JPH02165607A - 積層インダクタ - Google Patents

積層インダクタ

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JPH02165607A
JPH02165607A JP31942388A JP31942388A JPH02165607A JP H02165607 A JPH02165607 A JP H02165607A JP 31942388 A JP31942388 A JP 31942388A JP 31942388 A JP31942388 A JP 31942388A JP H02165607 A JPH02165607 A JP H02165607A
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JP
Japan
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magnetic
conductor patterns
conductor
contact
layer
Prior art date
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Application number
JP31942388A
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English (en)
Inventor
Mitsuo Sakakura
坂倉 光男
Shigeru Komiyama
小宮山 繁
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Toko Inc
Original Assignee
Toko Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、積層インダクタの構造に係るものであり、特
に磁気飽和の生じにくい積層インダクタの構造に関する
ものである。
〔従来技術〕
電子部品の小型化、薄型化などの要求に伴ってインダク
タンス部品の分野でも積層インダクタが注目されている
。これは、巻線を用いずに、印刷あるいはシート法によ
り、磁性体と導体を交互に積層し、磁性体内を周回する
導体パターンを形成するものである。
第3図は、そのような積層インダクタの正面断面図であ
る。磁性体30内に導体パターン31が積層方向に重畳
して形成される。導体パターン31は磁性体30によっ
て囲まれており、閉磁路型のインダクタが得られる。
〔課題〕
上記のような積層インダクタは、閉磁路型であるため、
磁気的な飽和が生じ、インダクタンス、Qなどで十分な
特性を得ることが難しい。
この磁気飽和を調べてみると、上下の端部の導体パター
ンの内側の角の付近において磁束密度が非常に大きくな
っていることが分かった。
本発明は、特定の位置で磁束密度が大きくなることを防
止し、磁気飽和の生じにくい積層インダクタを提供する
ものである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、導体パターンの両端に接して透磁率の低い層
を形成することによって、上記の課題を解決するもので
ある。
すなわち、磁性体層間を端部が接続され、積層方向に重
畳して周回する導体パターンを具えた積層インダクタに
おいて、積層方向の両端の導体パターンに接し、当該導
体パターンに囲まれた部分の磁性体層に接して伸び、当
該導体パターンと積層方向の端面との間に位置する、該
磁性体層よりも透磁率の低い材料の層を具えたことに特
徴を有するものである。
更に、導体パターン間も透磁率の低い材料で置換すると
、より良好な特性が得られる。
また、透磁率の低い材料を非磁性体としてもよい。
〔作用〕
導体パターンの周囲に生じる磁束は、透磁率の低い部分
よりも116fi率の高い部分に集中する。両端の導体
パターンの外側に透磁率の低い部分があるので、導体パ
ターンの角の部分に磁束が集中することを防止できる。
これによって、この部分での磁気飽和を生じにくくシ、
インダクタンス素子の磁気飽和が発生しにくくなる。
〔実施例〕
以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明す
る。
第1図は本発明の実施例を示す正面断面図である。フェ
ライトの磁性体層10内に銀の導体パターン11が周回
している。これは、フェライトのペーストと導体ペース
トを交互に印刷して積層したものである。導体パターン
は端部を接続しながら磁性体層間を周回し、積層方向に
重畳して形成される。インダクタンス値に応じて、所定
のターン数形成される。
本発明功積層インダクタにおいては、積層方向の両端の
導体パターンに接して、端面側に透磁率の低い材料の層
12が形成される。この透磁率の低い材料の層12は導
体パターン11に接する部分と、その内側の磁路を横切
る部分によって形成する。
すなわち、導体パターン11に透磁率の低い材料の層1
2で蓋をした構造となる。
第2図は本発明の他の実施例を示す正面断面図である。
フェライトの磁性体層20と導体パターン21は前記の
例と同じであるが、この例では、導体パターン21間を
透磁率の低い材料の層23で置換するとともに、積層方
向の両端の導体パターンに接して、端面側に透磁率の低
い材料の層22が形成される。この透磁率の低い材料の
層22は導体パターン21に接する部分と、その内側の
磁路を横切る部分とによって形成する。すなわち、導体
パターン21に透磁率の低い材料の層12で蓋をした構
造となる。
二つの透磁率の低い材料の層22.23は同じ材料を用
いることができる。
上記のような構造の本発明による積層インダクタの特性
の測定結果について説明する。
積層インダクタの寸法は、磁路断面積が0.744酔2
、電極幅0.13mm、電極厚み15ミクロン、透磁率
の低い層の厚み30ミクロンとし、磁性体層はμ=58
0の材料で、透磁率の低い材料の層にはμ=100.1
の二種類のサンプルを得た。これを5mAの電流におい
て重畳直流特性から計算した結果は次の通りであった。
磁界強度は、両端の導体パターンの内側の部分について
計算したものである。
透磁率の低い磁性体の材料で置換したため、インダクタ
ンス値は低くなるので、ターン数は若干増やす必要はあ
るが、直流重畳特性から判断して磁束の集中は大幅に緩
和されていることが確認された。
〔効果〕
本発明によれば、磁束が特定の位置に集中することが防
止でき、閉磁路型の積層インダクタにおいても、磁気飽
和の発生を防止することが容易となる。
それによって、インダクタのインダクタンス値やQ値な
どを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図と第2図は本発明の実施例を示す正面断面図、第
3図は従来の積層インダクタの正面断面図である。 10.20・・・・・・・磁性体層

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)磁性体層間を端部が接続され、積層方向に重畳し
    て周回する導体パターンを具えた積層インダクタにおい
    て、積層方向の両端の導体パターンに接し、当該導体パ
    ターンに囲まれた部分の磁性体層に接して伸び、当該導
    体パターンと積層方向の端面との間に位置する、該磁性
    体層よりも透磁率の低い材料の層を具えたことを特徴と
    する積層インダクタ。
  2. (2)磁性体層間を端部が接続され、積層方向に重畳し
    て周回する導体パターンを具えた積層インダクタにおい
    て、該導体パターン間が該磁性体よりも透磁率の低い材
    料で置換され、積層方向の両端の導体パターンに接し、
    当該導体パターンに囲まれた部分の磁性体層に接して伸
    び、当該導体パターンと積層方向の端面との間に位置す
    る、該磁性体層よりも透磁率の低い材料の層を具えたこ
    とを特徴とする積層インダクタ。
  3. (3)該導体パターン間と積層方向の端面側に配置され
    た透磁率の低い材料が同じである請求項第2項記載の積
    層インダクタ。
  4. (4)磁性体層間を端部が接続され、積層方向に重畳し
    て周回する導体パターンを具えた積層インダクタにおい
    て、積層方向の両端の導体パターンに接し、当該導体パ
    ターンに囲まれた部分の磁性体層に接して伸び、当該導
    体パターンと積層方向の端面との間に位置する、非磁性
    体層を具えたことを特徴とする積層インダクタ。
JP31942388A 1988-12-20 1988-12-20 積層インダクタ Pending JPH02165607A (ja)

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