JPS5837831A - 磁気ヘツド・アセンブリおよびその製造方法 - Google Patents
磁気ヘツド・アセンブリおよびその製造方法Info
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- JPS5837831A JPS5837831A JP13550181A JP13550181A JPS5837831A JP S5837831 A JPS5837831 A JP S5837831A JP 13550181 A JP13550181 A JP 13550181A JP 13550181 A JP13550181 A JP 13550181A JP S5837831 A JPS5837831 A JP S5837831A
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- JP
- Japan
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- magnetic head
- thin film
- conductor
- transformer
- core elements
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気記録装置に搭載する磁気ヘッド・アセン
ブリ、特に高トラツク密度化に好適な、複数個の薄膜磁
気ヘッドおよび電流端子を同一基板上に設けてなるマル
チトラック薄膜磁気ヘッド・アセンブリおよびその製造
方法に関する。
ブリ、特に高トラツク密度化に好適な、複数個の薄膜磁
気ヘッドおよび電流端子を同一基板上に設けてなるマル
チトラック薄膜磁気ヘッド・アセンブリおよびその製造
方法に関する。
従来の薄膜マルチトラック・ヘッドは、例えば電流端子
の配列周期とヘッド・トラックの配列周期とが等しく構
成されておシ、したがって、トラック密度の向上は、電
流端子と外部回路との結合操作を困難にしないとの要請
、−もしくは巻線の多重化に要するトラック幅方゛向の
スペースによって抑制され、トラック密度の十分な向上
は困難であ本発明の目的は、したがって、上記欠点を除
去し、高いトラック密度を可能とするマルチトランク薄
膜磁気ヘッド・アセンブリおよびその製造方法を提供す
ることである。
の配列周期とヘッド・トラックの配列周期とが等しく構
成されておシ、したがって、トラック密度の向上は、電
流端子と外部回路との結合操作を困難にしないとの要請
、−もしくは巻線の多重化に要するトラック幅方゛向の
スペースによって抑制され、トラック密度の十分な向上
は困難であ本発明の目的は、したがって、上記欠点を除
去し、高いトラック密度を可能とするマルチトランク薄
膜磁気ヘッド・アセンブリおよびその製造方法を提供す
ることである。
上記目的を達成するために、本発明による冒頭に述べた
種類の磁気ヘッド・アセンブリは、各磁気ヘッドに対応
する電流端子の配列周期をトランスの配列周期よりも大
とし、薄膜磁気ヘッドとそれに対応する電流端子が二重
薄膜導線によって結合されていることを要旨とする。
種類の磁気ヘッド・アセンブリは、各磁気ヘッドに対応
する電流端子の配列周期をトランスの配列周期よりも大
とし、薄膜磁気ヘッドとそれに対応する電流端子が二重
薄膜導線によって結合されていることを要旨とする。
このように配列周期が異っている磁気ヘッドと電流端子
の間には可成りの距離が生じ、これらの間を結合する導
線も必然的に長くなり、相互結合が無視できなくなる。
の間には可成りの距離が生じ、これらの間を結合する導
線も必然的に長くなり、相互結合が無視できなくなる。
この欠点が、本発明によって、上記磁気ヘッドと電流端
子との間の結合用の導線を二重薄膜とすることによって
除去される。
子との間の結合用の導線を二重薄膜とすることによって
除去される。
本発明の有利な実施の態様においては、薄膜磁気ヘッド
と−それに対応する電流端子が基板の上に設けられた薄
膜トランスを介して結合される。
と−それに対応する電流端子が基板の上に設けられた薄
