JPH0512762B2

JPH0512762B2 -

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Publication number: JPH0512762B2
Application number: JP57163809A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Yoneda; Takeshi Sawada; Tetsuya Kaneko
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1982-09-22
Filing date: 1982-09-22
Publication date: 1993-02-18
Also published as: JPS5954022A

Description

【発明の詳細な説明】技術分野本発明は薄膜磁気ヘツドに係り、さらに詳しく
は磁気誘導型の薄膜磁気ヘツドに関するものであ
る。

磁気記録再生用の磁気ヘツドとして薄膜磁気ヘ
ツドが脚光を浴びている。

この薄膜磁気ヘツドは蒸着法或いはスパツタリ
ング法などの薄膜堆積法により形成され、次のよ
うな多くの利点がある。

(1) 全体寸法が小さいため、コイルのインダクタ
ンスを通常の磁気ヘツドと等しいとした場合、
容量を小さくでき、このため、共振点が高周波
領域側へずれ、従来型の磁気ヘツドに比較して
高い周波数で駆動することができ、信号の伝達
速度を増大することができる。

(2) 磁気コアを薄膜で形成することにより、渦電
流が抑制され、高周波記録、再生時のコア損失
が減少し、磁気ヘツドの周波数特性が向上す
る。

(3) 薄膜堆積手段により製造されるため、マルチ
トラツク化が容易である。

薄膜磁気ヘツドはこのような利点を生かしコン
ピユータの磁気デイスク用磁気ヘツド等として一
部実用化されている。

従来技術第１図はこのような薄膜磁気ヘツドの従来構造
の一例を示すもので、導体が２ターンの巻線を形
成する場合を示している。

第１図において磁性基板１上に第１層目の導体
２が形成され、その上に第２層目の導体３および
上部磁性層４が形成されている。符号５は磁気ギ
ヤツプ部を示す。

各層はそれぞれ薄膜堆積法とフオトリソグラフ
イ技術によつて形成される。なお、第１図におい
ては各層間の絶縁層は図示していない。

このような構造の薄膜磁気ヘツドを用いて記録
を行なう場合には導体２，３に記録電流を流すこ
とにより磁気ギヤツプ５に磁界を発生させ、ギヤ
ツプ部近傍に位置する図示していない磁気記録媒
体を磁化して記録が行なわれる。

一方、磁気信号の再生時には磁気ギヤツプ５付
近に位置する磁気記録媒体の記録磁化部分から発
生する磁束が磁性基板１と上部磁性層４を通つて
導体２，３と交差し、これが磁気記録媒体の移動
に従つて変化することにより、導体２，３に発生
する誘起電圧を検出して行なわれる。

この時、同一波長の信号磁化による誘起電圧は
磁気ヘツドの導体の巻き数と磁気記録媒体の移動
速度に比例する。

ところで第１図に示した従来構造は巻き数は２
ターンであり、十分な再生出力を得るためには巻
き数が少なく、実用上再生ヘツドとして使用する
ことは困難である。そこで、再生を行なう場合に
は巻き数をもつと増加させる必要がある。

また、磁気記録媒体の走行速度が遅い場合に
は、さらに巻き数を多くする場合があるが、第１
図に示したような構造では巻き数をむやみに増加
させることは不可能で、事実上低速度で再生を行
なうことはできない。

この結果、低速度で走行する磁気記録媒体を使
用する場合には上述した構造の磁気ヘツドは記録
専用ヘツドとなり、再生用としては媒体速度に出
力が依存しない磁気抵抗効果型磁気ヘツドが用い
いられるのが一般的であり、記録用と再生用の２
種類のヘツドが必要であつた。

一方、記録に必要な電流値は電流と巻き数によ
つて決定される。このため、巻き数が多い程記録
電流を減らすことができ、ジユール損失の減少
と、これに伴う温度上昇を低減できる。

