JPS58188115A - 誘導性素子の形成方法 - Google Patents
誘導性素子の形成方法Info
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- JPS58188115A JPS58188115A JP7185882A JP7185882A JPS58188115A JP S58188115 A JPS58188115 A JP S58188115A JP 7185882 A JP7185882 A JP 7185882A JP 7185882 A JP7185882 A JP 7185882A JP S58188115 A JPS58188115 A JP S58188115A
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- electrodes
- film
- insulation
- electrode
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
- H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
- H01F41/041—Printed circuit coils
- H01F41/046—Printed circuit coils structurally combined with ferromagnetic material
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は％誘導性素子の形成方法に関し、特に半導体層
板上６二誘導性素子ケ形成する方法Ｃ１関する。
板上６二誘導性素子ケ形成する方法Ｃ１関する。
一般に、−導性素子の代表的なものは、コイルである。
コイルには、インダクタンスの小さい中空のものと、イ
ンダクタンスが大きくなる磁性体のづト在したコイルと
があるが、いずれのコイルも比較的大さな形状Ｙしてい
る。従来、コイル！使用する回路ＶＩＣ化する場合、抵
抗、コンデンサ等は、集積回路内に集積され得るが、コ
イルは襲噴化でさず、外付とし〔いた、従つ”Ｃ１ａ積
回路によつ゛Ｃ小型化されるものの、外付部品が多く。
ンダクタンスが大きくなる磁性体のづト在したコイルと
があるが、いずれのコイルも比較的大さな形状Ｙしてい
る。従来、コイル！使用する回路ＶＩＣ化する場合、抵
抗、コンデンサ等は、集積回路内に集積され得るが、コ
イルは襲噴化でさず、外付とし〔いた、従つ”Ｃ１ａ積
回路によつ゛Ｃ小型化されるものの、外付部品が多く。
特にコイルが電子ａＩ器の小型化のネックＣ：なう・〔
いた。
いた。
不発明は、ヒ述した点に篠み°〔為さｒたちのであり、
半導体基板ｔにコイルＶ形成し得る方法！礎供するもの
である。以下図面Ｖ参照して１本発明の一実施例を説明
する。
半導体基板ｔにコイルＶ形成し得る方法！礎供するもの
である。以下図面Ｖ参照して１本発明の一実施例を説明
する。
事１因から弗５図は本発明の実施例ケ示す工程別話１因
陵び一部平面図である。
陵び一部平面図である。
第１図に於い°〔、半導体基板１１１４Ｎ型あるいはＰ
型のシリコン基板が弔いらｔｔ、その表面こ熱酸イヒあ
るいはＣＶＤ法署：より“Ｃ約１声ｍ程度の厚さに′＄
１絶縁１！ｉｉｌ ｆ２１がＷ２Ｆｉ！ｉされる。半導
体基板（１）に１ｔすで５ニトランジスタや、抵抗体あ
るいはコンデンサ等の素子が他の領域に形成し°Ｃある
もの、卸ちＩＩｋ積回路の形成連中で、配線電極形成前
のもの。
型のシリコン基板が弔いらｔｔ、その表面こ熱酸イヒあ
るいはＣＶＤ法署：より“Ｃ約１声ｍ程度の厚さに′＄
１絶縁１！ｉｉｌ ｆ２１がＷ２Ｆｉ！ｉされる。半導
体基板（１）に１ｔすで５ニトランジスタや、抵抗体あ
るいはコンデンサ等の素子が他の領域に形成し°Ｃある
もの、卸ちＩＩｋ積回路の形成連中で、配線電極形成前
のもの。
あるいは単体の半導体基板が用いられる・第２図１ａｌ
に於い′〔、半導体基板（１）上に設けられた第１絶縁
５（２１上に第１電極（３）ｖ形成する。ｌＦ！１ｉｔ
Ｉ ＆ ＋３１は１例えばアルミニウムから成り、第１
絶ｍ喫（２１上全面にアルミニウムｖ１２戸ｍ程度に蒸