膜トランスを介して結合される。
本発明によれば、磁気ヘッドのトラック幅方向に大きな
スペースを利用することができるので、磁気ヘッド巻線
の巻数を小さくし、その巻数の不足分を磁気ヘッドを設
けた基板と同一基板の上に設けた磁気ヘッドと同数個の
薄膜トランスによって補うことができるので、一層高い
トラック密度を得ることができる。
スペースを利用することができるので、磁気ヘッド巻線
の巻数を小さくし、その巻数の不足分を磁気ヘッドを設
けた基板と同一基板の上に設けた磁気ヘッドと同数個の
薄膜トランスによって補うことができるので、一層高い
トラック密度を得ることができる。
本発明のその他の特徴および利点はただ一つの図面を参
照しながらなされる以下の実施例の記載から一層明らか
となるであろうが、本発明がこれに限るものではなく、
本発明の枠を越えることなく、いろいろな改良や変形が
あり得ることは勿論・である。
照しながらなされる以下の実施例の記載から一層明らか
となるであろうが、本発明がこれに限るものではなく、
本発明の枠を越えることなく、いろいろな改良や変形が
あり得ることは勿論・である。
表面を鏡面研摩した硅酸リチウムガラスを主体とするフ
ォトセラム（米国コダック社商品名）基板１上にマスク
蒸着法により、磁気へノド・コアとなる第１のパーマロ
イ・ヘッド・コア素子２ａ。
ォトセラム（米国コダック社商品名）基板１上にマスク
蒸着法により、磁気へノド・コアとなる第１のパーマロ
イ・ヘッド・コア素子２ａ。
２ｂ、・・・・・・を形成しようとするマルチトランク
・ヘッドのトラック配列周期をなして配列するとともに
、薄膜トランスの磁気コアとなる第１のトランス・コア
素子５ａ、 ３ｂ、・・・・・・を上記ノく−マロイ・
ヘッド・コア素子の配列周期よりも大きな周期で同数個
配列した後、磁気ヘッドの作動ギャップ長の約１／２の
厚さの第１のＳｉＯ２膜を全面にスノ（ツタ堆積せしめ
、上記パーマロイ・ヘッド・コア素子の一部に重なるご
ときＵ字形態導体４３．４ｂ、・・・・・・および上記
トランス・コア素子の一部に重なるごとき逆Ｕ字形Ａｔ
導体５ａ、 ５ｂ、・・・・・・、ならびに電流端子９
ａ、 ９ｂ、・・・・・・を有するスノくイラルｋｌ導
体６ａ、６ｂ＋・・・・・・を通常の写真蝕刻法により
形成し、ついで再び全面を磁気ヘッドの作動ギャップ長
の約１／２の厚さの第２の５ｉｎ２嘆で被覆しだ後、マ
スク蒸着法により、第２のパーマロイ・ヘッド・コア素
子２’ａ、 ２’ｂ、・・・・・・およびトランス・コ
アｉ子３’ａ５′ｂ、・・・・・・をそれぞれ前記第１
の）（−マロイ・ヘッド・コア素子およびトランス・コ
ア素子およびトランス・コア素子に重なるごとく形成し
、ついで各Ｕ字形Ａｔ導体および逆Ｕ字形Ａｔ導体の一
方の足の部分に対応して、上記被覆ＳｉＯ２膜にスル−
ホール７ａ、 ７ｂ、・・・・・・および８ａ、 ８ｂ
、・・・・・・を設け、各対応するスルーホール間を通
常の写真蝕刻法により形成したＡｔ薄膜導線ｉ１ａ、１
ｉｂ、・・・・・・により暗合した後、第６のＳｉＯ２
膜により全面を被覆し、上記各Ｕ字形Ａｔ導体および逆
Ｕ字形Ａｔ導体の他方の足の部分および上記スパイラル
Ａｔ導体の端部に対応して、上記第６および第２のＳ
＋ ０２被膜にスルーホール７ ａ’、 ７ ｂ’、・
・・・・・および８ ａ’、 ８ ｂ’、・・・・・・
ならびに１０ａ、１０ｂ、・・・・・・を設け、最後に
上記結合Ａｔ薄膜導線の大部分において重なるごとく上
記スルーホール７ ａ’、 ７ ｂ’、・・・・・・と
８ ａ’、 ８ ｂ’、・・・・・・ をそれぞれＡｔ
薄膜導線１２ａ、１２ｂ、・・・・・・で結合するとと
もに、上記スパイラルＭ導体端部に結合するごとく電流
端子９ ａ’、 ９ ｂ’、・・・・・・を設けて、マ
ルチトラック薄膜磁気ヘッド・アセンブリを作製した。
・ヘッドのトラック配列周期をなして配列するとともに
、薄膜トランスの磁気コアとなる第１のトランス・コア
素子５ａ、 ３ｂ、・・・・・・を上記ノく−マロイ・
ヘッド・コア素子の配列周期よりも大きな周期で同数個
配列した後、磁気ヘッドの作動ギャップ長の約１／２の