この場合、ジユール損失は抵抗値Ｒと電流値Ｉ
に対してRI²で表わされ、記録電流の２乗に比例
するため、記録電流を減少することはジユール損
失の低減に対して極めて大きな効果を有する。

従つて、記録用の場合についても導体の巻き数
を増やすことは必要である。

ところが第１図に示したような巻き線を積層す
る構造においては導体の巻き数を増加させようと
すると製造工程が増大すると共に製造そのものが
極めて困難となる。

ところで、製造工程を増加させずに巻き数を増
加させる構造としては第２図に示すような構造の
ものが提案されている。

第２図において第１図と同一部分には同一符号
を付し、その説明は省略する。第２図に示す実施
例にあつては符号６で示す導体が３ターンの場合
を示している。符号７で示すものは電極である。

第２図に示す実施例においては導体６は渦巻状
に形成されており、このような構造を採用すれば
導体の巻き数をいくら増やしても導体の層数およ
び工程は変わらない。しかし導体６が占める面積
が広がるため、基板１と上部磁性層４が形成する
磁路が長くなり、磁気抵抗の増大や漏れ磁束の増
大を招くことになる。

この結果、記録効率および再生効率が悪化し、
また導体トラツク方向に拡がるため、マルチトラ
ツクにする場合にトラツクピツチを小さくするこ
とができなくなる等の欠点がある。

また、このような構造を採用した場合において
も、磁気記録媒体の速度の遅い場合には再生は事
実上不可能である。

目的本発明は以上のような従来の欠点を除去するた
めになされたもので、製造工程の増大やトラツク
ピツチの増大を伴うことなく、導体の巻き数を増
大したと同様の効果が得られる薄膜磁気ヘツドを
提供することを目的としている。

本発明においては、上記の目的を達成するため
に、同一の基板上に薄膜磁気ヘツド素体と、これ
に直列接続された変圧器群とを薄膜形成手段によ
り形成し、該薄膜磁気ヘツド素体に直列接続され
た変圧器群の片方の端子対にリード端子対を接続
した薄膜磁気ヘツドにおいて、前記基板上で、第
１層に導電性の下側巻線部とリード部を形成し、
第２層に導電性の上側巻線部を該下側巻線部の一
部分と対向させて形成し、最上層及び前記基板上
に上部磁性層を形成し、該第１層と該第２層の
間、及び該第２層と該最上層の間にそれぞれ絶縁
層を形成し、該絶縁層を貫通して該第１層の接続
部と該第２層の接続部を接続して、前記基板上面
に平行な平面内で巻回された少なくとも１ターン
の巻線を形成した構成で、前記薄膜磁気ヘツド素
体に直列接続された１個以上の変圧器を設けた構
造を採用した。

以下、図面に示す実施例に基づいて本発明の実
施例の詳細を説明する。

〔第１実施例〕第３図および第４図Ａ〜Ｃは本発明の一実施を
説明するもので、第３図は縦断側面図、第４図Ａ
〜Ｃは第１層、第２層の導体および上部磁性層を
それぞれ示している。

第３図において符号１０で示すものは磁性基板
で、この磁性基板１０上に磁気ヘツド部（磁気ヘ
ツド素体）、第１の変圧器１３、第２の変圧器１
４がそれぞれ形成されている。

磁気ヘツド部１２、第１の変圧器１３、第２の
変圧器１４はそれぞれ第４図Ａに示すように第１
の導電層１５〜１７が形成されている。

すなわち、Mn−Znフエライト、Ni−Znフエ
ライト等の磁性材料から成る基板１０の上に、
Al₂O₃、SiO、SiO₂、PiQ等から成る絶縁層１８
を介してAl、Cu、Au等の導電材料から成る第１
の導電層１５，１６，１７が形成されており、さ
らにその上に絶縁層１８を介して第４図Ｂに示す
ように第２の導電層１９，２０，２１が形成され
ている。そして、これら第２の導電層１９〜２１
上に絶縁層１８を介してパーマロイ等の高透磁率
磁性材から成る上部磁性層２２がそれぞれ形成さ
れている。

