JPS60225413A - インダクタンス素子の製造方法 - Google Patents
インダクタンス素子の製造方法Info
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- JPS60225413A JPS60225413A JP8127084A JP8127084A JPS60225413A JP S60225413 A JPS60225413 A JP S60225413A JP 8127084 A JP8127084 A JP 8127084A JP 8127084 A JP8127084 A JP 8127084A JP S60225413 A JPS60225413 A JP S60225413A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
- H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
- H01F41/041—Printed circuit coils
- H01F41/046—Printed circuit coils structurally combined with ferromagnetic material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F17/0033—Printed inductances with the coil helically wound around a magnetic core
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ハイブリッドＩＣ等の電気回路装置のための
インダクタンス素子の製造方法に関するものである。
インダクタンス素子の製造方法に関するものである。
従来の技術
従来の典型的な小型インダクタンス素子は、磁心に導線
を巻き回した構造のコイル又は磁心を有さないコイルか
ら成る。しかし、この種のインダクタンス素子の小型化
及び高信頼性化は困難である。この欠点を解決するもの
として、１９８３年２月発行の「電子技術」第２５巻第
２号第４２頁に記載されているようなフェライトペース
トと導電体ペーストとを交互に積層して焼成した構造の
チップインダクタがｌＨＵちれイい入−発明が解決しよ
うとする問題点 ところで、上述のチップインダクタは、フェライトペー
ストと導電体ペーストとを交互に積層しなければならな
いので、工数が多くなるという問題、及び大きなインダ
クタンス値を容易に得ることが難しいという問題がある
。従って、本発明の目的は、小型のインダクタンス素子
を簡単に製造することが出来る方法を提供することにあ
る。
を巻き回した構造のコイル又は磁心を有さないコイルか
ら成る。しかし、この種のインダクタンス素子の小型化
及び高信頼性化は困難である。この欠点を解決するもの
として、１９８３年２月発行の「電子技術」第２５巻第
２号第４２頁に記載されているようなフェライトペース
トと導電体ペーストとを交互に積層して焼成した構造の
チップインダクタがｌＨＵちれイい入−発明が解決しよ
うとする問題点 ところで、上述のチップインダクタは、フェライトペー
ストと導電体ペーストとを交互に積層しなければならな
いので、工数が多くなるという問題、及び大きなインダ
クタンス値を容易に得ることが難しいという問題がある
。従って、本発明の目的は、小型のインダクタンス素子
を簡単に製造することが出来る方法を提供することにあ
る。
問題点を解決するための手段
上記目的を達成するための本発明は、絶縁基板上に互い
に平行な複数重篤１の線状導体層を、形成し、前記複数
本の第１の線状導体層の両端以外の部分を覆うように第
１の絶縁体層を形成し、前７記第１の線状導体層に交差
させると共に実質的に環状になるよ５に磁性体層を形成
し、前記磁性体層の上り少なくとも一部に第２の絶縁体
層を形成し、前記第２の絶縁体層の上に互いに平行に複
数本の第２の層状導体層を形成し、前記第１の線状導体
層と前記第２の線状導体層との接続によってコイルを形
成することを特徴とするインダクタンス素子の製造方法
に係わるものである。
に平行な複数重篤１の線状導体層を、形成し、前記複数
本の第１の線状導体層の両端以外の部分を覆うように第
１の絶縁体層を形成し、前７記第１の線状導体層に交差
させると共に実質的に環状になるよ５に磁性体層を形成
し、前記磁性体層の上り少なくとも一部に第２の絶縁体
層を形成し、前記第２の絶縁体層の上に互いに平行に複
数本の第２の層状導体層を形成し、前記第１の線状導体
層と前記第２の線状導体層との接続によってコイルを形
成することを特徴とするインダクタンス素子の製造方法
に係わるものである。
作用
上記発明によれば、第１の線状導体層、第１の絶縁体層
、磁性体層、第２の絶縁体層、第２の線状導体層を順に
形成するのみで、巻数が多く且つインダクタンス値が大
きい素子を得ることが出来る。
