JPS60113309A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPS60113309A JPS60113309A JP22034483A JP22034483A JPS60113309A JP S60113309 A JPS60113309 A JP S60113309A JP 22034483 A JP22034483 A JP 22034483A JP 22034483 A JP22034483 A JP 22034483A JP S60113309 A JPS60113309 A JP S60113309A
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- Japan
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- insulating layer
- etching
- magnetic
- magnetic gap
- insulating
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜磁気へノドの製造方法に関するものであり
、さらに詳細には磁気ギヤング形成方法の改良に関する
ものである。
、さらに詳細には磁気ギヤング形成方法の改良に関する
ものである。
一般に薄膜磁気へノドは、パーマロイ等の磁性材料を蒸
着あるいはスバンタにより被着して下部磁性体を形成し
た非磁性基板上に、導電金属からなる導体コイルと５ｉ
０２等の絶縁材料からなる絶縁層とを交互に積層形成し
、さらに上部磁性体を積層形成することにより製造され
ている。
着あるいはスバンタにより被着して下部磁性体を形成し
た非磁性基板上に、導電金属からなる導体コイルと５ｉ
０２等の絶縁材料からなる絶縁層とを交互に積層形成し
、さらに上部磁性体を積層形成することにより製造され
ている。
ところで、この、１．うな薄膜磁気へノドにおいては、
上記下部磁性体と上部磁性体の間に絶縁膜？介在させて
磁気ギャップを形成する必要があるが、この磁気ギャッ
プ形成のための絶縁膜として先の絶縁層を利用すること
は難かしい０こｔｌ、は、上記絶縁層がそｎぞれ所定の
絶縁特性を得るためにある程度の膜厚、例えば約１μｍ
ｋ有し、さらに上記導体コイルの多層化に伴なって上
記磁気ギャップとなる部分においても上記絶縁層が複数
層形成されることによる。例えば、第１図に示すように
導体コイル１０１’ｘ２層形成した場合には、各層間の
絶縁を図る絶縁層１０２は３層必要となシ、基板１０３
上の下部磁性体１０４と上部磁性体１０５の磁気ギャク
プ形成部における磁気ギャップ長ｔは、上記絶縁層１０
２の厚さをそ九ぞｎ ｌ ｌｂｍとす几ば３μｍにも達
してしまう。このため、高密度記録化に伴なう短波長記
録・再生に対応することができなくなってし１う。例え
ば、上述の短波長記録・再生全行なうためには、上記磁
気ギヤツブ長？０．５μｍ程度とする必要がある。
上記下部磁性体と上部磁性体の間に絶縁膜？介在させて
磁気ギャップを形成する必要があるが、この磁気ギャッ
プ形成のための絶縁膜として先の絶縁層を利用すること
は難かしい０こｔｌ、は、上記絶縁層がそｎぞれ所定の
絶縁特性を得るためにある程度の膜厚、例えば約１μｍ
ｋ有し、さらに上記導体コイルの多層化に伴なって上
記磁気ギャップとなる部分においても上記絶縁層が複数
層形成されることによる。例えば、第１図に示すように
導体コイル１０１’ｘ２層形成した場合には、各層間の
絶縁を図る絶縁層１０２は３層必要となシ、基板１０３
上の下部磁性体１０４と上部磁性体１０５の磁気ギャク
プ形成部における磁気ギャップ長ｔは、上記絶縁層１０
２の厚さをそ九ぞｎ ｌ ｌｂｍとす几ば３μｍにも達
してしまう。このため、高密度記録化に伴なう短波長記
録・再生に対応することができなくなってし１う。例え
ば、上述の短波長記録・再生全行なうためには、上記磁
気ギヤツブ長？０．５μｍ程度とする必要がある。
そこでさらに従来は、第２図に示すように、あらかじめ
磁気ギャップ形成部に被着さ几る絶縁層１０２をエツチ
ングで完全に除去し、新たに所定の膜厚の絶縁膜１０６
を被着形成するという方法が検討さ几ている。この場合
には、上述の磁気ギャップ長の問題は解消され、高密度
記録化に対処することが可能となる。
磁気ギャップ形成部に被着さ几る絶縁層１０２をエツチ