そして、第１の導電層１５〜１７と第２の導電
層１９〜２１とはそれぞれＡとA′、ＢとB′、Ｃ
とC′、ＤとD′、ＥとE′、ＦとF′の箇所でのみ上下
に接続され導通している。

また、上部磁性層２２は磁気ギヤツプ２３以外
は磁性基板１０と直接接する構造となつている。

このようにして導電層１５，１９と上部磁性層
２２および磁気ギヤツプ２３と磁性基板１０とか
ら磁気ヘツド部１２が形成され、本実施例では磁
気ヘツド部１２は導電層が２ターン形成されてい
ることになる。

また第１の変圧器１３はそれぞれ導体層１５の
１部が１次巻線、導電層１６と、２０とが２次巻
線、磁性基板１０と上部磁性層２２とが磁気コア
を構成している。

また第２の変圧器１４においては、導電層１６
の１部が１次巻線、導電層１７と導電層２１とが
２次巻線、基板１０と上部磁性層２２とが磁気コ
アを形成している。

そして、磁気ヘツド部１２の導電層１５，１９
の出力端子が次段に位置する第１の変圧器１３の
１次側（ヘツド側を１次側とする）に接続されて
いる。また、第１の変圧器１３は１次側１ター
ン、２次側を２ターンとして形成されており、第
１の変圧器１３の２次側出力端が第２の変圧器１
４の１次側入力端に接続されている。

この場合第２の変圧器１４は１次側ターン、２
次側２ターンを構成しており、第２の変圧器１４
の２次側出力端が、磁気ヘツド部１２の最終的な
出力端子となつている。

このような構造を採用すると、図示していない
磁気記録媒体に記録された磁気信号を再生する
時、磁気ヘツド部１２の出力端子にはヘツド巻線
２ターンに相当する再生電圧が誘起されるが、こ
の出力は第１および第２の変圧器１３，１４によ
つてそれぞれ２倍ずつ昇圧され、最終的には磁気
ヘツド部１２の出力端における誘起電圧の４倍電
圧が出力として得られることになる。

これは、磁気ヘツド部の導電層の巻き数を増や
して、同じ再生電圧を得ることを考えると８ター
ンの導電層を形成したことに相当する。

８ターンの導電層を有するヘツドを第１図に示
したような構造とする場合には、導電層を８層分
形成する必要があるわけであるが、本実施例にあ
つては導電層は２層で良く、製造工程は大幅に減
少される。

また２層の導電層を形成するだけで良いため、
製造工程そのものも極めて簡略化される。

そして、トラツクピツチも十分に小さくできる
ことになる。

一方、第１および第２の変圧器１３，１４の１
次側と２次側の導電層の巻き数比を大きくした
り、直結する変圧器の段数を多くすることにより
等価的に多数ターンの巻き線が巻かれた磁気ヘツ
ドを得ることができるため、磁気記録媒体を低速
度で走行させる場合においても同一の磁気ヘツド
で記録、再生することが可能となり、従来におい
て再生専用に用いざるを得なかつた磁気抵抗効果
型磁気ヘツドが不要となる利点がある。

また、このような構造の磁気ヘツドで記録を行
なう場合には２次側端子より記録電流を供給する
わけであるが、各変圧器の２次側から１次側へ変
換される時に、それぞれの導電層の巻き数比の逆
数倍にされる。すなわち、本実施例の場合には第
１および第２の変圧器１３，１４において電流は
それぞれ２倍ずつ増加する。従つて、磁気ヘツド
部１２の導電層に流れる電流は供給した電流の４
倍となる。

このことは逆に言うと供給する電流は磁気ヘツ
ド部に必要とする記録電流の1/4で済むことにな
る。

また記録電流が流れることによりリード部で発
生するジユール損失は記録電流の２乗に比例する
わけであるから、このような構造を採用すれば、
ジユール損失はほぼ1/16に減少することができ、
消費電力の低減に対して極めて大きな効果が得ら
れる。

