JPH02132616A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH02132616A JPH02132616A JP28578188A JP28578188A JPH02132616A JP H02132616 A JPH02132616 A JP H02132616A JP 28578188 A JP28578188 A JP 28578188A JP 28578188 A JP28578188 A JP 28578188A JP H02132616 A JPH02132616 A JP H02132616A
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘッドに係シ、特に、低電気抵抗の少
なくとも２層から成る多巻線コイル導体を有する薄膜磁
気ヘッドに関する。
なくとも２層から成る多巻線コイル導体を有する薄膜磁
気ヘッドに関する。
薄腰磁気ヘッドは磁気コアの体積が小さいことによる低
インダクタンス、磁性膜の高局波透磁軍がバルクフエラ
イトよシ大きい及びリングラフイ技術を用いて裂造する
ことによシ狭トランク化可能等多くの利点を有している
ことから磁気デイスク装置分野、磁気テープ装置分野及
び民生用磁気記録分野において重要性を増している。磁
気ディスク装置、磁気テープ装置、民生用磁気記録分野
において面記録密度の向上が進展している。面記録密度
はビット密度とトランク密度の積である。
インダクタンス、磁性膜の高局波透磁軍がバルクフエラ
イトよシ大きい及びリングラフイ技術を用いて裂造する
ことによシ狭トランク化可能等多くの利点を有している
ことから磁気デイスク装置分野、磁気テープ装置分野及
び民生用磁気記録分野において重要性を増している。磁
気ディスク装置、磁気テープ装置、民生用磁気記録分野
において面記録密度の向上が進展している。面記録密度
はビット密度とトランク密度の積である。
薄膜磁気ヘッドの構造が同じであれば、ビット密度向上
あるいはトランク密度向上に伴ない薄膜磁気ヘッドの再
生出力は低下し、信号を誤って読む場合が生じる。
あるいはトランク密度向上に伴ない薄膜磁気ヘッドの再
生出力は低下し、信号を誤って読む場合が生じる。
記録密度向上に伴なうこのような課＠を解決するために
コイル導体の巻数を増加して、再生出力を大きくシ、信
号を誤って読むことを防止している。例えば米国特許第
４， ＋ ９ ０， ８ ７ ２号明細書には１層８タ
ーンコイル導体を有する薄膜磁気ヘッドが１９８０年に
開示されているが、１９８７年発表のジャーナル オブ
アプライド フイジンクス６１巻、４１５７負（１９
８７年） （ Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙａ． ６ １ ．
４ １ ５ ７ （ １ ９ ８ ７ ） ）には２
層１７ターンコイル導体を有する薄ＭＩＥＩＩＩ気ヘッ
ドが報告されている。薄膜磁気ヘッドのコイル導体の巻
数を増す方法としてはジャーナル オプ アプライド
フイジンクス ６１巻、４１５７頁（１９８７年）に記
載の如く、コイル導体を２層とするのが有効である。
コイル導体の巻数を増加して、再生出力を大きくシ、信
号を誤って読むことを防止している。例えば米国特許第
４， ＋ ９ ０， ８ ７ ２号明細書には１層８タ
ーンコイル導体を有する薄膜磁気ヘッドが１９８０年に
開示されているが、１９８７年発表のジャーナル オブ
アプライド フイジンクス６１巻、４１５７負（１９
８７年） （ Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙａ． ６ １ ．
４ １ ５ ７ （ １ ９ ８ ７ ） ）には２
層１７ターンコイル導体を有する薄ＭＩＥＩＩＩ気ヘッ
ドが報告されている。薄膜磁気ヘッドのコイル導体の巻
数を増す方法としてはジャーナル オプ アプライド
フイジンクス ６１巻、４１５７頁（１９８７年）に記
載の如く、コイル導体を２層とするのが有効である。
第２図に従来技術の２層コイル導体を有する薄膜磁気ヘ
ッドの一つの例の断面図を示す。コイル導体は所定の磁
路長Ｌのなかで、低電気抵抗かつ電気抵抗の製造変勤が
少なくなるように多巻線することが重要である。磁路長
Ｌを大きくすれば多巻線化は容易であるが、上部磁性膜
