JPH083886B2 - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPH083886B2 JPH083886B2 JP10138987A JP10138987A JPH083886B2 JP H083886 B2 JPH083886 B2 JP H083886B2 JP 10138987 A JP10138987 A JP 10138987A JP 10138987 A JP10138987 A JP 10138987A JP H083886 B2 JPH083886 B2 JP H083886B2
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- Japan
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- insulating layer
- thin film
- conductor
- magnetic head
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は高記録密度化に対応した薄膜磁気ヘッドの製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
従来の技術 近年、外部記憶装置の高密度化に伴い磁気記録技術分
野においては、トラック密度の向上によるマルチトラッ
ク化が進行し、その電磁変換素子として、薄膜形成技術
および微細加工技術を駆使した薄膜磁気ヘッドが注目さ
れている。
野においては、トラック密度の向上によるマルチトラッ
ク化が進行し、その電磁変換素子として、薄膜形成技術
および微細加工技術を駆使した薄膜磁気ヘッドが注目さ
れている。
以下図面を参照しながら、上記従来の薄膜磁気ヘッド
の一例について説明する。第３図は従来のスパイラル型
多数巻線薄膜磁気ヘッドの平面図、第４図は第３図のＡ
−Ａ′断面図を示し、空隙を有するリング状コアにコイ
ルを多数巻線した構造になっている。
の一例について説明する。第３図は従来のスパイラル型
多数巻線薄膜磁気ヘッドの平面図、第４図は第３図のＡ
−Ａ′断面図を示し、空隙を有するリング状コアにコイ
ルを多数巻線した構造になっている。
このような構成の薄膜磁気ヘッドは次のようにして製
造される。下部磁性コアとしての鏡面研磨された磁性基
板31の上に第１の絶縁層32を形成する。次に導体材料で
あるAl,Au,Agなどの金属薄膜を成膜し、フォトリソグラ
フィなどの微細加工技術によって渦巻状にパターン化し
たコイル33を形成する。この後、第２の絶縁層34をスパ
ッタにより成膜し、その上にフォトレジスト（図示せ
ず）を塗布し、イオンビーム法を用いて、第２の絶縁層
34の絶縁材料のフォトレジストを等速エッチングするこ
とによってコイル33の上の平坦化処理を行う。さらに、
フロントギャップ部35およびバックギャップ部36をパタ
ーン化し、その後、上部磁性コア37となるパーマロイ、
センダスト、Co−Nb−Zrのアモルファス膜などの高透磁
率磁性薄膜を成膜し、所定の形状に整形する。そして最
後にSiO2などの絶縁薄膜で保護層（図示せず）を形成
し、テープ摺動面38の加工、研磨を行って薄膜磁気ヘッ
ドが完成する。ここで、39,40は外部装置との接続端子
である。
造される。下部磁性コアとしての鏡面研磨された磁性基
板31の上に第１の絶縁層32を形成する。次に導体材料で
あるAl,Au,Agなどの金属薄膜を成膜し、フォトリソグラ
フィなどの微細加工技術によって渦巻状にパターン化し
たコイル33を形成する。この後、第２の絶縁層34をスパ
ッタにより成膜し、その上にフォトレジスト（図示せ
ず）を塗布し、イオンビーム法を用いて、第２の絶縁層
34の絶縁材料のフォトレジストを等速エッチングするこ
とによってコイル33の上の平坦化処理を行う。さらに、
フロントギャップ部35およびバックギャップ部36をパタ
ーン化し、その後、上部磁性コア37となるパーマロイ、
センダスト、Co−Nb−Zrのアモルファス膜などの高透磁
率磁性薄膜を成膜し、所定の形状に整形する。そして最
後にSiO2などの絶縁薄膜で保護層（図示せず）を形成
し、テープ摺動面38の加工、研磨を行って薄膜磁気ヘッ
ドが完成する。ここで、39,40は外部装置との接続端子