ングで完全に除去し、新たに所定の膜厚の絶縁膜１０６
を被着形成するという方法が検討さ几ている。この場合
には、上述の磁気ギャップ長の問題は解消され、高密度
記録化に対処することが可能となる。
したしながら、上記絶縁層１０２に対して湿式エツチン
グや反応性ガスによるプラズマエツチング等、一般的な
手法を用いてエツチングを施した場合には、残存する絶
縁層１０２のエツジ部１０２ａが略直角となシ、上部磁
性体１０５全形成した際に上記エツジ部１０２ａにおい
てこの上部磁性体１０５の厚みが大幅に減少したり、上
部磁性体１０５の材質によってはクラックが生じたりす
る虞れがある。この結果、得らｎる薄膜磁気ヘッドの記
録再生効率等に悪影響葡及ばずことは明白である。
グや反応性ガスによるプラズマエツチング等、一般的な
手法を用いてエツチングを施した場合には、残存する絶
縁層１０２のエツジ部１０２ａが略直角となシ、上部磁
性体１０５全形成した際に上記エツジ部１０２ａにおい
てこの上部磁性体１０５の厚みが大幅に減少したり、上
部磁性体１０５の材質によってはクラックが生じたりす
る虞れがある。この結果、得らｎる薄膜磁気ヘッドの記
録再生効率等に悪影響葡及ばずことは明白である。
そこで本発明は、上述の従来の製造方法の有する欠点を
解消するために提案さ几たものであって、精度の良い磁
気ギャップ長が得ら九るとともに記録再生効率等の％、
性、のバラツキが少なく安定した品質の薄膜磁気ヘノド
ケ得ることが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法ケ提供す
ること全目的とする。
解消するために提案さ几たものであって、精度の良い磁
気ギャップ長が得ら九るとともに記録再生効率等の％、
性、のバラツキが少なく安定した品質の薄膜磁気ヘノド
ケ得ることが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法ケ提供す
ること全目的とする。
本発明は、上述の如き目的を達成するために、下部磁性
体上に絶縁層を介して導体コイルケ形成しさらに絶縁層
を積層形成する工程と、上記下部磁性体の磁気ギャップ
形成部上に被着さ扛る絶縁層に対し上記下部磁性体に達
しない程度にテーパーエノチングヲ施す工程と、上記磁
気ギャップ形成部上に残存する絶縁層に対して上記下部
磁性体と選択性のあるエツチング全行なって完全に除去
する工程と、上記磁気ギャップ形成部上に磁気ギャップ
となる絶縁層全形成する工程と、該絶縁層を介して上記
下部磁性体上に上部磁性体を形成する工程とからなるも
のである。
体上に絶縁層を介して導体コイルケ形成しさらに絶縁層
を積層形成する工程と、上記下部磁性体の磁気ギャップ
形成部上に被着さ扛る絶縁層に対し上記下部磁性体に達
しない程度にテーパーエノチングヲ施す工程と、上記磁
気ギャップ形成部上に残存する絶縁層に対して上記下部
磁性体と選択性のあるエツチング全行なって完全に除去
する工程と、上記磁気ギャップ形成部上に磁気ギャップ
となる絶縁層全形成する工程と、該絶縁層を介して上記
下部磁性体上に上部磁性体を形成する工程とからなるも
のである。
以下、本発明の具体的な実施例について図面を参照しな
がら説明する。
がら説明する。
第３図ないし第７図は、本発明による薄膜磁気へノドの
製造方法の一例をその工程順序に従って示すものである
。
製造方法の一例をその工程順序に従って示すものである
。
薄膜磁気へノドを製造するには、先ず第３図に示すよう
に、高周波透磁率が高く飽和磁束密度の大きなパーマロ
イやセンダスト等の磁性材料を蒸着あるいはスパッタに
よシその表面に被着し下部磁性体２を形成した非磁性基
板１會準備する。
に、高周波透磁率が高く飽和磁束密度の大きなパーマロ
イやセンダスト等の磁性材料を蒸着あるいはスパッタに
よシその表面に被着し下部磁性体２を形成した非磁性基
板１會準備する。
次いで、第４図に示すように、上記下部磁性体２上に第
１の絶縁層３、第１の導体金属層４、第２の絶縁層５、
第２の導体金属層６、第３の絶縁層７を順次積層形成し
多層配線構造とする。
１の絶縁層３、第１の導体金属層４、第２の絶縁層５、
第２の導体金属層６、第３の絶縁層７を順次積層形成し
多層配線構造とする。
上記第１の絶縁層３、第２の絶縁層５及び第３の絶縁層
７は、５ｉ０２等の絶縁材料を蒸着ある゛いはスパッタ
等の手段を用いて被着形成さ几、そ７Ｌぞれの膜厚は十
