JPH09251610A - メッキ方法及びこれを用いた磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低値の深さ及び幅をもつ溝内に正確且つ容易
にメッキ材料を完全に充填させることを可能とし、容易
且つ高精度に薄膜コイルの外部引出し端子を形成する。 【解決手段】 一次線条溝２６ａに対して二次線条溝２
６ｂを砥石Ｔを用いた研削加工により形成することによ
り、線条溝２６を形成するとともに、その底面Ｂ上のみ
に上記薄膜３１が残存してなる導電性下地膜３２を形成
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電着反応によっ
て、基板上にメッキ膜を成膜する電解メッキ方法に関
し、特にこの電解メッキ方法を用いて、コイルを真空薄
膜形成技術により形成されてなる磁気ヘッドを製造する
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ビデオテープレコーダ（ＶＴＲ）や磁気
ディスク装置等の磁気記録再生装置の磁気ヘッドとして
は、フェライトよりなる磁気コアの磁気ギャップ形成面
に金属磁性膜を成膜した、いわゆるメタル・イン・ギャ
ップ型磁気ヘッドや、一対の非磁性材料よりなる基板で
金属磁性膜を挟み込んだ形の、いわゆるラミネート型磁
気ヘッド等が使用されているが、今後の高画質化、デジ
タル化等に対応するためには、より高周波域で良好な電
磁変換特性を示すことが必要である。

【０００３】しかしながら、上記メタル・イン・ギャッ
プ型磁気ヘッドは、インピーダンスが大きく、高周波数
における使用には適さない。

【０００４】また、上記ラミネート型磁気ヘッドは、高
密度記録化のためにトラック幅を減少させる場合、磁路
を構成する金属磁性膜の膜厚を減少させる必要があり、
再生効率が低下する。さらに、磁路が金属磁性膜のみで
形成されるため、金属磁性膜の磁気異方性の制御に問題
があり、高い再生効率を得るのが困難である。なぜな
ら、一般に磁気ヘッドの磁気異方性は、磁化容易軸が磁
束の方向に対して常に垂直方向であるのが理想である
が、金属磁性膜の磁化容易軸を磁束の方向に対して常に
垂直方向になるようにすることは難しく、現状では異方
性のない等方（無配向）膜か、異方性があっても一方向
の一軸異方性を持つものしかないからである。

【０００５】そこで、高周波対応の磁気ヘッドとして、
例えば特開昭６３−２３１７１３号公報や特開平３−２
４８３０５号公報に記載されるように、通常の磁気ヘッ
ドよりも金属磁性膜で構成される磁路を小さくし、且つ
真空薄膜形成技術を用いて磁気ギャップ形成面に薄膜コ
イルを成膜した磁気ヘッドが提案されている。

【０００６】この薄膜コイルをもつ磁気ヘッドを製造す
るに際しては、先ず、ガラス材等の非磁性材よりなるブ
ロック基板を用意し、当該ブロック基板の少なくとも記
録媒体対向面の近傍部にスパッタ法や真空蒸着法等の真
空薄膜形成技術によりＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金等よりなる
金属磁性膜を形成する。

【０００７】次いで、上記ブロック基板の一主面に、巻
線溝及び当該巻線溝に略々直交する方向に上記金属磁性
膜により形成される磁気コアのフロントギャップとバッ
クギャップとを分離する分離溝（共に図示は省略す
る。）をそれぞれ形成する。その後、上記ブロック基板
の一主面に形成された巻線溝及び分離溝内に低融点ガラ
スを充填させ、当該各一主面に平坦化処理を施し、低融
点ガラスが充填された上記分離溝内に後述する薄膜コイ
ルの接続端子が形成される端子溝を形成する。

【０００８】続いて、上記一主面上の薄膜コイル（接続
端子を含む）が形成される位置に凹部を形成する。

【０００９】そして、上記各凹部内にレジストを用いて
フォトリソグラフィー技術によりパターニングしてコイ
ルパターンを形成し、Ｃｕを材料としたメッキ成膜法に
より接続端子を有する各コイル半体を成膜形成する。

【００１０】次いで、形成された上記コイル半体の外気
との接触を避けるために、フォトリソグラフィー技術に
より薄膜コイル上にレジスト膜を形成し、ハードキュア
等の処理を施すことにより保護膜を形成する。

【００１１】続いて、上記一主面に金を用いてＡｕ電極
をそれぞれ形成し、当該Ａｕ電極の表面を浄化するため
に有機溶剤を用いて洗浄を施した後に、酸素プラズマを
用いた灰化処理を行う。

