JPH05182832A - 積層インダクタ - Google Patents
積層インダクタInfo
- Publication number
- JPH05182832A JPH05182832A JP3360278A JP36027891A JPH05182832A JP H05182832 A JPH05182832 A JP H05182832A JP 3360278 A JP3360278 A JP 3360278A JP 36027891 A JP36027891 A JP 36027891A JP H05182832 A JPH05182832 A JP H05182832A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- conductor pattern
- width
- range
- stacking direction
- Prior art date
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- Pending
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- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 導体パターンを横切るフラックスを減少させ
てＱを向上させる。 【構成】 非磁性体内を周回する導体パターンを具えた
積層インダクタの導体パターンの幅と間隔によって導体
パターンを横切るフラックスを減少させる。導体パター
ンの幅を70〜 180μｍの範囲とし、その導体パターンの
積層方向の間隔を20〜 100μｍの範囲とする。導体パタ
ーンの間隔を広げるにしたがってＱが上昇する。 【効果】
てＱを向上させる。 【構成】 非磁性体内を周回する導体パターンを具えた
積層インダクタの導体パターンの幅と間隔によって導体
パターンを横切るフラックスを減少させる。導体パター
ンの幅を70〜 180μｍの範囲とし、その導体パターンの
積層方向の間隔を20〜 100μｍの範囲とする。導体パタ
ーンの間隔を広げるにしたがってＱが上昇する。 【効果】
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、積層インダクタに係る
もので、特に高周波帯域用の非磁性体を用いた積層イン
ダクタに関するものである。
もので、特に高周波帯域用の非磁性体を用いた積層イン
ダクタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子部品の小型化、薄型化の要求にとも
なって、インダクタの分野においても巻線を用いないセ
ラミック積層体による積層インダクタが利用されるよう
になっている。
なって、インダクタの分野においても巻線を用いないセ
ラミック積層体による積層インダクタが利用されるよう
になっている。
【０００３】この積層インダクタは、フェライト磁性体
層と銀または銀／パラジウム等の導体を積層したもの
で、磁性体のグリーンシートを導体パターンを印刷しな
がら積層するものと、磁性体ペーストと導体ペーストを
交互に印刷するものがある。
層と銀または銀／パラジウム等の導体を積層したもの
で、磁性体のグリーンシートを導体パターンを印刷しな
がら積層するものと、磁性体ペーストと導体ペーストを
交互に印刷するものがある。
【０００４】電子機器の高周波化にともなって、100MHz
以上の高周波帯域でも利用できる積層インダクタの要求
も高まっており、自己共振周波数の関係から低透磁率ま
たは非磁性体材料を用いた積層インダクタも考えられて
いる。
以上の高周波帯域でも利用できる積層インダクタの要求
も高まっており、自己共振周波数の関係から低透磁率ま
たは非磁性体材料を用いた積層インダクタも考えられて
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、低透磁率また
は非磁性の材料を用いる場合、高いＱを得ることが難し
かった。これは、材料の性質により、導体パターン内を
通過する磁束（フラックス）が多くなり、そのために導
体の抵抗が実質的に増加することが原因であると考えら
れる。
は非磁性の材料を用いる場合、高いＱを得ることが難し
かった。これは、材料の性質により、導体パターン内を
通過する磁束（フラックス）が多くなり、そのために導
体の抵抗が実質的に増加することが原因であると考えら
れる。
【０００６】導体パターンの間隔を大きくすればこの問
題は解決できるが、導体パターン間の結合が減少するた
めにインダクタンスが低下し、また、厚さが大きくなる
問題がある。
題は解決できるが、導体パターン間の結合が減少するた
めにインダクタンスが低下し、また、厚さが大きくなる
問題がある。
【０００７】本発明は、最小限の寸法で導体の実質的な
抵抗を下げてＱを向上させることのできる積層インダク
タを提供するものである。
抵抗を下げてＱを向上させることのできる積層インダク
タを提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、導体パターン
の幅と積層方向の間隔を選択することによって、上記の
課題を解決するものである。
の幅と積層方向の間隔を選択することによって、上記の
課題を解決するものである。
【０００９】すなわち、非磁性体層と約半ターン分の導
体パターンが、導体パターンの端部を接続しながら積層
され、非磁性体層を介して積層方向に重畳して周回する
コイル用導体が形成された積層インダクタにおいて、そ
の導体パターンの幅が70〜 180μｍであり、積層方向に
おける導体パターンの間隔が20〜 100μｍであることに
特徴を有するものである。
体パターンが、導体パターンの端部を接続しながら積層
され、非磁性体層を介して積層方向に重畳して周回する
コイル用導体が形成された積層インダクタにおいて、そ
の導体パターンの幅が70〜 180μｍであり、積層方向に
おける導体パターンの間隔が20〜 100μｍであることに
特徴を有するものである。
【００１０】