、磁性体層、第２の絶縁体層、第２の線状導体層を順に
形成するのみで、巻数が多く且つインダクタンス値が大
きい素子を得ることが出来る。
実施例
次に、第１図〜第６図を参照して本発明の実施例に係わ
るハイブリッドＩＣのインダクタンス素子の製造方法に
ついて述べる。
るハイブリッドＩＣのインダクタンス素子の製造方法に
ついて述べる。
第１図に示すハイブリッドＩＣの絶縁性のアルミナ基板
Ｉｌｌの上のインダクタンス素子形成領域に、蒸着によ
って銅層を形成し、この銅層をフォトエツチングするこ
とによって第１図に示すように複数本のＮｌの線状導体
層（２）を形成する。なお、それぞれの第１ｆ）線状導
体層（２；は、幅３０μｍの短冊状とされ、これ等の相
互間隔が３０ ｐｍとされ。
Ｉｌｌの上のインダクタンス素子形成領域に、蒸着によ
って銅層を形成し、この銅層をフォトエツチングするこ
とによって第１図に示すように複数本のＮｌの線状導体
層（２）を形成する。なお、それぞれの第１ｆ）線状導
体層（２；は、幅３０μｍの短冊状とされ、これ等の相
互間隔が３０ ｐｍとされ。
全体としてストライプ状に配設されている。また、第１
の線状導体層（２）は２つの群に分割され、第１図の上
部に配設されている第１の群と下部に配置されている第
２の群とは２００μｍの間隔を有している。この第１の
線状導体層（２）の各群の寸法を示すと、長さＬは３ｍ
ｍ、幅Ｗは３゛２０ ｐｍであ次に、ＣＶＤ法によって
全面を５ｉ０２膜で被覆し、フォトエツチングによりＣ
３ｉ０２を選択的に除去して第２図に示す如く第１の線
状導体層（２）の一端（２ａ）及び他端（２ｂ）のみが
露出するように第１の絶縁体層（３）を形成する。なお
、この実施例では、一端（２ａ）及び他端（２ｂ）の突
出長を３０μｍとする。また、第１の絶縁体層（３）を
環状に形成する。
の線状導体層（２）は２つの群に分割され、第１図の上
部に配設されている第１の群と下部に配置されている第
２の群とは２００μｍの間隔を有している。この第１の
線状導体層（２）の各群の寸法を示すと、長さＬは３ｍ
ｍ、幅Ｗは３゛２０ ｐｍであ次に、ＣＶＤ法によって
全面を５ｉ０２膜で被覆し、フォトエツチングによりＣ
３ｉ０２を選択的に除去して第２図に示す如く第１の線
状導体層（２）の一端（２ａ）及び他端（２ｂ）のみが
露出するように第１の絶縁体層（３）を形成する。なお
、この実施例では、一端（２ａ）及び他端（２ｂ）の突
出長を３０μｍとする。また、第１の絶縁体層（３）を
環状に形成する。
次に、磁性体としてのＭｎ −Ｚｎ フェンイト粉末と
バインダとしてのポリビニルアルコールから成るペース
トを印刷し、これに例えば２００〜５００Ｃの熱処理を
施して第３図に示す如く幅２００μｍ、厚さ１０μｍの
環状（枠状）９磁性体層（４）を形成する。なお、この
磁性体層（４）は第１の絶縁体層（３）の上に形成し且
つ第１の線状導体層ＩＱＩ ］−ＸＰ剥メ＋Ｉ亦美す入
子へπ廐般すふ−次に、ＣＶＤ法によって８ ｆｏ２膜
を全面に形成し、フォトエツチングによって５ｉＱ２膜
を選択的に除去して第４図に示す如く第′１の線状導体
層（２）の両端（２ａ）（２ｂ）がそれぞれ３０μｍ露
出するよ うに第２の絶縁体層（５）を形成する。なお
、この第２の絶縁体層（５）は第１の絶縁体層（３）及
び磁性体層（４）に対応させた環状に形成する。このた
め、磁性体層（４）は安定的に保持される。
バインダとしてのポリビニルアルコールから成るペース
トを印刷し、これに例えば２００〜５００Ｃの熱処理を
施して第３図に示す如く幅２００μｍ、厚さ１０μｍの
環状（枠状）９磁性体層（４）を形成する。なお、この
磁性体層（４）は第１の絶縁体層（３）の上に形成し且
つ第１の線状導体層ＩＱＩ ］−ＸＰ剥メ＋Ｉ亦美す入
子へπ廐般すふ−次に、ＣＶＤ法によって８ ｆｏ２膜
を全面に形成し、フォトエツチングによって５ｉＱ２膜
を選択的に除去して第４図に示す如く第′１の線状導体
層（２）の両端（２ａ）（２ｂ）がそれぞれ３０μｍ露
出するよ うに第２の絶縁体層（５）を形成する。なお
、この第２の絶縁体層（５）は第１の絶縁体層（３）及
び磁性体層（４）に対応させた環状に形成する。このた
め、磁性体層（４）は安定的に保持される。
次に、蒸着で全面に銅層を形成し、この銅層をフォトエ
ツチングで選択的に除去することによって第５図に示す
複数の第２の線状導体層（６）を形成する。なお、この
第２の線状導体層（６）を第１の線状導体層（２）に対
応させてストライブ状に配置し、且つ第６図に示す如く
この一端（６ａ）と他端（６ｂ）とを第１の線状導体層
（２）の一端（２ａ）と他端（２ｂ）とに接続され、１
００ターンのコイルを形成する。
ツチングで選択的に除去することによって第５図に示す
複数の第２の線状導体層（６）を形成する。なお、この
第２の線状導体層（６）を第１の線状導体層（２）に対
応させてストライブ状に配置し、且つ第６図に示す如く
この一端（６ａ）と他端（６ｂ）とを第１の線状導体層
（２）の一端（２ａ）と他端（２ｂ）とに接続され、１
００ターンのコイルを形成する。