【００１２】次に、上記ブロック基板を２分割して各々
コイル半体が並列形成された一対の磁気ヘッドブロック
半体を作製し、当該各磁気ヘッドブロック半体をそれぞ
れ上記Ａｕ電極にて突き合わせて、金の拡散結合により
接合固定して磁気ヘッドブロックを作製する。このと
き、各コイル半体同士が上記接続端子及びフロントギャ
ップ、バックギャップにてＡｕを介して接続されて上記
金属磁性膜よりなる磁気コアに薄膜コイルが巻回された
かたちに各磁気ヘッドが形成される。

【００１３】そして、当該磁気ヘッドブロックから各ヘ
ッドチップを切り出し、当該各ヘッドチップに所要の後
処理を施すことにより、上記磁気ヘッドが完成する。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の上記
磁気ヘッドにおいて、薄膜コイルの外部引出し端子は非
磁性材よりなる一方の基板の下部に形成されており、こ
の外部引出し端子は他方の基板の下部が切除されて外部
に露出されている。

【００１５】この場合、上記薄膜コイルが上記基板内に
埋設されたかたちに形成されているため、上述のような
外部引出し端子を形成することは容易ではなく、しばし
ば成膜不良や断線等の不都合が生じることがある。

【００１６】そこで本発明は、上述の従来の磁気ヘッド
の有する欠点を解消すべく提案されたものであって、低
値の深さ及び幅をもつ溝内に正確且つ容易にメッキ材料
を完全に充填させることを可能とするメッキ方法を提供
することを目的とする。

【００１７】さらに、そこで本発明は、上述のメッキ方
法を用いて容易且つ高精度に薄膜コイルの外部引出し端
子を形成する磁気ヘッドの製造方法を提供することを目
的とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明の対象とするもの
は、基板表面に形成された溝部内に電解メッキ法により
薄膜を形成するメッキ方法である。

【００１９】本発明のメッキ方法は、電解メッキ時に陰
極電極として機能する導電性下地膜を上記溝部内の底面
上のみに成膜形成する工程と、電解メッキ法により上記
導電性下地膜上にＣｕ等の導電性メッキ材料を成長させ
て上記溝部内に当該導電性材料を充填させる工程と、上
記溝部上に堆積したメッキ材料に平坦化研磨を施す工程
とを有する手法である。

【００２０】この場合、具体的には、上記溝部が形成さ
れた基板表面に真空薄膜形成技術により導電性材料を用
いて薄膜を形成した後に、上記基板表面にフォトリソグ
ラフィー技術を用いてパターニングを施して上記溝部の
内壁面のみに上記薄膜を残存させ、続いて上記溝部内に
再度溝加工を施し側壁面を研削して上記溝部内の底面上
のみに上記薄膜を残存せしめて導電性下地膜とすること
が好適である。

【００２１】また、本発明の対象とするものは、非磁性
基板上の少なくとも記録媒体対向面の近傍部に金属磁性
膜が形成された一対の磁気コア半体を突き合わせ、上記
金属磁性膜間に磁気ギャップを有する磁気コアを形成し
て磁気ヘッドを製造する手法である。

【００２２】本発明の磁気ヘッドの製造方法は、上記金
属磁性膜が形成された上記非磁性基板の一主面に線条溝
を形成する工程と、上記線条溝と並行して複数の凹部を
列状に形成する工程と、電解メッキ時に陰極電極として
機能する導電性下地膜を上記線条溝内の底面上のみに成
膜形成する工程と、電解メッキ法により上記導電性下地
膜上にＣｕ等の導電性メッキ材料を成長させて上記線条
溝内に当該導電性材料を充填させる工程と、上記線条溝
上に堆積したメッキ材料に平坦化研磨を施して端子接続
部を形成する工程と、上記各凹部内にフォトリソグラフ
ィー技術によりコイル形状のパターニングを施す工程
と、真空薄膜形成技術により上記コイル形状に倣った薄
膜コイルを形成するとともに、当該薄膜コイルの引出し
端子を上記端子接続部と電気的に接続する工程とを有す
る手法である。

【００２３】この場合も、線条溝が形成された基板表面
に真空薄膜形成技術により導電性材料を用いて薄膜を形
成した後に、上記基板表面にフォトリソグラフィー技術
を用いてパターニングを施して上記線条溝の内壁面のみ
に上記薄膜を残存させ、続いて上記線条溝内に再度溝加
工を施し側壁面を研削して上記溝部内の底面上のみに上
記薄膜を残存せしめて導電性下地膜とすることが好適で
ある。