【作用】本発明は、導体パターンの厚みよりも幅と積層
方向における間隔の間にＱの変動の要因があることの確
認に基づくものである。導体パターンの厚みそのものは
直流抵抗に関係しており、Ｑを決定する一つの要因では
あるが、一定の幅の範囲内において間隔を調整すること
によってＱの向上が可能となる。
方向における間隔の間にＱの変動の要因があることの確
認に基づくものである。導体パターンの厚みそのものは
直流抵抗に関係しており、Ｑを決定する一つの要因では
あるが、一定の幅の範囲内において間隔を調整すること
によってＱの向上が可能となる。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
【００１２】図１は、本発明による積層インダクタの正
面断面図である。ホウケイ酸ガラスとフォルステライト
の混合物の積層体10内に、周回して積層方向に重畳する
銀の導体パターン11を具えたものである。積層体の寸法
は縦2.0mm 、横1.2mm とした。導体パターン11は積層体
内に５ターン分形成した。導体パターン11の水平方向の
間隔は0.5mm ×1.0mm とした。
面断面図である。ホウケイ酸ガラスとフォルステライト
の混合物の積層体10内に、周回して積層方向に重畳する
銀の導体パターン11を具えたものである。積層体の寸法
は縦2.0mm 、横1.2mm とした。導体パターン11は積層体
内に５ターン分形成した。導体パターン11の水平方向の
間隔は0.5mm ×1.0mm とした。
【００１３】積層体内に形成される導体パターンの幅ｗ
を50〜250 μｍの範囲で、また導体パターンの間隔ｄを
10〜 120μｍの範囲で各種サンプルを作成し、 600〜90
0MHzの周波数帯域でその特性を調べた。また、導体パタ
ーンの厚みもそれぞれ数種類変えたものを作成した。
を50〜250 μｍの範囲で、また導体パターンの間隔ｄを
10〜 120μｍの範囲で各種サンプルを作成し、 600〜90
0MHzの周波数帯域でその特性を調べた。また、導体パタ
ーンの厚みもそれぞれ数種類変えたものを作成した。
【００１４】その結果、導体パターンの幅が70〜 180μ
ｍの範囲で、導体パターンの間隔を調整することによっ
てＱの最大値（以下単にＱとする）が向上する範囲があ
った。その傾向は若干異なるが、間隔が20〜 100μｍの
範囲で間隔を広げるにしたがってＱが向上することが確
認された。もっとも、間隔を広げることによりインダク
タンスは若干低下する傾向が出るが、少ないインダクタ
ンスで済む高周波領域ではほとんど問題とならない。
ｍの範囲で、導体パターンの間隔を調整することによっ
てＱの最大値（以下単にＱとする）が向上する範囲があ
った。その傾向は若干異なるが、間隔が20〜 100μｍの
範囲で間隔を広げるにしたがってＱが向上することが確
認された。もっとも、間隔を広げることによりインダク
タンスは若干低下する傾向が出るが、少ないインダクタ
ンスで済む高周波領域ではほとんど問題とならない。
【００１５】図２は、導体幅ｗを70μｍとしたときの導
体パターンの間隔ｄとＱの関係を示す説明図である。上
昇の程度は小さいが 100μｍ程度までの範囲でＱの上昇
を示している。
体パターンの間隔ｄとＱの関係を示す説明図である。上
昇の程度は小さいが 100μｍ程度までの範囲でＱの上昇
を示している。
【００１６】図３は、導体幅ｗを90μｍとしたときの導
体パターンの間隔ｄとＱの関係を示す説明図である。20
〜90μｍの範囲で間隔ｄを広げるにしたがってＱが向上
していた。もっとも、間隔ｄが90μｍ程度で上昇は止ま
っていた。
体パターンの間隔ｄとＱの関係を示す説明図である。20
〜90μｍの範囲で間隔ｄを広げるにしたがってＱが向上
していた。もっとも、間隔ｄが90μｍ程度で上昇は止ま
っていた。
【００１７】図４は、導体幅ｗを 120μｍとしたときの
導体パターンの間隔ｄとＱの関係を示す説明図である。
20〜80μｍの範囲で間隔ｄを広げるにしたがってＱが向
上していた。もっとも、間隔ｄが80μｍ程度で上昇は止
まっていた。導体厚みｔを変えてもほとんど同じ傾向を
示している。
導体パターンの間隔ｄとＱの関係を示す説明図である。
20〜80μｍの範囲で間隔ｄを広げるにしたがってＱが向
上していた。もっとも、間隔ｄが80μｍ程度で上昇は止
まっていた。導体厚みｔを変えてもほとんど同じ傾向を
示している。
【００１８】図５は、導体幅ｗを 180μｍとしたときの
導体パターンの間隔ｄとＱの関係を示す説明図である。
20〜90μｍの範囲で間隔ｄを広げるにしたがってＱが向
上しているが、特に60〜90μｍの範囲でＱの向上が顕著
に現れていた。
導体パターンの間隔ｄとＱの関係を示す説明図である。
20〜90μｍの範囲で間隔ｄを広げるにしたがってＱが向
上しているが、特に60〜90μｍの範囲でＱの向上が顕著
に現れていた。
【００１９】上記のように、Ｑの向上の効果が顕著に現
れる範囲は多少異なるが、全体的に上記の範囲では導体
間隔ｄを広げるにしたがってＱが向上する結果を示して
いた。導体間隔ｄは、導体パターン間の絶縁の関係で20
μｍ程度以上は必要であり、また積層体の厚みの関係か
らできるだけ小さくすることが望ましい。間隔ｄを 100
μｍを超える範囲としてもＱの向上の意味はなくなるの
で、上記の範囲とすることが望ましい。
れる範囲は多少異なるが、全体的に上記の範囲では導体
間隔ｄを広げるにしたがってＱが向上する結果を示して
いた。導体間隔ｄは、導体パターン間の絶縁の関係で20
μｍ程度以上は必要であり、また積層体の厚みの関係か
らできるだけ小さくすることが望ましい。間隔ｄを 100
μｍを超える範囲としてもＱの向上の意味はなくなるの
で、上記の範囲とすることが望ましい。
【００２０】図６は導体幅ｗを50μｍとしたときの結果
の比較例で、間隔ｄを広げると逆にＱは低下していた。
また、図７は導体幅ｗを 250μｍとしたときの比較例
で、間隔ｄを広げてもＱはほとんど変化しない。もっと
も、この導体幅は実際上2.0mm×1.2mm のサイズの積層
体に形成することはできない。