３と下部磁性膜２間の磁束の漏洩が増し、薄膜磁気ヘッ
ドの効率が低下して再生出力の低下及び記録磁界の減少
全伴ない好ましくない。また、コイル導体の幅Ｗを小さ
くして多巻線化すれば電気抵抗が大きくなり、薄膜磁気
ヘッドのノイズ増大につながり好ましくない。
ッドの一つの例の断面図を示す。コイル導体は所定の磁
路長Ｌのなかで、低電気抵抗かつ電気抵抗の製造変勤が
少なくなるように多巻線することが重要である。磁路長
Ｌを大きくすれば多巻線化は容易であるが、上部磁性膜
３と下部磁性膜２間の磁束の漏洩が増し、薄膜磁気ヘッ
ドの効率が低下して再生出力の低下及び記録磁界の減少
全伴ない好ましくない。また、コイル導体の幅Ｗを小さ
くして多巻線化すれば電気抵抗が大きくなり、薄膜磁気
ヘッドのノイズ増大につながり好ましくない。
所定の磁路長内に低電気抵抗かつ多巻線コイル導体を形
成するにはコイル導体の断面積が大きく、かつコイル導
体間の間隔Ｓが小さいコイル導体を形成することである
。コイル導体の断面槓、ピッチＳ＋Ｗ，膜厚ｄ，コイル
導体間の間隔８が実質的に同じ第１コイル導体と第２コ
イル導体とを有する薄膜磁気ヘッドにおける第１、第２
コイル導体の断面積、ピッチ、膜厚、コイル導体間の間
隔等は第２コイル導体の形状によって制限されている。
成するにはコイル導体の断面積が大きく、かつコイル導
体間の間隔Ｓが小さいコイル導体を形成することである
。コイル導体の断面槓、ピッチＳ＋Ｗ，膜厚ｄ，コイル
導体間の間隔８が実質的に同じ第１コイル導体と第２コ
イル導体とを有する薄膜磁気ヘッドにおける第１、第２
コイル導体の断面積、ピッチ、膜厚、コイル導体間の間
隔等は第２コイル導体の形状によって制限されている。
これは次の様な理由に起因している。
コイル導体の典型的形成法を第１コイル導体を例に第３
図に示す。第３図はホトレジストヲマスクとしてイオン
ミリング法で第１コイル導体をバターニングする方法を
示す工穆図である。
図に示す。第３図はホトレジストヲマスクとしてイオン
ミリング法で第１コイル導体をバターニングする方法を
示す工穆図である。
第３図１ａｌは下部磁性膜２、磁気ギャップｊ臭６、第
１層間絶縁膜７等を順次バターニング後、第１コイル導
体４を全面に膜形成した段階の断面図である。次に第３
図（ｂ）に示す様に第１コイル導体用マスク材トなるホ
トレジストパターン９を形成する。次に第３図１ｃｌに
示す様にホトレジスト９をマスクとしてイオンミリング
法により第１コイル導体４をパターニングする。次に第
３図（ｄｉに示す様にマスク材であるホトレジスト９を
除去する。
１層間絶縁膜７等を順次バターニング後、第１コイル導
体４を全面に膜形成した段階の断面図である。次に第３
図（ｂ）に示す様に第１コイル導体用マスク材トなるホ
トレジストパターン９を形成する。次に第３図１ｃｌに
示す様にホトレジスト９をマスクとしてイオンミリング
法により第１コイル導体４をパターニングする。次に第
３図（ｄｉに示す様にマスク材であるホトレジスト９を
除去する。
ここで、形成される第１コイル導体４の断面形状すなわ
ち第１フィル導体の下端＠ｗ７１と上端幅Ｗ５１はイオ
ンミリング条件を適正化すれば、ホトレシスト９の断面
形状に左右される。第１コイル導体４の断面形状を主要
に左右するホトレジストの断面形状はホトレジストパタ
ーン形成時の露光現像条件を適正化した時段差Ｄによっ
て決まる。
ち第１フィル導体の下端＠ｗ７１と上端幅Ｗ５１はイオ
ンミリング条件を適正化すれば、ホトレシスト９の断面
形状に左右される。第１コイル導体４の断面形状を主要
に左右するホトレジストの断面形状はホトレジストパタ
ーン形成時の露光現像条件を適正化した時段差Ｄによっ
て決まる。
段差Ｄが大きくなければホトレジストの下端幅ｗ，Ｐと
上端幅ｗＳの変動は大きくなり、第１コイル導体間の間
隔８１ の安定にパターニング可能な最小値は大きく
なる。また、段差Ｄが大きくなればホトレジストの断面
形状の変動が大きくなり、パターニングする第１コイル
導体４の膜厚ｄ０１の最大１直は小さくなる。第１コイ
ル導体４の断面積をＡ， （ ＝ｙ ｄ ×（ ｗ？
１ ＋ ｗＣ１ ）＞、第１コイル導体４の巻数をＮ１
とした時、段差Ｄが大きくなれば所定の磁路長Ｌ内
の断面積Ａ，と巻数Ｎ，の積Ａ１Ｎ， は小さくなる
。第２コイル導体５形成時の段差は第１コイル導体４形