厚さの第１のＳｉＯ２膜を全面にスノ（ツタ堆積せしめ
、上記パーマロイ・ヘッド・コア素子の一部に重なるご
ときＵ字形態導体４３．４ｂ、・・・・・・および上記
トランス・コア素子の一部に重なるごとき逆Ｕ字形Ａｔ
導体５ａ、 ５ｂ、・・・・・・、ならびに電流端子９
ａ、 ９ｂ、・・・・・・を有するスノくイラルｋｌ導
体６ａ、６ｂ＋・・・・・・を通常の写真蝕刻法により
形成し、ついで再び全面を磁気ヘッドの作動ギャップ長
の約１／２の厚さの第２の５ｉｎ２嘆で被覆しだ後、マ
スク蒸着法により、第２のパーマロイ・ヘッド・コア素
子２’ａ、 ２’ｂ、・・・・・・およびトランス・コ
アｉ子３’ａ５′ｂ、・・・・・・をそれぞれ前記第１
の）（−マロイ・ヘッド・コア素子およびトランス・コ
ア素子およびトランス・コア素子に重なるごとく形成し
、ついで各Ｕ字形Ａｔ導体および逆Ｕ字形Ａｔ導体の一
方の足の部分に対応して、上記被覆ＳｉＯ２膜にスル−
ホール７ａ、 ７ｂ、・・・・・・および８ａ、 ８ｂ
、・・・・・・を設け、各対応するスルーホール間を通
常の写真蝕刻法により形成したＡｔ薄膜導線ｉ１ａ、１
ｉｂ、・・・・・・により暗合した後、第６のＳｉＯ２
膜により全面を被覆し、上記各Ｕ字形Ａｔ導体および逆
Ｕ字形Ａｔ導体の他方の足の部分および上記スパイラル
Ａｔ導体の端部に対応して、上記第６および第２のＳ
＋ ０２被膜にスルーホール７ ａ’、 ７ ｂ’、・
・・・・・および８ ａ’、 ８ ｂ’、・・・・・・
ならびに１０ａ、１０ｂ、・・・・・・を設け、最後に
上記結合Ａｔ薄膜導線の大部分において重なるごとく上
記スルーホール７ ａ’、 ７ ｂ’、・・・・・・と
８ ａ’、 ８ ｂ’、・・・・・・ をそれぞれＡｔ
薄膜導線１２ａ、１２ｂ、・・・・・・で結合するとと
もに、上記スパイラルＭ導体端部に結合するごとく電流
端子９ ａ’、 ９ ｂ’、・・・・・・を設けて、マ
ルチトラック薄膜磁気ヘッド・アセンブリを作製した。
以上のように構成した、本発明による磁気ヘッド・アセ
ンブリにおいては、電流端子の配列に要スルスペースに
制限されることなく、複数個の磁気ヘッドをトラック間
隔を密に配列すること楚できる。また、電流端子と各磁
気ヘッドの間に薄膜トランスを介在させることにより、
磁気ヘッドの巻線の巻数を低減し、これにより、各磁気
ヘッドのトランク間隔を低減することができる。
ンブリにおいては、電流端子の配列に要スルスペースに
制限されることなく、複数個の磁気ヘッドをトラック間
隔を密に配列すること楚できる。また、電流端子と各磁
気ヘッドの間に薄膜トランスを介在させることにより、
磁気ヘッドの巻線の巻数を低減し、これにより、各磁気
ヘッドのトランク間隔を低減することができる。
各磁気ヘッドと電流端子の間は二重薄膜導線によって結
合されているので、本発明による磁気ヘッド・アセ／ブ
リにおいては、磁気ヘッド間の相互結合が抑制され、高
トランク密度のマルチトラック・ヘッドの形成が極めて
容易となる。また、電流端子と磁気ヘッドを結合するト
ランスを薄膜磁気ヘッドを形成する基板上に該磁気ヘッ
ドと同時に形成することができるので、極めて安価に高
密度マルチトラック磁気ヘッド・アセンブリを作製する
ことが可能となる。
合されているので、本発明による磁気ヘッド・アセ／ブ
リにおいては、磁気ヘッド間の相互結合が抑制され、高
トランク密度のマルチトラック・ヘッドの形成が極めて
容易となる。また、電流端子と磁気ヘッドを結合するト
ランスを薄膜磁気ヘッドを形成する基板上に該磁気ヘッ
ドと同時に形成することができるので、極めて安価に高
密度マルチトラック磁気ヘッド・アセンブリを作製する
ことが可能となる。
なお、上記実施例におけるＵ字形および／または逆Ｕ字
形導体は比較的巻数の少ないスパイラル導線または多重
導線で置き換え秀ことができる。
形導体は比較的巻数の少ないスパイラル導線または多重
導線で置き換え秀ことができる。
また、上記実施例においては、磁気ヘッド・コア素子お
よびトランス・コア素子をマスク蒸着法により形成した
が、素子材を全面被着せしめた後蝕刻法により上記素子