分な絶縁特性ヶ得るために１／ｊｍ程度とさｎている。
７は、５ｉ０２等の絶縁材料を蒸着ある゛いはスパッタ
等の手段を用いて被着形成さ几、そ７Ｌぞれの膜厚は十
分な絶縁特性ヶ得るために１／ｊｍ程度とさｎている。
一！た、上記第１の導体金属層４及び第２の導体金属層
６には、それぞ几パター／エツチングが施さｎ１導体コ
イル全構成するＪ：うに配設さ几ている。例えば、上記
第１の導体金属層４と第２の導体金属層６とケそれぞれ
同一巻回方向を有する３ターンの渦巻状にエツチングす
るとともに、上記第２の絶縁層５に設けら九る図示しな
い筬続用窓部ヶ介して上記第１の導体金属層４と第２の
導体金属層６の接続導通を図ることにＪニジ、合わせて
６ターンの導体コイルが構成さｎている。
６には、それぞ几パター／エツチングが施さｎ１導体コ
イル全構成するＪ：うに配設さ几ている。例えば、上記
第１の導体金属層４と第２の導体金属層６とケそれぞれ
同一巻回方向を有する３ターンの渦巻状にエツチングす
るとともに、上記第２の絶縁層５に設けら九る図示しな
い筬続用窓部ヶ介して上記第１の導体金属層４と第２の
導体金属層６の接続導通を図ることにＪニジ、合わせて
６ターンの導体コイルが構成さｎている。
そして、上述のように積層形成される谷絶縁層３．５．
７のうち上記下部磁性体２の先端縁２ａ近傍の磁気ギャ
ップ形成部上に被着さｎる部分に対して９、第５図に示
すようにエツチングによる端面が上記先端縁２ａに向か
って傾斜する斜面となるようなテーパーエツチングを施
す。
７のうち上記下部磁性体２の先端縁２ａ近傍の磁気ギャ
ップ形成部上に被着さｎる部分に対して９、第５図に示
すようにエツチングによる端面が上記先端縁２ａに向か
って傾斜する斜面となるようなテーパーエツチングを施
す。
このテーパーエツチングは、エツチング時度を任意に制
御可能なイオンエツチングにより容易に行なうことがで
きるが、′後述の上部磁性体のクラ好丑しい。また、上
記テーパーエツチングは、エツチングレートよシ算出し
て少なくとも上記下部磁性体２にまで達しない程度で終
了する。この場合、上記谷絶縁層３，５，７の膜厚のバ
ラツキ等全考慮して、第１の絶縁層３がわずかに残存す
る、＋、うにしておぐ。こｎは、上記テーパーエツチン
グに用いるイオンエツチングの絶縁／ｌｉ３．５．７に
対するエツチングレートと下部磁性体２に対するエツチ
ングレートにほとんど差がなく、上記第１の絶縁層３ま
でこのイオンエツチングで完全ニ除去しようとするとオ
ーバーエツチングしてしまう虞れが大であるためである
。このようなオーバーエツチングが生ずると、第８図に
示すように所定の磁気ギヤング長ｔを有する絶縁膜８を
形成した時に磁気ギャップデプス内に上記磁気ギャップ
長ｇｘＡ）も膜厚の薄い部分８ａ（この部分は余１面で
おるために平坦部よυも膜厚が減少してし￥１：う。
御可能なイオンエツチングにより容易に行なうことがで
きるが、′後述の上部磁性体のクラ好丑しい。また、上
記テーパーエツチングは、エツチングレートよシ算出し
て少なくとも上記下部磁性体２にまで達しない程度で終
了する。この場合、上記谷絶縁層３，５，７の膜厚のバ
ラツキ等全考慮して、第１の絶縁層３がわずかに残存す
る、＋、うにしておぐ。こｎは、上記テーパーエツチン
グに用いるイオンエツチングの絶縁／ｌｉ３．５．７に
対するエツチングレートと下部磁性体２に対するエツチ
ングレートにほとんど差がなく、上記第１の絶縁層３ま
でこのイオンエツチングで完全ニ除去しようとするとオ
ーバーエツチングしてしまう虞れが大であるためである
。このようなオーバーエツチングが生ずると、第８図に
示すように所定の磁気ギヤング長ｔを有する絶縁膜８を
形成した時に磁気ギャップデプス内に上記磁気ギャップ
長ｇｘＡ）も膜厚の薄い部分８ａ（この部分は余１面で
おるために平坦部よυも膜厚が減少してし￥１：う。
）が存在し、この部分８ａで漏洩磁束等が発生して記録
再生効率が悪化してしまう。
再生効率が悪化してしまう。
ところで、ここで上記テーパーエツチングにより残存す
る第１の絶縁Ｎ３ケその１複磁気ギヤツプとして利用す
ることも考えられるが、精度良く所定の磁気ギヤング長
となるように上記テーパーエツチング全制御することは
難かしく、捷た通常の薄膜形成装置で被着形成される各
絶縁層３，５．７の膜厚のバラツキが太きいものである
ので好ましい方法ではない。
る第１の絶縁Ｎ３ケその１複磁気ギヤツプとして利用す