【００２４】本発明に係るメッキ方法においては、上記
溝部内の底面上のみに形成された導電性下地膜を陰極電
極として、電解メッキ法を行うことにより当該導電性下
地膜上にメッキ材料が成長する。

【００２５】ここで、上記導電性下地膜は略々平面状の
表面を有しており、メッキ材料が上方に略々均一な成長
速度をもって成長してゆく。したがって、メッキ成膜が
進行するにつれて当該メッキ材料が上記溝内に徐々に均
一に充填されてゆき、メッキ成膜が完了したときに上記
溝はその内部に空洞が生成されることなくメッキ材料が
完全に充填された状態となる。

【００２６】また、本発明に係る磁気ヘッドの製造方法
においては、非磁性基板上に形成された各薄膜コイルの
端子接続部を形成するに際して、各薄膜コイルの形成部
位である凹部列と並行して線条溝を形成し、この線条溝
内に導電性のメッキ材料をメッキ形成する際に上述のメ
ッキ方法を適用する。

【００２７】この場合、上記線条溝はその内部に空洞が
生成されることなくメッキ材料が完全に充填された状態
となるために、充填されたメッキ材料の断面積が広くな
って電気抵抗値が低値となるとともに、腐食や錆等の発
生が防止され、薄膜コイルと外部端子との電気的接続を
容易且つ確実に行うことが可能となる。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、本発明のメッキ方法を磁気
ヘッドの製造方法に適用した具体的な実施の形態につい
て、図面を用いて詳細に説明する。

【００２９】本実施の形態において製造される磁気ヘッ
ドにおいては、図１及び図２（図１におけるフロントギ
ャップｇｆ近傍の拡大図）に示すように、各突合せ面に
金属磁性膜３，４が形成された非磁性材料よりなる一対
の基板１，２が、当該突合せ面にて金属磁性膜３，４が
対向するように金により接合固定されており、このとき
接合された金属磁性膜３，４により磁気コア１１が形成
されている。この磁気コア１１には、フロントギャップ
ｇｆとバックギャップｇｂとが上述のように金接合によ
り形成されており、これら両者の間には巻線溝３ａ，４
ａが形成されている。

【００３０】ここで、基板１，２の各突合せ面には、そ
れぞれ導電材よりなる薄膜のコイル半体６，７がスパッ
タ法により渦巻状に成膜形成されており、当該基板１，
２が接合されるとともにコイル半体６，７がその接続端
子６ａ，７ａにて電気的に接続されている。ここで、磁
気コア１１において巻線溝３ａ，４ａが対向して形成さ
れた巻線窓３ａ，４ａに巻回されるかたちに薄膜コイル
１２が形成される。

【００３１】ここで、薄膜コイル１２の表面には、当該
薄膜コイル１２を外気から隔絶するためのレジストより
なる保護膜８が成膜されている。

【００３２】そして、薄膜コイル１２が各外部端子と電
気的に接続されるための溝状の接続端子１３，１４が側
面部に設けられ、上記磁気ヘッドが構成されている。

【００３３】以下、上記磁気ヘッドの製造方法について
説明する。

【００３４】先ず、図３に示すように、ＭｎＯ−ＮｉＯ
混合焼結材等の非磁性材料よりなる平板状のブロック基
板２１を用意する。このブロック基板２１の材料として
は、ＭｎＯ−ＮｉＯに限らず各種非磁性材料が適用可能
である。例示するならば、チタン酸カリウムや、チタン
酸カルシウム、チタン酸バリウム、酸化ジルコニウム
（ジルコニア）、アルミナ、アルミナチタンカーバイ
ド、Ｓｉ０₂ 、Ｚｎフェライト、結晶化ガラス、高硬度
ガラス等が挙げられる。

【００３５】次いで、図４に示すように、ブロック基板
２１の一主面に斜面が４５゜程度の傾きをもつように磁
気コアを形成するための複数の溝２２をそれぞれ等間隔
に形成する。ここで、溝２２の斜面の傾きは４５゜に限
定されることはないが、完成した磁気ヘッドに疑似ギャ
ップが生じやすく、またトラック幅精度も考慮に入れる
と４５゜程度が好適である。