着し、所定のパターンにエツチング除去し°Ｃ形成され
る。この工程で、半導体基板（１１にトランジスタ等の
素子が形成され′〔いる場合には、それらの素子Ｖ接続
するためのアルミ配線電極！同時に形成することができ
る。１１’！１１［糧（３１は、′＠２図＋ｂｌＱ）如
く、複数の独立した長形状で、各々略平行で等間隔に形
成される。
に於い′〔、半導体基板（１）上に設けられた第１絶縁
５（２１上に第１電極（３）ｖ形成する。ｌＦ！１ｉｔ
Ｉ ＆ ＋３１は１例えばアルミニウムから成り、第１
絶ｍ喫（２１上全面にアルミニウムｖ１２戸ｍ程度に蒸
着し、所定のパターンにエツチング除去し°Ｃ形成され
る。この工程で、半導体基板（１１にトランジスタ等の
素子が形成され′〔いる場合には、それらの素子Ｖ接続
するためのアルミ配線電極！同時に形成することができ
る。１１’！１１［糧（３１は、′＠２図＋ｂｌＱ）如
く、複数の独立した長形状で、各々略平行で等間隔に形
成される。
次Ｃ，ＷＰｓＳ図１ａｌに於い°（、第１酸化−１２１
上に第１電捲１３１ ′１￥すべて被覆する弗２絶縁−
（４）Ｙ形成し。
上に第１電捲１３１ ′１￥すべて被覆する弗２絶縁−
（４）Ｙ形成し。
史にｉＮ！２Ｐ＊１１１＋４１上に磁性体層（５）を設
ける。第２絶縁−＋４１ｉｊ ＣＶ Ｄ法Ｉ：よツーＣ
，ｔ ２ｆｉ１１〜２ｐｖｒ程闇の厚さにシリコン酸化
物Ｙ付１１′ｆるか、あるいはポリイミド等の塗布によ
って形成する。磁性体層（５）は、（鉄、アルミニウム
）合金、（ａ、コバルト）＠金、（ａ、ノーベリヮム）
合金、あるいｊ！（鉄、ニッケル、モップデン、マンガ
ン）合金Ｙスパッタリングにょっ゛（，１５メ珊程度の
厚さに付着した後、フォトエツチング技術によって第６
図１ｂｌに示す如く、第１電極（３）に９叉する長方形
状に形成される。
ける。第２絶縁−＋４１ｉｊ ＣＶ Ｄ法Ｉ：よツーＣ
，ｔ ２ｆｉ１１〜２ｐｖｒ程闇の厚さにシリコン酸化
物Ｙ付１１′ｆるか、あるいはポリイミド等の塗布によ
って形成する。磁性体層（５）は、（鉄、アルミニウム
）合金、（ａ、コバルト）＠金、（ａ、ノーベリヮム）
合金、あるいｊ！（鉄、ニッケル、モップデン、マンガ
ン）合金Ｙスパッタリングにょっ゛（，１５メ珊程度の
厚さに付着した後、フォトエツチング技術によって第６
図１ｂｌに示す如く、第１電極（３）に９叉する長方形
状に形成される。
′＠４図１ｍｌに於い”〔、磁性体層（５）を完全１＝
被覆する弗３絶縁摸（６）ｖ第２絶縁−（４）上に形成
する。第３絶縁襖（６）はＣＶＤ法にょっ°Ｃ、シリコ
ン酸化物Ｙｔ２声囃質の厚さに付着するか、あるいはポ
リイミド等Ｖ塗布して形成される。そして、第４図１ｂ
ｌの如く、第１電極１３１の各端部の一部表ｍｖ露出す
る様に、第２絶縁喫（４）及び第３絶縁−（６）！エツ
チング除去し°〔、コンタクト孔（７）！形成する。
被覆する弗３絶縁摸（６）ｖ第２絶縁−（４）上に形成
する。第３絶縁襖（６）はＣＶＤ法にょっ°Ｃ、シリコ
ン酸化物Ｙｔ２声囃質の厚さに付着するか、あるいはポ
リイミド等Ｖ塗布して形成される。そして、第４図１ｂ
ｌの如く、第１電極１３１の各端部の一部表ｍｖ露出す
る様に、第２絶縁喫（４）及び第３絶縁−（６）！エツ
チング除去し°〔、コンタクト孔（７）！形成する。
第５図１ａｌに於い゛〔、コンタクト孔（７）の形成さ
れた第３絶縁ＷＩ４１６１Ｌに第２電権（８）！形成す
る。第２電掩（８１はアルミニウムｖ、＄３絶縁喚（６
１上に蒸着あるいはスパッタリングにょっ°〔付着し、
第５図１ｂｌの如く、第１電極（３）の一方の端部と、
隣接する第１電極（３）の反対側の端部とｌコンタクト
孔（７）の接Ｍｔ：より−Ｃ＠続する形状にエツチング
除去して形成される。また、第１電極Ｇ）の外側の両端
部は外部導出用電極（９）が第２電極（８）と共にＷａ
Ｓれ。
れた第３絶縁ＷＩ４１６１Ｌに第２電権（８）！形成す
る。第２電掩（８１はアルミニウムｖ、＄３絶縁喚（６
１上に蒸着あるいはスパッタリングにょっ°〔付着し、
第５図１ｂｌの如く、第１電極（３）の一方の端部と、
隣接する第１電極（３）の反対側の端部とｌコンタクト
孔（７）の接Ｍｔ：より−Ｃ＠続する形状にエツチング
除去して形成される。また、第１電極Ｇ）の外側の両端
部は外部導出用電極（９）が第２電極（８）と共にＷａ