また、この場合も再生時と同様に実際には磁気
ヘツド部には導電層が２ターンしか形成していな
いにもかかわらず８ターン分形成したのと同し効
果を得ていることになる。

なお、本実施例にあつては、各変圧器の１次側
と２次側の導電層の巻数比を１対２としたが、必
ずしもこの必要はない。しかし、製造工程を最も
少くできるという利点を考えると、巻き数比が１
対２に選ぶのが望ましい。

〔第２実施例〕第５図ないし第７図は、本発明の他の実施例を
説明するもので、本実施例にあつては、磁性基板
２３上に第６図Ａ〜Ｃに示すようなパターンを有
する第１導電層２４〜２６を形成し、さらにその
上に絶縁層２７を介して、第２導電層２８〜３０
を形成し、その上にさらに絶縁層２７を介して、
第３導電層３１，３２を形成し、その上に上部磁
性層３３を絶縁層２７を介して形成してある。

磁性基板２３は、Mn−ZnフエライトやNi−
Znフエライトなどからなり、第１〜第３の導電
層はそれぞれAl、Auなどの導電材料から形成さ
れており、上部磁性層３３は、パーマロイ等の高
透磁率磁性材料から形成されている。

また、絶縁層２７はAl₂O₃、SiO₂、PiQなどの
絶縁材料からなり、相互に絶縁されているが、第
３図Ａ〜Ｃに示す符号ＡとA′、ＢとB′〜Ｈと
H′の箇所でのみ絶縁層を除去し、相互の導通が
保たれるようになつている。

また、第５図において符号３４で示す部分は、
第１の実施例と同様にヘツド部を形成している。

また、第５図において、符号３５及び３６で示
す部分は、１次側（ヘツド側）１ターン、２次側
２ターンの第１及び第２の変圧器を構成してい
る。

ところで、３層ある第１ないし第３の導電層の
うち、第１の導電層２４〜２６は１次側の１ター
ンを、第２〜第３の導電層２８〜３０は２次側の
２ターンを形成している。

また、磁性基板２３と、上部磁性層３３とは閉
磁路を形成しており、外鉄型変圧器を構成してい
る。

本実施例は、以上のような構造を採用している
為、第１の実施例と同様に２ターンの磁気ヘツド
と巻数比１対２の変圧器が直列接続された構成と
なつており、第１図に述べた磁気ヘツドと同様の
効果が得られる。

なお、本実施例にあつては、導電層が３層必要
となつており、第１の実施例に比較して製造工程
がそのぶん増加するが、そのかわり変圧器の１次
側と２次側の結合がきわめて良好となり、信号の
伝達効率が向上する効果がある。

なお、上記の実施例にあつては磁気ヘツドの導
電層の巻数が２ターンの場合を示したが、３ター
ンとしても製造工程は増加しないため、３ターン
にしてもよい。

ところで、上述した第１及び第２の実施例の等
価回路は第８図Ａに示すような構成となる。

第８図Ａからも明らかなように、各変圧器T₁，
T₂の１次側と２次側は、電気的には結合されて
おらず、各回路の対大地電位は規制されていな
い。

このため、変圧器の１次側と２次側の間や変圧
器と大地間などに存在する、浮遊容量によりこれ
らの対大地電位が変動しノイズとなる。これを防
止する為には第８図Ｂに示すように、それぞれの
変圧器間の１次側と２次側との間に共通端子P₁，
P₂を設け、これを一括して接地するのが良い。
第８図Ａ及びＢにおいて符号Ｈで示すものはヘツ
ド部である。