【００３６】続いて、図５に示すように、溝２２が形成
された上記一主面にＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金等を材料とし
てスパッタ法等により金属磁性膜９を成膜形成する。

【００３７】ここで、金属磁性膜９の材料としては、Ｆ
ｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金に限らず、高飽和磁束密度を有し且
つ軟磁気特性を有するものであればよい。例示するなら
ば、Ｆｅ−Ａｌ合金、Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−Ｓ
ｉ−Ｃｏ合金や、窒化系，炭化系軟磁性合金等が挙げら
れる。

【００３８】また、金属磁性膜９の成膜法もスパッタ法
に限らず、真空薄膜形成技術であればよい。例示するな
らば、真空蒸着法や、分子ビームエピタキシー等が挙げ
られる。

【００３９】また、上記金属磁性膜は単層膜でもよい
が、より高周波領域において高感度を持たせるために磁
性層と非磁性層とを交互に順次積層してなるものの方が
好適である。本実施の形態においては、磁性層と非磁性
層とを交互に積層させて３層の磁性層をもつ金属磁性膜
９を形成した。

【００４０】続いて、図６に示すように、ブロック基板
２１の一主面に上記溝２２の長手方向と略々直交する方
向に分離溝２３及び巻線溝２４をそれぞれ形成する。

【００４１】ここで、分離溝２３は、後に形成される磁
気コアのフロントギャップとバックギャップとを磁気的
に分離して閉磁路を構成するための溝であり、図示の例
では２本形成されているが、形成される薄膜コイル列の
数だけ設ける必要がある。

【００４２】当該分離溝２３の深さは金属磁性膜９が完
全に切断される程度の値であることが必要である。ま
た、巻線溝２４の深さは金属磁性膜９が切断されない程
度の値であればよいが、深すぎると磁路長が大きくなっ
て磁束伝達の効率が低下する虞がある。これら分離溝２
３及び巻線溝２４の形状については、分離溝２３に関し
ては金属磁性膜９が完全に切断されれば良く任意とされ
るが、巻線溝２４に関しては上記図１に示すようにフロ
ントギャップｇｆ側を斜めに絞り込んだ形状とすること
により磁束が集中し高い記録密度が得られることにな
る。本実施の形態においては、巻線溝２４のフロントギ
ャップｇｆ側を傾斜角が４５゜の斜面をもつ砥石を用い
て研削したが、斜面の傾斜角は４５に限定されず、その
形状も円形或は多角形状としてもよい。

【００４３】次いで、ブロック基板２１の一主面に形成
された各溝内に溶融した低融点ガラス２５を充填させ、
この一主面に表面平坦化処理を施す。

【００４４】続いて、図７に示すように、分離溝２３上
に各薄膜コイルの外部端子溝を形成するための線条溝２
６を形成し、メッキ成膜法によって端子溝２６内に良導
電材である銅を充填することにより、薄膜コイル１２と
の端子接続部３３を形成する。これらの各工程を以下の
図８〜図２３に示す。なお、これらの図においては、簡
略化のために線条溝２６（ここでは３本）のみを示し、
薄膜コイルやその他の部材の図示は省略する。

【００４５】先ず、図８及び図９（図８の一次線条溝２
６ａに垂直な断面図）に示すように、各分離溝２３内に
充填された低融点ガラス２５上に各薄膜コイルの外部端
子溝を形成するための一次線条溝２６ａを形成する。こ
れら一次線条溝２６ａの深さ及び溝幅は任意の所定値と
され、ここでは一例として深さ１１０μｍ程度、幅１５
０μｍ程度としたが、最終的に必要な深さ以上及び幅以
下となる値であればよい。なお、一次線条溝２６ａの形
成には砥石を用いたが、各種エッチング等の手法を用い
てもよい。

【００４６】次いで、電解メッキ時に線条溝２６の底部
に電流を供給するために、図１０に示すように、ブロッ
ク基板２１の両端に切除加工を施して各切欠部２１ａを
形成する。

【００４７】続いて、図１１及び図１２（図１１の一次
線条溝２６ａに垂直な断面図）に示すように、ブロック
基板２１の全面に真空薄膜形成法によりＴｉ及びＣｕを
材料として薄膜３１を成膜形成する。ここでは、当該薄
膜３１の成膜方法としてスパッタ法を用いたが、例えば
真空蒸着法等の手法を用いてもよい。また、上記薄膜３
１の材料は線条溝２６内に充填する材料に応じて選択さ
れるものであり、膜厚は基板ブロック２１の表面状態に
より決定される値である。

