JPH09251609A - 磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 製造工程数を大幅に減少させるとともに、薄
膜コイルの保護膜を容易且つ正確に形成することを可能
とし、製造コストが低く歩留りの優れた高出力の磁気ヘ
ッドを提供する。 【解決手段】 薄膜コイル１２を外気から隔絶するため
の保護膜８を、ＳｉＯ₂或はＡｌ₂ Ｏ₃ を材料として、
スパッタ法等の真空薄膜形成技術により成膜する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ビデオテープレコ
ーダや磁気ディスク装置等に好適な磁気ヘッドに関し、
特にコイルを真空薄膜形成技術により形成されてなる磁
気ヘッド及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ビデオテープレコーダ（ＶＴＲ）や磁気
ディスク装置等の磁気記録再生装置の磁気ヘッドとして
は、フェライトよりなる磁気コアの磁気ギャップ形成面
に金属磁性膜を成膜した、いわゆるメタル・イン・ギャ
ップ型磁気ヘッドや、一対の非磁性材料よりなる基板で
金属磁性膜を挟み込んだ形の、いわゆるラミネート型磁
気ヘッド等が使用されているが、今後の高画質化、デジ
タル化等に対応するためには、より高周波域で良好な電
磁変換特性を示すことが必要である。

【０００３】しかしながら、上記メタル・イン・ギャッ
プ型磁気ヘッドは、インピーダンスが大きく、高周波数
における使用には適さない。

【０００４】また、上記ラミネート型磁気ヘッドは、高
密度記録化のためにトラック幅を減少させる場合、磁路
を構成する金属磁性膜の膜厚を減少させる必要があり、
再生効率が低下する。さらに、磁路が金属磁性膜のみで
形成されるため、金属磁性膜の磁気異方性の制御に問題
があり、高い再生効率を得るのが困難である。なぜな
ら、一般に磁気ヘッドの磁気異方性は、磁化容易軸が磁
束の方向に対して常に垂直方向であるのが理想である
が、金属磁性膜の磁化容易軸を磁束の方向に対して常に
垂直方向になるようにすることは難しく、現状では異方
性のない等方（無配向）膜か、異方性があっても一方向
の一軸異方性を持つものしかないからである。

【０００５】そこで、高周波対応の磁気ヘッドとして、
例えば特開昭６３−２３１７１３号公報や特開平３−２
４８３０５号公報に記載されるように、通常の磁気ヘッ
ドよりも金属磁性膜で構成される磁路を小さくし、且つ
真空薄膜形成技術を用いて磁気ギャップ形成面に薄膜コ
イルを成膜した磁気ヘッドが提案されている。

【０００６】この薄膜コイルをもつ磁気ヘッドを製造す
るに際しては、先ず、ガラス材等の非磁性材よりなるブ
ロック基板を用意し、当該ブロック基板の少なくとも記
録媒体対向面の近傍部にスパッタ法や真空蒸着法等の真
空薄膜形成技術によりＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金等よりなる
金属磁性膜を形成する。

【０００７】次いで、上記ブロック基板の一主面に、巻
線溝及び当該巻線溝に略々直交する方向に上記金属磁性
膜により形成される磁気コアのフロントギャップとバッ
クギャップとを分離する分離溝（共に図示は省略す
る。）をそれぞれ形成する。その後、上記ブロック基板
の一主面に形成された巻線溝及び分離溝内に低融点ガラ
スを充填させ、当該各一主面に平坦化処理を施し、低融
点ガラスが充填された上記分離溝内に後述する薄膜コイ
ルの接続端子が形成される端子溝を形成する。

【０００８】続いて、上記一主面上の薄膜コイル（接続
端子を含む）が形成される位置に凹部を形成する。

【０００９】そして、図１７に示すように、上述の各凹
部１０１内にレジストを用いてフォトリソグラフィー技
術によりパターニングしてコイルパターンを形成し、Ｃ
ｕを材料としたメッキ成膜法により接続端子１０２ａを
有する各コイル半体１０２を成膜形成する。

【００１０】次いで、形成されたコイル半体１０２の外
気との接触を避けるために、フォトリソグラフィー技術
により薄膜コイル１０２上にレジストよりなる保護膜１
０３を形成する。