の比較例で、間隔ｄを広げると逆にＱは低下していた。
また、図７は導体幅ｗを 250μｍとしたときの比較例
で、間隔ｄを広げてもＱはほとんど変化しない。もっと
も、この導体幅は実際上2.0mm×1.2mm のサイズの積層
体に形成することはできない。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、導体の実効的な抵抗を
減少させ、高周波帯域に利用する積層インダクタのＱを
向上させることができる。
減少させ、高周波帯域に利用する積層インダクタのＱを
向上させることができる。
【００２１】また、間隔を所望の値に選択することによ
り、インダクタンスの低下を最小限に抑えることができ
る。
り、インダクタンスの低下を最小限に抑えることができ
る。
【図１】 本発明による積層インダクタの正面断面図
【図２】 本発明による積層インダクタの一例の特性の
説明図
説明図
【図３】 本発明による積層インダクタの他の例の特性
の説明図
の説明図
【図４】 本発明による積層インダクタの他の例の特性
の説明図
の説明図
【図５】 本発明による積層インダクタの他の例の特性
の説明図
の説明図
【図６】 比較例の説明図
【図７】 他の比較例の説明図
10：積層体 11：導体パターン ｗ：導体パターン幅 ｄ：導体パターン間隔 ｔ：導体パターン厚み
Claims (1)
- 【請求項１】 非磁性体層と約半ターン分の導体パター
ンが、導体パターンの端部を接続しながら積層され、非
磁性体層を介して積層方向に重畳して周回するコイル用
導体が形成された積層インダクタにおいて、その導体パ
ターンの幅が70〜 180μｍであり、積層方向における導
体パターンの間隔が20〜 100μｍであることを特徴とす
る積層インダクタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3360278A JPH05182832A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 積層インダクタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3360278A JPH05182832A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 積層インダクタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05182832A true JPH05182832A (ja) | 1993-07-23 |
Family
ID=18468704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3360278A Pending JPH05182832A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 積層インダクタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05182832A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005167029A (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Tdk Corp | 積層型インダクタ |
| CN113539610A (zh) * | 2020-04-21 | 2021-10-22 | 株式会社村田制作所 | 层叠型线圈部件 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5753916A (ja) * | 1980-09-17 | 1982-03-31 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Maikurotoransu |
| JPS5898907A (ja) * | 1981-12-08 | 1983-06-13 | Omron Tateisi Electronics Co | 鉄心 |
| JPH02165607A (ja) * | 1988-12-20 | 1990-06-26 | Toko Inc | 積層インダクタ |
-
1991
- 1991-12-27 JP JP3360278A patent/JPH05182832A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5753916A (ja) * | 1980-09-17 | 1982-03-31 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Maikurotoransu |
| JPS5898907A (ja) * | 1981-12-08 | 1983-06-13 | Omron Tateisi Electronics Co | 鉄心 |
| JPH02165607A (ja) * | 1988-12-20 | 1990-06-26 | Toko Inc | 積層インダクタ |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005167029A (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Tdk Corp | 積層型インダクタ |
| CN113539610A (zh) * | 2020-04-21 | 2021-10-22 | 株式会社村田制作所 | 层叠型线圈部件 |
| JP2021174817A (ja) * | 2020-04-21 | 2021-11-01 | 株式会社村田製作所 | 積層型コイル部品 |
| CN113539610B (zh) * | 2020-04-21 | 2024-04-02 | 株式会社村田制作所 | 层叠型线圈部件 |
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