【００４８】次に、図１３及び図１４（図１３の一次線
条溝２６ａに垂直な断面図）に示すように、基板ブロッ
ク２１表面に堆積した上記薄膜３１を除去するために、
一次線条溝２６ａ内にレジストコーチィング３４を施
す。

【００４９】続いて、図１５及び図１６（図１５の一次
線条溝２６ａに垂直な断面図）に示すように、エッチン
グ等の手法により上述の基板ブロック２１表面に堆積し
た不要な上記薄膜３１を除去する。ここで、上記エッチ
ングとしては、ウェットエッチングとドライエッチング
のどちらを用いてもよいし、砥石を用いた研削により上
記除去を行ってもよい。

【００５０】続いて、図１７及び図１８（図１７の線条
溝２６に垂直な断面図）に示すように、一次線条溝２６
ａに対して二次線条溝２６ｂを砥石Ｔを用いた研削加工
により形成する。このとき、二次線条溝２６ｂの幅を目
的の開口幅である２００μｍとした。また、二次線条溝
２６ｂの深さは一次線条溝２６ａのそれより浅く当該一
次線条溝２６ａの底面Ｂに堆積した上記薄膜３１に到達
しない程度の値とすればよいが、側壁面の上記薄膜３１
を除去するためにはその範囲内で出来るだけ深い方がよ
い。

【００５１】このように、二次線条溝２６ｂを形成する
ことにより、図１９に示すように、深さ１００μｍ程
度、幅２００μｍ程度の線条溝２６が完成するととも
に、その底面Ｂ上のみに上記薄膜３１が残存してなる導
電性下地膜３２が形成される。このとき、線条溝２６の
開き角θを底面Ｂと側面Ｓとのなす鋭角として定義する
と、当該開き角θは６０゜程度が好ましい。

【００５２】次いで、図２０及び図２１（図２０の線条
溝２６内にメッキが成長した際の当該線条溝２６に垂直
な断面図）に示すように、ブロック基板２１に所定の電
極治具３５を取り付けて、導電性下地膜３２を陰極電極
として電解メッキ法を行うことにより、当該導電性下地
膜３２上に導電性のメッキ材料であるＣｕを成長させて
線条溝２６内に当該Ｃｕを充填させる。この場合、Ｃｕ
メッキとしてはピロリン酸銅を用いたが、他の溶液を用
いても構わなく、充填する導電性材料に応じて選択され
る。また、メッキ形成するＣｕ量としては、線条溝２６
内を完全に充填することが必要であり、多い分には構わ
ない。

【００５３】そして、図２２及び図２３（図２２の線条
溝２６に垂直な断面図）に示すように、線条溝２６上に
堆積したＣｕに平坦化研磨を施すことにより、上記端子
接続部３３が完成する。

【００５４】ここで、本実施の形態に対する比較例を示
す。この比較例においては、、図１１及び図１２に示す
ように、ブロック基板２１全面に成膜された薄膜３１を
導電性下地膜として電解メッキ法を行った。このとき、
図２４に示すように、線条溝４１内について言えば、そ
の深さ及び幅が共に小さいために、底面Ｂと各側面Ｓか
ら略々同一速度でメッキ成長が生じる。その結果、線条
溝４１内の略々中心部位に空洞４２が生じ、図２５に示
すように、基板ブロック２１表面に平坦化研磨を施して
端子接続部４３が形成されても上記空洞４２が残存する
ことになる。

【００５５】また、図１５及び図１６に示すように、ブ
ロック２１表面に堆積した上記薄膜３１を除去した状態
で電解メッキ法を行った場合でも、上述と同様に上記空
洞４２が残存してしまう。

【００５６】それに対して、本実施の形態においては、
上記導電性下地膜が線条溝２６内に底面Ｂ上のみに形成
されているために略々平面状の表面を有しており、図２
１の矢印Ｍで示すように、メッキ材料であるＣｕが上方
に略々均一な成長速度をもって成長してゆく。したがっ
て、メッキ成膜が進行するにつれて当該Ｃｕが上記線条
溝２６内に徐々に均一に充填されてゆき、メッキ成膜が
完了したときに上記線条溝２６はその内部に空洞が生成
されることなくＣｕが完全に充填された状態となる。

【００５７】したがって、上記線条溝２６内のＣｕの断
面積が広くなって電気抵抗値が低値となるとともに、腐
食や錆等の発生が防止され、薄膜コイル１２と外部端子
との電気的接続を容易且つ確実に行うことが可能とな
る。