成時の段差に比べて大きいことは第２図より明らかであ
る。従って、第１コイル導体４と第２コイル導体５の断
面積、ビツチ、膜厚及びコイル導体間の間がそれぞれ実
質的に同じ場合、コイル導体の形状は段差の大きい第２
コイル導体５の形状に制限されることになる。
上端幅ｗＳの変動は大きくなり、第１コイル導体間の間
隔８１ の安定にパターニング可能な最小値は大きく
なる。また、段差Ｄが大きくなればホトレジストの断面
形状の変動が大きくなり、パターニングする第１コイル
導体４の膜厚ｄ０１の最大１直は小さくなる。第１コイ
ル導体４の断面積をＡ， （ ＝ｙ ｄ ×（ ｗ？
１ ＋ ｗＣ１ ）＞、第１コイル導体４の巻数をＮ１
とした時、段差Ｄが大きくなれば所定の磁路長Ｌ内
の断面積Ａ，と巻数Ｎ，の積Ａ１Ｎ， は小さくなる
。第２コイル導体５形成時の段差は第１コイル導体４形
成時の段差に比べて大きいことは第２図より明らかであ
る。従って、第１コイル導体４と第２コイル導体５の断
面積、ビツチ、膜厚及びコイル導体間の間がそれぞれ実
質的に同じ場合、コイル導体の形状は段差の大きい第２
コイル導体５の形状に制限されることになる。
すなわち、第１コイル導体４と第２コイル導体５の断面
積、ピッチ、膜厚及びコイル導体間の間隔が実質的に同
じ薄膜磁気ヘッドにおいては多巻線低電気抵抗化に限界
があった。
積、ピッチ、膜厚及びコイル導体間の間隔が実質的に同
じ薄膜磁気ヘッドにおいては多巻線低電気抵抗化に限界
があった。
コイル導体の形成法としてイオンミリング法について説
明したが、第４図に示すエレクトロフオーミング法につ
いても説明する。
明したが、第４図に示すエレクトロフオーミング法につ
いても説明する。
第４図はエレクトロフオーミング法で第１コイル導体４
をパターニングする方法を示した工程図である。第４図
ｔａｌは下部磁性膜２、磁気ギャップ膜６、第１層間絶
縁膜７を順次パターニング後第１コイル導体めっき用下
地１０を全面に膜形成した段階の断面図である。第４図
ｔｂ＋は第１コイル導体用マスク材となるホトレジスト
９パターンを形成した段階の断面図である。次に、第４
図（Ｃｌに示す様に電気めっき法によジホトレジスト９
パターンのすき間に銅等の第１コイル導体４を形成する
。
をパターニングする方法を示した工程図である。第４図
ｔａｌは下部磁性膜２、磁気ギャップ膜６、第１層間絶
縁膜７を順次パターニング後第１コイル導体めっき用下
地１０を全面に膜形成した段階の断面図である。第４図
ｔｂ＋は第１コイル導体用マスク材となるホトレジスト
９パターンを形成した段階の断面図である。次に、第４
図（Ｃｌに示す様に電気めっき法によジホトレジスト９
パターンのすき間に銅等の第１コイル導体４を形成する
。
次に、ホトレジスト９を除去し（第４図（ｄｌ ） 、
最後にイオンミリング法等によりめっき用下地，。
最後にイオンミリング法等によりめっき用下地，。
を除去して第１コイル導体４を作製する（第４図｛ｅ｝
）。第４図から明らかなようにエレクトロフォーミング
法でコイル導体を作製する場合も同様に多巻線低電気抵
抗化に限界があった。
）。第４図から明らかなようにエレクトロフォーミング
法でコイル導体を作製する場合も同様に多巻線低電気抵
抗化に限界があった。
前記したように、イオンミリング法及びエレクトロフオ
ーミング法のいずれの方法によってコイル導体を作製す
る場合でも、多巻線低電気抵抗化には限界があった。
ーミング法のいずれの方法によってコイル導体を作製す
る場合でも、多巻線低電気抵抗化には限界があった。
そこで、本発明の目的は、所定の磁路長Ｌ内に多巻線低
電気抵抗の２層コイル導体を有する高記録密度に適した
薄膜磁気ヘッドを提供することにある。
電気抵抗の２層コイル導体を有する高記録密度に適した
薄膜磁気ヘッドを提供することにある。
上記目的は、第２コイル導体を第１コイル導体に対して
特定の関係に保つことによク達成されることを見い出し
、本発明を完成した。
特定の関係に保つことによク達成されることを見い出し
、本発明を完成した。
すなわち、本発明は、下部磁性膜と、下部磁性膜上に積
層され一端が下部磁性膜の一端に連らなり他端が下部磁
性膜の他端に所定のギャップを介して対向する上部磁性
膜と、下部磁性膜と上部磁性膜との間を貫通するように
配置される少なくとも２層から成る多巻線コイル導体と
