JP2694757B2 - 積層インダクタ - Google Patents

積層インダクタ

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JP2694757B2 JP8006089A JP8006089A JP2694757B2 JP 2694757 B2 JP2694757 B2 JP 2694757B2 JP 8006089 A JP8006089 A JP 8006089A JP 8006089 A JP8006089 A JP 8006089A JP 2694757 B2 JP2694757 B2 JP 2694757B2
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哲郎 田中
繁 小宮山
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Toko Inc
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【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、積層インダクタの構造に係るものであり、
特に磁気飽和の生じにくい積層インダクタの構造に関す
るものである。
〔従来技術〕
電子部品の小型化、薄型化などの要求に伴ってインダ
クタンス部品の分野でも積層インダクタが注目されてい
る。これは、巻線を用いずに、印刷あるいはシート法に
より、磁性体と導体を交互に積層し、磁性体内を周回す
る導体パターンを形成するものである。
第４図は、そのような積層インダクタの正面断面図で
ある。磁性体40内に導体パターン41が積層方向に重畳し
て形成される。導体パターン41は磁性体40によって囲ま
れており、閉磁路型のインダクタが得られる。
〔課題〕
上記のような積層インダクタは、閉磁路型であるた
め、磁気的な飽和が生じ、インダクタンス、Ｑなどで十
分な特性を得ることが難しい。
この磁気飽和を調べてみると、上下の端部の導体パタ
ーンの内側の角の付近において磁束密度が非常に大きく
なっていることが分かった。
本発明は、特定の位置で磁束密度が大きくなることを
防止し、磁気飽和の生じにくい積層インダクタを提供す
るものである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、導体パターンに接してその内側に透磁率の
低い層を形成することによって、上記の課題を解決する
ものである。
すなわち、磁性体層間に端部が接続され、積層方向に
重畳して周回する導体パターンを具えた積層インダクタ
において、積層方向の両端の導体パターンに接し、当該
導体パターンの内側に位置する、該磁性体層よりも透磁
率の低い材料の層を具えたことを特徴を有するものであ
る。
更に、導体パターン間も透磁率の低い材料で置換する
と、より良好な特性が得られる。
また、透磁率の低い材料は非磁性体としてもよい。
〔作用〕
導体パターンの周囲に生じる磁束は、透磁率の低い部
分よりも透磁率の高い部分に集中する。両端の導体パタ
ーンの内側に透磁率の低い部分があるので、端部の導体
パターンの内側の角の部分に磁束が集中することを防止
できる。
これによって、この部分での磁束の集中が生じにくな
り、磁束が主磁路の中央部分に分散されてインダクタン
ス素子の磁気飽和が発生しにくくなる。
〔実施例〕
以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明
する。
第１図は本発明の実施例を示す正面断面図である。Ni
−Zn系等のフェライトの磁性体層10内に銀の導体パター
ン11が螺旋状に周回している。これは、フェライトのペ
ーストと導体ペーストを交互に印刷して積層したもので
ある。導体パターンは端部を接続しながら磁性体層間を
周回し、積層方向に重畳して形成される。インダクタン
ス値に応じて、所定のターン数形成される。
本発明の積層インダクタンスにおいては、少なくとも
両端の導体パターンに接して、透磁率の低い材料の層12
が形成される。この透磁率の低い材料の層12は積層方向
の両端に位置する導体パターン11の内側の部分に形成す
る。
図示しないが、導体パターンの内側に接して両端の導
体パターン間に筒状に伸びる透磁率の低い材料の層を形
成してもよい。
なお、第２図のように、導体パターン21間も透磁率の
低い材料の層22で置換しておくと、磁束が導体パターン
21間を通りにくくなるので、インダクタンスを増加させ
ることができる。透磁率の低い材料22は端面側の層のも
のと同じ組成の材料を用いてもよい。
また、第３図のように、導体パターン31に接する部分
と、その内側の磁路を横切る部分に、すなわち、導体パ
ターン31の内側に筒状に透磁率の低い材料の層32を形成
した構造としてもよい。
透磁率の低い材料としては同じNi−Zn系のフェライト
でNiの含有量の少ないものを用いたり、非磁性体を用い
るとよい。なお、導体パターン間には誘電率の低い材料
を用いた方がパターン間の浮遊容量を小さくできるので
有利である。
上記のような構造の本発明による積層インダクタの特
性について説明する。
積層インダクタの寸法は、磁路断面積が0.744mm2、電
極幅0.13mm、電極厚み15ミクロン、透磁率の低い層を導
体パターンの内側に幅0.1mmで形成した。磁性体層はμ
＝580の材料で、透磁率の低い材料の層にはμ＝100のサ
ンプルを得た。
重畳直流特性から判断して、積層方向の両端の導体パ
ターンの内側の角の部分の磁束密度は小さくなっている
ことが確認された。
透磁率の低い磁性体の材料で置換したため、インダク
タンス値は低くなるので、ターン数は若干増やす必要は
あるが、前記のように直流重畳特性から判断して磁束の
集中は大幅に緩和され、飽和しにくくなっている。
〔効果〕
本発明によれば、磁束が特定の位置に集中することが
防止でき、閉磁路型の積層インダクタにおいても、磁気
飽和の発生を防止することが容易となる。
それによって、インダクタのインダクタンス値やＱ値
などを向上させることができる。
なお、導体パターン間の磁束密度も小さくなりＱの向
上の面でも有利である。
【図面の簡単な説明】
第１図から第３図までは本発明の実施例を示す正面断面
図、第４図は従来の積層インダクタの例を示す正面断面
図である。 10、20、30……磁性体層 11、21、31……導体パターン 12,22、32……透磁率の低い材料の層