【００５８】以上の工程を経ることにより、金属磁性膜
２３による磁路部分が形成されることになる。

【００５９】続いて、以下に示す工程を経て薄膜コイル
１２を構成するコイル半体６，７を形成する。

【００６０】先ず、概ね薄膜コイルの外形形状に対応し
て、レジスト層をフォトリソグラフィー技術により形成
する。その後、上記図７の（Ａ），（Ｂ）に示すよう
に、イオンミリング等の手法により選択的エッチングを
行い、薄膜コイルの各形成箇所に所定形状の凹部２７を
形成する。ここで、上記イオンミリング等が施されるの
は低融点ガラス２５であるために、凹部２７は精度よく
形成されることになる。

【００６１】なお、上記凹部２７を形成する手法として
は、上記イオンミリングの他、化学エッチング法、反応
性イオンエッチング、パウダービームエッチング等が挙
げられる。これらの手法は、被エッチング部の原子を物
理的、化学的に剥離するものである。ここで、被エッチ
ング部が多結晶である場合には、結晶粒の違いによって
剥離速度が異なるために上記凹部を平坦に形成すること
は難しい。しかしながら、ガラス等の非晶質であれば、
平坦な凹部２７を形成を形成することができる。機械的
な加工では、必要な部分のみに空間（凹部）を形成する
ことは難しい。

【００６２】次いで、レジストを用いてフォトリソグラ
フィー技術によりコイル形状のパターニングを行ってレ
ジスト層を形成する。

【００６３】続いて、上記レジスト層をマスクとして、
図２６（後述の図２７における線分Ａ−Ａ’による断面
図）に示すように、ブロック基板２１において、Ｃｕを
材料として上記マスク形状に倣った渦巻状のコイル半体
６，７をそれぞれ電解メッキ成膜法により形成する。こ
のとき、図２７及び図２８に示すように、各コイル半体
６，７はそれぞれ凹部２７内に形成され、その引出し部
６ｂ，７ｂと端子溝２６に埋設されたＣｕが充填された
端子接続部３３とを電気的に接続する。ここで、コイル
半体６，７は、互いに形状が異なるものであり、ブロッ
ク基板２１上で複数個ずつ各列をなして形成される。

【００６４】次に、フォトリソグラフィー技術により、
コイル半体６，７上にこれらを外気との接触から保護す
るための保護膜８を形成する。

【００６５】すなわち、先ずブロック基板２１の一主面
にレジストをスピンコート法により塗布して膜厚１μｍ
程度のレジスト膜を形成する。

【００６６】次いで、所定形状のマスクを用いて露光を
施し、当該マスクの形状に倣ってコイル半体上のみにレ
ジスト膜を残存させる。

【００６７】その後、窒素雰囲気中において温度３４０
℃で１時間加熱処理を行う（ハードキュア）ことによ
り、レジスト膜を熱硬化させる。そして、接続端子６
ａ，７ａに平坦化研磨を施し、当該接続端子６ａ，７ａ
の表面の高さとブロック基板２１の一主面の高さを等し
くすることにより、上記保護膜８が形成される。

【００６８】続いて、ブロック基板２１の表面に金を材
料としてＡｕ薄膜を成膜し、接続端子６ａ，７ａ、金属
磁性膜２３より構成される磁気コア１１のフロントギャ
ップｇｆ及びバックギャップｇｂの各形成箇所のみにレ
ジスト層を形成する。そして、このレジスト層をマスク
として、イオンミリング等の手法により上記Ａｕ薄膜に
エッチングを施す。これにより、図２９に示すように、
上記各形成箇所にＡｕ電極２９がそれぞれ形成されるこ
とになる。

【００６９】その後、Ａｕ電極２９の表面を浄化するた
めに有機溶剤を用いて洗浄を施した後に、酸素プラズマ
を用いた灰化処理を行う。

【００７０】以上の各工程を経ることにより、表面に各
コイル半体６，７を有する磁気ヘッド基板５１が完成す
る。

【００７１】続いて、図３０に示すように、磁気ヘッド
基板５１を各端子溝２６と平行に２分割して各磁気ヘッ
ドブロック半体５２，５３を作製する。その後、図３１
に示すように、各磁気ヘッドブロック半体５２，５３を
各Ａｕ電極２９が接触するように突き合わせ、加圧しな
がら適当な温度で接着させる。