である。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上記のような薄膜磁気ヘッドの製造方
法においては、コイル33をフォトリソグラフィなどの微
細加工技術によってパターン化する際に、コイル33の渦
巻状巻線間のショートを防止するため巻線間隙を５μｍ
程度にする必要があった。このために、コイル長は長
く、抵抗も大きくなり、コイル33に流す記録電流は低下
した。また、低消費電流化への対応を図りコイルの巻数
を増加させると、コイル上部の上部磁性コア37の磁路が
長くなり、記録磁界がフロントギャップ部35に到達する
前に外部に洩漏するため、記録効率が低下するという問
題点を有していた。
法においては、コイル33をフォトリソグラフィなどの微
細加工技術によってパターン化する際に、コイル33の渦
巻状巻線間のショートを防止するため巻線間隙を５μｍ
程度にする必要があった。このために、コイル長は長
く、抵抗も大きくなり、コイル33に流す記録電流は低下
した。また、低消費電流化への対応を図りコイルの巻数
を増加させると、コイル上部の上部磁性コア37の磁路が
長くなり、記録磁界がフロントギャップ部35に到達する
前に外部に洩漏するため、記録効率が低下するという問
題点を有していた。
さらに、この問題点を避けるためにコイルの多層化が
図られたが、多層化によってコイル上部の上部磁性コア
37とフロントギャップ部上部の上部磁性コア37′との段
差が増大し、この段差部41における上部磁性コアの膜厚
が薄くなり、この部位での磁気飽和が容易に発生し、記
録効率の低下は避けられないとう欠点を有していた。そ
してこのことは、高記録密度化をさらに困難にしてい
る。
図られたが、多層化によってコイル上部の上部磁性コア
37とフロントギャップ部上部の上部磁性コア37′との段
差が増大し、この段差部41における上部磁性コアの膜厚
が薄くなり、この部位での磁気飽和が容易に発生し、記
録効率の低下は避けられないとう欠点を有していた。そ
してこのことは、高記録密度化をさらに困難にしてい
る。
本発明は上記問題点を解決するもので、コイル長およ
び上部磁性コアと磁性基板との距離の増大させることな
く、高密度のコイルを形成することができて、高い記録
効率が得られる薄膜磁気ヘッドを提供することを目的と
するものである。
び上部磁性コアと磁性基板との距離の増大させることな
く、高密度のコイルを形成することができて、高い記録
効率が得られる薄膜磁気ヘッドを提供することを目的と
するものである。
問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために本発明の薄膜磁気ヘッド
の製造方法は、下部磁性コアとしての磁性基板上に第１
の絶縁層とその上に渦巻状の第１のコイルを形成し、次
に第２の絶縁層を成膜しかつ前記第１のコイルの一側面
を覆うようにパターン化し、その後、第２の導体材料を
積層し、フォトレジストを塗布し、第２の導体材料のフ
ォトレジストを等速でエッチングするエッチバック法を
用いて平坦化を行う。この結果、第１のコイルの渦巻状
巻線間に第２の絶縁層を介して第２のコイルが埋め込ま
れ、同時に、第２の絶縁層と反対側で第１のコイルと第
２のコイルが並列に接続されて１つのコンダクタが形成
され、これによりコイルの渦巻状巻線間隙を第２の絶縁
層の膜厚分とする高密度コイルが得られる。
の製造方法は、下部磁性コアとしての磁性基板上に第１
の絶縁層とその上に渦巻状の第１のコイルを形成し、次
に第２の絶縁層を成膜しかつ前記第１のコイルの一側面
を覆うようにパターン化し、その後、第２の導体材料を
積層し、フォトレジストを塗布し、第２の導体材料のフ
ォトレジストを等速でエッチングするエッチバック法を
用いて平坦化を行う。この結果、第１のコイルの渦巻状
巻線間に第２の絶縁層を介して第２のコイルが埋め込ま
れ、同時に、第２の絶縁層と反対側で第１のコイルと第
２のコイルが並列に接続されて１つのコンダクタが形成
され、これによりコイルの渦巻状巻線間隙を第２の絶縁
層の膜厚分とする高密度コイルが得られる。
作用 上記構成により、外部装置からの記録電流が第１と第
２のコイルからなるコンダクタに流れた際に、磁性コア
中に誘起された磁束は上部磁性コア中に生じ、フロント