Ｓれ。
この外部導出用電極＋９１ｃｌＪ−ド婦がポンディング
される。しかし、半導体基板ｆｌ）にトランジスタ等の
他の素子が形成されてＳす、その素子との＊＊を為す場
合には、１１ｇ１電糧（３）の形成時、外側の第１電極
（３）を接続すべき他の素子にまで延在し接続すること
がでさる。この場合には外部導出用電極（９）綬びその
コンタクト孔（７１ｖ形成する必１Ｎは無い。
される。しかし、半導体基板ｆｌ）にトランジスタ等の
他の素子が形成されてＳす、その素子との＊＊を為す場
合には、１１ｇ１電糧（３）の形成時、外側の第１電極
（３）を接続すべき他の素子にまで延在し接続すること
がでさる。この場合には外部導出用電極（９）綬びその
コンタクト孔（７１ｖ形成する必１Ｎは無い。
上述の如く形成することにより、 ＠ ５１！ｌ１ａ）
ｌｂｌに示される様な構造が得られる。即ち！Ｊ１電掻
（剖と第２を極（８）とがコイル状になり、その間（＝
磁性値層＋５１が介在するものとなる。また、 １１１
１［（３１と弗２電極（８）の幅は、フォトエツチング
技術（二より形成するため、２声網程度に形成できるの
で１巻線同数！大きくすることができ、インダクタンス
も人さくすることがでさる。一方、小さなインメクタン
スＶ得る場合には、磁性体層（５）及び第３絶縁＠ｔ６
＋４形成せずに第２絶縁嘆（４）上に第２電掻（印を形
ｈｙｃすることによつ°Ｃ得られる。
ｌｂｌに示される様な構造が得られる。即ち！Ｊ１電掻
（剖と第２を極（８）とがコイル状になり、その間（＝
磁性値層＋５１が介在するものとなる。また、 １１１
１［（３１と弗２電極（８）の幅は、フォトエツチング
技術（二より形成するため、２声網程度に形成できるの
で１巻線同数！大きくすることができ、インダクタンス
も人さくすることがでさる。一方、小さなインメクタン
スＶ得る場合には、磁性体層（５）及び第３絶縁＠ｔ６
＋４形成せずに第２絶縁嘆（４）上に第２電掻（印を形
ｈｙｃすることによつ°Ｃ得られる。
上述の如く１本発明Ｃ：よれば、半導体基板上に誘導性
素子！形成できるので、非常に小型化されたコイルが得
られるものである。また集積（ロ）路内に集積すること
も可能となり、外付部品の点数！減少し、電子機器の小
型化に貢献するものである
素子！形成できるので、非常に小型化されたコイルが得
られるものである。また集積（ロ）路内に集積すること
も可能となり、外付部品の点数！減少し、電子機器の小
型化に貢献するものである
４／％１図力為ら率５図は本発明の実施例！示す工程別
の断面図及び一部平面図である。 ｍ・・・半導体基板、 （２）・・・第１絶縁嘆、 （
３）・・・第１［掻、 （４）・・・第２絶縁−１（５
）・・・磁性体層。 （６１・・・＄３絶縁Ｉ１．＋７１・・・コンタクト孔
、（８）・・・第２’ｉ［極、（９；・・・外部導出用
電極。
の断面図及び一部平面図である。 ｍ・・・半導体基板、 （２）・・・第１絶縁嘆、 （
３）・・・第１［掻、 （４）・・・第２絶縁−１（５
）・・・磁性体層。 （６１・・・＄３絶縁Ｉ１．＋７１・・・コンタクト孔
、（８）・・・第２’ｉ［極、（９；・・・外部導出用
電極。
Claims (1)
- ｔ 半導体４板上にｆｉｔ絶縁喚を形成し、該第１絶縁
膜上に４ｍ＄４料によつ゛Ｃ略東行に形成された麹数の
第１亀１１ｊｌｔ’設け、前記第１絶縁−上に前記第１
亀株ケ被覆する粥２絶縁寝！形成し、必要に応じＣｌ４
Ｉ前記第２絶縁喫上に前記弗１電極に交叉する如く磁性
体−Ｙ形成した後、該磁性体層を被覆する第！１絶縁１
１１Ｖ設け、前記弔２絶縁喫あるいは＠ｉ■紀第２Ｈｌ
び弗３絶縁輯の前記第１電極の端部に対応する部分ケエ
ッチング除去し、露出した第１電権の端部ｖｌｖ続する
第２電に４ＩＡケわ［戊−（ることによγＣ誘導性素子
！得ること全特徴とする栖導牲素子の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7185882A JPS58188115A (ja) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | 誘導性素子の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7185882A JPS58188115A (ja) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | 誘導性素子の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58188115A true JPS58188115A (ja) | 1983-11-02 |