を兼ね備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、上部ｆｆｌ性＠
に対向する８ｇ２コイル導体と下部磁性膜に対向する第
１コイル導体との間に、下記のｆｉｌ〜｛６｝の関係の
いずれか１つを有していることを特命とする薄膜磁気ヘ
ッドである。
層され一端が下部磁性膜の一端に連らなり他端が下部磁
性膜の他端に所定のギャップを介して対向する上部磁性
膜と、下部磁性膜と上部磁性膜との間を貫通するように
配置される少なくとも２層から成る多巻線コイル導体と
を兼ね備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、上部ｆｆｌ性＠
に対向する８ｇ２コイル導体と下部磁性膜に対向する第
１コイル導体との間に、下記のｆｉｌ〜｛６｝の関係の
いずれか１つを有していることを特命とする薄膜磁気ヘ
ッドである。
（１）第２コイル導体５の断面積を第１コイル導体４０
断面積よりも小さくすること。
断面積よりも小さくすること。
《２１ 第２コイル導体５の膜厚を第１コイル尋体４
の膜厚よりも小さくすること。
の膜厚よりも小さくすること。
｛３｝ 第２コイル導体５の断面積と膜厚を第１コイ
ル導体４の断面積と膜厚に比べてそれぞれ小さくするこ
と。
ル導体４の断面積と膜厚に比べてそれぞれ小さくするこ
と。
（４１ 第２コイル導体５のピッチを第１コイル導体
４のピッチよりも大きくすること。
４のピッチよりも大きくすること。
（５） 第２コイル導体５の間隔を第１コイル導体４
の間隔よりも大きくすること。
の間隔よりも大きくすること。
（６》 第２コイル導体５のピッチと間隔を第１コイ
ル導体４のピッチと間隔に比べてそれぞれ大きくするこ
と。
ル導体４のピッチと間隔に比べてそれぞれ大きくするこ
と。
本発明は２層コイル導体を有する薄膜磁気ヘッドについ
て説明するが、３層コイル導体あるいは４層コイル導体
等の多層コイル導体についても同様な関係が成立するこ
とは明らかである。
て説明するが、３層コイル導体あるいは４層コイル導体
等の多層コイル導体についても同様な関係が成立するこ
とは明らかである。
第２コイル導体５形成時の段差に比べて第１コイル導体
４形成時の段差は小さい。従って、第１コイル導体４と
第２コイル導体５のピッチが同じ場合、第２コイル導体
５に比べて第１コイル導体４の膜厚を大きくするか、コ
イル幅Ｗを大きくする（コイル間隔Ｓを小さくする）こ
とが可能となる。
４形成時の段差は小さい。従って、第１コイル導体４と
第２コイル導体５のピッチが同じ場合、第２コイル導体
５に比べて第１コイル導体４の膜厚を大きくするか、コ
イル幅Ｗを大きくする（コイル間隔Ｓを小さくする）こ
とが可能となる。
すなわち、第２コイル導体５の断面積に比べて第１コイ
ル導体４の断面積を大きくすることによシ、第１コイル
導体４と第２コイル導体の全電気抵抗を小さくシ、高記
鎌密度に適した薄膜磁気ヘツドとなる。また、第２コイ
ル導体５形成時の段差に比べて第１コイル導体４形成時
の段差は小さいことから、第１コイル導体４と第２コイ
ル導体５の断面積、膜厚が夫々同じでも、第２コイル導
体５のピッチあるいは間隔に比べて第１コイル導体４の
ピッチあるいは間隔を夫々小さくすることにより、第１
コイル導体と第２コイル導体の全電気抵抗の小さな多巻
線コイルを有する高記録密度に適した薄膜磁気ヘッドと
なる。
ル導体４の断面積を大きくすることによシ、第１コイル
導体４と第２コイル導体の全電気抵抗を小さくシ、高記
鎌密度に適した薄膜磁気ヘツドとなる。また、第２コイ
ル導体５形成時の段差に比べて第１コイル導体４形成時
の段差は小さいことから、第１コイル導体４と第２コイ
ル導体５の断面積、膜厚が夫々同じでも、第２コイル導
体５のピッチあるいは間隔に比べて第１コイル導体４の
ピッチあるいは間隔を夫々小さくすることにより、第１
コイル導体と第２コイル導体の全電気抵抗の小さな多巻
線コイルを有する高記録密度に適した薄膜磁気ヘッドと
なる。
以下、本発明を実施例によシ具体的に説明するが、本発
明はこれら実施例に限定されない。
明はこれら実施例に限定されない。
実施例１
以下、本発明の実施例を第１図で説明する。第１図に側
断面図で示す２層コイル導体を有する薄膜磁気ヘッドに
おいて、磁路長Ｌが１０５μｍ１材質が銅からなる第１
コイル導体４の膜厚が２．３μｍ１コイル間隔が３μｍ