【００７２】このとき、図３２に示すように、各磁気ヘ
ッドブロック半体５２，５３は、突き合わせられたＡｕ
電極２９の拡散結合により固定され薄膜コイル１２をも
つ各磁気コア１１が並列に形成されて磁気ヘッドブロッ
ク５４が作製される。この場合、薄膜コイル１２が形成
された凹部２７には保護膜８が形成されているため、ブ
ロック基板２１が材料であるガラス材が当該凹部２７に
流れ込むことがなく、したがって不用意な断線や短絡等
が発生することはない。

【００７３】そして、磁気ヘッドブロック５４から各磁
気コア１１毎にスライシング加工を施して切り出しを行
い、各ヘッドチップを作製する。このとき、各々のヘッ
ドチップには、各磁気コア１１毎に端子接続部３３が切
断されて外部端子溝１３，１４が形成されることにな
る。

【００７４】そして、これらヘッドチップに所定の後処
理を施すことにより、上記磁気ヘッドが完成する。

【００７５】以上、本発明を適用した実施の形態につい
て説明してきたが、本発明がこの実施の形態に限定され
るわけではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で形
状、材質、寸法等、任意に変更することが可能である。

【００７６】

【発明の効果】本発明のメッキ方法によれば、低値の深
さ及び幅をもつ溝内に正確且つ容易にメッキ材料を完全
に充填させることが可能となる。

【００７７】また、本発明の磁気ヘッドの製造方法によ
れば、上記メッキ方法を用いて容易且つ高精度に薄膜コ
イルの外部引出し端子を形成することが可能となり、製
造コストが低く歩留りの優れた高出力の磁気ヘッドが実
現される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施例の磁気ヘッドを模式的に示す斜視図で
ある。