第８図Ｂに示すような構造の磁気ヘツドを実現
するものが第９図Ａ〜Ｃ及び第１０図Ａ〜Ｄで示
す実施例である。

〔第３実施例〕第９図ＡないしＣは、本発明の第３の実施例を
説明するもので、第４図Ａ〜Ｃに示した第１の実
施の第１の導電層１５〜１７に共通端子P₁，P₂
を設けた例を示してある。

第９図Ａ〜Ｃにおいて第４図Ａ〜Ｃと同一部分
には同一符号を付してある。

第９図Ａ，ＢにおいてＡとA′ないしＦとF′と
は電気的導通がとられている以外は絶縁層によつ
て絶縁されている。

このような共通端子Ｃを設けることにより、第
８図Ｂに示すような等価回路の構成とすることが
でき、浮遊容量を除去し、ノイズの発生を防止す
ることができる。

〔第４実施例〕また、第１０図Ａ〜Ｄに示す第４の実施例にあ
つては、第６図Ａ〜Ｄに示す例の第１の導電層に
共通端子Ｃを設けた構造を採用している。なお第
１０図Ｂと第６図Ｂを対比して明らかなように、
第２の導電層２８〜３０のパターンは少し異つて
いる。

第１０図Ａ〜Ｃの第１〜第３の導電層において
も、符号ＡとA′〜ＨとH′との間は導通がとられ
ているが他の間は絶縁層により絶縁されている。

このような構造を採用しても前述したように浮
遊容量の発生を防止することができるとともに、
結果としてノイズを減少させ、Ｓ／Ｎ比を改善す
ることができる。

なお、第９図及び第１０図に示す実施例におい
て、共通端子を各巻線の一方から接続する構造を
示したが各巻線の中央からアースを接続する構造
も導電層のパターンを変更すれば可能であること
は言うまでもない。

ところで、以上で述べた第１〜第４の実施例は
各導電層その他を薄膜堆積法により形成すること
ができるため、トラツクピツチを小さくすること
ができ、マルチトラツク化する事は容易である。
この場合に、変圧器を磁気ヘツドの後端にすぐ近
接して設けず、磁気ヘツドからの出力線であると
ころの導電層をいつたん広い場所までひき出して
から、変圧器を設けてもよい。この時には、変圧
器の占める幅に比べて、ヘツド先端部のトラツク
ピツチをさらに小さくすることができる。

ここで、磁気ヘツドに接続する変圧器の数につ
いて説明を行うと次のごとくである。

上述した実施例にあつては変圧器の数を２個と
したが必ずしも２個である必要はなく１個以上何
個であつても良い。しかし、変圧器の数には適当
な数が存在する。

すなわち、変圧器を設ける目的は、再生の場合
について言えば再生信号のＳ／Ｎ比を改良するこ
とである。

この時、信号系としては、第１１図に示すもの
を考える必要がある。第１１図において符号３７
で示す部分は、ヘツド部で符号３８で示す部分は
後段の変圧器である。

変圧器３８の後段にはさらに増幅器３９などの
外部回路が接続される。

信号は磁気ヘツド部３７から入力されるが、ノ
イズは変調ノイズなどの信号と同時に含まれるも
のS₁と、外部回路である増幅器などで発生するシ
ステムノイズS₃などがある。システムノイズS₃は
前段の変圧器の数に無関係であり、磁気ヘツドの
再生出力は、ノイズS₃に比較して小さい場合には
変圧器の数を増加し、再生出力を大きくすること
によつてＳ／Ｎ比の向上をはかることができる。
そして、再生出力信号がノイズS₃よりも充分大き
くなつた場合には信号再生時に含まれるノイズS₁
がＳ／Ｎ比を決定するのに支配的となる。このノ
イズと再生信号の比は後段に位置する変圧器の数
には無関係である。従つて変圧器を増設して再生
電圧を大きくして行くと、全体のＳ／Ｎ比は上昇
して行き、ある値で一定になる。しかし、実際に
は変圧器で生じるインピーダンスノイズが存在
し、しかもこれは変圧器とともに増大するため、
変圧器の数をあまり多くするとＳ／Ｎ比は逆に悪
化する。その関係の一例を第１２図に示す。

