JPS62256209A

JPS62256209A - 薄膜磁気ヘツド

Info

Publication number: JPS62256209A
Application number: JP9850486A
Authority: JP
Inventors: Hideo Takei; 日出夫竹井
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1986-04-28
Filing date: 1986-04-28
Publication date: 1987-11-07

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業−にの利用分野）本発明は、薄膜磁気ヘッドに関する。

（従来の技術）薄膜磁気ヘッドは、配線パターンの発熱の関係」二、数
十ｍＡ程度の電流しか巻線膜に通電することができず、
従って誘起磁束が小さく、記録、再生動作を行なわせる
ためには、磁気抵抗を小さくするため、磁路長を短くす
る必要がある。これらの要望を満たす構造として、巻線
をジグザグ、スパイラルあるいはマルチターン形に形成
した多層巻線が知られている。

第４図は前記多層コイルの一例であるジグザグ形のもの
の磁性膜と巻線膜との関係を示し、第５図は第４図のＦ
−Ｆ拡大断面を示す。この薄膜磁気ヘッドは、基板ｌ上
に複数本の巻線下膜２ａ〜２Ｃを形成し、その上に記録
媒体走行面Ｓから直角をなす方向に絶縁膜６を介して磁
性下膜４を形成し、磁性下膜４上に絶縁膜７を介して巻
線上膜３ａ〜３ｄを形成し、巻線」二膜３ａ〜３ｄ上に
絶縁膜９を介して磁性上膜５を磁性下膜４に重ねるよう
に形成し、前記巻線下膜２ａ〜２Ｃの端部と巻線上膜３
ａ〜３ｄの隣接するものの一方の端部を相互に接続部８
により接続してなるものである。

（発明が解決しようとする問題点）しかし、上記従来の薄膜磁気ヘッドは、巻線下膜２ａ〜
２ｃと巻線上膜３ａ〜３ｄとの間の配設位置をＷに示す
幅だけ偏位させてその間に磁性下膜４を形成しているの
で、磁性膜４．５の全体の長さ、すなわち磁路長が長く
なり、さらに、磁性下膜４は図示のように多くの段差部
４ａ、４ｂ。

４ｃ、・・・を有する構造となるので、ますます磁路長
が長くなるという問題点がある。また、このような段差
部４ａ、４ｂ、４ｃ、・・・の存在によるノイズの発生
が避けられず、ＳＮ比が悪いという問題点がある。他の
スパイラル形の場合にはさらに段差が大きくなり、スパ
ッタリング等により段差部に絶縁膜を形成する場合、絶
縁膜が非常に薄くなったり、形成されなくなる場合があ
るため、製造上の歩留りが悪く、また、マルチターン型
の場合にも同様な問題点がある。

なお、このような問題点を解決するため、有機レジスト
を用いて平坦化する方法や、絶縁層形成後、エッチバッ
クによって平坦化する方法等が用いられていたが、有機
レジストによる方法は、（１）二次工程以下の工程にお
ける加熱温度に限界を生じ、（２）１部膜に対する信頼
性が乏しく、（３）段差解消のために１．５〜２倍程度
の段差を誘起するという欠点がある。また、前記エッチ
バック法は、（１）技術的に難かしく、（２）工程が複
雑になるという欠点がある。

（問題点を解決するための手段）本発明は、上記の点に鑑み、基板上に第１の磁性膜を形
成し、該第１の磁性膜上に該磁性膜を横切るようにほぼ
巻線幅の間隔を有して断面形状が台形をなす複数条の第
１の巻線膜を形成し、該第１の巻線膜の間にこの間を充
填するように断面形状が台形をなす第２の巻線膜を絶縁
膜を介して形成し、該第１、第２の巻線膜上に、前記ｆ
ｆ１ｌの磁性膜との間で磁路を形成する第２の磁性膜を
形成し、前記第１、第２の巻線膜は、前記第１．第２の
磁性膜の間の部分以外の部分において、該磁性膜の間の
部分にて同方向に電流が流れるように螺旋パターンをな
すように接続したことを特徴とするものであり、第１．
第２の巻線膜を組合わせた形状は、少なくとも磁性膜形
成部においては平坦化されるので、これに伴ない、第１
、第２の磁性膜を平坦に形成することができる。