ることも考えられるが、精度良く所定の磁気ギヤング長
となるように上記テーパーエツチング全制御することは
難かしく、捷た通常の薄膜形成装置で被着形成される各
絶縁層３，５．７の膜厚のバラツキが太きいものである
ので好ましい方法ではない。
そこで、次に、上記テーパーエツチングにより残存する
絶縁層３に対して、ｌｆ＋ｅ下部磁性体２と選択性のあ
るエツチング処理ｋＦｍして、第６図に示す↓うに上記
絶縁層３を完全に除去する。
絶縁層３に対して、ｌｆ＋ｅ下部磁性体２と選択性のあ
るエツチング処理ｋＦｍして、第６図に示す↓うに上記
絶縁層３を完全に除去する。
上記選択性のあるエツチング処理としては、上記絶縁Ｎ
３に対するエツチングレートと下部磁性体２に対するエ
ツチングレートが大幅に異な）上記絶縁層３のみ全選択
的に除去することができるものであｎば如伺なるもので
あってもよく、例えば湿式エツチング法や反応性ガスを
用いたプラズマエツチング法等が挙げらｎる。このよう
なエツチング処理を行なえば、上記下部磁性体２とオー
バーエツチングすることなく上記残存する絶縁層３全完
全に除去することができる。
３に対するエツチングレートと下部磁性体２に対するエ
ツチングレートが大幅に異な）上記絶縁層３のみ全選択
的に除去することができるものであｎば如伺なるもので
あってもよく、例えば湿式エツチング法や反応性ガスを
用いたプラズマエツチング法等が挙げらｎる。このよう
なエツチング処理を行なえば、上記下部磁性体２とオー
バーエツチングすることなく上記残存する絶縁層３全完
全に除去することができる。
上述のように、磁気ギャップ形成部上に被着さ九る各絶
縁層３，５．７を完全に除去した後、第７図に示すよう
に所望の磁気ギャップ長２と等しい膜厚ケ有する絶縁膜
１０’ｋＳｉＯ２等を蒸着あるいはスパッタ等の手段を
用いて精度良く被着形成し、さらに上部磁性体９（Ｉｌ
−積層形成して薄膜磁気ヘッド全完成する。なお、上記
上部磁性体９上には、さらに図示しない保護膜等が形成
され、この薄膜磁気へノドの保護が図ら几る。
縁層３，５．７を完全に除去した後、第７図に示すよう
に所望の磁気ギャップ長２と等しい膜厚ケ有する絶縁膜
１０’ｋＳｉＯ２等を蒸着あるいはスパッタ等の手段を
用いて精度良く被着形成し、さらに上部磁性体９（Ｉｌ
−積層形成して薄膜磁気ヘッド全完成する。なお、上記
上部磁性体９上には、さらに図示しない保護膜等が形成
され、この薄膜磁気へノドの保護が図ら几る。
以上述べたように、上記実施例においてはテーパ−エツ
チングと選択性エッチフグを併用して磁気ギヤノブ形成
部の各絶縁層３，５．７’！ｒ除去しているので、下部
磁性体２全オーバーエグチングすることなく上記各絶縁
層３，５．７を完全に除去することが可能となるととも
に、上記磁気ギャップ形成部以外に残存する絶縁層３，
５，７のエツジ部が鈍角的なものとな）絶縁膜１ｏや上
部磁性体９にクラブフカε発生したり厚さの大幅に薄い
部分が生じたりすることがなくなる。このため、正確な
磁気ギャップ長ｔを有し配録再生性１牛等の安定した薄
膜磁気へノドが得ら几る。
チングと選択性エッチフグを併用して磁気ギヤノブ形成
部の各絶縁層３，５．７’！ｒ除去しているので、下部
磁性体２全オーバーエグチングすることなく上記各絶縁
層３，５．７を完全に除去することが可能となるととも
に、上記磁気ギャップ形成部以外に残存する絶縁層３，
５，７のエツジ部が鈍角的なものとな）絶縁膜１ｏや上
部磁性体９にクラブフカε発生したり厚さの大幅に薄い
部分が生じたりすることがなくなる。このため、正確な
磁気ギャップ長ｔを有し配録再生性１牛等の安定した薄
膜磁気へノドが得ら几る。
さらに、上記絶縁層３，５．７形成時の膜厚のバラツキ
やエツチング時のエツチングレート％にそｎはど精度に
一９求さｎないため、製造上工程管理が容易となり生産
効率全向上することも可能である。
やエツチング時のエツチングレート％にそｎはど精度に
一９求さｎないため、製造上工程管理が容易となり生産
効率全向上することも可能である。
上述の実施例の説明７）＞らも明らかなように、本発明
においては磁気ギヤノブ形成部上に被着形成さｎる絶縁
層を除去するためにテーパーエツチングと選択性エツチ
ングレートしているので、精度の良い磁気ギヤツブ長ケ
有するとともに＝ｃ録再再生効率の特性のバラツキが少
なく安定した品質の薄膜磁気ヘノドケ得ることが可能と
なっている。
においては磁気ギヤノブ形成部上に被着形成さｎる絶縁