第１２図は第１の実施例と同じ構成を採用した
場合である。第１２図から明らかなように変圧器
の数が３個の時Ｓ／Ｎ比は最大となつている。こ
の関係は導電層のターン数や各部の寸法、構成方
法により異なるが、おおむね変圧器の数は２個か
ら５個の間に決定するのが望ましい。

また、前述した第２の実施例では、磁性基板を
用いたがこれに代えて非磁性基板にパーマロイな
どの高透率磁性材料を薄膜堆積法により形成した
ものを用いても同様の効果を得ることができる。

しかし、磁性基板を用いたり非磁性基板上に一
様に高透磁率磁性薄膜を形成したものを使用した
場合には、マルチトラツクにした場合、磁界が隣
接したトラツクまで通りやすくなり、トラツク間
のクロストークが発生する。

従つて、このクロストークを低減させる為に
は、非磁性基板に形成した高透磁率磁性薄膜のト
ラツク間に通じる部分をエツチングなどの方法に
より除去することが良い。

このようにすると隣接トラツクへとびこむ磁界
が減少し、トラツク間のクロストークが低減され
る。また、非磁性基板上に設けた高透磁率磁性薄
膜の不必要部分を全て除去し、上部磁性層と同様
の形状に形成すると、トラツク間のクロクトーク
が減少するとともに、変圧器部分の洩れインダク
タンスが減少し、最終的にはＳ／Ｎ比を向上させ
ることが出来る。

また、高い周波数の信号を扱う場合には、変圧
器の鉄心部を構成する磁性体内での高周波損失が
発生し、信号の伝達効率が低下する。これは信号
出力と低下と鉄心内で発生する磁気雑音の増大と
いう結果を招き、最終的にはＳ／Ｎ比を悪化させ
る。この対象としては、変圧器部の鉄芯を構成す
る磁性材料を除去すれば良い。

また、基板に非磁性材料を使用した場合には、
ヘツド部の磁性層のみを残して変圧器部の鉄心を
構成する上部磁性層及び下部の高透磁率磁性薄膜
をともにのぞき、変圧器を空心構造とする。この
ような構造を採用すると鉄心内で発生する高周波
損失がヘツド部の磁性体のみに限られるため、き
わめて小さくなる。

また磁性基板を使用した場合には、変圧器部分
の鉄心を構成する上部磁性層をのぞけばよい。こ
の場合も高周波損失が減少する。このような空心
構造、または半空心構造にすると、変圧器巻線の
インダクタンスが減少するが、周波数が高いため
リアクタンスは確保され、変圧器の伝達効率は悪
化しない。

ただし、この場合には変圧器の一次側導体と二
次側導体の結合係数が空心の場合でも大きいこと
が必要である。従つて変圧器の構造としては第２
実施例の構造を採用するのが良い。

