JPH01173611A - 積層インダクタの製造方法 - Google Patents

積層インダクタの製造方法

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JPH01173611A
JPH01173611A JP62330571A JP33057187A JPH01173611A JP H01173611 A JPH01173611 A JP H01173611A JP 62330571 A JP62330571 A JP 62330571A JP 33057187 A JP33057187 A JP 33057187A JP H01173611 A JPH01173611 A JP H01173611A
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JP
Japan
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conductor pattern
layer
conductor
insulating layer
pattern
Prior art date
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Pending
Application number
JP62330571A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsuo Sakakura
坂倉 光男
Seiichi Kobayashi
清一 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toko Inc
Original Assignee
Toko Inc
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Publication date
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  • Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁性体層と導体層を積層した積層インダクタ
の製造方法に係るもので、特に導体層間に透磁率の低い
層を具えた積層インダクタの製造方法に関するものであ
る。
〔従来技術とその問題点〕
電子部品の小型化、薄型化などの要求に伴ってインダク
タンス部品の分野でも積層インダクタが注目されている
。これは、巻線を用いずに、印刷などの方法によって磁
性体と導体を交互に積層するものである。
このような積層インダクタの特性を向上させるために、
周回する導体パターン間のみ、非磁性体または低3m 
’+11率層で置換することが考えられている。そのよ
うな構造は、特開昭57−173918号公報などに記
載されている。
しかし、マスクの数が増加したり、また印刷回数が多く
なるなどといった製造上の問題があり、実用化は困難で
あった。
そして、このような積層インダクタは、磁性体層と絶縁
体層を交互に印刷しながら導体パターンを接続しており
、絶縁体層から磁性体層に拡散が生じて電極パターンの
乱れが生じ、歩留、信頼性の面でも問題があった。
また、スルーホール等を通じて導体パターンを接続する
方法も採られるが、スルーホールを充填する工数が増加
するなどの問題がある。
〔目的〕
本発明は、上記のような問題点を解決して、比較的少な
いマスクと工数で前記のような積層インダクタを得るこ
とを目的とする。
また、絶縁体層からの拡散による電極パターンの乱れも
生ぜず、歩留、信頼性の面で優れた積層インダクタを得
ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、導体パターン間に低透磁率層を幅を狭くして
印刷積層することによって、上記の目的を達成するもの
である。
すなわち、磁性体内を周回する導体パターンを接続しな
がら積層し、該導体パターン間に該磁性体よりも透磁率
の低い絶縁体層を形成する積層インダクタの製造方法に
おいて、第一の約半ターンの導体パターンを形成し、該
導体パターンの端部を露出させて該導体パターンよりも
幅の狭い絶縁体層を形成する領域以外に磁性体層を形成
し、端部を除く約半ターンの導体パターン上に該絶縁体
層を形成し、該導体パターンの端部に接続する第二の約
半ターンの導体パターンを形成し、該導体パターンの端
部を露出させ、該導体パターンよりも幅の狭い該絶縁体
層を形成する領域以外に磁性体層を形成し、端部を除く
約半ターンの導体パターン上に該絶縁体層を形成し、該
導体パターンの端部に接続する約半ターン第三の約半タ
ーンの導体パターンを形成し、これを繰り返して間に透
磁率の低い絶縁層を具えた導体パターンを形成すること
に特徴を有するものである。
〔実施例〕
以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明す
る。
第1図から第9図までは、本発明の実施例を示す平面図
である。磁性体基板10の表面に、基板端部から中央部
分より少し伸びた引き出し部分の導体パターン21を形
成する(第1図)。
引き出し部分の導体パターン21側の約半分の基板表面
に磁性体層11を形成する。このとき、導体パターンが
上に形成される部分には磁性体層を形成せず、凹部がで
きることになる(第2図)。この凹部の幅は導体パター
ンの幅よりも狭くしておく。
この凹部、すなわち磁性体層11が形成されていない部
分に、磁性体層11よりも透磁率の低い絶縁体層31を
形成する(第3図)。
次に、導体パターン21の端部に接続した約手ターン分
の導体パターン22を形成する。この導体パターン22
は、磁性体層11間の低透磁率の絶縁体層31の上まで
伸びるように形成する(第4図)。
約半ターンの導体パターン22側の約半分の基板表面に
磁性体層12を形成する。このときも第2図の場合と同
様に、導体パターンに挟まれる部分には磁性体層を形成
せず、下の導体パターン22が露出した凹部ができるこ
とになる(第5図)。この凹部の幅は導体パターンの幅
よりも狭くする。
この凹部、すなわち磁性体層12が形成されていない部
分に、磁性体層12よりも低い透磁率の絶縁体N32を
形成する(第6図)。
次に、導体パターン22の端部に接続した約手ターン分
の導体パターン23を形成する。この導体パターン23
は、磁性体層12間の低透磁率の絶縁体層32の上まで
伸びるように形成する(第7図)。
以下、第8図のように、導体パターン23側に磁  。
性体層13を同様に形成しく第8図)、導体パターン2
3上に、導体パターンよりも幅の狭い低透磁率の絶縁層
33を形成する(第9図)。そして、再び第4図に示し
た、約半ターンの導体パターンの形成工程にもどり、必
要なターン数が得られるまで繰り返す。
低透磁率層は周囲の磁性体よりも透磁率が低いものであ
ればよ(、もちろん非磁性体を用いてもよい。
本発明によって得られた積層インダクタの正面断面図を
第10図に示す。導体51間には低透磁率層52が充填
されており、これによって磁束が導体パターン全体の周
囲を回るようになる。したがってインダクタとしての特
性は大幅に向上する。
また、断面形状をみても導体パターンの乱れがなく、特
性も良好な積層インダクタが得られた。
なお、本発明による製造方法は、低透磁率層だけでなく
、異なる透磁率、誘電率層を形成する場合などにも応用
できる。
〔効果〕
本発明によれば、工数及びマスクをそれほど増加させる
ことなく、特性の良好な積層インダクタだ得られる。
また、導体パターンの乱れもなく、歩留、信幀性の面で
も有利である。
【図面の簡単な説明】
第1図から第9図までは本発明の実施例を示す平面図、
第1O図は本発明によって製造した積層インダクタの正
面断面図である。 10〜13・・・・磁性体 21〜23・・・・導体 31〜33・・・・低透磁率層

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 磁性体内を周回する導体パターンを接続しながら積層し
    、該導体パターン間に該磁性体よりも透磁率の低い絶縁
    体層を形成する積層インダクタの製造方法において、第
    一の約半ターンの導体パターンを形成し、該導体パター
    ンの端部を露出させて該導体パターンよりも幅の狭い絶
    縁体層を形成する領域以外に磁性体層を形成し、端部を
    除く約半ターンの導体パターン上に該絶縁体層を形成し
    、該導体パターンの端部に接続する第二の約半ターンの
    導体パターンを形成し、該導体パターンの端部を露出さ
    せ、該導体パターンよりも幅の狭い該絶縁体層を形成す
    る領域以外に磁性体層を形成し、端部を除く約半ターン
    の導体パターン上に該絶縁体層を形成し、該導体パター
    ンの端部に接続する約半ターン第三の約半ターンの導体
    パターンを形成し、これを繰り返して間に透磁率の低い
    絶縁層を具えた導体パターンを形成することを特徴とす
    る積層インダクタの製造方法。
JP62330571A 1987-12-26 1987-12-26 積層インダクタの製造方法 Pending JPH01173611A (ja)

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