ギャップ部に到達するが、第１と第２のコイルからなる
コンダクタによる高密度コイルの形成においても、コン
ダクタ上の上部磁性コアとフロントギャップ部上の上部
磁性コアとの段差を増大させることなく、上部磁性コア
長の短縮化を図ることができ、磁束洩漏を減少させるこ
とができる。
２のコイルからなるコンダクタに流れた際に、磁性コア
中に誘起された磁束は上部磁性コア中に生じ、フロント
ギャップ部に到達するが、第１と第２のコイルからなる
コンダクタによる高密度コイルの形成においても、コン
ダクタ上の上部磁性コアとフロントギャップ部上の上部
磁性コアとの段差を増大させることなく、上部磁性コア
長の短縮化を図ることができ、磁束洩漏を減少させるこ
とができる。
実施例 以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドの製造方
法によって得られた薄膜磁気ヘッドのフロントギャップ
部よりバックギャップ部に至る断面図を示す。第１図に
おいて、11は下部磁性コアを形成する強磁性基板。12は
強磁性基板11の上に形成された第１の絶縁層、13は上部
と下部の磁性コアを結合するバックギャップ部、14は第
１の絶縁層12の上に形成した渦巻状の第１のコイル、15
は第１のコイル14の一側面を覆うように形成した第２の
絶縁層、16は第２の絶縁層15を介して第１のコイル14の
渦巻状巻線間に形成した第２のコイル、17は第１のコイ
ル14と第２のコイル16の並列接続により形成された１つ
のコンダクタ、18はフロントギャプ部、19はコンダクタ
17の上とフロントギャップ部18に形成した第３の絶縁
層、20は第３の絶縁層19の上とバックギャップ部13に形
成した上部磁性コア、21は研磨されたテープ摺動面であ
る。
法によって得られた薄膜磁気ヘッドのフロントギャップ
部よりバックギャップ部に至る断面図を示す。第１図に
おいて、11は下部磁性コアを形成する強磁性基板。12は
強磁性基板11の上に形成された第１の絶縁層、13は上部
と下部の磁性コアを結合するバックギャップ部、14は第
１の絶縁層12の上に形成した渦巻状の第１のコイル、15
は第１のコイル14の一側面を覆うように形成した第２の
絶縁層、16は第２の絶縁層15を介して第１のコイル14の
渦巻状巻線間に形成した第２のコイル、17は第１のコイ
ル14と第２のコイル16の並列接続により形成された１つ
のコンダクタ、18はフロントギャプ部、19はコンダクタ
17の上とフロントギャップ部18に形成した第３の絶縁
層、20は第３の絶縁層19の上とバックギャップ部13に形
成した上部磁性コア、21は研磨されたテープ摺動面であ
る。
次に、このように構成された薄膜磁気ヘッドの製造方
法について説明する。第２図（Ａ）〜（Ｆ）は薄膜磁気
ヘッドの製造方法の工程を示したもので、フロントギャ
ップ部18よりバックギャップ部13に至る部分の断面図を
示す。
法について説明する。第２図（Ａ）〜（Ｆ）は薄膜磁気
ヘッドの製造方法の工程を示したもので、フロントギャ
ップ部18よりバックギャップ部13に至る部分の断面図を
示す。
まず第２図（Ａ）のように鏡面研磨された強磁性基板
11の上に第１の絶縁層12としてスパッタなどでAl2O3膜
を形成し、その上に数100ÅのPaとCrで挟んだ１〜２μ
ｍのAuなどの導体薄膜を成膜し、フォトレジストを用い
た一連のフォトリソグラフィ技術によりマスクパターン
を転写し、その後、イオンミリング装置を用いたイオン
ビームエッチングを行い、平面形状が第３図のような渦
巻状で、断面が両側でテーパ状になった第１のコイル14
を形成する。そして第２図（Ｂ）のように、１μｍ以下
のSiO2薄膜を成膜し、フォトリソグラフィ技術およびエ
ッチングにより、第１のコイル14の一側面のテーパ部を
覆うように第２の絶縁層15を形成する。
11の上に第１の絶縁層12としてスパッタなどでAl2O3膜
を形成し、その上に数100ÅのPaとCrで挟んだ１〜２μ
ｍのAuなどの導体薄膜を成膜し、フォトレジストを用い
た一連のフォトリソグラフィ技術によりマスクパターン
を転写し、その後、イオンミリング装置を用いたイオン
ビームエッチングを行い、平面形状が第３図のような渦
巻状で、断面が両側でテーパ状になった第１のコイル14
を形成する。そして第２図（Ｂ）のように、１μｍ以下
のSiO2薄膜を成膜し、フォトリソグラフィ技術およびエ