１コイルピッチが１６μｍ１断面槓８．２，ｃａｎ２巻
数１０ターン、第１コイル導体形成時の段差が４．０μ
ｍ１材質が銅からなる第２コイル導体５の膜厚が１７μ
ｍ１コイル間隔が３μｍ１コイルピッチが７．６μｍ１
断面積６５μｍ 巻数９ターン、第２コイル導体形成時
の段差が７８μｍ のイオンミリング法で作委したコイ
ル導体の全電気抵抗は１６Ωとなった。
断面図で示す２層コイル導体を有する薄膜磁気ヘッドに
おいて、磁路長Ｌが１０５μｍ１材質が銅からなる第１
コイル導体４の膜厚が２．３μｍ１コイル間隔が３μｍ
１コイルピッチが１６μｍ１断面槓８．２，ｃａｎ２巻
数１０ターン、第１コイル導体形成時の段差が４．０μ
ｍ１材質が銅からなる第２コイル導体５の膜厚が１７μ
ｍ１コイル間隔が３μｍ１コイルピッチが７．６μｍ１
断面積６５μｍ 巻数９ターン、第２コイル導体形成時
の段差が７８μｍ のイオンミリング法で作委したコイ
ル導体の全電気抵抗は１６Ωとなった。
ｉｔ、第２コイル導体の膜厚が１．７μｍ１コイル間隔
が３μｍ１コイルピッチが７．６μｍＸ第１：Ｉイル導
体４の巻数が１０ターン、第２コイル導体５の巻数が９
ターンのコイル導体の全電気抵抗は１８Ωであった。
が３μｍ１コイルピッチが７．６μｍＸ第１：Ｉイル導
体４の巻数が１０ターン、第２コイル導体５の巻数が９
ターンのコイル導体の全電気抵抗は１８Ωであった。
すなわち、本発明の２層コイル導体は磁路長と巻数が同
じである従来の２層コイル導体に比べて電気抵抗を小さ
く出来た。
じである従来の２層コイル導体に比べて電気抵抗を小さ
く出来た。
なお、イオンミリング法で段差７８μｍ の第２コイル
導体５において膜厚を２３μｍ と大きくすれば第２コ
イル導体形成用ホトレジストの膜厚を大きくする必要が
あり、ホトレジストパターン幅の寸法変動が大きくなり
、結果として第２コイル導体の部分的短絡等が発生し、
工業的安定生産に欠ける。
導体５において膜厚を２３μｍ と大きくすれば第２コ
イル導体形成用ホトレジストの膜厚を大きくする必要が
あり、ホトレジストパターン幅の寸法変動が大きくなり
、結果として第２コイル導体の部分的短絡等が発生し、
工業的安定生産に欠ける。
実施例２
第５図に側断面図で示す２層コイル導体を有する薄膜磁
気ヘッドにおいて、磁路長Ｌが１２８μｍ１材質が銅か
らなる第１コイル導体４の膜厚が６．２μｍ１ コイル
間隔が２．７μｍ１ コイルピッチ８μｍ１断面積１８
．６μｍ 巻数１２ターン、第１コイル形成時の段差
が４．０μｍ１材質が銅からなる第２コイル導体５の膜
厚が五２μｍ１ コイル間隔が３．０μｍ１コイルピッ
チが８μｍ１断面積が１ ７． ６ ｔｒｍ、巻数１１
ターン、第２コイル形成時の段差が８．２μｍ のエレ
クトロフオーミング法で作製したコイル導体の全電気抵
抗は１ｔＯΩとなった。
気ヘッドにおいて、磁路長Ｌが１２８μｍ１材質が銅か
らなる第１コイル導体４の膜厚が６．２μｍ１ コイル
間隔が２．７μｍ１ コイルピッチ８μｍ１断面積１８
．６μｍ 巻数１２ターン、第１コイル形成時の段差
が４．０μｍ１材質が銅からなる第２コイル導体５の膜
厚が五２μｍ１ コイル間隔が３．０μｍ１コイルピッ
チが８μｍ１断面積が１ ７． ６ ｔｒｍ、巻数１１
ターン、第２コイル形成時の段差が８．２μｍ のエレ
クトロフオーミング法で作製したコイル導体の全電気抵
抗は１ｔＯΩとなった。
第１、第２コイル導体の膜厚が＆２μｍ１コイル間隔が
五〇μｍ，コイルピッチが８μｍ１第１コイル導体４の
巻数が＋２ターン、第２コイル導体５の巻数が１１ター
ンのコイル導体の全電気抵抗は１２．８Ωであった。
五〇μｍ，コイルピッチが８μｍ１第１コイル導体４の
巻数が＋２ターン、第２コイル導体５の巻数が１１ター
ンのコイル導体の全電気抵抗は１２．８Ωであった。
すなわち、本発明の２層コイル導体は磁路長と巻数が同
じである従来の２層コイル導体に比べて電気抵抗を小さ
く出来た。
じである従来の２層コイル導体に比べて電気抵抗を小さ
く出来た。
なお、エレクトロフォーミング法で段差８．２μｍ１膜
厚五２μｍの第２コイル導体５においてコイル間隔を五
〇μｍ より小さくすれば第２コイル導体形成用ホトレ
ジスト幅の寸法変動が大きくなシ、第２コイル導体の形
状変動に起因するコイル導体の変動が大きくなシ、工業
的安定生産に欠けるという問題がある。