上述の第１及び第２の線状導体層（２１＋６）の組み合
せから成る１００ターンのコイルのインダクタンス値は
約１５０００μＨであった。なお、所望のインダクタン
ス値が得られない場合は、レーザビームによって磁性体
層（４）の一部を第７図に示す如く除去して切り込み部
分（７）を設けてインダクタンス値の調整を行う。
せから成る１００ターンのコイルのインダクタンス値は
約１５０００μＨであった。なお、所望のインダクタン
ス値が得られない場合は、レーザビームによって磁性体
層（４）の一部を第７図に示す如く除去して切り込み部
分（７）を設けてインダクタンス値の調整を行う。
本実施例によれば、第１の線状導体層（２）、第１の絶
縁体層（３）、磁性体層（４）、第２の絶縁体層（５）
、第２の線状導体層（６）を順次に形成するのみで、゛
インダクタンス値の大きいインダクタンス素子を超小型
に形成することが出来る。
縁体層（３）、磁性体層（４）、第２の絶縁体層（５）
、第２の線状導体層（６）を順次に形成するのみで、゛
インダクタンス値の大きいインダクタンス素子を超小型
に形成することが出来る。
また、磁性体層（４）が環状に形成され、閉磁路になっ
ているので、漏洩磁束を少なくすることが出来、ハイブ
リッドＩＣにおける他の素子に対する磁束の影響を小に
することが出来る。
ているので、漏洩磁束を少なくすることが出来、ハイブ
リッドＩＣにおける他の素子に対する磁束の影響を小に
することが出来る。
また、ハイブリットＩＣの基板上にインダクタンス素子
を形成するので、ハイブリッドＩＣの大幅な小型化が達
成される。
を形成するので、ハイブリッドＩＣの大幅な小型化が達
成される。
また、レーザビームで磁性体層（４）に切り込み（７）
を入れてインダクタンス値を調整するので、所望インダ
クタンス値を正確に得ることが出来る。
を入れてインダクタンス値を調整するので、所望インダ
クタンス値を正確に得ることが出来る。
また、第１及び第２の線状導体層＋２１ （６１は、短
冊状であって表面積が大であるので、熱伝導効率が良く
、大きな電流容量を得ることが出来る。
冊状であって表面積が大であるので、熱伝導効率が良く
、大きな電流容量を得ることが出来る。
変形例
本発明は上述の実施例に限定されるものでなく、更に変
形可能なものである。例えば、アルミナ基もよい。また
、第１及び第２の線状導体層（２１（６）をＡｌ ｓ
Ｃｒ Ａｌ 、Ｍｏ等で形成してもよい。また、絶縁体
層（３）（５）をスパッタによる５ｔｏ２膜又はポリイ
ミド樹脂塗布膜等としてもよい。また、所望のインダク
タンス値が得られるように磁性体層（４）にギャップを
設けても差支えない。従って、本発明における実質的に
環状の磁性体層とは、ギャップ付きの磁性体層も含むも
のとする。また、一枚の基板＋１１に複数のインダクタ
ンス素子を同時に形成してもよい。また、大面積の基板
に複数のインダクタンス素子を本発明の方法で形成し、
しかる後に基板を分割して個々のインダクタンス素子又
はハイブリッドＩＣ基板としてもよい。また、フォトエ
ツチングを使用せずに、選択的な蒸着等によっまた、磁
性体層（４）を形成するためのペーストにおける磁性体
及びバインダを別の物質にしても勿論差支えない１、 発明の効果 上述から明らかな如く、第１及び第２の線状導体層、第
１及び第２の絶縁体層、磁性体層を設けることによって
インダクタンス素子を形成するので、巻き数が多く且つ
インダクタンス値が大きく且つ寸法が小さいインダクタ
ンス素子を容易に得る）ことが出来る。
形可能なものである。例えば、アルミナ基もよい。また
、第１及び第２の線状導体層（２１（６）をＡｌ ｓ
Ｃｒ Ａｌ 、Ｍｏ等で形成してもよい。また、絶縁体
層（３）（５）をスパッタによる５ｔｏ２膜又はポリイ
ミド樹脂塗布膜等としてもよい。また、所望のインダク
タンス値が得られるように磁性体層（４）にギャップを
設けても差支えない。従って、本発明における実質的に
環状の磁性体層とは、ギャップ付きの磁性体層も含むも
のとする。また、一枚の基板＋１１に複数のインダクタ
ンス素子を同時に形成してもよい。また、大面積の基板
に複数のインダクタンス素子を本発明の方法で形成し、
しかる後に基板を分割して個々のインダクタンス素子又
はハイブリッドＩＣ基板としてもよい。また、フォトエ
ツチングを使用せずに、選択的な蒸着等によっまた、磁
性体層（４）を形成するためのペーストにおける磁性体
及びバインダを別の物質にしても勿論差支えない１、 発明の効果 上述から明らかな如く、第１及び第２の線状導体層、第
１及び第２の絶縁体層、磁性体層を設けることによって
インダクタンス素子を形成するので、巻き数が多く且つ
インダクタンス値が大きく且つ寸法が小さいインダクタ
ンス素子を容易に得る）ことが出来る。
第１図、第２図、第３図、第４図、及び第５図は本発明
の実施例に係わるインダクタンス素子の一部を工程順に
示す平面図、第６図は第５図のＡ−Ａ線の断面図、第７
図はインダクタンス値を調整した磁性体層を示す平面図