層を除去するためにテーパーエツチングと選択性エツチ
ングレートしているので、精度の良い磁気ギヤツブ長ケ
有するとともに＝ｃ録再再生効率の特性のバラツキが少
なく安定した品質の薄膜磁気ヘノドケ得ることが可能と
なっている。
第１図は従来の製造方法で得ら扛る薄膜磁気へノドの要
部断面図であシ、第２図は他の従来の製造方法で得らｎ
る薄膜磁気ヘッドの要部断面図である０ 第３図ないし第７図は本発明を適用した薄膜磁気ヘッド
の製造工程の一例をその工程順序に従って示す要部断面
図であシ、第３図は下部磁性体形成工程、第４図は導体
金属層及び絶縁層形成工程、第５図はテーパーエノチン
ダ工程、第６図は選択性エノチング工程、第７図は絶縁
膜及び」一部磁性体形成工程、？そ九ぞｎ示す。 第８図は下部磁性体をオーバーエツチングした状態葡示
す要部断面図である。 ２・・・下部磁性体 ３．５．７・・・絶縁層 ４．６・・・導体金属層 ９・・・上部磁性体 １０・・・絶縁膜（磁気ギャップとなる絶縁層）第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第８図
部断面図であシ、第２図は他の従来の製造方法で得らｎ
る薄膜磁気ヘッドの要部断面図である０ 第３図ないし第７図は本発明を適用した薄膜磁気ヘッド
の製造工程の一例をその工程順序に従って示す要部断面
図であシ、第３図は下部磁性体形成工程、第４図は導体
金属層及び絶縁層形成工程、第５図はテーパーエノチン
ダ工程、第６図は選択性エノチング工程、第７図は絶縁
膜及び」一部磁性体形成工程、？そ九ぞｎ示す。 第８図は下部磁性体をオーバーエツチングした状態葡示
す要部断面図である。 ２・・・下部磁性体 ３．５．７・・・絶縁層 ４．６・・・導体金属層 ９・・・上部磁性体 １０・・・絶縁膜（磁気ギャップとなる絶縁層）第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第８図
Claims (1)
- 下部磁性体上に絶縁層を介して導体コイルを形成しさら
に絶縁層を積層形成する工程と、上記下部磁性体の磁気
ギヤング形成部上に被着さｎる絶縁層に対し上記下部磁
性体に達しない程度にテーバーエノテングヲ施す工程と
、上記磁気ギヤング形成部上に残存する絶縁層に対して
上記下部磁性体と選択性のあるエツチング全行なって完
全に除去する工程と、上記磁気ギャップ形成部上に磁気
ギャップとなる絶Ｒ層ケ形成する工程と、該絶縁層？介
して上記下部磁性体上に上部磁性体を形成する工程とか
らなる薄膜磁気へノドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22034483A JPS60113309A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22034483A JPS60113309A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60113309A true JPS60113309A (ja) | 1985-06-19 |
Family
ID=16749669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22034483A Pending JPS60113309A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60113309A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS628321A (ja) * | 1985-07-04 | 1987-01-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
-
1983
- 1983-11-22 JP JP22034483A patent/JPS60113309A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS628321A (ja) * | 1985-07-04 | 1987-01-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
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