厚五２μｍの第２コイル導体５においてコイル間隔を五
〇μｍ より小さくすれば第２コイル導体形成用ホトレ
ジスト幅の寸法変動が大きくなシ、第２コイル導体の形
状変動に起因するコイル導体の変動が大きくなシ、工業
的安定生産に欠けるという問題がある。
実施例３
第６図に側断面図で示す２層コイル導体を有する薄膜磁
気ヘッドにおいて、磁路長Ｌが１０５μｍ１ 材質が銅
からなる第１コイル導体４の膜厚が２．８μｍ１ コイ
ル間隔が２．５μｍコイルビツチ５，８μｍ１断面積１
α６μｍ １巻数１２ターン、第１コイル導体４形成時
の段差が４．０μｍ１材質が銅からなる第２層コイル導
体の膜厚が２．８μｍ１コイル間隔が５．０μｍ１コイ
ルピッチ＆６μｍ．，ｍｍｓ１４．３μｍ 巻数１０タ
ーン、第２コイル導体５形成時の段差が８．３μｍ の
エレクトロフオーミング法で作製したコイル導体の全電
気抵抗は１２．０９となった。
気ヘッドにおいて、磁路長Ｌが１０５μｍ１ 材質が銅
からなる第１コイル導体４の膜厚が２．８μｍ１ コイ
ル間隔が２．５μｍコイルビツチ５，８μｍ１断面積１
α６μｍ １巻数１２ターン、第１コイル導体４形成時
の段差が４．０μｍ１材質が銅からなる第２層コイル導
体の膜厚が２．８μｍ１コイル間隔が５．０μｍ１コイ
ルピッチ＆６μｍ．，ｍｍｓ１４．３μｍ 巻数１０タ
ーン、第２コイル導体５形成時の段差が８．３μｍ の
エレクトロフオーミング法で作製したコイル導体の全電
気抵抗は１２．０９となった。
第１、第２コイル導体の膜厚が２．８μｍ１コイル間隔
が五〇μｍ１コイルピッチが７．０μｍ１断面積１４．
３μｆｆｌ 第１コイル導体４０巻数１１ターン、第
２コイル導体の巻数１０ターンのコイル導体の全電気抵
抗は１２Ωであった。
が五〇μｍ１コイルピッチが７．０μｍ１断面積１４．
３μｆｆｌ 第１コイル導体４０巻数１１ターン、第
２コイル導体の巻数１０ターンのコイル導体の全電気抵
抗は１２Ωであった。
本発明の２層コイル導体は電気抵抗が同じで従来の２層
コイル導体に比べて１ターン巻線を大きくすることがで
きた。
コイル導体に比べて１ターン巻線を大きくすることがで
きた。
実施例４
第６図に示す２層コイル導体を有する薄膜磁気ヘッドに
おいて、磁路長Ｌが１００μｍ１材質が銅から成る第１
層コイル導体４の膜厚が五１μｍ１コイル間隔が３．０
μｍ１コイルピッチ６．５μｍＸ断面積が１４，３μｍ
２ 巻数Ｉ＋ターン、第１コイル導体４形成時の段差
が４．０μｍ，材質が銅から成る第２層コイル導体の膜
厚が２．８μｍ１コイル間隔が！ＬＯμｍ１ コイルヒ
゜ンチ＊ｙ．ａｔｔｍＸｔ！ｆｒ面ｉＪ ７ｊＺ ＋
４．３μｍ１巻数１０ターン、第２コイル導体形成時の
段差が８．３μｍ のエレクトロフォーミング法で作製
したコイル導体の全電気抵抗は１２．０Ωとなった。
おいて、磁路長Ｌが１００μｍ１材質が銅から成る第１
層コイル導体４の膜厚が五１μｍ１コイル間隔が３．０
μｍ１コイルピッチ６．５μｍＸ断面積が１４，３μｍ
２ 巻数Ｉ＋ターン、第１コイル導体４形成時の段差
が４．０μｍ，材質が銅から成る第２層コイル導体の膜
厚が２．８μｍ１コイル間隔が！ＬＯμｍ１ コイルヒ
゜ンチ＊ｙ．ａｔｔｍＸｔ！ｆｒ面ｉＪ ７ｊＺ ＋
４．３μｍ１巻数１０ターン、第２コイル導体形成時の
段差が８．３μｍ のエレクトロフォーミング法で作製
したコイル導体の全電気抵抗は１２．０Ωとなった。
本発明の薄膜磁気ヘッドは同一コイル寸法で磁路長が１
０５μｍ の薄膜磁気ヘッドに比べて、磁路長が短い分
、磁気ヘッドの効率が約５％向上した。
０５μｍ の薄膜磁気ヘッドに比べて、磁路長が短い分
、磁気ヘッドの効率が約５％向上した。
本発明によれば所定の磁路長、所定のコイル導体巻数に
対して低電気抵抗化が出来、薄膜磁気ヘッドの低ノイズ
化を実現し、高記録密度状態においても信号を誤って再
生することがない。また、本発明によれば所定の磁路長
、所定のコイル導体の電気抵抗に対して多巻線化が出来
、高記録密度状態においても大きな再生出力を得て、信
号を誤って再生することがない。
対して低電気抵抗化が出来、薄膜磁気ヘッドの低ノイズ
化を実現し、高記録密度状態においても信号を誤って再
生することがない。また、本発明によれば所定の磁路長
、所定のコイル導体の電気抵抗に対して多巻線化が出来
、高記録密度状態においても大きな再生出力を得て、信