（実施例）第１図は本発明による薄膜磁気ヘッドの一実施例を多チ
ャンネルについて示す図、第２図はそのＥ−Ｅ断面図で
ある。ｌはＮｉ−Ｚｎ等でなる基板、Ａ、Ｂは基板ｌに
形成された各チャンネル対応の磁気記録、再生部である
。これらの各部Ａ。

Ｂは以下のように構成されている。ＩＯは基板１上に形
成された例えばセンダスト、パーマロイ等の高透磁率の
磁性材料でなる第１の磁性膜、１１は該第１の磁性膜Ｉ
Ｏ上に形成された例えば５ｉ０２　、ＡｌＩ３０３　、
Ｓ　ｉ３０４等テナル絶縁膜、１２は巻線の一部ａ、ｂ
、ｃ、ｄが該第１の磁性１１ｉ　１０を横切るようにほ
ぼ巻線幅の間隔を有して形成された例えばＣｕ、ＡｆＬ
、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉもしくはこれらの合金等の導体でな
る第１の巻線膜であり、断面形状が上辺（基板１の反対
側の辺）を短辺とした台形をなすものである０本実施例
は、該第１の巻線膜１２を絶縁膜１１を介して形成して
いるが、磁性膜１０として電気抵抗値が大であるものを
使用する場合には、該絶縁膜１１を無くすることもでき
る。

１５は第１の巻線膜１２上に形成された前記５ｉ０２等
でなる絶縁膜、１３は該絶縁膜１５を介してＳｌの巻線
膜１２の間の部分に形成された前記Ｃｕ等でなる第２の
巻線膜であり、該第２の巻線膜１３（理解を容易にする
ため、第１図においては、この膜１３の部分には斜線を
加えている）は、前記第１の磁性膜ｌＯを横切る部分ｅ
。

ｆｌｇにおいて、前記第１の巻線Ｍ１２の間にこの間を
充填するように形成される。従って、第２の巻線膜１３
の第１の磁性膜１０を横切る部分は、第１の巻線膜１２
の断面形状との関係から、断面形状が上辺を長辺とした
台形をなすものである。該第２の巻線膜１３の磁性膜１
０に対応した部分ないしはその近傍部分ｅ−ｇ以外の部
分は、必ずしも前記第１の巻線膜１２の間を第２の巻線
膜１３で充填する構造とする必要がないので、断面形状
は長方形等能の形状としてもよい。

１４は該第１、第２の巻線膜１２．１３上に絶縁膜１５
．１６を介して形成された前記センダスト等でなる第２
の磁性膜であり、該第２の磁性膜１４はテープ走行面Ｓ
の部分においては第１の磁性膜１０に対して絶縁膜１５
．１６を介して積層され、尾端側は第１の磁性膜１０に
一体に重ねて形成している。

第１、第２の巻線膜１２．１３は、前記第１、第２の磁
性膜１０．１４の間の部分以外の部分において、該磁性
膜の間の部分ａ−ｄ、ｅ−ｇにて同方向に電流が流れる
ようにそれぞれ螺旋状に接続される。すなわち、第１の
巻線膜１２には、第２の巻線膜１３が絶縁膜１４を介し
て跨ぐ部分り、ｉ、ｊを形成し、第１の巻線膜１２と第
２の巻線膜１３の各内端部は絶縁膜１４なしで重層して
電気的に接続することにより、磁性膜１０．１４の間の
部分ａ”ｄ、ｅ−ｇにて同方向に電流が流れる螺旋形を
形成しているのである。１２ａ。

ｉ３ａはそれぞれ第１の巻線膜１２および第２の巻線膜
１３の接続部である。

このような構造は、第３図に示す工程により実現するこ
とができる。第３図は磁性膜１０　、１４の部分につい
て示しており、まず（Ａ）に示すように、Ｎｆ−Ｚｎフ
ェライ！・でなる基板１上に、例えばセンダストでなる
第１の磁性膜１０を例えば膜厚ｌ〜５ｐｍに形成し、そ
の」−に例えばＳ＋０２でなる絶縁膜１１を例えば膜厚
０　、５　ｇｍに形成したものに対し、Ｃｕの薄膜をス
パッタリング等により５００人の膜厚に形成し、次にそ
の膜上にＣｕを例えば２〜３＃Ｌｆｆｌの厚さに電着し
、その電着層１２Ａの上に１例えば膜厚６トｍ、上辺旧
＝４ｐｍ、下辺Ｗ２＝　６　ｇｍ　、間隔Ｗ３＝６１Ｌ
ｍとなるように第１の巻線膜１２に対応したレジストパ
ターンを形成し、次にイオンビームエツチングにより、
レジスト１７以外の部分を除去することにより、（Ｂ）
に示すように、第１の巻線膜１２のパターンを形成する
。