【００１１】すなわち、先ず図１８に示すように、ブロ
ック基板の一主面にレジストをスピンコート法により塗
布して膜厚１μｍ程度のレジスト膜１０４を形成する。

【００１２】次いで、図１９に示すように、所定形状の
マスク１０５を用いて露光を施し、当該マスク１０５の
形状に倣ってコイル半体１０２上のみにレジスト膜１０
４を残存させる。

【００１３】その後、図２０に示すように、窒素雰囲気
中において温度３４０℃で１時間加熱処理を行う（ハー
ドキュア）ことにより、レジスト膜１０４を熱硬化させ
る。そして、図２１に示すように、接続端子１０２ａに
平坦化研磨を施し、当該接続端子１０３の表面の高さと
ブロック基板の一主面の高さを等しくすることにより、
上記保護膜１０３が形成される。この場合、平坦化研磨
の終了点は、所定の段差計を用いて接続端子１０２ａと
上記一主面との段差を測定することにより決定される。

【００１４】続いて、上記一主面に金を用いてＡｕ電極
をそれぞれ形成し、当該Ａｕ電極の表面を浄化するため
に有機溶剤を用いて洗浄を施した後に、酸素プラズマを
用いた灰化処理を行う。

【００１５】次に、上記ブロック基板を２分割して各々
コイル半体１０２が並列形成された一対の磁気ヘッドブ
ロック半体を作製し、当該各磁気ヘッドブロック半体を
それぞれ上記Ａｕ電極にて突き合わせて、金の拡散結合
により接合固定して磁気ヘッドブロックを作製する。こ
のとき、各コイル半体１０２同士が接続端子１０２ａ及
びフロントギャップ、バックギャップにてＡｕを介して
接続されて上記金属磁性膜よりなる磁気コアに薄膜コイ
ルが巻回されたかたちに各磁気ヘッドが形成される。

【００１６】そして、当該磁気ヘッドブロックから各ヘ
ッドチップを切り出し、当該各ヘッドチップに所要の後
処理を施すことにより、上記磁気ヘッドが完成する。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、薄膜コ
イルをもつ上記磁気ヘッドにおいては、以下に示すよう
な諸々の問題がある。

【００１８】上記保護膜１０３を形成する際に、レジス
ト膜１０４をスピンコート法により塗布形成するが、こ
のときレジスト膜１０４が必ずしも上記ブロック基板の
一主面全面で均一な膜厚に形成されるとは限らず、膜厚
が薄くなるほど割合の大きな膜厚分布が生じることにな
る。

【００１９】さらに、レジストよりなる保護膜１０３は
有機溶剤に対する耐性が弱く、有機溶剤を用いて上記Ａ
ｕ電極に洗浄処理を施す際に損傷を受けやすい。また、
当該洗浄処理に続く灰化処理により保護膜１０３が除去
されてしまう虞もある。

【００２０】また、上記平坦化研磨に際して接続端子１
０２ａと上記一主面との段差を段差計を用いて測定する
必要があるために、極めて煩雑であり且つ不明確な測定
結果とならざるを得ない。

【００２１】そこで本発明は、上述の従来の磁気ヘッド
の有する様々な欠点を解消すべく提案されたものであっ
て、製造工程数を大幅に減少させるとともに、薄膜コイ
ルの保護膜を容易且つ正確に形成することを可能とし、
製造コストが低く歩留りの優れた高出力の磁気ヘッドを
提供することを目的とする。

【００２２】

【課題を解決するための手段】本発明の対象とするもの
は、非磁性基板上の少なくとも記録媒体対向面の近傍部
に金属磁性膜が形成された一対の磁気コア半体が突き合
わせられ、上記金属磁性膜間に磁気ギャップが形成され
てなる磁気ヘッド及びその製造方法である。

【００２３】本発明の磁気ヘッドは、少なくとも一方の
磁気コア半体の突合せ面に真空薄膜形成技術により形成
された薄膜コイルが配されているとともに、上記薄膜コ
イル上に真空薄膜形成技術によりＳｉＯ₂ 或はＡｌ₂ Ｏ
₃ を材料とする保護膜が被覆形成されたものである。