を形成することもできる。
よびトランス・コア素子をマスク蒸着法により形成した
が、素子材を全面被着せしめた後蝕刻法により上記素子
を形成することもできる。
ただ一つの図面は本発明による磁気ヘッド・アセンブリ
の一例を示す平面図である。 １・・・基板 ２ａ、２ｂ・・・パーマロイ・ヘッド−コア５ ａ 、
！ｌ ｂ ｒ・・・・・・； ３’ａ、 ３’ｂ・・
・薄膜トランス・コア素子４ａ、４ｂ、・・・・・・
・・・Ｕ字形Ｍ導体５ ａ、５ ｂ＋・・・・・・ ・
・・逆Ｕ字形Ａｔ導体６ａ、６ｂ、・・・・・・ ・・
・スパイラルＡｔ導体７ ａ、７ｂ、−−−−”、７
ａ’、７ｂ’、 ・＝−・； ８ａ＋ ｓｂ、 ・
＝・弓８ ａ’、 ８ｂ’、 −−・−・； １ （ｌ
ａ、 １ ［）ｂ、 ・・・・・−・・・ＳｉＯ２膜の
スルーホール ？ ａ、 ９ ａ’ ； ９ ｂ、 ９ ｂ’；・−・
・−・・電流端子１１ａ、１１ｂ、・・・・・・ ・・
・下部績−合導体１２ａ、、 １２ｂ、・・・・・・
・・・上部結合導体代理人弁理士 中村純之助
の一例を示す平面図である。 １・・・基板 ２ａ、２ｂ・・・パーマロイ・ヘッド−コア５ ａ 、
！ｌ ｂ ｒ・・・・・・； ３’ａ、 ３’ｂ・・
・薄膜トランス・コア素子４ａ、４ｂ、・・・・・・
・・・Ｕ字形Ｍ導体５ ａ、５ ｂ＋・・・・・・ ・
・・逆Ｕ字形Ａｔ導体６ａ、６ｂ、・・・・・・ ・・
・スパイラルＡｔ導体７ ａ、７ｂ、−−−−”、７
ａ’、７ｂ’、 ・＝−・； ８ａ＋ ｓｂ、 ・
＝・弓８ ａ’、 ８ｂ’、 −−・−・； １ （ｌ
ａ、 １ ［）ｂ、 ・・・・・−・・・ＳｉＯ２膜の
スルーホール ？ ａ、 ９ ａ’ ； ９ ｂ、 ９ ｂ’；・−・
・−・・電流端子１１ａ、１１ｂ、・・・・・・ ・・
・下部績−合導体１２ａ、、 １２ｂ、・・・・・・
・・・上部結合導体代理人弁理士 中村純之助
Claims (3)
- （１）複数個の薄膜磁気ヘッドおよび電流端子を同一基
板上に設けてなる磁気ヘッド・アセンブリにおいて、各
磁気ヘッドに対応する電流端子の配列周期をトラックの
配列周期より−も大とし、上記薄膜磁気ヘッドとそれに
対応する電流端子が二重薄膜導線によって結合されてい
ることを特徴とする磁気ヘッド・アセンブリ。 - （２）薄膜磁気ヘッドとそれに対応する電流端子が上記
基板上に設けられた薄膜トランスを介して結合されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気ヘ
ッド・アセンブリ。 - （３）表面を鏡面研摩した基板上に磁気ヘッド・コアと
なる第１の磁気ヘッド・コア素子をマルチトラック・ヘ
ッドのトランク配列周期をなして配列するとともに、薄
膜トランスの磁気コアとなる第１のトランス・コア素子
を上記磁気ヘッド・コア素子の配列周賠よシも大なる周
期で同数個配列する工程、磁気ヘッドの作“動ギャップ
長の約１／２の厚さの第１の８ ＋ ０２膜を全面に堆
積する工程、上記磁気ヘッド・コア素子の各々の一部に
重なるごときＵ字形導体、上記トランス・コア素子の各
々の一部に重なるごとき逆Ｕ字形導体、および電流端子
を有するスパイラル導体を形成する工程、再び全面を磁
気ヘッドの作動ギャップ長の約１／２の厚さの第２のＳ
＋ ０２膜で被膜する工程、第２の磁気ヘッド・コア
素子およびトランス・コア素子をそれぞれ前記第１の磁
気ヘッド・コア素子およびトランス・コア素子に重なる
ごとく形成する工程、各Ｕ字形導体および逆Ｕ字形導体
の一方の足の部分に対応して上記被覆５ｔ０２膜にスル
ーホールを設ける工程、各対応するスルーホール間を形
成、する薄膜導線によって結合する工程、第６の８ ｓ
Ｏ２膜によって全面を被覆する工程、上記各゛Ｕ字形
導体および逆Ｕ字形導体の他方の足の部分および上記ス
パイラル導体の端部に対応して、上記第３および第２の
５ｉ０２被膜にスルーホールを設ける工程、および上記
結合薄膜導線の大部分において重なるごとく上記スルー
ホールをそれぞれ薄膜導線で結合するとともに、上記ス
パイラル導体端部に結合するごとく電流端子を設ける工