次に（Ｃ）に示すように、絶縁ｆｆ！１５としての５ｉ
０２を、スパッタリング等により、第１の巻線膜１２上
（ただし第１図の内端の接続部に、１２ａを除く）およ
び絶縁膜１１上に例えば０．５ｐ、ｍの膜厚に形成する
。次に（Ｄ）に示すように、第２の巻線膜１３を形成す
る部分ないしはその近傍にスパッタリング等により、Ｃ
ｕ膜１３Ａを例えば１５００人の膜厚に形成し、その上
に、第２の巻線膜１３を形成する部分以外の部分にレジ
スト１８を形成し、続いて　（Ｅ）に示すように、Ｃｕ
膜ａ、ｂ、ｃ、ｄの間の部分、すなわちレジスト１８の
無い部分について、電着により、Ｃｕ膜１３Ｂを２〜３
１１．ＩＢの膜厚に形成する。次にレジスト１８を除去
すると共に、Ｃｕ１Ｉｌ１３Ａの電着膜１３Ｂ形成部以
外の部分をウニ・ントエッチングあるいはイオンミリン
グにより除去する。残留した膜１３Ａ、１３Ｂの一体化
されてなる部分がそれぞれ前記ｅ＋ｆ＋ｇで表示される
第２の巻線膜１３となる。次に（Ｆ）に示すように、５
ｉ０２でなる絶縁膜１４を第１．第２の巻線膜１２．１
３上に絶縁膜１５．１６を介して形成する。

なおＬ記の例では、記録媒体走行面Ｓ側のギャップＧは
絶縁膜１１．１５の合計膜厚で決定されるが、他のギャ
ップ形成膜を単独に形成するか、あるいは膜１１．１５
に他の膜を付加したもの、あるいは＠１１．１５のいず
れかによってギャップＧが決定されるように構成するこ
とも可能である。また、第１図において、第１の巻線膜
１２のｄに示す最内側パターンのさらに内側に第２の巻
線膜１３の最内側パターンを形成する構造も実現可能で
ある。

（発明の効果）以上述べたように、本発明においては、磁性膜形成部に
おいて、断面台形をなす第１の巻線膜の間に第２の巻線
膜を絶縁膜を介して充填状に形成したので、巻線の組合
わせた形状が平面状をなし、かつ合成幅も小さくなるの
で、磁性膜の長さを小さく、かつ段差の少ない形状に形
成できるため、磁路長が短かくなると共に磁気洩れが低
減されるので、記録、再生効率の高い磁気ヘッドが構成
される。また、磁性膜の段差が少なくなるので、誘起ス
トレスを小さく押さえ、磁歪の影響を少なくすることが
でき、ＳＮ比を改善することができ、膜の剥離等もなく
なり、信頼性が向上する。また、巻線膜や磁性膜等の段
差が小さいため、薄膜形成時に段差部に付着する絶縁膜
を考慮して絶縁膜の膜厚を厚くする必要がないため、絶
縁膜を例えば０．５μｍ程度の薄膜とすることができ、
再現性が良好であり、歩留りが向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の薄膜磁気ヘッドの一実施例を示す平面
図、第２図は第１図のＥ−Ｅ断面図、第３図（Ａ）〜（
Ｈ）は該実施例の製造工程の一例を示す第２図相当断面
図、第４図は従来の薄膜磁気ヘンドの一例を示す平面図
、第５図は第４図のＦ−Ｆ断面図である。

Claims

【特許請求の範囲】

基板上に第１の磁性膜を形成し、該第１の磁性膜上に該
磁性膜を横切るようにほぼ巻線幅の間隔を有して断面形
状が台形をなす複数条の第１の巻線膜を形成し、該第１
の巻線膜の間にこの間を充填するように断面形状が台形
をなす第２の巻線膜を絶縁膜を介して形成し、該第１、
第２の巻線膜上に、前記第１の磁性膜との間で磁路を形
成する第２の磁性膜を形成し、前記第１、第２の巻線膜
は、前記第１、第２の磁性膜の間の部分以外の部分にお
いて、該磁性膜の間の部分にて同方向に電流が流れるよ
うに螺旋パターンを形成するように接続したことを特徴
とする薄膜磁気ヘッド。