【００２４】この場合、保護膜をスパッタ法或は真空蒸
着法により形成することが好適であり、当該保護膜を１
μｍ以下の膜厚に形成することが好ましい。

【００２５】また、本発明の磁気ヘッドの製造方法は、
少なくとも一方の磁気コア半体の突合せ面に真空薄膜形
成技術により薄膜コイルを形成する工程と、上記薄膜コ
イル上に真空薄膜形成技術によりＳｉＯ₂ 或はＡｌ₂ Ｏ
₃ を材料として薄膜を被覆形成する工程と、上記薄膜に
平坦化研磨を施して上記薄膜コイル上に上記薄膜を残存
せしめて保護膜とする工程とを有し、これらの工程を経
て磁気ヘッドを製造する手法である。

【００２６】この場合、ＳｉＯ₂ 或はＡｌ₂ Ｏ₃ を材料
とした薄膜をスパッタ法或は真空蒸着法により形成する
ことが好適である。

【００２７】本発明に係る磁気ヘッドにおいては、薄膜
コイルの保護膜がＳｉＯ₂ 或はＡｌ₂ Ｏ₃ を材料として
形成されているため、この保護膜がレジストを材料とし
たものに比して膜厚が薄くしかも均一に成膜される。ま
た、当該磁気ヘッドの製造過程において有機溶剤が用い
られたり灰化処理が施されたりした場合でも、上記保護
膜が損傷を受けることがなく歩留りが改善される。

【００２８】また、本発明に係る磁気ヘッドの製造方法
においては、薄膜コイルの保護膜をＳｉＯ₂ 或はＡｌ₂
Ｏ₃ を材料として形成するため、上述のように当該保護
膜が損傷を受けることなく製造工程数を削減することが
可能となる。さらに、この保護膜をＳｉＯ₂ 或はＡｌ₂
Ｏ₃ を材料として成膜したときに、このＳｉＯ₂ 或はＡ
ｌ₂ Ｏ₃ を材料とした薄膜は薄膜コイルを被覆するのみ
ならず基板全面に形成される。この場合、薄膜コイルの
接続端子上に形成された薄膜に平坦化研磨を施すに際し
て、上記基板上に形成された薄膜にも同時に研磨を施し
当該基板上の薄膜が摩滅して基板表面が露出したとき、
同時に上記接続端子の研磨も完了することになる。した
がって、上記基板表面に成膜された薄膜の膜厚を研磨基
準として、目視によっても正確に上記接続端子の研磨を
行うことができる。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した磁気ヘッ
ド及びその製造方法の具体的な実施の形態について、図
面を用いて詳細に説明する。

【００３０】本実施の形態に係る磁気ヘッドにおいて
は、図１及び図２（図１における円Ｃ内の透視拡大図）
に示すように、各突合せ面に金属磁性膜３，４が形成さ
れた非磁性材料よりなる一対の基板１，２が、当該突合
せ面にて金属磁性膜３，４が対向するように金により接
合固定されており、このとき接合された金属磁性膜３，
４により磁気コア１１が形成されている。この磁気コア
１１には、フロントギャップｇｆとバックギャップｇｂ
とが上述のように金接合により形成されており、これら
両者の間には巻線溝３ａ，４ａが形成されている。

【００３１】ここで、基板１，２の各突合せ面には、そ
れぞれ導電材よりなる薄膜のコイル半体６，７がスパッ
タ法により渦巻状に成膜形成されており、当該基板１，
２が接合されるとともにコイル半体６，７がその接続端
子６ａ，７ａにて電気的に接続されている。ここで、磁
気コア１１において巻線溝３ａ，４ａが対向して形成さ
れた巻線溝３ａ，４ａに巻回されるかたちに薄膜コイル
１２が形成される。

【００３２】ここで、薄膜コイル１２の表面には、特に
製造時において当該薄膜コイル１２を外気から隔絶する
ための保護膜８が成膜されている。この保護膜８は、Ｓ
ｉＯ₂ 或はＡｌ₂ Ｏ₃ を材料として、スパッタ法等の真
空薄膜形成技術により成膜されるものである。

【００３３】そして、薄膜コイル１２が各外部端子と電
気的に接続されるための端子接続部１３，１４が側面部
に設けられ、上記磁気ヘッドが構成されている。

【００３４】上述のように、本実施の形態に係る磁気ヘ
ッドにおいては、薄膜コイル１２の保護膜８がＳｉＯ₂
或はＡｌ₂ Ｏ₃ を材料として形成されているため、この
保護膜８がレジストを材料とした保護膜に比して膜厚が
薄くしかも均一に成膜される。また、当該磁気ヘッドの
製造過程において有機溶剤が用いられたり灰化処理が施
されたりした場合でも、上記保護膜８が損傷を受けるこ
とがなく歩留りが改善される。

