JPH0416406Y2 - - Google Patents

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JPH0416406Y2
JPH0416406Y2 JP18214686U JP18214686U JPH0416406Y2 JP H0416406 Y2 JPH0416406 Y2 JP H0416406Y2 JP 18214686 U JP18214686 U JP 18214686U JP 18214686 U JP18214686 U JP 18214686U JP H0416406 Y2 JPH0416406 Y2 JP H0416406Y2
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intermediate tap
conductor
magnetic
drawn out
magnetic permeability
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JP18214686U
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Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は積層インダクタの構造に係るもので、
とくに中間タツプを具えた積層インダクタの構造
に関するものである。
〔従来技術〕
電子部品の小型化の要求にともなつてインダク
タ(コイル)の分野においても巻線を用いないタ
イプが開発されている。その一つに磁性体または
絶縁体と導体を積層して周回する導体パターンを
形成してコイルパターンを得るものがある。これ
はセラミツクグリーンシートを用いたり印刷した
りすることによつて得られ、閉磁路構造のインダ
クタが得られる。
このような積層インダクタに対する種々の特性
上の要求も現れており、また用途も広がりつつあ
る。
そのなかで、中間タツプを具えたもので、二つ
のコイルの間の結合を任意に得られるものに対す
る要求も高まつている。従来の巻線を用いたもの
では巻き方などを調整することによつて容易に実
現できたが、固体化された積層インダクタにおい
てはこの要求を満たすものはなかつた。
〔目的〕
本考案は上記のような要求を満たして、任意の
結合状態が得られる積層インダクタを得ることを
目的とする。
また、結合を強くすることも弱くすることも可
能な積層インダクタを得ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
本考案は中間タツプ部分の導体層間の透磁率を
他の部分とは異ならせることによつて上記の目的
を達成するものである。
すなわち、絶縁体層と導体層を交互に積層して
磁性体層中を周回する導体パターンを形成して成
る積層インダクタにおいて、周回する導体パター
ンから中間タツプを引き出し、その中間タツプに
隣接する絶縁体層の透磁率を他の絶縁体層と異な
らせることに特徴を有するものである。
これによつて、中間タツプによつて分けられた
コイル間の結合を変えるものである。
〔実施例〕
以下、本考案の実施例について図面を参照して
説明する。
第1図は本考案の実施例を示す正面断面図であ
る。フエライト等の磁性体10の中に導体層11
が形成されている。これはセラミツクグリーンシ
ートに導体パターンを印刷するか、磁性体ペース
トと導体ペーストを交互に印刷するかして形成す
る。導体パターンは半ターンずつ印刷され、端部
が接続されながら積層されてコイルパターンとな
る。その両端は磁性体10の端面に引き出されて
外部端子に接続される。
導体パターン11間にも絶縁層が形成される
が、この例では磁性体10よりも透磁率の低い低
透磁率層12が導体11間に配置されている。こ
れは磁気フラツクスが導体11間を通るのを防い
で高いインダクタンスを得るためである。導体1
1tからは図示していないが中間タツプが磁性体
の端面に引き出されている。
中間タツプが引き出される導体11に隣接する
絶縁層13は他の導体間の絶縁層すなわち低透磁
率層12よりも透磁率の大きな材料の絶縁層13
で形成されている。導体11間のおいてこの絶縁
層13のみが比較的大きな透磁率であるので、こ
の絶縁層13をとおして導体11の内側と外側の
間に磁気フラツクスの漏れを生じる。
このように磁気フラツクスの漏れを人為的に生
じさせることによつて中間タツプの両側のコイル
間の結合は弱くなる。すなわち、第2図に示した
コイル24とコイル25との結合が弱くなる。絶
縁層13の透磁率を選択することによつて任意の
結合状態が得られる。
上記の例とは逆にタツプに隣接する絶縁層の透
磁率をより低くすることもできる。この場合には
二つのコイル間の結合を強めることになる。結合
の取り方は中間タツプの両側のコイルでなく、そ
の一方と全体であつてもよい。
また、上記の例では中間タツプは一つであつた
が、二つ以上タツプを具えたものであつても同様
にでき、より多様な結合状態を実現できる。
〔効果〕
本考案によれば、コイル間の結合を任意に設定
することができる。製造にあたつて要求特性に応
じた材料を選択するだけで所望の結合状態を得る
ことができる。
また、強い結合も得ることができるので、トラ
ンスデユーサとして用いた場合なとには高い変換
効率が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の実施例を示す正面断面図、第
2図はその等価回路図である。 10……磁性体、11……導体、12……低透
磁率層、13……絶縁層。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 絶縁体層と導体層を交互に積層して該磁性体層
    中を周回する導体パターンを形成して成る積層イ
    ンダクタにおいて、該導体パターンから中間タツ
    プを引き出し、該中間タツプに隣接する絶縁体層
    の透磁率が他の絶縁体層と異となることを特徴と
    する積層インダクタ。
JP18214686U 1986-11-27 1986-11-27 Expired JPH0416406Y2 (ja)

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JP18214686U JPH0416406Y2 (ja) 1986-11-27 1986-11-27

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JPS6387807U JPS6387807U (ja) 1988-06-08
JPH0416406Y2 true JPH0416406Y2 (ja) 1992-04-13

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JPS6387807U (ja) 1988-06-08

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