号を誤って再生することがない。
第１図、第５図及び第６図は、本発明の一実施例として
の薄膜磁気ヘッドを表わす側断面図、第２図は、従来例
としての薄膜磁気ヘッドを表わす１１１断面図、第３図
及び第４図は、薄膜磁気ヘッドの製造方法を側断面図で
示す工程図である。 １・・・基板、２・・・下部磁性膜、６・・・上部磁性
膜、４・・一第１コイル導体、５・・・第２コイル導体
、６・・・キ？ン７’膜、７・・・第１層間絶縁膜、９
・・・ホトレジスト
の薄膜磁気ヘッドを表わす側断面図、第２図は、従来例
としての薄膜磁気ヘッドを表わす１１１断面図、第３図
及び第４図は、薄膜磁気ヘッドの製造方法を側断面図で
示す工程図である。 １・・・基板、２・・・下部磁性膜、６・・・上部磁性
膜、４・・一第１コイル導体、５・・・第２コイル導体
、６・・・キ？ン７’膜、７・・・第１層間絶縁膜、９
・・・ホトレジスト
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、下部磁性膜と、下部磁性膜上に積層され一端が下部
磁性膜の一端に連らなり他端が下部磁性膜の他端に所定
のギャップを介して対向する上部磁性膜と、下部磁性膜
と上部磁性膜との間を貫通するように配置される２層以
上よりなる多巻線コイル導体とを兼ね備えた薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、上部磁性膜に対向する第２コイル導体の
断面積が下部磁性膜に対向する第１コイル導体の断面積
よりも実質的に小さいことを特徴とする薄膜磁気ヘッド
。 ２、下部磁性膜と、下部磁性膜上に積層され一端が下部
磁性膜の一端に連らなり他端が下部磁性膜の他端に所定
のギャップを介して対向する上部磁性膜と、下部磁性膜
と上部磁性膜との間を貫通するように配置される２層以
上よりなる多巻線コイル導体とを兼ね備えた薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、上部磁性膜に対向する第２コイル導体の
膜厚が下部磁性膜に対向する第１コイル導体の膜厚より
も小さいことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 ３、請求項１記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、第２コイ
ル導体の膜厚が第１コイル導体の膜厚よりも小さいこと
を特徴とする薄膜磁気ヘッド。 ４、下部磁性膜と、下部磁性膜上に積層され一端が下部
磁性膜の一端に連らなり他端が下部磁性膜の他端に所定
のギャップを介して対向する上部磁性膜と、下部磁性膜
と上部磁性膜との間を貫通するように配置される２層以
上から成る多巻コイル導体とを兼ね備えた薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、上部磁性膜に対向する第２コイル導体のピ
ッチが下部磁性膜に対向する第１コイル導体のピッチよ
りも大きいことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 ５、下部磁性膜と、下部磁性膜上に積層され一端が下部
磁性膜の一端に連らなり他端が下部磁性膜の他端に所定
のギャップを介して対向する上部磁性膜と、下部磁性膜
と上部磁性膜との間を貫通するように配置される２層以
上から成る多巻線コイル導体とを兼ね備えた薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、上部磁性膜に対向する第２コイル導体の
間隔が下部磁性膜に対向する第１コイル導体の間隔より
も大きいことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 ６、請求項４記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、第２コイ
ル導体の間隔が第１コイル導体の間隔よりも大きいこと
