合、磁気コアから磁束
が外部に漏洩するのを阻止する方向に作用し、結果的に
前述した径路の磁気抵抗を増大させ、隣接チャネル間ク
ロストークを抑圧する。

〔実施例〕

実施例１以下、本発明の第１の実施例について、第１図及び第３
図を用いて説明する。

第３図は第１図に示した形状の薄膜インラインヘッド作
成工程の流れ図である。尚第３図中に示した概略図は、
各工程におけるヘッド摺動面からみた概略形状を示した
ものである。

１０は非磁性セラミクス基板、１１は電導膜である。Ｃ
ｕ（膜厚；１０μｍ）、１２はＣｏ　Ｎ　ｂＺｒ膜から
成る下部コア（膜厚；２０μｍ）、１３はＳ　ｉ　Ｏ，
膜から成るギャップ、１４は１３と同様、電導膜である
Ｃｕ、１５はＣｏＮｂＺｒ膜から成る上部コア（膜厚；
２０μＩ）である。

以下、第３図に示した作成工程について説明する。

ｉ）ｒ下部コア形成Ｊ工程非磁性セラミクス基板に、イオンミリング法を用いて、
下部コア形状に対応ず凹部を形成する。

その後、電導膜であるＣｕ、及び下部コア材であるＣｏ
ＮｂＺｒ膜をＤＣ対向スパッタリング法で前述した膜厚
に形成する。ＣｏＮｂ　Ｚ　ｒ膜形成後、不要部膜をラ
ップ除去することにより、下部コア１２及び導電膜１１
が形成される。

■）［ギャップ及び駆動コイル形成」工程下部コア形成
後、ギャップ材である５ｉ０２膜をスパッタし、ギャッ
プ１１を形成する。その後、駆動コイル（図示せず）を
通常の導体膜形成法及びフォトリソグラフィック法を用
いて形成する。

■）「上部コア形成」工程駆動コイル（図示せず）形成後、上部コア材であるＣ　
ｏ　Ｎ　ｂ　Ｚ　ｒ膜をＤＣ対向スパッタリング法で形
成し、イオンミリング法を用いて上部コア１５を形成す
る。その後、全面に電導膜１４を形成する。

以上の工程を終了したウェハーをチップ分割し、所望形
状になるように加工を施し、第１図に示した薄膜インラ
インヘッドを得る。

前述した方法で作成した薄膜インラインヘッドについて
隣接チャネル間クロストークを評価した結果、クロスト
ーク値は従来ヘッドに比べて約６ｄＢ程度小さくなった
６実施例２第１の実施例における電導膜１１として、Ｙ−Ｂａ−Ｃ
ｕ系酸化物の超電導膜を用いた場合も、第１の実施例と
、はぼ、同様の結果が得られた。

以上、電導膜としてＣｕ、あるいは超電導膜として、Ｙ
　−Ｂ　ａ　−Ｃｕ系酸化物を用いた場合についてのみ
説明したが、本発明は他の電導膜あるいは超電導膜を用
いた場合でも有効である。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明により隣接チャネル間クロ
ストークの小さい多素子薄膜磁気ヘッドの提供が可能と
なる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例の薄膜インラインヘッドの
鳥観図、第２図は薄膜インラインヘッドのコア形状概略
図、第３図は本発明の薄膜インラインヘッドの作成工程
流れ図である。１・・・基板、２・・・摺動面、３・・・コアを被覆す
る電導あるいは超電導膜、４・・・上部コア、５・・・
下部コア、６・・・ギャップ、７・・・コア接続部、８
・・・駆動コイル、１０・・・セラミクス基板、１１・
・・電導膜、１２・・・下部コア、１３・・・ギャップ
、１４・・・電導膜。１５・・・上部コア。晃２目第す区

Claims

【特許請求の範囲】

１、空隙部を有する薄膜磁気コアと、該薄膜磁気コアを
磁化し該空隙部に磁界を生ぜしめ、かつ該薄膜磁気コア
中を伝播する磁束を電気信号に変換するための導体薄膜
から成る駆動コイルを有する薄膜磁気ヘッドを同一基板
上に多数個具備して成る多素子薄膜磁気ヘッドにおいて
、該薄膜磁気コアの少くとも一部が、電導体薄膜により
被覆されていることを特徴とする多素子薄膜磁気ヘッド
。