Family
ID=13472639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7185882A Pending JPS58188115A (ja) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | 誘導性素子の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58188115A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60225413A (ja) * | 1984-04-23 | 1985-11-09 | Sanken Electric Co Ltd | インダクタンス素子の製造方法 |
| JPS62134258U (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-24 | ||
| JPS6429852U (ja) * | 1987-08-17 | 1989-02-22 | ||
| JPH01276708A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-07 | Koichi Murakami | インダクタンス素子 |
| JPH039504A (ja) * | 1989-06-07 | 1991-01-17 | Fujitsu Ltd | マイクロ・コイルの製造方法 |
| US6002593A (en) * | 1997-05-19 | 1999-12-14 | Nec Corporation | Reducing electromagnetic noise radiated from a printed board |
| US7167073B2 (en) | 2003-10-24 | 2007-01-23 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
| CN103035390A (zh) * | 2012-12-24 | 2013-04-10 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 电感磁珠 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55110009A (en) * | 1979-02-16 | 1980-08-25 | Tohoku Metal Ind Ltd | Inductance element |
-
1982
- 1982-04-27 JP JP7185882A patent/JPS58188115A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55110009A (en) * | 1979-02-16 | 1980-08-25 | Tohoku Metal Ind Ltd | Inductance element |
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| JPH0530366Y2 (ja) * | 1986-02-14 | 1993-08-03 | ||
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| CN103035390A (zh) * | 2012-12-24 | 2013-04-10 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 电感磁珠 |
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