【００３５】以下、上記磁気ヘッドの製造方法について
説明する。

【００３６】先ず、図３に示すように、ＭｎＯ−ＮｉＯ
混合焼結材等の非磁性材料よりなる平板状のブロック基
板２１を用意する。このブロック基板２１の材料として
は、ＭｎＯ−ＮｉＯに限らず各種非磁性材料が適用可能
である。例示するならば、チタン酸カリウムや、チタン
酸カルシウム、チタン酸バリウム、酸化ジルコニウム
（ジルコニア）、アルミナ、アルミナチタンカーバイ
ド、Ｓｉ０₂ 、Ｚｎフェライト、結晶化ガラス、高硬度
ガラス等が挙げられる。

【００３７】次いで、図４に示すように、ブロック基板
２１の一主面に斜面が４５゜程度の傾きをもつように磁
気コアを形成するための複数の溝２２をそれぞれ等間隔
に形成する。ここで、溝２２の斜面の傾きは４５゜に限
定されることはないが、完成した磁気ヘッドに疑似ギャ
ップが生じやすく、またトラック幅精度も考慮に入れる
と４５゜程度が好適である。

【００３８】続いて、図５に示すように、溝２２が形成
された上記一主面にＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金等を材料とし
てスパッタ法等により金属磁性膜９を成膜形成する。

【００３９】ここで、金属磁性膜９の材料としては、Ｆ
ｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金に限らず、高飽和磁束密度を有し且
つ軟磁気特性を有するものであればよい。例示するなら
ば、Ｆｅ−Ａｌ合金、Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−Ｓ
ｉ−Ｃｏ合金や、窒化系，炭化系軟磁性合金等が挙げら
れる。

【００４０】また、金属磁性膜９の成膜法もスパッタ法
に限らず、真空薄膜形成技術であればよい。例示するな
らば、真空蒸着法や、分子ビームエピタキシー等が挙げ
られる。

【００４１】また、上記金属磁性膜は単層膜でもよい
が、より高周波領域において高感度を持たせるために磁
性層と非磁性層とを交互に順次積層してなるものの方が
好適である。本実施の形態においては、磁性層と非磁性
層とを交互に積層させて３層の磁性層をもつ金属磁性膜
９を形成した。

【００４２】続いて、図６に示すように、ブロック基板
２１の一主面に上記溝２２の長手方向と略々直交する方
向に分離溝２３及び巻線溝２４をそれぞれ形成する。

【００４３】ここで、分離溝２３は、後に形成される磁
気コアのフロントギャップとバックギャップとを磁気的
に分離して閉磁路を構成するための溝であり、したがっ
て当該分離溝２３の深さは金属磁性膜９が完全に切断さ
れる程度の値であることが必要である。また、巻線溝２
４の深さは金属磁性膜９が切断されない程度の値であれ
ばよいが、深すぎると磁路長が大きくなって磁束伝達の
効率が低下する虞がある。これら分離溝２３及び巻線溝
２４の形状については、分離溝２３に関しては金属磁性
膜９が完全に切断されれば良く任意とされるが、巻線溝
２４に関しては上記図１に示すようにフロントギャップ
ｇｆ側を斜めに絞り込んだ形状とすることにより磁束が
集中し高い記録密度が得られることになる。本実施の形
態においては、巻線溝２４のフロントギャップｇｆ側を
傾斜角が４５゜の斜面をもつ砥石を用いて研削したが、
斜面の傾斜角は４５に限定されず、その形状も円形或は
多角形状としてもよい。

【００４４】次いで、ブロック基板２１の一主面に形成
された各溝内に溶融した低融点ガラス２５を充填させ、
この一主面に表面平坦化処理を施す。その後、各分離溝
２３内に充填された低融点ガラス２５に端子溝２６を形
成する。これら端子溝２６の深さ及び溝幅は任意の所定
値とされる。

【００４５】次に、上記端子溝２６内に銅等の良導電材
を充填し、再びブロック基板２１の一主面に表面平坦化
処理を施す。以上の工程を経ることにより、金属磁性膜
９による磁路部分が形成されることになる。