【図２】上記磁気ヘッドの磁気コア近傍を一部拡大して
模式的に示す斜視図である。

【図３】非磁性材料よりなる平板状のブロック基板を模
式的に示す斜視図である。

【図４】ブロック基板の一主面に各溝が形成された様子
を模式的に示す斜視図である。

【図５】上記一主面に金属磁性膜が成膜された様子を模
式的に示す斜視図である。

【図６】上記一主面に分離溝及び巻線溝がそれぞれ形成
された様子を模式的に示す斜視図である。

【図７】上記一主面に各薄膜コイルの構成要素であるコ
イル半体を形成するための複数の凹部が形成された様子
を模式的に示す斜視図である。

【図８】各分離溝内に充填された低融点ガラス上に各薄
膜コイルの外部端子溝を形成するための一次線条溝が形
成された様子を模式的に示す斜視図である。

【図９】図８に示す一次線条溝の長手方向に直交する方
向の断面図である。

【図１０】ブロック基板２１の両端に各切欠部が形成さ
れた様子を模式的に示す斜視図である。

【図１１】ブロック基板の全面に薄膜が成膜形成された
様子を模式的に示す斜視図である。

【図１２】図１１に示す一次線条溝の長手方向に直交す
る方向の断面図である。

【図１３】一次線条溝内にレジストコーチィングが施さ
れた様子を模式的に示す斜視図である。

【図１４】図１３に示す一次線条溝の長手方向に直交す
る方向の断面図である。

【図１５】基板ブロック表面に堆積した不要な上記薄膜
が除去された様子を模式的に示す斜視図である。

【図１６】図１５に示す一次線条溝の長手方向に直交す
る方向の断面図である。

【図１７】一次線条溝に対して二次線条溝が研削された
様子を模式的に示す斜視図である。

【図１８】図１７に示す一次線条溝の長手方向に直交す
る方向の断面図である。

【図１９】線条溝の底面に導電性下地膜が形成された様
子を模式的に示す斜視図である。

【図２０】ブロック基板に所定の電極治具を取り付けて
電解メッキ法を行う様子を模式的に示す斜視図である。

【図２１】図２０に示す一次線条溝の長手方向に直交す
る方向の断面図である。

【図２２】線条溝上に堆積したＣｕに平坦化研磨が施さ
れた様子を模式的に示す斜視図である。

【図２３】図２２に示す一次線条溝の長手方向に直交す
る方向の断面図である。

【図２４】比較例において、線条溝内にＣｕがメッキ成
長されてゆく様子を模式的に示す断面図である。

【図２５】比較例において、平坦化研磨後に上記空洞が
残存した様子を模式的に示す断面図である。

【図２６】コイル半体が凹部内にメッキ成膜された様子
を一部拡大して模式的に示す断面図である。

【図２７】一方のコイル半体を拡大して模式的に示す平
面図である。

【図２８】他方のコイル半体を拡大して模式的に示す平
面図である。

【図２９】上記一主面にＡｕ電極が成膜形成された様子
を模式的に示す斜視図である。

【図３０】磁気ヘッド基板が２分割されて一対の磁気ヘ
ッドブロック半体が作製された様子を模式的に示す斜視
図である。

【図３１】各磁気ヘッドブロック半体が突き合わせられ
て磁気ヘッドブロックが作製された様子を模式的に示す
斜視図である。

【図３２】磁気ヘッドブロックが作製される際に、各磁
気ヘッドブロック半体のＡｕ電極が拡散結合により接合
固定された様子を模式的に示す断面図である。

【符号の説明】

１，２ 基板 ３，４ 金属磁性膜 ６，７ コイル半
体 ６ａ，７ａ 接続端子 ８ 保護膜 １１ 磁気コ
ア １２ 薄膜コイル １３，１４ 外部端子溝 １５
巻線窓 ２１ ブロック基板 ２６ 線条溝 ２６ａ
一次線条溝 ２６ｂ 二次線条溝 ３３ 端子接続部 ｇｆ フロン
トギャップ ｇｂ バックギャップ Ｂ 底面 Ｓ 側
面

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板表面に形成された溝部内に電解メッ
   キ法により薄膜を形成するに際して、 電解メッキ時に陰極電極として機能する導電性下地膜を
   上記溝部内の底面上のみに成膜形成する工程と、 電解メッキ法により上記導電性下地膜上に導電性のメッ
   キ材料を成長させて上記溝部内に当該導電性材料を充填
   させる工程と、 上記溝部上に堆積したメッキ材料に平坦化研磨を施す工
   程とを有することを特徴とするメッキ方法。
2. 【請求項２】 溝部が形成された基板表面に真空薄膜形
   成技術により導電性材料を用いて薄膜を形成した後に、
   上記基板表面にフォトリソグラフィー技術を用いてパタ
   ーニングを施して上記溝部の内壁面のみに上記薄膜を残
   存させ、続いて上記溝部内に再度溝加工を施し側壁面を
   研削して上記溝部内の底面上のみに上記薄膜を残存せし
   めて導電性下地膜とすることを特徴とする請求項１記載
   のメッキ方法。
3. 【請求項３】 メッキ材料をＣｕとすることを特徴とす
   る請求項１記載のメッキ方法。
4. 【請求項４】 非磁性基板上の少なくとも記録媒体対向
   面の近傍部に金属磁性膜が形成された一対の磁気コア半
   体を突き合わせ、上記金属磁性膜間に磁気ギャップを有
   する磁気コアを形成して磁気ヘッドを製造するに際し
   て、 上記金属磁性膜が形成された上記非磁性基板の一主面に
   線条溝を形成する工程と、 上記線条溝と並行して複数の凹部を列状に形成する工程
   と、 電解メッキ時に陰極電極として機能する導電性下地膜を
   上記線条溝内の底面上のみに成膜形成する工程と、 電解メッキ法により上記導電性下地膜上に導電性のメッ
   キ材料を成長させて上記線条溝内に当該導電性材料を充
   填させる工程と、 上記線条溝上に堆積したメッキ材料に平坦化研磨を施し
   て端子接続部を形成する工程と、 上記各凹部内にフォトリソグラフィー技術によりコイル
   形状のパターニングを施す工程と、 真空薄膜形成技術により上記コイル形状に倣った薄膜コ
   イルを形成するとともに、当該薄膜コイルの引出し端子
   を上記端子接続部と電気的に接続する工程とを有するこ
   とを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
5. 【請求項５】 線条溝が形成された基板表面に真空薄膜
   形成技術により導電性材料を用いて薄膜を形成した後
   に、上記基板表面にフォトリソグラフィー技術を用いて
   パターニングを施して上記線条溝の内壁面のみに上記薄
   膜を残存させ、続いて上記線条溝内に再度溝加工を施し
   側壁面を研削して上記溝部内の底面上のみに上記薄膜を
   残存せしめて導電性下地膜とすることを特徴とする請求
   項４記載の磁気ヘッドの製造方法。
6. 【請求項６】 メッキ材料をＣｕとすることを特徴とす
   る請求項４記載の磁気ヘッドの製造方法。