ッチングにより、第１のコイル14の一側面のテーパ部を
覆うように第２の絶縁層15を形成する。
次に第２図（Ｃ）に示すように、第１のコイル14の材
料と同様な導体薄膜16′を基板全面に成膜し、さらにフ
ォトレジスト22を３μｍ以上の膜厚でスピンコートによ
り塗布し、第１のコイル14による段差を吸収させる。そ
の後、イオンミリング装置を用いて、フォトレジスト22
と第２の導体薄膜16′とを等速でエッチングして平坦化
するエッチバッグ法により、平坦化処理を行うと同時
に、第１のコイル14の渦巻状巻線間に第２の絶縁層12を
介して導体薄膜16′よりなる第２のコイル16を第２図
（Ｄ）のように形成する。このとき、第１のコイル14と
第２のコイル16は互いに並列接続された渦巻状の１つの
コンダクタ17を形成し、コンダクタ17の断面および隣接
するコンダクタとの間を絶縁する第２の絶縁層15の断面
はそれぞれほぼ平行四辺形状を呈する。そして、フロン
トギャップ部18およびバックギャップ部13を形成するた
めに、この部分の第１の絶縁層12をエッチングにより除
去し、さらに第３の絶縁層19としてSiO2膜を成膜してフ
ロントギャップ部18を形成し、フォトリソグラフィ技術
およびエッチングによりバックギャップ部13に対応する
部分の第３の絶縁層19を除去し、バックギャップ部13を
形成して、第２図（Ｅ）のように整形する。
料と同様な導体薄膜16′を基板全面に成膜し、さらにフ
ォトレジスト22を３μｍ以上の膜厚でスピンコートによ
り塗布し、第１のコイル14による段差を吸収させる。そ
の後、イオンミリング装置を用いて、フォトレジスト22
と第２の導体薄膜16′とを等速でエッチングして平坦化
するエッチバッグ法により、平坦化処理を行うと同時
に、第１のコイル14の渦巻状巻線間に第２の絶縁層12を
介して導体薄膜16′よりなる第２のコイル16を第２図
（Ｄ）のように形成する。このとき、第１のコイル14と
第２のコイル16は互いに並列接続された渦巻状の１つの
コンダクタ17を形成し、コンダクタ17の断面および隣接
するコンダクタとの間を絶縁する第２の絶縁層15の断面
はそれぞれほぼ平行四辺形状を呈する。そして、フロン
トギャップ部18およびバックギャップ部13を形成するた
めに、この部分の第１の絶縁層12をエッチングにより除
去し、さらに第３の絶縁層19としてSiO2膜を成膜してフ
ロントギャップ部18を形成し、フォトリソグラフィ技術
およびエッチングによりバックギャップ部13に対応する
部分の第３の絶縁層19を除去し、バックギャップ部13を
形成して、第２図（Ｅ）のように整形する。
その後、上部磁性コア20としてCo−Nb−Zrのアモルフ
ァス金属薄膜を成膜し、所定の形状に整形して強磁性基
板11とともにフロントギャップ部18、バックギャップ部
13を有する閉磁路を構成させる。そして最後に、基板の
切り出しによるいチップ化、およびテープ摺動面21の加
工、研磨を行い、外部接続端子を形成し接続して薄膜磁
気ヘッドが完成する。
ァス金属薄膜を成膜し、所定の形状に整形して強磁性基
板11とともにフロントギャップ部18、バックギャップ部
13を有する閉磁路を構成させる。そして最後に、基板の
切り出しによるいチップ化、およびテープ摺動面21の加
工、研磨を行い、外部接続端子を形成し接続して薄膜磁
気ヘッドが完成する。
なお、第１のコイル14と第２のコイル16の並列接続に
よって形成されたコンダクタ17は少なくとも上部磁性コ
ア20の下層にあれば良い。
よって形成されたコンダクタ17は少なくとも上部磁性コ
ア20の下層にあれば良い。
発明の効果 以上のように本発明によれば、第１のコイルと第２の
コイルの並列接続により１つのコンダクタを形成するの
で、コンダクタ断面および隣接するコンダクタとの間を
絶縁する第２の絶縁層の断面はそれぞれほぼ平行四辺形
状を呈し、コイルの巻線間間隙を第２の絶縁層の膜厚分
とすることができ、高密度コイルの実現を可能にするこ
とができる。
コイルの並列接続により１つのコンダクタを形成するの
で、コンダクタ断面および隣接するコンダクタとの間を
絶縁する第２の絶縁層の断面はそれぞれほぼ平行四辺形
状を呈し、コイルの巻線間間隙を第２の絶縁層の膜厚分
とすることができ、高密度コイルの実現を可能にするこ
とができる。