【００４６】続いて、以下に示す各工程を経て薄膜コイ
ル１２を構成するコイル半体６，７を形成する。

【００４７】先ず、概ね薄膜コイルの外形形状に対応し
て、レジスト層をフォトリソグラフィー技術により形成
する。その後、図７の（Ａ），（Ｂ）に示すように、イ
オンミリング等の手法により選択的エッチングを行い、
薄膜コイルの各形成箇所に所定形状の凹部２７を形成す
る。ここで、上記イオンミリング等が施されるのは低融
点ガラス２５であるために、凹部２７は精度よく形成さ
れることになる。

【００４８】なお、上記凹部２７を形成する手法として
は、上記イオンミリングの他、化学エッチング法、反応
性イオンエッチング、パウダービームエッチング等が挙
げられる。これらの手法は、被エッチング部の原子を物
理的、化学的に剥離するものである。ここで、被エッチ
ング部が多結晶である場合には、結晶粒の違いによって
剥離速度が異なるために上記凹部を平坦に形成すること
は難しい。しかしながら、ガラス等の非晶質であれば、
平坦な凹部２７を形成を形成することができる。機械的
な加工では、必要な部分のみに空間（凹部）を形成する
ことは難しい。

【００４９】次いで、レジストを用いてフォトリソグラ
フィー技術によりコイル形状のパターニングを行ってレ
ジスト層を形成する。

【００５０】続いて、上記レジスト層をマスクとして、
図８（後述の図９における線分Ａ−Ａ’による断面図）
に示すように、Ｃｕを材料としてブロック基板２１にお
いて、上記マスク形状に倣った渦巻状のコイル半体６，
７（ここでは、コイル半体６のみを記す。）をそれぞれ
電解メッキ成膜法により形成する。このとき、図９及び
図１０に示すように、各コイル半体６，７はそれぞれ凹
部２７内に形成され、その引出し部６ｂ，７ｂと端子溝
２６に埋設された銅等の良導電材とを電気的に接続す
る。ここで、コイル半体６，７は、互いに形状が異なる
ものであり、ブロック基板２１上で複数個ずつ各列をな
して形成される。

【００５１】次に、以下に示す工程を経てコイル半体
６，７を外気との接触から保護するための保護膜８を形
成する。

【００５２】先ず、図１１に示すように、コイル半体
６，７が形成されたブロック基板２１の表面に、Ａｌ₂
Ｏ₃ 等を材料としてスパッタ法等の真空薄膜形成法によ
りアルミナ膜２８を０．３μｍ以上の所定の膜厚に成膜
する。

【００５３】このとき、アルミナ膜２８は、Ａｌ₂ Ｏ₃
材２８ａが凹部２７内のコイル半体６，７間に埋設され
るとともに、凹部２７を除くブロック基板２１の表面上
にもＡｌ₂ Ｏ₃ 材２８ｂが堆積して形成される。なお、
アルミナ膜２８の成膜法としては、スパッタ法に限ら
ず、真空蒸着法等の膜厚を薄く均一な成膜ができる手法
であればよい。また、材料もＡｌ₂ Ｏ₃ に限らず、Ｓｉ
Ｏ₂ 等の非磁性且つ非導電性のものであればよい。

【００５４】次いで、図１２に示すように、ブロック基
板２１の表面に平坦化処理を施す。このとき、Ａｌ₂ Ｏ
₃ 材２８ｂの膜厚を研磨基準とし、表面研磨により当該
Ａｌ₂ Ｏ₃ 材２８ｂが摩滅してブロック基板２１の表面
が露出したとき、同時に上記接続端子６ａ，７ａの研磨
も完了し、保護膜８が形成されることになる。

【００５５】続いて、ブロック基板２１の表面に金を材
料としてＡｕ薄膜を成膜し、接続端子６ａ，７ａ、金属
磁性膜２３より構成される磁気コア１１のフロントギャ
ップｇｆ及びバックギャップｇｂの各形成部位のみにレ
ジスト層を形成する。そして、このレジスト層をマスク
として、イオンミリング等の手法により上記Ａｕ薄膜に
エッチングを施す。これにより、図１３に示すように、
上記各形成部位にＡｕ電極２９がそれぞれ形成されるこ
とになる。