程を含むことを特徴とする、マルチトラック薄膜磁気ヘ
ッド・アセンブリの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13550181A JPS5837831A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | 磁気ヘツド・アセンブリおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13550181A JPS5837831A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | 磁気ヘツド・アセンブリおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5837831A true JPS5837831A (ja) | 1983-03-05 |
Family
ID=15153222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13550181A Pending JPS5837831A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | 磁気ヘツド・アセンブリおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5837831A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5954022A (ja) * | 1982-09-22 | 1984-03-28 | Canon Inc | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS61140420U (ja) * | 1985-02-16 | 1986-08-30 | ||
| JPS6220114A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-28 | Toshiba Seiki Kk | 磁気ヘツド |
| EP0714090A1 (fr) * | 1994-11-25 | 1996-05-29 | Thomson-Csf | Tête magnétique d'enregistrement/lecture et procédé de réalisation |
-
1981
- 1981-08-31 JP JP13550181A patent/JPS5837831A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5954022A (ja) * | 1982-09-22 | 1984-03-28 | Canon Inc | 薄膜磁気ヘツド |
| JPH0512762B2 (ja) * | 1982-09-22 | 1993-02-18 | Canon Kk | |
| JPS61140420U (ja) * | 1985-02-16 | 1986-08-30 | ||
| JPS6220114A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-28 | Toshiba Seiki Kk | 磁気ヘツド |
| EP0714090A1 (fr) * | 1994-11-25 | 1996-05-29 | Thomson-Csf | Tête magnétique d'enregistrement/lecture et procédé de réalisation |
| FR2727555A1 (fr) * | 1994-11-25 | 1996-05-31 | Thomson Csf | Tete magnetique d'enregistrement/lecture et son procede de realisation |
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