を特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28578188A JPH02132616A (ja) | 1988-11-14 | 1988-11-14 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28578188A JPH02132616A (ja) | 1988-11-14 | 1988-11-14 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02132616A true JPH02132616A (ja) | 1990-05-22 |
Family
ID=17695985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28578188A Pending JPH02132616A (ja) | 1988-11-14 | 1988-11-14 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02132616A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0376013A (ja) * | 1989-08-16 | 1991-04-02 | Nec Corp | 薄膜磁気ヘッド |
| JPH04192105A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-10 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッド及びそれを搭載した磁気ディスク装置 |
| US6603641B1 (en) | 1998-11-18 | 2003-08-05 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head and method of manufacturing the same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5562523A (en) * | 1978-11-06 | 1980-05-12 | Fujitsu Ltd | Thin film magnetic head |
| JPS5975420A (ja) * | 1982-10-22 | 1984-04-28 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
| JPS62173607A (ja) * | 1986-01-27 | 1987-07-30 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
-
1988
- 1988-11-14 JP JP28578188A patent/JPH02132616A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5562523A (en) * | 1978-11-06 | 1980-05-12 | Fujitsu Ltd | Thin film magnetic head |
| JPS5975420A (ja) * | 1982-10-22 | 1984-04-28 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
| JPS62173607A (ja) * | 1986-01-27 | 1987-07-30 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0376013A (ja) * | 1989-08-16 | 1991-04-02 | Nec Corp | 薄膜磁気ヘッド |
| JPH04192105A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-10 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッド及びそれを搭載した磁気ディスク装置 |
| US6603641B1 (en) | 1998-11-18 | 2003-08-05 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head and method of manufacturing the same |
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