【００５６】その後、Ａｕ電極２９の表面を浄化するた
めに有機溶剤を用いて洗浄を施した後に、酸素プラズマ
を用いた灰化処理を行う。

【００５７】以上の各工程を経ることにより、表面に各
コイル半体６，７を有する磁気ヘッド基板３１が完成す
る。

【００５８】続いて、図１４に示すように、磁気ヘッド
基板３１を各端子溝２６と平行に２分割して各磁気ヘッ
ドブロック半体３２，３３を作製する。その後、図１５
に示すように、各磁気ヘッドブロック半体３２，３３を
各Ａｕ電極２９が接触するように突き合わせ、加圧しな
がら適当な温度で接着させる。このとき、図１６に示す
ように、各磁気ヘッドブロック半体３２，３３は、突き
合わせられたＡｕ電極２９の拡散結合により固定され薄
膜コイル１２をもつ各磁気コア１１が並列に形成されて
磁気ヘッドブロック３４が作製される。この場合、薄膜
コイル１２が形成された凹部２７には保護膜８が形成さ
れているため、ブロック基板２１が材料であるガラス材
が当該凹部２７に流れ込むことがなく、したがって不用
意な断線や短絡等が発生することはない。

【００５９】そして、磁気ヘッドブロック３４から各磁
気コア１１毎にスライシング加工を施して切り出しを行
い、各ヘッドチップを作製する。これらヘッドチップに
所定の後処理を施すことにより、上記磁気ヘッドが完成
する。

【００６０】以上のように、本実施の形態においては、
薄膜コイル１２の保護膜８をＳｉＯ₂ 或はＡｌ₂ Ｏ₃ を
材料として形成するため、上述のように当該保護膜８が
損傷を受けることなく製造工程数を削減することが可能
となる。さらに、この保護膜８をＳｉＯ₂ 或はＡｌ₂ Ｏ
₃ を材料として成膜したときに、このＳｉＯ₂ 或はＡｌ
₂ Ｏ₃ を材料とした薄膜は薄膜コイル１２を被覆するの
みならずブロック基板２１の全面に形成される。

【００６１】この場合、薄膜コイル１２の接続端子６
ａ，７ａ上に形成された薄膜であるＡｌ₂ Ｏ₃ 材２８ａ
に平坦化研磨を施すに際して、薄膜コイル１２以外に形
成されたＡｌ₂ Ｏ₃ 材２８ｂにも同時に研磨を施し当該
Ａｌ₂ Ｏ₃ 材２８ｂが摩滅してブロック基板２１の表面
が露出したとき、同時に上記接続端子６ａ，７ａの研磨
も完了することになる。したがって、ブロック基板２１
の表面に成膜された薄膜であるＡｌ₂ Ｏ₃ 材２８ｂの膜
厚を研磨基準として、目視によっても正確且つ容易に上
記接続端子６ａ，７ａの研磨を行うことができる。

【００６２】また、上述のように、Ａｕ電極２９の表面
を浄化するために有機溶剤を用い、さらに堆積した有機
溶剤を上記灰化処理により除去するに際して、保護膜８
が有機材料でないために、レジストよりなる保護膜と比
較して上記有機溶剤に対する耐久性や灰化処理時に用い
るＯ₂ プラズマに対する耐久性が大幅に向上する。

【００６３】したがって、製造工程数が大幅に減少する
とともに、薄膜コイル１２の保護膜８を容易且つ正確に
形成することが可能となり、製造コストが低く歩留りの
優れた高出力の磁気ヘッドが実現される。

【００６４】以上、本発明を適用した実施の形態につい
て説明してきたが、本発明がこの実施の形態に限定され
るわけではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で形
状、材質、寸法等、任意に変更することが可能である。

【００６５】

【発明の効果】本発明の磁気ヘッド及びその製造方法に
よれば、製造工程数が大幅に減少するとともに、薄膜コ
イルの保護膜を容易且つ正確に形成することが可能とな
り、製造コストが低く歩留りの優れた高出力の磁気ヘッ
ドが実現される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施例の磁気ヘッドを模式的に示す斜視図で
ある。