この結果、磁路長の縮小による磁束洩漏の低減、ま
た、上部磁性コアの段差に帰因する磁気飽和の減少によ
り、薄膜磁気ヘッドの高周波記録特性の改善などの記録
特性を向上させることができる効果を有する。
た、上部磁性コアの段差に帰因する磁気飽和の減少によ
り、薄膜磁気ヘッドの高周波記録特性の改善などの記録
特性を向上させることができる効果を有する。
第１図は本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッドのフ
ロントギャップよりバックギャップに至る断面図、第２
図（Ａ）〜（Ｅ）は第１図の薄膜磁気ヘッドの製造過程
での断面図、第３図は従来例における薄膜磁気ヘッドの
正面図、第４図は従来例における薄膜磁気ヘッドのフロ
ントギャップよりバックギャップに至る断面図である。 11……強磁性基板、12……第１の絶縁層、13……バック
ギャップ部、14……第１のコイル、15……第２の絶縁
層、16……第２のコイル、17……コンダクタ、18……フ
ロントギャップ部、19……第３の絶縁層、20……上部磁
性コア、21……テープ摺動面。
ロントギャップよりバックギャップに至る断面図、第２
図（Ａ）〜（Ｅ）は第１図の薄膜磁気ヘッドの製造過程
での断面図、第３図は従来例における薄膜磁気ヘッドの
正面図、第４図は従来例における薄膜磁気ヘッドのフロ
ントギャップよりバックギャップに至る断面図である。 11……強磁性基板、12……第１の絶縁層、13……バック
ギャップ部、14……第１のコイル、15……第２の絶縁
層、16……第２のコイル、17……コンダクタ、18……フ
ロントギャップ部、19……第３の絶縁層、20……上部磁
性コア、21……テープ摺動面。
Claims (1)
- 【請求項１】下部磁性コアとしての磁性基板上に第１の
絶縁層を形成し、前記第１の絶縁層上に第１の導体材料
を成膜し、前記第１の導体材料を渦巻状にパターン化し
て第１のコイルを形成し、前記第１のコイル上に第２の
絶縁層を成膜し、前記第２の絶縁層をパターン化により
前記第１のコイルの一側面を覆うように整形し、前記第
２の絶縁層上に第２の導体材料を成膜した後、フォトレ
ジストを塗布し、フォトレジストと前記第２の導体材料
とを等しいエッチングレートで除去することにより、前
記第２の絶縁層を介して前記第１のコイルの渦巻状巻線
間に第２のコイルを形成すると同時に、第２の絶縁層と
反対側で前記第１のコイルと前記第２のコイルを並列に
接続して１つのコンダクタを形成し、さらに、前記コン
ダクタ上に第３の絶縁層を成膜し、前記第３の絶縁層上
に上部磁性コアを形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10138987A JPH083886B2 (ja) | 1987-04-23 | 1987-04-23 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10138987A JPH083886B2 (ja) | 1987-04-23 | 1987-04-23 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63266616A JPS63266616A (ja) | 1988-11-02 |
| JPH083886B2 true JPH083886B2 (ja) | 1996-01-17 |
Family
ID=14299399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10138987A Expired - Lifetime JPH083886B2 (ja) | 1987-04-23 | 1987-04-23 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH083886B2 (ja) |
-
1987
- 1987-04-23 JP JP10138987A patent/JPH083886B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63266616A (ja) | 1988-11-02 |
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