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】磁性体層間に端部が接続され、積層方向に
    重畳して周回する導体パターンを具えた積層インダクタ
    において、積層方向の両端の導体パターンに接し、当該
    導体パターンの内側に位置する、該磁性体層よりも透磁
    率の低い材料の層を具えたことを特徴とする積層インダ
    クタ。
  2. 【請求項２】磁性体層間に端部が接続され、積層方向に
    重畳して周回する導体パターンを具えた積層インダクタ
    において、該導体パターン間が該磁性体よりも透磁率の
    低い材料で置換され、積層方向の両端の導体パターンに
    接し、当該導体パターンの内側に位置する、該磁性体層
    よりも透磁率の低い材料の層を具えたことを特徴とする
    積層インダクタ。
  3. 【請求項３】該導体パターン間と該導体パターンの内側
    に配置された透磁率の低い材料が同じである請求項第２
    項記載の積層インダクタ。
  4. 【請求項４】磁性体層間に端部が接続され、積層方向に
    重畳して周回する導体パターンを具えた積層インダクタ
    において、該導体パターンの内側に接するとともに各々
    が接続されて筒状に形成された、該磁性体層よりも透磁
    率の低い材料の層を具えたことを特徴とする積層インダ
    クタ。
  5. 【請求項５】磁性体層間に端部が接続され、積層方向に
    重畳して周回する導体パターンを具えた積層インダクタ
    において、該導体パターン間が該磁性体よりも透磁率の
    低い材料で置換され、導体パターンの内側に接するとと
    もに各々が接続されて筒状に形成された、該磁性体層よ
    りも透磁率の低い材料の層を具えたことを特徴とする積
    層インダクタ。
  6. 【請求項６】磁性体層間に端部が接続され、積層方向に
    重畳して周回する導体パターンを具えた積層インダクタ
    において、少なくとも積層方向の両端の導体パターンに
    接し、当該導体パターンの内側に位置する、非磁性体よ
    り成る材料の層を具えたことを特徴とする積層インダク
    タ。
  7. 【請求項７】磁性体層間に端部が接続され、積層方向に
    重畳して周回する導体パターンを具えた積層インダクタ
    において、該導体パターン間が非磁性体材料で置換さ
    れ、少なくとも積層方向の両端該の該導体パターンに接
    し、当該導体パターンの内側に位置する、非磁性体より
    成る材料の層を具えたことを特徴とする積層インダク
    タ。
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