【図２】上記磁気ヘッドの磁気コア近傍を一部拡大して
模式的に示す斜視図である。

【図３】非磁性材料よりなる平板状のブロック基板を模
式的に示す斜視図である。

【図４】ブロック基板の一主面に各溝が形成された様子
を模式的に示す斜視図である。

【図５】上記一主面に金属磁性膜が成膜された様子を模
式的に示す斜視図である。

【図６】上記一主面に分離溝及び巻線溝がそれぞれ形成
された様子を模式的に示す斜視図である。

【図７】上記一主面に各薄膜コイルの構成要素であるコ
イル半体を形成するための複数の凹部が形成された様子
を模式的に示す斜視図である。

【図８】コイル半体が凹部内にメッキ成膜された様子を
一部拡大して模式的に示す断面図である。

【図９】一方のコイル半体を拡大して模式的に示す平面
図である。

【図１０】他方のコイル半体を拡大して模式的に示す平
面図である。

【図１１】ブロック基板の一主面にアルミナ膜が成膜さ
れた様子を一部拡大して模式的に示す断面図である。

【図１２】上記一主面に平坦化処理が施され、薄膜コイ
ルを被覆する保護膜が形成された様子を一部拡大して模
式的に示す断面図である。

【図１３】上記一主面にＡｕ電極が成膜形成された様子
を模式的に示す斜視図である。

【図１４】磁気ヘッド基板が２分割されて一対の磁気ヘ
ッドブロック半体が作製された様子を模式的に示す斜視
図である。

【図１５】各磁気ヘッドブロック半体が突き合わせられ
て磁気ヘッドブロックが作製された様子を模式的に示す
斜視図である。

【図１６】磁気ヘッドブロックが作製される際に、各磁
気ヘッドブロック半体のＡｕ電極が拡散結合により接合
固定された様子を模式的に示す断面図である。

【図１７】従来の磁気ヘッドを製造するに際して、各コ
イル半体がメッキ成膜法により形成された様子を模式的
に示す断面図である。

【図１８】ブロック基板の一主面にレジスト膜が成膜形
成された様子を模式的に示す断面図である。

【図１９】パターニングを施すことにより、コイル半体
上のみにレジスト膜が残存する様子を模式的に示す断面
図である。

【図２０】ハードキュアによりコイル半体上のレジスト
膜が熱硬化した様子を模式的に示す断面図である。

【図２１】ブロック基板の一主面に平坦化研磨が施され
た様子を模式的に示す断面図である。

【符号の説明】

１，２ 基板 ３，４，９ 金属磁性膜 ６，７ コイ
ル半体 ６ａ，７ａ接続端子 ８ 保護膜 １１ 磁気
コア １２ 薄膜コイル １５ 巻線窓 ｇｆ フロン
トギャップ ｇｂ バックギャップ

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性基板上の少なくとも記録媒体対向
   面の近傍部に金属磁性膜が形成された一対の磁気コア半
   体が突き合わせられ、上記金属磁性膜間に磁気ギャップ
   が形成されてなる磁気ヘッドにおいて、 少なくとも一方の磁気コア半体の突合せ面に真空薄膜形
   成技術により形成された薄膜コイルが配されるととも
   に、 上記薄膜コイル上に真空薄膜形成技術によりＳｉＯ₂ 或
   はＡｌ₂ Ｏ₃ を材料とする保護膜が被覆形成されている
   ことを特徴とする磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 保護膜がスパッタ法或は真空蒸着法によ
   り形成されるものであることを特徴とする請求項１記載
   の磁気ヘッド。
3. 【請求項３】 保護膜が１μｍ以下の膜厚に形成されて
   いることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
4. 【請求項４】 非磁性基板上の少なくとも記録媒体対向
   面の近傍部に金属磁性膜が形成された一対の磁気コア半
   体が突き合わせられ、上記金属磁性膜間に磁気ギャップ
   が形成されてなる磁気ヘッドを製造するに際して、 少なくとも一方の磁気コア半体の突合せ面に真空薄膜形
   成技術により薄膜コイルを形成する工程と、 上記薄膜コイル上に真空薄膜形成技術によりＳｉＯ₂ 或
   はＡｌ₂ Ｏ₃ を材料として薄膜を被覆形成する工程と、 上記薄膜に平坦化研磨を施して上記薄膜コイル上に上記
   薄膜を残存せしめて保護膜とする工程とを有することを
   特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
5. 【請求項５】 ＳｉＯ₂ 或はＡｌ₂ Ｏ₃ を材料とした薄
   膜をスパッタ法或は真空蒸着法により形成することを特
   徴とする請求項１記載の磁気ヘッドの製造方法。