である。 （１）・・・アルミナ基板、（２）・・・第１の線状導
体層、（２ａ）・・・一端、（２ｂ）・・・他端、（３
）・・・第１の絶縁体層、（４）・・・磁性体層、（５
１・・・第２の絶縁体層、（６）・・・第２の線状導体
層、（６ａ）・・・一端、（６ｂ）・・・他端。 代 理 人 高野則次 区 の 味 区 寸 味 □□□■ ＝ 区 区 ｃＤＬ′−＃ ＩＲ綜
の実施例に係わるインダクタンス素子の一部を工程順に
示す平面図、第６図は第５図のＡ−Ａ線の断面図、第７
図はインダクタンス値を調整した磁性体層を示す平面図
である。 （１）・・・アルミナ基板、（２）・・・第１の線状導
体層、（２ａ）・・・一端、（２ｂ）・・・他端、（３
）・・・第１の絶縁体層、（４）・・・磁性体層、（５
１・・・第２の絶縁体層、（６）・・・第２の線状導体
層、（６ａ）・・・一端、（６ｂ）・・・他端。 代 理 人 高野則次 区 の 味 区 寸 味 □□□■ ＝ 区 区 ｃＤＬ′−＃ ＩＲ綜
Claims (1)
- （１）絶縁基板上に互いに平行な複数本の第１の線状導
体層を形成し、前記複数本の第１の線状導体層の両端以
外の部分を覆うよ５に第１の絶縁体層を形成し、前記第
１ｆ）線状導体層に交差させると共に実質的に環状にな
るように磁性体層を形成し、前記磁性体層の上の少なく
とも一部に第２の絶縁体層を形成し、前記第２の絶縁体
層の上に互いに平行に複数本の第２の線状導体層を形成
し、前記第１の線状導体層と前記第２の線状導体層との
接続によってコイルを形成することを特徴とすｌノリＪ
＋ｈＪ１ノーｆ繊ヱハ制ム七井
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8127084A JPS60225413A (ja) | 1984-04-23 | 1984-04-23 | インダクタンス素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8127084A JPS60225413A (ja) | 1984-04-23 | 1984-04-23 | インダクタンス素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60225413A true JPS60225413A (ja) | 1985-11-09 |
Family
ID=13741667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8127084A Pending JPS60225413A (ja) | 1984-04-23 | 1984-04-23 | インダクタンス素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60225413A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61251109A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-08 | Toko Inc | インダクタンス素子の製造方法 |
| FR2601218A1 (fr) * | 1986-07-02 | 1988-01-08 | Burr Brown Corp | Transformateur a tore carre pour circuit integre hybride |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58188115A (ja) * | 1982-04-27 | 1983-11-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 誘導性素子の形成方法 |
-
1984
- 1984-04-23 JP JP8127084A patent/JPS60225413A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS58188115A (ja) * | 1982-04-27 | 1983-11-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 誘導性素子の形成方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61251109A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-08 | Toko Inc | インダクタンス素子の製造方法 |
| FR2601218A1 (fr) * | 1986-07-02 | 1988-01-08 | Burr Brown Corp | Transformateur a tore carre pour circuit integre hybride |
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