効果以上の説明から明らかなように、本発明によれ
ば、同一の基板上に薄膜磁気ヘツド素体と、これ
に直列接続された変圧器群とを薄膜形成手段によ
り形成し、該薄膜磁気ヘツド素体に直列接続され
た変圧器群の片方の端子対にリード端子対を接続
した薄膜磁気ヘツドにおいて、前記基板上で、第
１層に導電性の下側巻線部とリード部を形成し、
第２層に導電性の上側巻線部を該下側巻線部の一
部分と対向させて形成し、最上層及び前記基板上
に上部磁性層を形成し、該第１層と該第２層の
間、及び該第２層と該最上層の間にそれぞれ絶縁
層を形成し、該絶縁層を貫通して該第１層の接続
部と該第２層の接続部を接続して、前記基板上面
に平行な平面内で巻回された少なくとも１ターン
の巻線を形成した構成で、前記薄膜磁気ヘツド素
体に直列接続された１個以上の変圧器を設けた構
造を採用しているため、製造工程を簡略化するこ
とが出来るとともに、トラツクピツチを小さくで
き、再生電圧が大きく得られ、これに反して記録
電流を小さくすることができるという優れた効果
が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図はそれぞれ従来の異つた構造
例を説明する斜視図、第３図は本発明の第１の実
施例を説明する縦断側面図、第４図Ａ〜Ｃはそれ
ぞれ第１、第２の導電層及び上部磁性層の形状を
説明する説明図、第５図は本発明の第２の実施例
を説明する平面図、第６図Ａ〜Ｄはそれぞれ第１
〜第３の導電層及び上部磁性層を示す説明図、第
７図は第５図のＡ−Ａ線断面図、第８図Ａは第２
の実施例の等価回路図、第８図Ｂは第３及び第４
の実施例の等価回路図、第９図Ａ〜Ｃは第１及び
第２の導電層と上部磁性層を示す説明図、第１０
図Ａ〜Ｄは第１〜第３の導電層及び上部磁性層の
説明図、第１１図はヘツドを含む信号系のブロツ
ク回路図、第１２図は変圧器の数とＳ／Ｎ比との
関係を示す線図である。１０……磁性基板、１２……ヘツド部、１３…
…第１の変圧器、１４……第２の変圧器、１５〜
１７……第１の導電層、１９〜２１……第２の導
電層、２２……上部磁性層、３１，３２……第３
の導電層。

Claims

【特許請求の範囲】１同一の基板上に薄膜磁気ヘツド素体と、これ
に直列接続された変圧器群とを薄膜形成手段によ
り形成し、該薄膜磁気ヘツド素体に直列接続され
た変圧器群の片方の端子対にリード端子対を接続
した薄膜磁気ヘツドにおいて、前記基板上で、第１層に導電性の下側巻線部と
リード部を形成し、第２層に導電性の上側巻線部
を該下側巻線部の一部分と対向させて形成し、最
上層及び前記基板上に上部磁性層を形成し、該第
１層と該第２層の間、及び該第２層と該最上層の
間にそれぞれ絶縁層を形成し、該絶縁層を貫通し
て該第１層の接続部と該第２層の接続部を接続し
て、前記基板上面に平行な平面内で巻回された少
なくとも１ターンの巻線を形成した構成で、前記
薄膜磁気ヘツド素体に直列接続された１個以上の
変圧器を設けたことを特徴とする薄膜磁気ヘツ
ド。２薄膜磁気ヘツド素体を同一の基板上に複数個
並べて形成し、マルチトラツク化したことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘツ
ド。３薄膜磁気ヘツド素体に直列接続された変圧器
の各段の薄膜磁気ヘツド素体側を１次側とした場
合、１次側と２次側の導電体の巻き数比を１：２
としたことを特徴とする特許請求の範囲第１項ま
たは第２項のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘツ
ド。４薄膜磁気ヘツド素体に直列接続される変圧器
の数を２〜５個としたことを特徴とする特許請求
の範囲第１項〜第３項までのいずれか１項に記載
の薄膜磁気ヘツド。５薄膜磁気ヘツド素体に直列接続される変圧器
がそれぞれ空心であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項〜第４項までのいずれか１項に記載
の薄膜磁気ヘツド。６薄膜磁気ヘツド素体に直列接続される変圧器
が、それぞれ上部磁性層の磁性材より成るコアを
備えていることを特徴とする特許請求の範囲第１
項〜第４項までのいずれか１項に記載の薄膜磁気
ヘツド。７コアを形成する磁性材をパーマロイとしたを
特徴とする特許請求の範囲第６項記載の薄膜磁気
ヘツド。８薄膜磁気ヘツド素体に直列接続された１個以
上の変圧器の１次側導電体の一部と、２次側導電
体の一部を接続し共通となる端子を設けたことを
特徴とする特許請求の範囲第１項〜第７項までの
いずれか１項に記載の薄膜磁気ヘツド。